G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1122983

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Казаков, Мартяшин, Орлова, Спирин, Цыпин

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, току, транзисторов, усиления

...соединена с инвертирующим входом первого усилителя, неинвертирующий вход которого соединен с выходом сумматора и с первым контактом замыкающей группы контактовпереключателявторой контакт кото-рой соединен с выходом первого усилителя, вторая клемма для подключе - ния коллектора транзистора подключена к инвертирующему входу второго усилителя, неинвертируюший вход которого соединен с выходом источникапостоянного напряжения, а выход - с вторым контактом размыкающей группы контактов переключателя. 10На Фиг. 1 представлена блок-схема устройства для измерения коэффициента усиления по току транзисторов, вмонтированных в схему, на фиг, 2 полные временные диаграммы, поясняю щие работу устройства; на фиг. 3 пример выполнения блока...

Номер патента: 1125560

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Воробьев, Инкерманлы, Косой, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: диапазонов, параметров, свч, транзисторов

...температуры, выход генератора импульсов соединен с управляющими входами возбуждающего генератора и первого, второго и третьего управляемых ключей, один из выводов блока питания через индикатор тока соединен с вторым дросселем и измерителем напряжения, а другой вывод через третий управляемый ключ - с общей шиной.При этом оконечный измеритель мощности подсоединен к разъему для подключения испытуемого транзистора через введенный направленный ответвитель, к выходу основного плеча которого подключена введенная рассогласованная нагрузка.На чертеже приведена структурная электрическая схема устройства для измерения параметров транзисторов ВЧ- и СВЧ -диапазонов.Устройство для измерения параметров транзисторов ВЧ-и-СВЧ-диапазонов содержит...

Номер патента: 1128202

Опубликовано: 07.12.1984

Автор: Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, образцах, полупроводниковых, примесей

...усиления регулируемых40 усилителей 2 и 8,.Расстояние Х от металлическогоконтакта связано с емкостью С обедненного слоя полупроводника Форму-лой Х = АС , где А - некоторый коэф 45 Фициент пропорциональности.Устройство работает следующимобразом.1128202 тора 21 через Ос ношением 4Они связаны соотО= С=Х д(2) 55 3Высокочастотный сигнал с частотой от генератора 1 через регулируе мый усилитель 2, фильтр 3, где происходит подавление частоты 2 возникающей в усилителе 2, поступает на вход повторителя 4.С дополнительного выхода фильтра 3 противофазный сигнал поступает через конденсатор 22 на вход повторителя 16. Чисто гармонический сигнал с часто О той Г с выхода фильтра 3 через повторитель 4 поступает на испытываемый образец...

Номер патента: 1128203

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, силовых, транзисторов

...ячейки включены соединенные параллельно дополнительные диод и накопительный реактор, причем дополнительный диод подключен по отношению к полюсам источника питания идентично диоду ячейки.Кроме того, при йснытании транзисторов одинаковым током К =8/2.3 11282На фиг. 1 показана принципиальная схема устройства; ,на фиг, 2 - принципиальная схема устройства с дополнительными диодами и реакторами; на фиг. 3 - эпюры токов и напряжений на испытываемых транзисторах, эпюры токов накопительных реакторов и эпюры тока, потребляемого от источника питания.Устройство для испытания силовых 10 транзисторов (фиг. 1) содержит источник 1 питанияи четыре ячейки, каждая ячейка содержит накопительный реактор 2-5, диод 6-9 и клеммы для подключения транзистора....

Номер патента: 1128204

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Гудзь, Ясинский

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, лавинно-пролетных, сопротивления, теплового

...10 при верхней частоте 14 МГц модулирующего сигнала.Варьируют температуру корпуса диода и измеряют крутизну наклона температурной зависимости полного падения 15 напряжения на диоде 30 /О,Варьируют частоту модулирующего сигнала от. верхней частоты Ц до нижней частоты 1 и измеряют дифференциальное сопротивление диода на фикси,. 20 рованных характерных частотах 1;определенных ранее при калибровке на аналогичных диодах данной конструкции.Подсчитывают величины составляющих 25 теплового сопротивления диода по формулеФ" Б) - " 06)ц10 3ОЯ;Д;При Ц = 1 тепловое сопротивление 1 равно суммарному,0 тепловомусопротивлению диода. На фиксированных частотах 1, внутри .интервала частоттепповое сопротивление 9 характеризует тепловое сопротивление диода...

Номер патента: 1129569

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Афанасьев, Клушина, Чумичева, Швица

МПК: G01R 31/26

Метки: аттестационных, лавинных, однотипных, параметров, фотодиодов

...типа ЛФД и величины балластного сопротивления 8 пКроме того, существует однозначная линейная связь между рабочим напряжением Чр , соответствующим заданному значению коэффициента ум ножения, и величиной напряжения стабилизации мсаер с 1 ае ) (2) где Ь - экспериментально определяемая константа, зависящая от типа ЛФД, величиныкоэффициента умножения ибалластного сопротивления35Предлагаемый способ состоит в измерении величины напряжения стабилизации 1 став и в определении расчетным путем по Формулам (1) и (2) напря жения пробоя Ч пр и рабочего напряО жения Чр , соответствующего заданному значению коэффициента умножения. Значения коэффициентов О и Ъ предварительно определяются для данного. типа ЛФД и выбранного балластного сопротивления...

Номер патента: 1138767

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Бингялис, Клебанский, Матусявичюс, Станкявичюс, Стукас

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициенту, передачи, разбраковки, статическому, транзисторов

...первого генератора импульсов тока, синхранизирующий вход которого соединенс первым выходом блока синхронизации, второй выхоц которого подключен к синхронизирующему входу второ. -го генератора импульсов тока, первывыход которого соединен с клеммойдля подключения базы испытуемоготранзистора, а второй выход - с клеммой для подключения эмиттера испытуемого транзистора, общей шиной ивторым выходом первого генератораимпульсов тока.На фиг. 1 приведена блок-схемаустройства, на фиг. 2 - эпюры, пояс-,няющие работу устройства; на фиг. 3 -функциональная схема одного из варйантов выйолнения генератора импульсовтока,Устройство для разбраковки транзисторов по статическому коэффициенту передачи тока содержит источник 1 коллекторного напряжения,...

Номер патента: 1138768

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Габов, Карасев, Муртазин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых, электрических

...и вторым входами сумматора 15, выход которого соединен с опорным входом второго цифроаналогового преобразователя (ЦА 11) 6, выход которого соединен с управляющим входом стабилизатора 17 тока, выход которого соединен с выходом блока 3 задания тока, выход генератора 14 переменного напряжения соединен с опорными входами первого цифроаналогового преобразователя 9 и фазовогр детектора 12, выход которого соединен с вторым входом блока 7 фиксации результатов, а сигнальный вход фазового детектора 12 соединен с выходом избирательного усилителя 11, вход которого соединен с выходом блока 1 О вычитания, первый вход которого соединен с выходом полосового фильтра 4, а второй вход с выхо- дом первого цифроаналогового преобразователя 9, цифровой...

Номер патента: 1140064

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Баканов, Шендеров

МПК: G01R 31/26

Метки: восстановления, времени, диодов, обратного, разбраковки, сопротивления

...собщей шиной, три 6-8 одновибратора,формирователь 9 сдвига уровня,три 10-12 3 -триггера, дешифратор 13и четыре 14-1 индикатора, причемвторой выход генератора 1 прямоготока соединен с входом первого 6одновибратора, выход которого сое"1140064 3динен с С-входом первого 10 Р -триггера, Р -вход которого подключен к выходу формирователя 9 сдвига уровня и Р -входу второго 11 Р -триггера, С-вход которого подключен к С -входу третьего 12 Ю -триггера и выходу третьего 8 одновибратора, вход которого подключен ко второму выходу генератора 2 импульсов обратного напряжения, 3 -вход третье О го 12 0 -триггера соединен с выходом второго одновибратора, вход которого подключен к клемме 4 для подключения катода испытуемого диода и входу формирователя 9...

Номер патента: 1157486

Опубликовано: 23.05.1985

Автор: Смирнов

МПК: G01R 31/26

Метки: активных, параметров, приборов, рассеяния, шумовых

...составляющих полноговремени 9задержки сигнала междуэмиттером и коллектором от частотыне зависит, Таким образом, относительная задержка б 9 также не зави 30сит от частоты, и аргумент югнвзаимной спектральной плотности7 в диапазоне частот является линейной функцией частотынь ц с ьВ 2 И+ э, (3 )3 где К - постоянная Больцмана;Т 293 К - стандартная шумоваяотемпература,аЕ- полоса частот,Величина 3 в формуле (3) обусловлена противоположным направлениемэмиттерного и коллекторного шумовых токов по отношению к транзисторупри-0.Так как по определению 50 агц Г : аес 1 (Т т р ),й, и 1 ь т фщ сТю в 6 к 1 ъ бэ . т эна В С выражается по формуле (1),то величина Э С на данной р;.бочей55 частотеможетбыть определеначерез параметр д 8 и измеренныесобственные...

Номер патента: 1160484

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Болгов, Ботте, Липтуга, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: варианты, его, заряда, неосновных, носителей, подвижности

...величины магнитного поля, находят максимальный сигнал отражения, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формулеС,Рнеосн,=где р - подвижность неосновныхГнеоснносителей заряда;В - индукция магнитного поляТ(соответствующая максимальному сигналу отражения);с - скорость света,причем величину электрического поля3 выбирают соответствующей линейномуучастку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитногополя.На фиг. 1 представлена схема изме 1 Ь рительной, установки, первый вариант;на фиг. 2 -.то же, второй вариант;на фиг. 3 - кривая, отвечающаяпространственному распределению но- ".сителей заряда в образце; на фиг. 4 -кривая зависимости интенсивностирекомбинационного излучения Р/Рот величины магнитной индукции В;на...

Номер патента: 1164636

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Баканов, Загинайлов, Кощей, Сатонин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, полупроводниковых, разбраковки

...содержит двепусковые 16 и 7 кнопки, четыре формирователя 18-21 импульсов, элемент 2 И 22, элемент 2 ИЛИ 23; КЯ-триггер 24, генератор 25, тактовый счет-чик 26, распределитель 27 импульсов, 30адресный счетчик 28, причем первыйвывод первой кнопки 16 соединен спервым входом элемента 2 И 22 черезпервый формирователь 18 импульсоввыход элемента 2 И 22 соединен с вхо5 дом адресного счетчика 28, выходкоторого подключен к первому выходу блока 5 управления, второй входэлемента 2 И 22 соединен с инверсным выходом КС-триггера, Б-вход 40которого соединен с первым выводомварой кнопки 17 через второй формирователь 19 импульсон, а К-вход -с выходом элемента 2 ИЛИ 23, который 45также подключен к К-входу тактовогосчетчика 26, первый вход элемента2 ИЛИ...

Номер патента: 1164637

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Аблязов, Бабич, Луханин

МПК: G01R 31/26

Метки: визуальной, индикации, полупроводниковых, приборов, характеристик

...коммутатор содержит делитель частоты, соединенный входом с входдм электронного коммутатора и с перным входом КВ-триггера, соединенного вторым входом с выхо Дом делителя частоты, выходом - с нходом линии задержки, соединенной первым, вторым, третьим, четвертым и пятым отводами соответственно. с первым, вторым, третьим, пятым и1 О шестым выходами электронного коммутатора, соединенного четвертым выходом с выходом четвертого элемента ИЛИ, соединенного первым и вторым входами с четвертым и пятым отвода ми линии задержки соответственно.На фиг, 1 приведена схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 схема электронного коммутатора; на фиг.3 - временные диаграммы работы 2 О устройства; на фиг4 - временные диаграммы работы электронного...

Номер патента: 1179232

Опубликовано: 15.09.1985

Авторы: Захаров, Малашкин, Новиков, Усов, Широков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

...устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор высокой частоты, выход которого подключен к шине для подключения затвора МДП-структуры, выходу генератора пилообразного напряжения и первому входу регистратора, исток МДП-структуры подключен к входу усилителя и первому выводу делителя второй вывод которого соединен с общей шиной, выход усилителя подключен к входу детектора, дифференциатор, выход которого соединен с вторым входом регистратора, введены задатчик эталонных сигналов, коммутатор и дополнительный регистратор причем выход детектора соединен с первым входом коммутатора, второй вход которого подключен к задатчику эталонных сигналов, первый выход коммутатора соединен с входом дифференциатора, а второй выход - с...

Номер патента: 1157947

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Бабак, Кильчицкая, Стриха

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, контактов, невыпрямляющих, полупроводниковых, структурах

...полупроводника 3 ведет при условии Ы 1 к генерации электроннодырочных пар в объеме полупроводника по всей глубине проникновения излучения вплоть до контролируемого контакта. В области 4, а также в области 2 при наличии в ней потенциального барьера может происходить разведение фотогенерированных носителей электрическими полями потенциальных барьеров, что регистрируется как пульсирующий фототок посредством наблюдения в точке 13 падения переменного напряжения на нагрузке 9 независимо от темнового тока через структуру, который пропорционален постоянной составляющей напряжения на нагрузке 9 в точке 14.Величина и направление фототока для случая слабопоглощаемого света зависят от собирания генерированных светом носителей заряда, т.е. от...

Номер патента: 1187113

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Беспалов, Малыгин, Петров, Пономарев

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, тиристоров

...его установочныйвход - с одним из выходов дешифратора и с первым выходом распреде"лительнаго элемента, причем второйразряд счетчика подключен к второмувыходу распределительного элемента,а остальные выходы дешифратора соединены соответственно с первыми входами элементов И 22-25, вторые входыкоторых подключены к первому входураспределительного элемента, а ихвыходы - к соответствующим информационным выходам распределитньного элемента,Блок задания уставки класса содержит реверсивный счетчик 26, п -выходов которого соединены с о-входамиэлемента ИЛИ 27, выход которого подключен к одному из входов элемента И28, выход которого соединен с вычитающим входом реверсивного счетчикаи одним из входов делителя 29, второй вход которого подключен к...

Номер патента: 1190315

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Гореленок, Мамутин, Полянская, Приходько, Рождественский, Шмарцев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: двумерной, диагностики, материалах, полупроводниковых, проводимости

...вектора СВЧ-шумового сигнала. При этом используют специальное приспособление для измерения СВЧ-шума, в котором образец размещается над сильно излучающей четвертьволновой щелью.При переводе образца в низкоомное состояние в последнем возникает эффект локализации тока по какому-то 1 определенному направлению, т.е. появляется шнур тока.Экспериментально было установлено,что наличие двумерной проводимостиприводит к таким ограничениям на расширение шнура тока, что зависимость/температуры шума от тока, измеренная при ориентации плоскости образца, совпадающей с направлением10 вектора СВЧ-шумового сигнала, отличается от той же зависимости, снятой при ориентации образца в плоскости ортогональной вышеуказанной.Возможен также перевод образца...

Номер патента: 1195307

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Гончаров, Романов, Смирнов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, мощных, подключения

...анодный вывод может своей плоской частью двигаться либо вдольтраектории движения оси вывода, либопод любым произвольным углом к этойтраектории. При этом в первом случаевывод диода 4 свободно входит междуконтактными пружинами 7 и 8, а во 15 втором случае, не доходя точки контактирования на определенное расстояние, плоская часть анодного вывода касается пружины 7 и эа счет принуди. тельного перемещения диода 4 диском транспортера 2 происходит разворот диода 4 так, что плоская часть анодного вывода располагается вдоль траектории движения оси диода 4 и анодный вывод беспрепятственно входит в контактный узел. При этом катодный резьбовой вывод диода заходит на позицию контактирования между двумя плоскими пружинами 9 и 10, изогнутыми в точке...

Номер патента: 1196784

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Пузин, Хорунжий

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, емкости, исследования, полупроводниковых, процессов, релаксации

...постоянного напряжения. Измеритель 1 емкости выполнен в виде измерительного контура 12 и 2 Т моста 13, вход которого соединен свыходом измерительного контура 12,первый вход которого соединен с первым входом измерителя 1 емкости, авторой вход измерительного контура12 соединен с вторым входом измерителя 1 емкости. При этом измерительный контур 12 выполнен в виде .пере 15 20 менного измерительного конденсатора 14, параллельно которому подключены последовательно соединенные индуктивность 15 и конденсатор 16, точка соединения которых подключена к второму входу измерительного контура 1, а точка соединения конденсаторов 14 и 16 контура подключена к общей шине, с которой также соединена вторая клемма 4 для подключения исследуемого...

Номер патента: 1211675

Опубликовано: 15.02.1986

Автор: Базелянский

МПК: G01R 31/26, G01R 31/27

Метки: замыканий, коротких, обнаружения, обрывов, полупроводниковых, приборах

...замыканий постоянное напряжение на выходе ФНЧ меньше номинального значения 0, которое равно0,319 О, для диода и 0,638 О длядиодной матрицы, где 0 и 0 - амплитуды напряжения соответственно напервой и второй обмотках сетевоготрансформатора 7. Эти обмотки выполнены так, чтобы при исправномдиоде 9 или диодной матрице 14напряжения на выходе ФНЧ 19 былиодинаковыми. Переключатель 18 позволяет переключать входы блоков3 и 4 с первого на второй резисторы,что обеспечивает возможность контроля одновременно установленныхв блоке проверяемых диода 9 и диодной матрицы 14.Наличие постоянных кратковременных замыканий или обрывов в диодеприводит к отсутствию напряженияна выходе ФНЧ 19 дпя диода. При проверке мостовой диодной матрицы 14 с постоянными...

Номер патента: 1213443

Опубликовано: 23.02.1986

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов

...21. 30Устройство для контроля полупро-, водниковых приборов работает следующим образом.Перед началом работы включается питание, при этом с выходов генератора 2 формируются прямоугольные импульсы со скважностью, отличной от 0,5 в противофазе фиг.4 а), т.е. если на одном выходе потенциал равен нулю, то на другом высокий потенциал.Длительность Т импульса на одном выходе значительно больше длительности Т на другом выходе. Частота генерации выбирается в преде лах возможности глаза человека отличить гашение и зажигание светодиода элемента 3 индикации.Щупами 1 и 4 прикасаются к выводам контролируемого элемента, например диода. При этом в зависимости отсостояния полупроводникового диода светодиод будет иметь четыре различных состояния.1....

Номер патента: 1132685

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Файнберг

МПК: G01R 27/00, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: вольтамперных, импульсных, полупроводниковых, характеристик

...будет при НЕ. В этом случае будет низкой точность измерения импульсов "тока".Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство для измерения импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов, содержащее последовательно соединенные генератор импульсов, и измерительную линию задержки с введенным в нее реэистивным зондом, выход которого подключен к входу осциллографа. Устройство позволяет измерять импульсы ВАХ преимущественно в наносекундном диапазоне по измерениям падающего и отраженного от образца импульсов, Из .величин этих импульсов с помощью простых математических преобразований получают напряжение и ток на образце. Проводя такую обработку для различных ампли. туд падающих импульсов, получают...

Номер патента: 1231478

Опубликовано: 15.05.1986

Авторы: Коротин, Миков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, разбраковки, силовых

...27 ограничения амплитуды импульсов испытательного тока.По сигналу "Пуск" триггер 28 меняет свое состояние и разрешает прохождение импульсов, синхронизированных50с сетью, на выходной каскад схемыВК 1 29.Входной ключ 30 схемы ВК 1 открывается и осуществляет заряд конденсатора, При заряде конденсатора до эаданного уровня триггер 27 "захлопы-вается", прекращая заряд конденсатора. С инвертирующего выхода триггера через схему 3 формирования импульсов сброса осуществляется сброс триггеров 13, 14 и 15 устройства изапуск выходного каскада 32 схемы ВК 2 для включения разрядного тиристора 33 Испытательный импульс тока снимается с вторичной обмотки трансформатора 34 и схемы 20формирования импульсов испытательного тока.Включение ИП осуществляется...

Номер патента: 1234792

Опубликовано: 30.05.1986

Автор: Шихалев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: излучатель-приемник, комплектования, пар, пары, преимущественно, фотоэлектрических

...от генератора 2 и регулируетсяпо току резистором 3, Выходное напряжение приемника 4, к которому39подключен эквивалент нагрузки 5,контролируется измерителем напряжений 6. Приэтом для излучателя иприемника создают условия работы,идентичные условиям их работы в изЗ 5 делии (режим питания излучателя, величины,нагрузки приемника, взаимноерасположение и др).С помощью той же схемы определяютамплитуду .выходного сигнала пооче 40 редно всех приемников партии в паре с контрольным излучателем и павеличине этого сигнала сортируютприемники по руам (ИБ).С помощью той же схемы определяют амплитуду выходного сигнала пары,составленной из контрольного излучателя и контрольного приемника, иопределяют номер группы контрольной, пары (И),50 Задаются...

Номер патента: 1234793

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Вейсс, Пресманн

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, полупроводниковых, приборов

...сформированную элементом 22 импульсной задержки, переключается триггер 23, и формирователи 2410 (или 25) подают управляющие импульсы на основные тиристоры 3 и 4 (или 5 и 6) инвертора 1, тиристоры отпираются, и образуется контур тока источник 26- реактор 2 - тиристор 315 (5) - конденсаторы 7-9 - тиристор 4 (6) - источник 26. В реакторе 2 раскачивается ток, и конденсаторы 7-9 заряжаются .Однако ввиду недостаточного значения тока суммарное напряжение на цепочке из конденсаторов 7-9 к моменту подачи импульса на тиристор 17 может не достичь значения выходного напряжения источника 26 питания и при нескольких последующих тактах работы тиристор 17 также не отпирается.Через полупериод выходной частоты подается импульс управления на тирис-З 0...

Номер патента: 1238005

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Зуев, Сизов, Тимофеев, Чубаров

МПК: G01R 31/26

Метки: характериограф

...генератор 6 развертки,и постоянном токе базы исследуемоготранзистора соответственно изменяется ток коллектора. В коллекторнуюцепь исследуемого транзистора включен резистор 4, сопротивление К которого много меньше выходного сопро.тивления исследуемого .транзистора(например, К = 100 Ом), падение напряжения на котором пропорциональноколлекторному току, Подавая это напряжение на второй вход осциллографа5, получают осциллограмму одной выходной статической характеристикиисследуемого транзистора, Если с каж.дым ходом развертки (прямым или обратным) обеспечить постоянное значение тока базы., но разное значениетока (в виде ступеней) с каждой разверткой получают семейство статических выходных характеристик исследуе-.мого транзистора. Ступенчатый...

Номер патента: 1238006

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Индык, Савин

МПК: G01R 31/26

Метки: входного, выходного, полных, свч-транзисторов, сопротивлений

...СВЧ-тракта, а выход 40транзистора - к перестраиваемому микрополосковому согласующему трансформатору 7 сопротивлений выходного.СВЧ-тракта и устанавливают требуемый режим работы, т.е. подают на транзистор 16 от источника П необходимые .напряжения питания через фильтр 18 нижних частот и входную мощность фик- З сированной частоты от СВЧ-генератора 1, уровень которой измеряют с помощью направленного ответвителя 3 падающей мощности и измерителя мощности. Затем добиваются режима двустороннего согласования транзистора, подбирая форму согласующих трансформаторов 6 и 7 путем нанесения кусочков фольги из пластичного металла (например, индия. или его сплавов) на 5 микрополосовую линию.Этаформа может быть произвольной,чтозначительно упрощает...

Номер патента: 1238007

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Бахтин, Киселев

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, времени, кристаллов, постоянной, тепловой, транзисторов

...считать темпера туру корпуса транзистора постоянной и равной температуре окружающей среды. Тогда изменение база-эмиттерного напряжения целиком определяется изменением температуры кристалла транзистора и можно вычислить тепловую постоянную времени кристалла. В этом случае время определения х (10210 ) , что на порядок меньше, чем в известном способе. 40Данные утверждения можно пояснить следующим образом.Падение напряжения на базе-эмиттерном переходе можно записать в виде45 Р =о 1,А,1 эТР 21 О 2 е 2" кр Из трансцендентного уранения (8)с помощью электронного вычислительного устройства можно с любой наперед 55 заданной точностью вычислить значение. Однако на практике точностьопределения тепловой постоянной времени, равная 57, более...

Номер патента: 1241166

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Воронков, Рабодзей, Яшин

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-амперных, идентификации, нелинейных, параметрам, характеристик, элементов

...может быть исполь зован осциллографна экран которого наложена маска, прорези в которой соответствуют заданным нормам на значе".аРние11(1) в зависимости от наЮпряжения, прйложенного к испытуемому элементуВольт амперная характеристика ис пытуемого элемента описывается выра- жением в(с)Й. а;(с - сс)Ьао Мелкомасштабность нелинейностивольт амперной характеристики в интервале ЕО 4 Ер + Е 4 можно описатьнеравенством а)(0 - 0 к)а 1,(0 - Оь)М 4 Фгде К О; 1; 2 и т.д. Тогда при постоянной относительной погрешности(значение которой определяется характеристиками блока регистрации) абсолютная погрешность сравнения с 1 нормами значений вольт амперной характеристики ( д Р) и ее первой произ водной (а Р) определяется выражениями: а в в . а Й а(с -...

Номер патента: 1242862

Опубликовано: 07.07.1986

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: коррекции, нелинейных, характеристик, элементов

...режекторными фильтрами (РФ) (первым и вторым) с частотой режекции Г =или 1": =. 1" ", а вторую 4 ильтрующую систему - полосовым фильтром (ПФ) с центральной частотой настрой 1 рдр = , или г,Однако на основании фиг, 3 нетрудно заключить, что выполнение этих фильтрующих систем может быть и иным.Действительно, при выборе частотыгенератора 6 ниже частоты нижнего среза Г (нижней границы частотного диапазона рабочей цепи 21), аналогич ные технические характеристики пред лагаемого устройства могут быть полу. чены и в случае, если первая и третья фильтрующие системы 1 и 3 будут реали зованы на основе фильтров верхних частот (ФВЧ) с частотой среза Г,д, а вторая фильтрующая система 3 ." на основе фильтра нижних частот (ФНЧ) с частотой среза...