G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 425140

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Ордена, Пожела, Толутис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, параметров, полуметаллов, полупроводников

...+ (фмин(фмакс) тактная колодка 2 б, штеккерная часть 27, контактный разъем 28, коаксиальные кабели 29 и 30.При работе с устройством включается электромагнит, между полюсами которого возбуждается постоянное магнитное поле В. От генератора 1 электрический сигнал высокой частоты через коаксиальные кабели подается в катушку возбуждения 9, Возникающее внутри катушки 9 переменное магнитное поле В в присутствии постоянного магнитного поля В возбуждает в образце магниточлазменные волны круговой поляризации ,волновой вектор К//В). Магнитные составляющие магнитоплазменных волн возбуждают в индикационной катушке 7 э.д.с. высокой частоты, которая подается через коаксиальные кабели 30 в детектирующий блок 3, Относительная величина э.д.с....

Номер патента: 426207

Опубликовано: 30.04.1974

Авторы: Тислер, Унт

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилях, падения, полупроводниковых

...обмот ка 9 которого подключена через ненасыщающийся дроссель 10 к источнику 11 стабилизированного тока. Испытуемый вентиль 5 соединен с амплитудным вольтметром 12.Устройство работает следующим образом.10 В исходном состоянии конденсатор 1 заряжен через резистор 3 до напряжения источника 4. Сердечник дросселя 8 насыщен благодаря протеканию тока в подмагничивающей обмотке 9 от источника стабилизированного 15 тока. При отпирании тиристора 2 конденсаторразряжается через обмотку 7 дросселя насыщения и первичную обмотку трансформатора 6 тока.Дроссель насыщения включен в схему та ким образом, что намагничивающая сила разрядного тока конденсатора противоположна намагничивающей силе, возникающей под действием источника 11 тока,...

Номер патента: 428314

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Конов, Смоленский

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, с-образной, характеристикой

...значении емкости С включение прибора происходитточно при напряжении ЬБк,а выключение -15при напряжении 0 Траектория движениярабочей точки показана стрелками,Амплитудный вольтметр с закрытым входом (конденсатор 4 и диод 5) измеряет амплитуду пилообразного напряжения, т, е. разноСт (Увкб - т 18 ыы). Эта ВЕЛИЧИНа ПОкаэывается обычным высокоомным вольтметром б.Амплитудный вольтметр с открытым входом (диод 7 и конденсатор 8) измеряет максимальное мгнсвеиное значение выходногонапряжения т 1, релаксатора (конденсатор8 заряжается до уровня (1). Следовательно, Вольтътетр 8 показывает напряжение ИВольтметр 10 измеряет разницу напряжений амплитудных вольтметров, которая равна428314 Предлагаемое устройство может быть применено для измерения,...

Номер патента: 429383

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Гитцевич, Кокорев

МПК: G01R 31/26

Метки: восстановления, диодов, измерениявремени, обратного, сопротивления

...ключевого элемента 10, выход которого соединен со входами управления генератора 8 тока отсчетного уровня, генератора 1 прямого тока и генератора 4 импульса обратного напряжения.Устройство работает следующим образом.Импульсы тактовой частоты, поступающиепо цепи синхронизации от генератора 4 импульсов обратного напряжения, синхронизируют работу развертки осциллографа 7. Фронт импульсов пилообразного напряжения развертки осциллографа 7, соответствующий обратному ходу луча, переключает бпстаопльный ключевой элемент 10, напряжение с вь- хода которого управляет работой выходных каскадов генераторов 1, 4, 8,Уровни напряжения на входе, прп которых происходит отпирание выходных каскадов генераторов 1, 4 и 8, устанавливаются взаимно...

Номер патента: 429384

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Грицевский, Железнодорожного, Ленинградский, Смирнов, Тогатов

МПК: G01R 31/26

Метки: diidt, величине, классификацииполупроводниковых, приборовпо

...5 предлагаемого устройства для классификации тирсторон по величине ди 1 гй. На схеме приняты следующие обозначснця;управляемый генератор 1 така; преаара зователь 2 кад - иаЩЯженце; цаксащтель 3;электроный ключ 4; счетчцк 5 импульсов; цифровой индикатор 6; генератор 7 тактовых импульсов; формирователь 8 переднего фронта испытательного напряжения; двусторонний 16 ограничитель 9 амплитуд испытательного напряжения; датчик 10 тока; испытуемый прибор 11. Устройство работает следующим образом.20 Испытуемый прибор 11 помещают в специальное гнездо ц включают генератор 7 тактовых импульсов. Прц этом электроццый ключ 4 включает генератор 1 тока, которьш настроен на максимальную величину тока.25 Настройка осуществлена автоматически прцпомощи...

Номер патента: 429385

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Еньшин, Окружнов, Стручаев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, формовкиполупроводниковых

...б, посылая тактовые импульсы, которые совместно с информацией, получаемой от счетчиков 9, 10 и ячеек 4, б, 12 памяти, через схемы совпадения 7, 8 и 11 управляют включением источника 1 и блока 3.С приходом первого тактового импульса на входах схемы совпадения 8 создается комбинация сигналов, составленная из логических единиц, так как наличие тактового импульса, исходное состояние счетчика 10 и начальная информация ячейки Б памяти представляют25 собой логические единицы. При этом на выходе схемы совпадения 8 появляется сигнал, который, воздействуя на источник 1, заставляет последний пропустить через диод импульс тока, форма и мощность которого определена состоянием счетчика 10.Спад первого тактового импульса приводит к спаду сигнала...

Номер патента: 430338

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Белова, Институт, Петраченок, Соколов, Степанов, Электроники

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковыхматериалов, электрическихпараметров

...регистрирующий узел,Устройство работает следующим образом,Если отсутствует магнитное поле, мостовая схема балансируется изменением величины тока, стабилизированного элементом 3. Когда с помощью магнита 6 к полупроводниковому кристаллу прикладывается магнитное поле, в измерительной диагонали моста образуется напряжение разбаланса, поступающее через усилительный каскад на транзисторе 7, между коллектором и базой которого включена цепочка из элементов 8 - 11, на вольтметр 12.Анализ работы мостовой схемы с токостабилизирующим элементом с учетом соотношения (1) показывает, что напряжение разбаланса мостовой схемы ЬУ, возникающее в случае приложения к исследуемому полупроводниковому кристаллу магнитного поля, связано простым соотношением с...

Номер патента: 434341

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Выгловский, Горохов, Изобретеии, Хррошков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: восстановления, проверки, структур, транзисторных

...точ теля, а один из полюсов этого соединен с источником напрян прямитель.На чертеже схематично из лагаемое устройство,Оно включает в себя характериограф 1,группу зондов 2, 3, 4, источник переменного напряжения 5, диод 6, тслефонныш ролпковып ключбез фиксации ролика и контактный О стол 8.Устройство работает следующим образом.Пластину 9, имеющую многоэмпттерныеструктуры, состоящие из гг параллельно соединенных менгду сооои ячеек, каждая из кото рых содержит р - гг-переход и последовательновключенное в цепь эмиттера балластное сопротпвлеьп 1, помещают на стол 8 и подводят зонды так, ч;обы зонд 2 располагался на базовой контактной плогцадке, а зонды 3 и 4 - 30 на эмиттсрных.434341 тавнтель 3. ЧелноковаТекред Н. Куклина едактор рлова...

Номер патента: 436302

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Абрамович, Кожевников, Кузнецова, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: вентильных, испытания, приборов

...жидко,сть.Устройство работает следующим образом, Пусть на интервале 1 - 1 (см. фиг. 2 а) потенциал фазы 10 положительный, а фазы 11 отрицательный, Вентиль 4 открыт, и через него, реактор 6 и силовой диод 8 протекает ток (фиг. 2 б) за счет энергии, накопленной в реакторе 6 в предшествовавший полупериод питающего напряжения. Конденсатор 16 заряжен плюс слева, а минус оправа, и его напряжеиие, равное требуемой величине У 5 р (фиг. 2 д), приложено в .прямом направлении к вентилю 5,В момент 1 г управляющим импульсом отпирается вентиль 5 и под действием конденсатора 16 ток переводится с вентиля 4 на вен. тиль 5 с требуемой скоростью изменения Й/й (фиг. 2 б, г).На интервале 1 з - 6 напряжение У,-р конденсатора 16 приложено к вентилю 4...

Номер патента: 436303

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Институт, Кумис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: выпрямляющих, контактов, сопротивления

...пользуяоник г=4 Уо З 12 Известен способ выявления выпрямляющих контактов, основанный на 1 подаче переменного напряжения на два,контакта образца, измерении постоянной составляющей тока, протекающего через образец, и вычислении эффективного коэффициента выпрямления контактов. Однако в известаом способе эффективный коэффициент не дает возможности непосредственно вычислить величину сопротивления симметричных выпрямляющих контактов.Цель изобретения - повышение точности измерений,несложных выкладок можно п(5) 10 Очевидно, что при другой зависимости г(У)амплитуда измеряемого напряжения тоже будет апределяться выражением (9), только (6) под г следует подразумевать разность междупрямым и обратным сопротивлением,выпрямляющето контакта. 6= -(...

Номер патента: 437029

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Выменец, Киршнер

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, туннельного, удельного

...обратно пропорциональна сопротивлению резистора 5.Блок 6 обладает тем свойством, что его выходной переменный сигнал обратно пропор.30 ционален входному воздействию,437029 20 Предмет изобретения Составитель В, АвдонинРедактор А. Зиньковский Текрсд А. Дроздова Корректор Л. Котова Заказ 4412 Изд. И 307 Тираж 708 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, уК, Раушская наб., д. 45Типография, пр. Сапунова, 2 При измерении удельного тока диода 1 регулируют входное воздействие блока 6 до техпор, пока на выходе копирующего усилитсля2 не установится заранее выбранное напряжение, определяемое источником опорного напряжения 10. Достижение этого напряженияфиксируется по нуль-индикатору...

Номер патента: 438944

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Грибачев

МПК: G01R 31/26

Метки: импульсным, параметрам, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...заданной длительности фронта, на дешифратор 7 подается сигнал о годности данного транзистора по т,С выхода дифференцирующей цепи 3 импульсы, амплитуда которых пропорциональна 1 у, инвертируются и поступают на усилитель 8, а затем на квазиселектор 9. Если 1 О 1 соответствует заданной длительности спада, на дешифратор подается сигнал о годности данного транзистора по ,о.При разбраковке транзисторов по 1, трапециевидные импульсы ограничиваются снизу на уровне 0,9 0 ограничителем 4. С выхода ограничителя 4 трапециевидные импульсы, длительность которых равна 1, подаются на триггер Шмидта 10 для преобразования в прямоугольные импульсы длительностью Эти импульсы управляют генератором пилообразного напряжения 11. Для увеличения разрешающей...

Номер патента: 438945

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Смотрицкий

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, пикового, туннельного

...стрелки вольтметра и считывания с учетом возможного изменения пикового тока при очередном переключении туннельного диода. Поэтому возможности известного устроиства ограничены и исключено его применение для измерения быстроменяющегося пикового тока ТД, например, при определении влияния вибрации, температуры на ТД,Целью изобретения является уменьшение погрешности измерения меняющегося во времени пикового тока и исключение влияния величины входного сопротивления измерительп 11 438945438945 Составитель Т. ДозоровТехред Л. Акимова Редактор Т. Орловская Корректор И. Позияковская Заказ 3706/20 Изд,134 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раугпская наб.,...

Номер патента: 438947

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Модель

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, полупроводниковых, приборов

...поля может явиться дополнительным фактором, ускоряющим выявление скрытого брака на холоде). редмет изобретен роля качества полупроводникос помощью климатических ислодо- и теплостойкость, о т л нем, что, с целью повышения прогнозирования отказов, клипытания начинают с испытаний кость, причем приборы выдертемпературе - 60 С в течение сов, после чего измеряют их параметры при этой темпераСпособ конт вых приборов пытаний на хо чающийся т эффективности матические ис на холодостой жив ают при нескольких ча электрические туре. Изобретени спля качества олу р д х приборов,Известны способы контроля качества полупроводниковых приборов с помощью климатических испытаний,Известные способы не позволяют точно прогнозировать параметрические отказы...

Номер патента: 438948

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Гофман, Новиков, Яцкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, разбраковки

...известного устройства следующие: невозможность механизации процесса и субъективизм в оценке результатов испытаний.Целью изобретения является повышение точности и производительности процесса разбраковки полупроводниковых приборов по изменению сопротивления р-а-перехода при воздействии на него разогревающего импульса.Поставленная цель достигается благодаря тому, что параллельно измерительному сопротивлению подключен электронный ключ, вход которого соединен с генератором импульсов,и пороговое запоминающее устроиство, выходкоторого соединен с индикатором.На чертеже приведена блок-схема предложенного устройства для разбраковки полупро 5 водниковых приборов.Генератор 1 подает на испытуемый прибор 2серию импульсов. В момент...

Номер патента: 438949

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Сапожникова, Тайманов

МПК: G01R 31/26

Метки: надежности, переключающих, полупроводниковых, приборов

...характеристик.Способ реализуется следующим образом.Испытуемый прибор подключают к элемен 15 там колебательного контура, например кЯС-цепочке, и вводят в режим автоколебаний.Определяют с высокой точностью (10 --10 - ) скорость изменения частоты колебанийи производные от ее значения величины, на 20 пример вариации или дисперсию скорости изменения частоты. По измеренным значениямвеличин вычисляют ожидаемое время сохранения прибором его метрологических характеристик.25 Современные способы дают возможност ьизмерять скорость изменения частоты с точностью 10 вв 10 в " в секунду. Зная связьмежду скоростью изменения частоты колебаний или производными от ее значения вели 30 чинами и временем безотказной работы при438949 Ю Ы кг г бора,...

Номер патента: 438950

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Гельман, Дубовицкий, Шипков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вентилей, испытания, полупроводниковых

...амплитуды испытательного напряжения от напряжения класса испытуемого вентиля со сравнивающего устройства 22 выдается сигнал, пропорциональный величине рассогласования, на усилитель 24, который подает усиленный сигнал рассогласования на вход блока управления 7 защитным тиристором для изменения угла задержки включения тиристора 2. При этом напряжение на конденсаторе 1 изменится до величины, при которой амплитуда вторичного испытательного напряжения будет равна напряжению класса испытуемого вентиля.После прохождения однополярного испытательного импульса конденсатор 1 перезаряжается через диод 6, индуктивность 4 и первичную обмотку согласующего трансформатора 10, вызывая перемагничивание сердечника трансформатора в обратном...

Номер патента: 439770

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Батогов, Кадеш, Мартынов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: допустимым, значениям, коммутирующего, нарастания, разбраковки, симисторов, скорости

...мым значениям скорости нарастания коммутирующего напряжения, содержащее источник тока, источник коммутирующего напряжения, блок визуальной синхронизации момента приложения к симистору коммутирующего напряжения с моментом достижения максимума тока восстановления, симистор, блок регулирования скорости спада тока при его переходе через нуль, блок коммутации симистора и блок управления.Известное устройство имеет существенный недостаток из-за наличия блока визуальной синхронизации момента приложения к симистору коммутирующего напряжения с моментом достижения максимума тока восстановления симистора, осуществляемой вручную с наблюдением формы тока и напряжения на двухлучевом осциллоскопе, что приводит к субъективным ошибкам: низкой точности...

Номер патента: 442398

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Белановский, Коломейчук, Малин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: поверхностной, полупроводниках, рекомбинации, скорости

...возникающий бо в конденсаторных обкладках 11 и 12: в результате освещения полупровод-ника 13 и поступающий после усили-теля 1 Ф на вход пластин вертикального отклонения осциллографа 15, 55 не имеет одинаковой фазы с возбуждающим светом. Он запаздывает иа фазовый угол, который определяется временем жизйи неосновййх 1 носителей тока и частотОЙ модуляции, т., е. скоростью позерхностиой рекомбйыации. 4Чтобы определить фазовый сдвиг,иа вход пластик горизоитального отклонения осциллографа 15 с помощьюэлектронного формирователя импульсов тока 1 подается электрический -экспоиенциальный опориый сигиал,постоянная времени которого определяется Ж-цепочкой 16; При этом опорный сигнал не совпадает по фазе овозбуждающим светом.Так как сигналы,...

Номер патента: 443339

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Овчаренко, Севостьянов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: контакта, металл-полупроводник, сопротивления, электрического

...спруктуры,Сущность предлатаемого способа заключается в следующем. При подаче на сток по 15 стоянного напряжения Р и на затвор постоянного напряжения Ро имеющего р - и-переход в прямом направлении (переключатель Вв положении 1), в цепи стока протекает ток201 о, а в цепи затвора - ток 1 о .1Ток затвора устанавливается так, что вы.,полняется условие 1 р, 7 а,. Напряжение настоке выбирается так, чтобы верхний и нижний р - и-переходы были смещены почти по5 всей длине и прямой ток затвора протекал через нижний р - и-переход преимущественнопод контактом истока,Направление преимущественното протека.ния тока затвора показано на чертеже стрел 30 кой с обозначением Уа443339 Предмет изобретения Отсюда Лзс -Л 1 о: о Составитель Т. Дозоров Редактор...

Номер патента: 443340

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Божко, Лубяный, Маслов, Тверезовский

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, классификации, полупроводниковых

...информации о положении диода.С приходом диода 15 на первую измерительную позицию (клеммы 16 и 17) с генератора импульсов 1 по команде со схем управления 2 на диод 15 поступает импульс положительной полярности. В случае, когда диод оказывается включенным в прямом направлении, на резисторе 14 выделяется импульс, Если же диод оказывается включенным в цепь в обратном направлении, на резисторе 14 импульс не выделяется. Информация о положении диода на первой группе измерительных контактов, полученная с резистора 14, подается на вход схемы ориентации 3, Количество триггеров (на чертеже не показано) в регистре сдвига схемы ориентации равно числу измерительных позиций плюс триггер, вход которого соединен с резистором 14 и который стоит первым...

Номер патента: 445928

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Вольфсон, Финкельштейн

МПК: G01R 31/26

Метки: диффузионных, кремниевых, меза-диодов, обратного, объемную, поверхностную, разделения, составляющие

...определения величиныобъемной и поверхностной составляющих обратного тока германиевых транзисторов.Этим способом невозможно измерить указанные параметры кремниевых диффузионныхмеза-диодов.Сущность предложенного способа заключается в следующем. Экспериментальноустановлено, что объемная составляющаяобратного тока кремниевых диффузионных меза-диодов зависит от индуктивности,; и проводимости при большом прямом токеи от барьерной емкости при нулевом смешении и может быть выражена следующейформулой;,Для осуществления способа измеряют полный обратный ток ьо, пропускаемый через испытуемый диод, затем при нулевом смешении измеряют фарьерную емкость С, пропускают через испытуемый- проводимость, где 15 Составитель Б.челнокова7 Орловская Гекред...

Номер патента: 446851

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Тарвид, Шаронов

МПК: G01R 31/26

Метки: величине, классификации, обратных, полупроводниковых, приборов, стабильности, токов

...электрометрического усилителя 5 в исходном положении закорочен, и сигнал на его выходе отсутствует. Через некоторое,время, необходимое для установления измерителя тока 1 и заряда емкостного элемента памяти 2, определяемое устройством управления 13, включается реле времени 4, которое через ключ 3 отключает вход электр ометрического усилителя 5 от корпуса, подключая его к емкостному элементу памяти 2.Момент времени начала отсчета обозначен 1 ю, а напряжение, до которого зарядился емкостной элемент памяти, Ц,1.Таким образом, начиная с этого момента времени, ко входу электрометрического усилителя прикладывается напряжение, равное разности Ц - Цц, где Цц - напряжение на выходе измерителя тока в любой момент времени.Напряжение на выходе...

Номер патента: 446852

Опубликовано: 15.10.1974

Автор: Рыжко

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, модуля, мощности, передачи, транзисторов, фазы

...отношению мощности волны, падающей на вход специального испытательного усилителя, и волны, отраженной от выхода. Сигналы, пропорциональные этим волнам, через направленные ответвители 2 и 4 подаются на различные концы линии с зондом 7. В цепь прохождения отраженной от выхода усилителя 3 волны включены плавно регулируемые фазовращатель и аттенюатор.20 В линии с зондом 7 устанавливается стоячаяволна. При изменении фазы одного из сигналов происходит смещение стоячей волны вдоль линии, а при изменении амплитуды - изменяется величина максимума и минимума 25 стоячей волны. Это свойство используется дляизмерения модуля и фазы коэффициента передачи по мощности транзисторов. Для измерения фазы коэффициента передачи необходимо предварительно...

Номер патента: 446853

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Касперович, Курлович, Пыж

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: замыканий, коротких, обрывов, транзисторов, фиксации, электродов

...прикладывается на вход усилителя 7, сигнал с которого вызывает сра батывание триггера 8, и включает индикатор9, Включение индикатора 9 сигнализирует о том, что испытуемый транзистор 3 и само устройство исправны. При включенном токе эмиттера испытуемый транзистор 3 находится 20 в режиме усиления.Перед проверкой на отсутствие коротких замыканий и обрывов прп испытаниях на механическую прочность необходимо сбросить триггер 8. При последующем возникновении 25 короткого замыкания или обрыва испытуемого транзистора 3 в точке А возникает испытуемый сигнал, который поступает на вход усилителя 7 и вызывает включение индикатора 9, срабатывание которого сигнализирует о воз никновении обрыва или короткого замыкания. Шубина Техред М, Семенов...

Номер патента: 446854

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Петров, Руменник, Смолянский, Штанин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

...отличается от прогрева кристалла у бездефектного образца, В связи с этим скорость изменения измеряемого температурно- чувствительного параметра у дефектного образца больше, чем у бездефектного образца,446854 Предмет изобретения о 6. дрейя Фиг 45 0 г Составитель 3, Челноковаедактор И. Шубина Техред М. Семенов орректор А. Дзссов аказ 962,19 Тираж 678ЦНИИПИ Г Совета Министров ССи открытийя наб., д. 4/5 Изд.1211осударствен ного комитета по делам изоб 1;гтений Москва, Ж, Раушска дпнспос ипография, пр. Сапунов На фиксации различий указанных скоростей иоснован способ контроля качества соединений,На фиг. 1 показаны осциллограммы изменения температурно-чувствительного параметра 5для дефектного и бездефектного образцов; нафиг, 2 - скорости...

Номер патента: 446855

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Куницын, Разуваев

МПК: G01R 31/26

Метки: величины, вентиля, обратного, элементах

...б будут определяться обратными сопротивлениями соответствующих элементов, которые могут достигать нескольких тысяч мегаом, и прибор 4 зафиксирует постоянный обратный ток. При импульсном обратном напряжении потенциалы точек в, г, д, е, ж определяются барьерными емкостями р - п переходов, которые могут быть менее 1 пф, и прибор 4 покажет среднее значение обратного тока. Зная потенциалы точек а, в, г, д, е, ж можно определить величины обратных напряжений на экземплярах, которые будут равны разности потенциалов между точками а и в, в и г, г и д, д и е, е и ж соответственно. Для определения потенциала в точке в замыкают накоротко с помощью перемычки элемент, подключеццьш к точкам а и в. Величину обратного напряжения, подводимого от...

Номер патента: 449322

Опубликовано: 05.11.1974

Автор: Терентьев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...во времени. Затем определяют спектральную: мощность разностного сигнала, которая позволяет судить о величине нестабильности и ее распределении по частотному диапазоОписываемый способ позволяет получить более полную информацию о поведении транзистора во время испытаний, формированне фазоманипулирозанного сигнала обеспечивает высокую точность и помехоустойчивость последующих преобразований;фазоманипулированный сигнал является хорошим приближением для теоретически оптимального сигнала, обеспечивающего при измерении наибольшее отношение сигнал/помеха; использование простых преобразователей развертывания, вычитания упрощает аппаратурную реализацию способа.Предмет изобретенияСпособ измерения параметров полупроводниковых приборов, например...

Номер патента: 451027

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Щербаков, Щербакова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, свч-транзисторов

...оказываются для режима большого сигнала недостаточно т целью повышения точности измеренеменно с подачей сигнала на вход стора на его выход подают вс ный сигнал, отличаюшийся по мплитуде от рабочего сигнала особ осушествляется след мерительного сигнала в выходной и вход-,ной СВЧ-цепях транзистора. При этомдля оЬеспечения высокой точности йзмерений мощность измерительного сигналаустанавливают такой величины, чтобы онсущественно не влиял на режим работытранзистора, задаваемый рабочим сигналом,а расстройку частот измерительного и ра,бочего сигналов выбирают минимальной,но достаточной для уверенного разрешенияизмерительного сигнала частотно - избирательной аппаратурой,На чертеже схематически показан одиниз вариантов осуществления...

Номер патента: 452792

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Гончаренко, Королев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, мдп-структуры, неосновных, носителей, полупроводнике

...как постоянным поддерживается объем обедненного слоя. Для поддержания постоянной емкости необходимо изменять напряжение, приложенное к МДП- структуре, пропорционально количеству накопленного вблизи границы раздела эврядв, генерированного во всем объеме обедненного слоя. Время жизни ( неосновных носителей заряда связано с изменением напряжения на МДП-структуре следующей формулой ческих свойст луп ерени особы из гх носите я времени ряда в лов подаче н егистрвции жизни неосновнлупроводниках,МДП-структурьизменения егоНедостаток ей звгиеся кпючаю напряже о времен и и,бо стоит в х спос значительном объе счетов и снижении математических раезупьтвте этого то эультатов,лью повышения т ост С це согласно МДП-ст путем и ности измерений,пособу,...