G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1247795

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Анненков, Балтянский, Зверева, Лебедев, Лисин, Соркин, Фельдберг, Чернецов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров, регистрации

...блокомстабилизации. Так как напряжение с выхода сумматора через четвертый канал блока коммутации и выпрямитель 22 подается на вход схемы 21 сравнения, на другой вход которой поступает напряжение с второго 2 О источника опорного напряжения, при их неравенстве сигнал с выхода схемы сравнения изменяет коэффициент передачи управляемого делителя напряжения.Таким образом, из выражения (8) имеем 5 р 1 о)С;+1 о)С +6 р(4) Таким образом, напряжение на выходе ФЧВ пропорционально проводимости подложки 65Из равенств (3) и (4) видно, что преобразование осуществляется относительно напряжения Оо, а это накладывает требование поддерживать его постоянным. 35Это требование осуществляется блоком 12 стабилизации, который в режиме аккумуляции работает...

Номер патента: 1247796

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Голенкин, Сергеев

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

...источник 3 тока создает токи 1 и 12, протекающие через испытуемый и образцовый транзисторы соответствено, которые включены (фиг. 2) по схеме дифференциального каскада с зазем 5 1 О 15 20 25 зо 35 4 О 45 ленными входами, при этом 12 + 1 = 10 В исходном состоянии источник 11 коллекторного напряжения соединен с коллекторами испытуемого и образцового транзисторов через первый резистор Ят и сопротивления нагрузки И и Я 2 соответственно. Напряжения на коллекторах испытуемого и образцового транзисторов равны соответственноЦкб = Ек - Яг 10 - Р 11,1 Цкб 2 = Ек - Йт 10 - К 2 121причем индексом 1 обозначены величины, относящиеся к испытуемому транзистору. Величины Е, Рт и 10 выбираются такими, чтобы напряжение (Е. - К,10) было по крайней мере в...

Номер патента: 1247797

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Захаров, Ильюк, Михальчук, Ярухин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: гистерезиса, характеристик

...10 дифференцирования (фиг. 2,д) который через элемент И 20 сбрасывает триггер 30, интегратор обнуляется и развертка напряжения смещения прекращается. Элементы генератора развертки смещения управляют и другими элементами устройства. Напряжение усилителя 5 детектируется пиковым детектором 21 (фиг. 2,ж). Компаратор 7 нуля преобразует гармонический сигнал усилителя 5 (фиг. З,п) в прямоугольные импульсы (фиг. З,р), фронты которых соответствуют переходам гармонического сигнала через нулевой уровень. Первый и второй элементы 8, 9 дифференцирования, счетный триггер 46 формируют короткие строб-импульсы (фиг 3, с,т). Строб- импульс 1.1. обнуляет пиковый детектор 21 (фиг, З,у), а строб-импульс 1.1 через элемент 13 задержки запускает АЦП 15...

Номер патента: 1247798

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Иоспа, Лаужа, Узарс, Феоктистов, Чаусов

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводникового, прибора, силового, сопротивления, теплового

...и прижимным приспособлением 3. Этот прибор своими силовыми электродами подключен к генера тору 4 калиброванного импульса тока, в состав которого входят источник 5 постоянного тока, силовой ключ 6, реле 7 времени и пусковая кйопка 8.Предусмотрен также блок измерения температуры охладителя 2 в виде типового 30 дистанционного термометра 9, воспринимающего инфракрасное излучение от определенной точки 10 охладителя 2, которая должна быть расположена возможно ближе к прибору 1, К выходу термометра 9 подключено регистрирующее устройство - само- З 5 писец 11, вход запуска которого соединен с пусковой кнопкой 8.Предложенный способ реализуется следующим образом.После подключения. генератора 4 к при О бору 1 и установки на его охладителе 2...

Номер патента: 1255969

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Бельский, Дмитриев, Забиров, Кричун

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, переход-корпус, полупроводниковых, постоянной, приборов, тепловой

...тепла, поэтому амплитуда напряжения на нем, пропорциональная току,50 протекающему через него, будет оставаться неизменной при протекании греющего тока, а амплитуда напряженияна испытуемом приборе будет меняться пропорционально изменению его со 55 5 О 5 20 25 30 торого соединен с входом дешифратора 13, выход которого соединен с входом индикатора 14,Генератор управляющих импульсовсодержит генератор 20 напряжения треугольной формы, первый 21 и второй22 компараторы, делитель 23 частоты,ключ 24, инвертор 25, первый 26 ивторой 27 источники опорного напряжения.При этом выход генератора 20 напряжения треугольной формы соединенс первыми входами первого 21 и второго 22 компараторов, выход первого 2компаратора соединен с входом делителя...

Номер патента: 1257585

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Грицевский, Синицын

МПК: G01R 31/26

Метки: закрытом, критической, нарастания, скорости, состоянии, тиристоров

...остается открагтым. От датчика 4 состояния в Формирователь поступает сигнал Годен т.е, испытуемый тиристор выдерживает напряжение с заданной скоростью нарастания, При поступлении сигнала "Годен" формирователь можно перестроить на другие параметры (более высокую скорость нарастания напряжения).Если скорость нарастания напряжения выше критической для данного йспытуемого тиристора, то последний начнет включаться и через него потечет ток. Когда ток через испытуе" мый тиристор превысит значение тока, определяемого параметрами источника 3 тока, электронный ключ 2 закроется и последовательно испытуемому тиристору 6 окажется включен источник 3 тока. При этом сработает датчик 4 состояния испытуемого тиристора б, причем это произойдет в момент...

Номер патента: 1131398

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, уровней, энергетических

...бегущей от источника (конденсатора) и отраженной от края полупроводника волн возникает стоячая волна кристаллической решетки. В узлах стоячей волны процессы генерации и рекомбинации определяются тепловыми явлениями, а в остальных областях стоячей волны процессы рекомбинации происходят интенсивнее за счет встречных колебаний ионов кристаллической решетки и свободных носителей заряда. Это приводит к уменьшению концентрации свободных носителей заряда в пучностях по сравнению с областями узлов стоячей волны. Таким образом, вдоль полупроводника будет наведено распределение концентрации свободных носителей за 25 30 35 40 45 50 551131ряда с закономерностью, обратной распределению колебаний в стоячей волне. Между двумя металлическими. зондами...

Номер патента: 1260883

Опубликовано: 30.09.1986

Автор: Резников

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов

...напряжение 11 р сравнения из условияр ьэ нюн) 1где- заданная температура перехода;(крутизна изменения температурочувствительного параметра - прямого падения напряжения 11 э).На выходе формирователя 1 операторустанавливает такое же начальноенапряжение Бз. При подаче сигнала"Пуск" (фиг.2 а) на выходе триггера15 появляется сигнал, изображенныйна фиг,2 б, который размыкает ключ вформирователе 1 эталонного сигналаи включает мультивибратор 14, Напря 15жение на выходе формирователя 1 начинает изменяться во времени по закону,соответствующему требуемой скоростиизменения температуры во временис 1 Т10например по экспоненте, На выходемультивибратора 4 формируются импульсы сар и с иэм, (фиг2 В)л, лпричемнаг.им . Импульсыл 256 а,периодически...

Номер патента: 1264115

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Кузьмин, Филинюк, Шеремета

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, коллекторной, постоянной, транзистора, цепи

...следующим образам.Исследуемый транзистор 21 устанавливают в держатель 20 (фиг, 2) и задают режим ега работы па постоянномутоку. Устанавливают праизвальцув ве 55личину регулируемого реактивнага сопротивления 16 - (2 ) и определяют,акоэффициент (К) максимального ус 115 2тайчивага усиления четырехпалюсника,состоящего из этажного соединениядвух четырехполюсников: представляющего исследуемый транзистор и представляющего реактивное сопротивлениебазовой цепи с сопротивлением 2,1Для определения (К ) проводятследующие операции,Подают электромагнитные колебанияс генератора 1 постоянной мощности ичастоты, причем мощность выбираетсяиэ условий обеспечения малого сигнала, а частота из условийЯд) и) )30 , (1)дде й =и) 1 ц.д- граничная частота, на...

Номер патента: 1265661

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской

МПК: G01R 31/26

Метки: надежности, полупроводниковых, приборов

...единицы до тех пор, пока количество периодов синусоидального напряжения, вырабатываемого ге нератором 4, не достигнет порогового значения Ио, В течение этого времени регистратор 12 подсчитывает им пульсы высокочастотного генератора11. Когда число периодов синусоидального напряжения достигнет пороговогозначения И , на выходе третьего порогового элемента 7 вырабатываетсянапряжение логического нуля и счетимпульсов прекращается. Количествоимпульсов И;, измеренное регистратором 12, преобразуется в величинуразности фаз в соответствии с выражением 2 Г И,и проводить на частоте, лежащей в пределах диапазона(2) 1/1) (,Г1/4 ( где ь - время жизни неосновных носителей заряда.Зависимость разности фаэ между переменными составляющими тока,...

Номер патента: 1265662

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Габов, Муртазин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых, электрических

...напряжение Б = Бхвп(я С + Ь), амплитуда которогопропорциональна величине г контроли 40руемого диода 18, а Фаза запаздываетотносительно фазы напряжения Б навеличину ь , через фильтр 3 поступает на первый вход блока 9 и на второй вход блока 11. 45Запаздывание фазы на Ьд вызванонеидентичностью параметров цепей прохождения сигналов У и У.Действительно, сигнал Б на первый вход блока 11 подается непосредственно с выхода генератора 13, асигнал У Формируется переменнымтоком 1 ., протекающим с выхода сумматора 14 через ЦАП 6, стабилизатор17 коммутатор 1, блок 2 через контролируемый диод 18 и поступает навторой вход блока 11 через Фильтр 3.Каждый из этих блоков, а также конт 62 4ролируемый диод 18 вносят соответствующую задержку фазы...

Номер патента: 1269059

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Долганин, Дудко

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, между, многоэлементного, площадками, связи, фотоприемника, фотоэлектрической, чувствительными

...что соответствует первому слагаемому в уравнении (2),Затем на место МФП устанавливается маска 3, имеющая такие же, как иизображение теста, период расположения отверстий и их число. При этомширина отверстий маски совпадает сразмерами чувствительной площадкиМФП. При точном совмещении изображения тест-объекта с многощелевой маской суммарный выходной поток, воспринимаемый приемником 4, чувствительным в том же спектральном диапазоне, чтв и исследуемый МФП, иимеющим достаточные размеры для регистрации всего потока, прошедшегочерез отверстия в маске, достигнетмаксимальной величины Б. При небольшом смещении изображения тестобъекта суммарный ток резко падает до Ц,и при дальнейшем смещении изменяетсяв меньшей степени, образуя...

Номер патента: 1283874

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Пригожин, Скуратов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: встроенного, глубины, залегания, канала, концентрации, мдп-транзисторов, примеси, р-п-перехода

...потенциалов между встроеннымканалом и подложкой;Е- концентрация примеси вподложке.Начальное значение р быпо выбрано равным 900 см /В с.Значение констант в формупах (1)и (2) таковы:- 1 610 Кл= 12 о8 85 10 Ф/см, Ц = 0 7 В.Расчет привел к значениям К6 -Эс2,45 10 см, Х = 0,43 мкм.По графику эавнсймости(И,)для кремния находят значение шсоответствующее полученному значению И, : р = 1140 см /В с,Подставляют это число в формулы(1) и (2), проводят расчет вновь иполучают М = 1,710 см , Х0,45 мкм.Дальнейшие итерации не проводятк. заметному изменению результатов.При этом измерения по способу-прототипу заняло около трех часов, тогда как измерения предлагаемым способом были выполнены в течение10 мин,Формула изобретения Способ определения...

Номер патента: 890845

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Дерновский, Заргарьянц

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: излучающего, перехода, характеристик

...оптической оси устройства. Выход фотоприемника 5 соединен с блоком 6 обработки измерений. Другой вход блока обработки измерений соединен с дополнительным Фотоприемником 7, освещаемым источником 8 подсветки, расположенным на противоположной от фотоприемника 7 стороне диска 4 вращения, На диске 4 выполнены щель 9 переменной ширины, дискретный ряд неперекрывающихся щелей 10 постоянной ширины и круговая щель 11 постоянной ширины, центр которой смещен относительно центра диска 4 на расстояние 1.Щель 9 переменной ширины и круговая щель 11 могут иметь узкие равномерно расположенные разрывы по длине окружности, Это позволяет иметь размерные метки на горизонтальной и вертикальной осях экрана осциллограФа или при записи результатов...

Номер патента: 1355952

Опубликовано: 30.11.1987

Автор: Орлов

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, элементов

...в масштабе графики Г = Ч (1); Г = ч (1), и оба графика, совмещают. Точка пересечения обоих графиков определяет резонансную частоту Г . Краевую емкость С внутреннего проводника 7 измерительного коаксиального резонатора 1 определяют по формуле3о у х2.,1 зогде Е, - волновое сопротивление измерительного коаксиальногорезонатора 1, Измерение суммарной емкости С проводят при выбранном обратном напряжении на переходе. 35Затем полупроводниковый элемент 6 подключают к входу измерительного коаксиального резонатора 1, при этом коллекторный или эмиттерный вывоД СВЧ-транзистора соединяют с внутренним проводником 7, а вывод базы - с внешним проводником 8 и на переходе полупроводникового элемента 6 устанавливают рабочее обратное напряжение....

Номер патента: 1379752

Опубликовано: 07.03.1988

Автор: Семенюк

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: термоэлектрической, термоэлементов, эффективности

...поперечногосечения термоэлементов. Б и Б401 г Составитель В. ГолубевТехред М.Дидье Корректор С. Шекмар Редактор А. Козориз Заказ 978/48 Тираж 772 ПодписноеВНЙИПИ Государственного комитета ГССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие,г,ужгород,ул,Проектная,4 Й к - длина термоэлементов;Б - площадь поперечного сечениятермоэлементов;К - сопротивление образцовогорезистора 15,1=1 для первого термоэлемента, Е 2для дополнительного термоэлемента.Расчетные формулы приведены дляслучая, когда произведение длины накорень квадратный из отношения периметра сечения к площади сечения первого термоэлемента в два раза большеэтой величины дополнительного...

Номер патента: 1386945

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Гореленок, Мамутин, Приходько

МПК: G01R 31/26, H02M 5/20

Метки: импульсов, преобразования

...ви"ирсщ - соответственно время задержки, время спада, время включения низкоомного состояния, времяпреобразуемого импульса и длительность преобразованного импульса.На фиг,4 изображены осциллограммыпадающего (преобразуемого) импульса:а) отраженного импульса без магнитного поля; б) отраженного импульса вмагнитном поле, выпрямляющем (формирующем) плоскую вершину импульса;в) при приложении к образцу постоянного напряжения ЦЦ,На фиг.5 показана осциллограммаизменения формы отраженного импульсапри изменении магнитного поля: а)В = 0; б) В = 0,7 Тл; в) В=1,35 Тл,На фиг. б представлена иллюстрациянахождения требуемой величины магнитного поля для выпрямления (формирования)плоской вершины импульса, С- времяСЦспада импульса при В = О, 1, -...

Номер патента: 1392521

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Гуревич, Долгих, Синявский

МПК: G01R 31/26

Метки: структуры, температуры, тиристоров

...способам измерения температуры тиристоров, используемым цри производстве и эксплуатации мощных тиристоров, а также при испытаниях тиристорных преобразователей, и является усовершенствованием изобретения по авт.св. М 600483, 10Цель изобретения - повышение точности и достоверности измерений.На фиг.1 представлена типичная зависимость термочувствительного параметра, в качестве которого используется напряжение Ц , от тока управления 1 (выделена область значеций тока управления, при которых достигается повышение точцости и достоверности измерений); на фиг.2 в ,схема 2 О устройства для осуществления предлагаемого способа.Между управляющим электродом и катодом испытуемого тиристора 1 подключают стабилизированный источник 2 25 напряжения и с...

Номер патента: 1292457

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Васильева, Кабанов

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, криогенных, полупроводниковых, приборов, температурах

...криогенныхтемпературах работает следующим образом,25В отверстия 0 эластичного дна сосуда 4 вставляются электроды испытуемого полупроводникового прибора 7так, чтобы сам прибор находилсявнутри сосуда 4, а его электроды обжнмались эластичном дном сосуда 4,Измерительную камеру 2 устанавливаютв отверстие столика 3. При этом борта сосуда 4 в форме фланца, упираясьв верхнюю поверхность столика 3,.фиксируют измерительную камеру 2 ввертикальном положении, а столик располагаот на такой высоте, чтобы концы электродов испытуемого полупроводникового прибора вошли в пазыконтактной колодки на панели измерительной установки 1. Затем в сосуд4 эаливаот криогенную жидкость, например жидкий азот, При этом эластичное дно и стенки. сосуда 4 при охлаж"денни...

Номер патента: 1401415

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Борназян, Паносян

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, заряда, поверхности, релаксации, твердотельного, электрода

...4 с электролитом, который выбирается с учетом его ингибирующихсвойств относительно коррозии данного материала. В режиме разомкнутойцепи на потенциостате 5 устанавливают начальное значение исходного потенциала, от которого начинаетсяразвертка потенциала, Начальное значение исходного потенциала выбираютиэ области потенциалов, где ожидается наблюдение максимума нестационарного тока, послечего потенциостатприводят в режим замкнутой цепи ина миллиамперметре 7 фиксируют уста 35новившееся значение стационарного тока ячейки, которое должно быть одинаково для различных Ч.Скорость развертки потенциала Чвыбирают с учетом возможности регистрации максимума нестационарного то. ка, поскольку с увеличением Ч максимум получается отчетливее....

Номер патента: 1401417

Опубликовано: 07.06.1988

Автор: Бобров

МПК: G01R 31/26

Метки: запоминающего, квантового, сверхпроводящего, управляющей, характериограф, характеристики, элемента

...на СКЗЭ 5 не возникает напряжения, усилитель 1 напряжения СКЗЭ 25не вырабатывает импульса напряжения.В момент появления напряжения наСКЗЭ включается триггер 15, при этомсчетчик 7 который до этого моментабып обнулен, начинает считать импуль- ЗОсы, приходящие от мультивибратора 31и, досчитав до восьми, переключаеттриггер 15 в исходное состояние, чтоприводит к обнулению счетчика 7 ипрекращению им счета импульсов мультивибратора 31. После каждого такогообнуления счетчика 7 к числу Х, хранящемуся на счетчике 9 прибавляется1, что приводит к продвижению вверхпо отрезку РК на величину Ь Х рабочей 40точки СКЗЭ.Когда напряжение на СКЗЭ не возникает, триггер 15 не включается, темсамым счетчик 6 считает импульсы.мультивибратора 31,...

Номер патента: 1406538

Опубликовано: 30.06.1988

Автор: Парфенов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: идентичности, матричных, параметров, приборов, электрических

...поступающие на счетчик 5,параллельный код с выходов которогоуправляет работой коммутатора ч, т,е.поочередно подключает выходы фотодиодов матрицы 3 к входу усилителя 7мощности, таким образом формируетсяпоследовательность электрических импульсов,Фотоприемники опрашиваются по очереци с первого до последнего, затемцикл повторяется, Импульсы на выходекоммутатора соответствующие по амплитуде ЭДС, вырабатываются фотодиоцамипод действием света. Импульсы усиливаются до необходимого уровня усилителем 7 и подаются на электроакустический преобразователь 8, имеющий малую инерционность, например пьезоэлектрический или динамический высокочастотный громкоговоритель, Импульсыакустического давления, в спектре которых присутствует частота...

Номер патента: 1435163

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Дьердь, Ласло, Петер, Ференц, Янош

МПК: G01R 31/26

Метки: глубокого, переходных, процессов, спектроскопии, уровня

...нейтрализуют друг друга, что 10 дает уже описанные преимущества. Благодаря присутствию возбужцающих импульсов второго типа Р Физическоезначение выхода синхронного детектора 14 теперь иное.15 Обработка сигналов переходных процессов срабатывания получается эасчет двух типов нагрузки, где этисигналы интегрируются и умножаютсяна синхрониэирующий импульс Р в ка честве взвешенной Функции, дает те жевозможности измерений, что и широкоизвестный способ ОЬТБ с двойной корреляцией нли 1 НИ,ТБ.Устройство работает следующим об разом.Соответствующие сигналы срабатывания запускаются двумя типами возбуждающих импульсов и взвешиваютсяс противоположными знаками, что дает 30 воэможность определения пространственного распределения...

Номер патента: 1448313

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Антюхин, Лаужа, Узарс, Феоктистов, Храмцов, Чаусов

МПК: G01R 31/04, G01R 31/26, G01R 31/28 ...

Метки: качества, модуля, полупроводниковым, прибором, сборки, силовым

...генерируется в моментзапуская счетно-решающий блок 9, который вычисляет величину2Эта величина является показателем качества сборки модуля 1, Ее сравнивают с допусковым значением ЭА при Э З,модуль бракуют, а при Э ЭА,и, считают прошедшим испытания.Для обоснования представительности величины Э на Фиг. 3 рассмотрен процесс нагрева структуры импульсом тока 1 и ее последующее остывание, На Фиг.3 с показан импульс Е длительностью , а на Фиг. 3 - процесс изменения температуры О структуры при действии этого импульса и после него для "хорошего" и "плохого"модулей, В хорошем модуле полупроводник имеет низкое тепловое сопротивление "корпус-охладитель" и хорошие тепловые контакты внутри полупроводникового прибора. Поэтому из-за хорошей отдачи...

Номер патента: 1483409

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Гореленок, Мамутин, Приходько

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: двумерной, диагностики, материалах, полупроводниковых, проводимости

...а затем ортогонально ему (вектор СВЧ-поля направлен перпендикулярно длине щели вдоль плоскости волновода). К образцу прикладывается постоянное электрическое поле. При этом образец 11 переходит в низкоомное состояние, что определяется из вольт-амперной характеристики, затем снимаются токовые зависимости СВЧ-шума в диапазоне токов 0,1 - 0,5 А при двух различных ориентациях образца 11 относительно щели, Анализ зависимостей, снятых для образца твердого раствора 1 по,гдГдаолтАв изорешеточного с 1 п Р, выращенного на полуизолирующей подложке 1 пР(Ге) кристаллографической ориентации (100), показывает, что первая носит монотонно возрастающий характер, вторая - насыщается. Первая зависимость показывает, что шнур либо расширяется в плоскости...

Номер патента: 1490655

Опубликовано: 30.06.1989

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, р-п-переходов

...ипоэтому на выходной шине выходноенапряжение близко к нулю.При коротком замыкании междуэлектродами р-и-перехода на инвертирующем входе компаратора 3 имеет место положительное напряжение, равноепадению напряжения на резисторе 14от тока, протекающего от источника 11 напряжения через резистор 16,а на инвертирующем входе компаратора 4 имеет местоотрицательное на"пряжение, равное падению.напряжения на резисторе 15 от тока, протекающего от источника 12 через резистор 17, в связи с чем на выходе компаратора 3 напряжение равно нулю,а на выходе компаратора 4 - " 1",При указанных входньм сигналах на выходе элемента 9 равнозначности напряжение равно нулю, выходное напряжение на выходной шине также равно нулю, что указывает на...

Номер патента: 1492317

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Мамедов, Сколецкий, Талышский, Шарифов

МПК: G01R 31/02, G01R 31/26

Метки: sип, пробник, электрический

...(цепью) 24,входы пороговых элементов 8 и 9 имеют нулевой потенциал. Это приводитк срабатыванию обоих пороговых элементов 8 и 9. При этом на их выходахвозникают положительные потенциалы.В этом случае на выходе инвертора 1 О,а также на выходе элемента ИЛИ 12формируются сигналы логического нуля. 1 аким образом, индикатор 14 выключен. На выходе элемента.И 11 формируется сигнал логической единицы,включающий управляемый мультивибратор 27. При этом срабатывает звукоиндикатор 15,В случае, когда к входным контактам пробника подключен диод 21 илирезистор 20 с сопротивлением, эквивалентным по величине сопротивлениюр - и-перехода в прямом направлении,напряжение на выходе делителя 5 напряжения становится таким, что пороговый элемент 9...

Номер патента: 1499283

Опубликовано: 07.08.1989

Автор: Ловинский

МПК: G01R 31/26

Метки: излучателя, излучения, полупроводникового, потока

...1 О (точка "в" на фиг.2 а), измеряют с помощью вольтметра 4 соответствующее ему значение напряжения прямого смещения.(фиг.26).После этого от генератораподают на излучатель 2 последовательную серию одиночных прямоугольных импульсов прямого тока с той же амплитудой 1 и тем же смещением 1 , но с уменьшающейся от импульса к импульсу длительностью Т (на фиг.2 а), при этом после прохождения каждого из импульсов определяют отличие между предыдущим и последующим значениями напряжения прямого смещения с, фиг.26). Указанную подачу серии импульсов прямого тока ведут до тех пор, пока не будет достигнуто равенство между зна" чениями О, = 1, = О, (фиг.2 б, точки "г") и фиксируют значение длительности импульса прямого тока Т (Фиг,2 б).5 149Указанное...

Номер патента: 1499284

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Антюхин, Лаужа, Туфляков, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Чуверин

МПК: G01R 31/26

Метки: охладителем, полупроводникового, прибора, сборке, силового

...выходы которого соединенысоответственно с выводами первичнойобмотки сетевого трансформатора 14.Устройство работает следующим образом.После подключения испытуемого модуля к клеммам 1 и 2 запускают устройство включением элемента 10 пуска,При этом от источника 3, питающегосяот сети переменного тока (фиг.2 а)пропускаются .через прибор импульсытокапоказанные на фиг.2 б. Уголуправления о устанавливается автоматическим регулятором 13 в зависимости от рассогласования по току Д 1= = 1 г г где 11 - соответственно заданное и фактическое значения действующего значения греющеготока. Значение 1поступает с выхода усилителя-огргничителя 8, а 1 - с датчика 4.В промежутки, когда мгновенноезначениеравно нулю, через приборпропускают измерительные...

Номер патента: 1506400

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Бондарь, Козеев

МПК: G01R 31/26

Метки: металл-полупроводник, структуры, тензоэлектрических, характеристик

...- с входом устройства 9 для измерения температуры, выход которого подключен к второму входу коммутатора 4. 20 Первый выход образца 5 электрически соединен с источником 10 питания, а второй выход - с входом нагрузочного сопротивления 11, выход которого соединен с входом усилителя 12. Выход усилителя. 12 подключен к входу детектора 13, выход которого соединен с третьим входом коммутатора 4, выход которого подключен к входу регистрирующего устройства 14 . Образец 5 30 оптически соединен с монохроматором 15, кроме того, к второму входу его подключено устройство 16 для определения параметров глубоких примесных центров, выход которого подключен к 35 четвертому входу коммутатора 4. Коммутатор 4 соединен с микро-ЭВМ 17.Сигнал...