G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 951200

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Астахов, Шадрин

МПК: G01R 31/26

Метки: визуального, диодов, полупроводниковых, характеристик

...5 и б.Сплошной линией изображены диаграммы, соответствующие годному диоду, у которого напряжение лавинногопробоя при заданном уровне обратного тока, задаваемого с помощью дискриминатора б, больше нормы, задаваемой с помощью дискриминатора 5, Бракованному диоду соответствуют диаграммы (фиг.2 б,г), изображенные пунктирной линией.Обратная ветвь ВАХ исследуемого диода 4, наблюдаемая на экране осциллографа 2, представлена на фиг.З. Кривая 10 соответствует диоду, годному по напряжению лавинного пробоя при заданном уровне обратного тока Зд . Свидетельствует об этом яркостная метка на ВАХ диода, соответствующая току Лб . Кривая 11 соответствует бракованному диоду (метка отсутствует), Напряжение является порогом...

Номер патента: 954901

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Ромейков, Семушкина

МПК: G01R 31/26

Метки: барьерной, емкости, зависимости

...трапецеидальной формы с за" 55 данной крутизной нарастания фронта и среза, длительность которых превышает время переходных процессов струк 1 фтуры, а амплитуда не превышает значения. пробивного напряжения,На фиг. 1 представлена структурная схема устройства, иллюстрирующего реализацию предложенного способа;на Фиг. 2 - эпюры токов заряда и разряда емкости перехода, форма испытательного импульса и активного токаструктуры,Способ осуществляется следующимобразом.На измеряемую структуру 1 от генератора 2 подают трапецеидальныеимпульсы напряжения. Крутизну фронтаизмеряют измерительным устройством,на которое подается импульс генератора через ключ 3, Трапецеидальнь 1 еимпульсы напряжения вызывают появление тока заряда и разряда барьерной .емкости,...

Номер патента: 954902

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Демиденко, Драбович, Маслобойщиков, Руденко

МПК: G01R 31/26

Метки: границе, коэффициента, насыщения, транзисторов, усиления

...второму входу схемы запрета а вход индикатора соединен свыходом счетчика,На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит дифференциальный усилитель 1, источник 2 тока коллектора, базовый резистор 3, коллекторный резистор 4, клеммы 9-7 для подключения эмиттера, базы и коллектора испытуемого транзистора, первыйпреобразователь 8 напряжения в частоту, второй преобразователь 9 напря жения в частоту, схему 10 запрета,схему 11 сброса в нуль счетчика,счетчик 12, схему 13 сравнения кодови схему 14 индикации.Устройство работает следующимобразом.При пуске стабилизатора 2 токаколлектора последний отпираетсяи выдает ток в коллектор испытуемого транзистора. Появление тока втранзисторе вызывает увелицение напряжения на его...

Номер патента: 957135

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Гудзь, Ясинский

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, лавинно-пролетного, сопротивления, теплового

...При выбранном оптимальном токе питания диода лавинный пробой не охватывает всю площадь р-и перехода, температура которого одного порядка с температурой корпуса диода, т.е. физические условия, при которых производятся измерения. Кт, существенно отличаются от условий работы диода в СВЧ устройствах, когда лавинный пробой охватывает всю площадь р-и перехода, а его температура превышает температуру корпуса диода на 150 в 2 С. Вследствие этого в известном устройстве не учитывается температурная зависимость коэффициентов тепло- и температуропроводности, что важно для точной оценки величины предельной тепловой мощности, которую можно рассеять в конкретном ЛПД,Целью изобретения является повышение точности измерений. Поставленная цель...

Номер патента: 958985

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Давыдов, Павлович, Фастовец

МПК: G01R 31/26

Метки: воздействиям, диодов, механическим, устойчивости

...21 Бп 1 -- л- аО 40% 1 Т таКТгде Э - рабочий ток диода;ь 2 - амплитуда переменного тока;д Б - амплитуда переменного напряжения; 45у - уровень механического воздействия;г - сопротивление базы диодав - коэффициент, зависящий отрекомбинационных механизмовв р-и переходе;е - заряд электрона;постоянная Больцмана;Т - абсолютная температура поКельвину.55Способ реализуется следующим образом.Собирают электрическую цепь, состоящую из посЛедовательно соединенных источника постоянного напряжения:, измерителя амплитуды переменного тока и включенного в прямомнаправлении испытуемого диода, параллельно которому подключают измеритель амплитуды переменного напряжения. Устанавливают рабочий ток 1 65 диода, Затем подвергают испытуемый диод динамическому...

Номер патента: 960672

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Баринов, Романов, Щепетов

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, классификации, полупроводниковых

...измерительную позицию, которая служит дляполучения информации о положении диодаС приходом диоца 15 на первую измерительную позицию (клеммы 17 - 20)по команде, идущей. от схем 2 управле-ния, с выхода генератора 1 импульсов нана клемму 17 поступает первый положительный импульс опроса, который приналичии контактирования диода 15 склеммами 17 - 20 проходит на все 4входа логической схемы И 3 и выделяется на ее входных сопротивлениях (непоказаны). Это вызывает появление навыходе логической схемы И 3 импульса,управляющего работой схемы 4 ориентации и схемы 5 переключения,В случае, когда диод оказываетсявключенным в обратном направлении(диод. 6), то при наличии контактырования диода 16, с клеммами 17 - 20 второй положительный импульс спроса с...

Номер патента: 960673

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Веревкин, Чесноков

МПК: G01R 31/26

Метки: коммутации, мощности, потерь, тиристора

...- шаг дискретизации, т.е. времл между двумя соседними точ" ками входного сигнала (тока. либо напряжения), котррые измерены устройством. ФДо прихода импульса хранения,.на выходах блоков 8 и 9 выборки и хранения напряжение в каждый момент времени равно напряжению на входе блока. ", приходом переднего фронта им- Ф пульса хранения напряжение на выхо" де блоков 8 и 9 перестает изменять" ся и до прихода заднего фронта импульса хранения остается постоянный и равным значению напряжения. на вхо И де в момент прихода переднего фронта импульса хранения. Поскольку передний фронт импульса хранения с каждым следующим .включением испытуемоготиристорасдвигается относительно зф начала импульса тока управления на величину Ь, то на выходах блоков 8 и 9...

Номер патента: 964555

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Митус, Петручук, Спиридонов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: камера, параметров, полупроводниковых, приборов

...варактора с переносом и инжекциейпостоянное смещение и измерительныйСВЧсигнал) .20 Изменением частоты СВЧ-сигнала илисмещения на измеряемом образце устанавливается резонанс последовательногоконтура по минимуму мощности, проходящей через камеру. В этом, случае послее 25 довательное эквивалентное сопротивление5, образца В равно ческую пластину, при этом одни концыдвух проводящих полосок отделены зазорами от противоположных сторон контактной площадки, а другие их концьгконтактируют с внутренними проводниками коаксиального разъема и отрезка коаксиальной линии соответственно, третьпроводящая полоска одним концом соединена с контактной площадкой, а другимконтактирует с внешним проводникомотрезка коаксиальной линии,На чертеже...

Номер патента: 974304

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Боровиков, Журбенко, Косинов, Онищенко

МПК: G01R 31/26

Метки: измеритель, коэффициента, статического, транзисторов, усиления, цифровой

...4 соединена с входом делителя 11напряжения, резисторы которого черезцепи коммутации коммутатора 12 подключены к входу масштабирующего усилителя 1 3, коэффициент усиления которого задается масштабцрующим резистором 14,включенным в цепь отрицательной обратной связи усилителя 13, Делитель 11напряжения, коммутатор 12 и масштабирующий усилитель 13 с резистором 14образуют цифро-а налоговый умножитель, 15, цифровые управляющие входы которого соединены с блоком 16 управления,который выполнен в виде автомата последовательного приближения, и к выходамкоторого подключен индикатор 17. Входблока 1 6 управления соединен с выходом блока 1 8 сравнения, входы которогоподключены к выходам сумматора 6 имасштабирующего усилителя 13,Устройство работает...

Номер патента: 974305

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Лукаш, Самойлов

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диода, рабочего, слоя, температуры

...на границах рабочегослоя опредвляют по совпадению пороговых параметров импульсных вольт - амперных характеристик, измеренных соответственно при положительной и отрицательной полярностях импульсногонапряжения при внешнем нагреве диодас одноименными пороговыми параметрами при рабочем импульсном напряжениисмещения, измерительными с помощьюизмерительных импульсов той же полярности, после чего определяют для диода содносторонним отводом тепласредний градиент температуры в рабочем слое, а для диода с двухсторонним отводом тепла - тепловоесопротивление между границей рабочего слоя, на которую подан положительный рабочий потенциал греющегоимпульса напряжения и ближайшемтеплоотводящимэлектродом. Тепловоесопротивление самого...

Номер патента: 978083

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Водотовка, Галкин, Глазков, Скрипник

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: носителей, подвижности, полупроводниках

...дЬ(цс) дФМо) ьаЮц,) ФФо,) С - О и54П 4 иЯ =Щит) с 05С учетоМ (13) и (14) амплитуды одночастотных составляющих токов про,порциональны подвижностям носителей зарядов на разностной и суммарной частотах 8(др) - ду - Ои О,соз(щ СФ + 30асЯ 5 Ф+Ч + Мр ) (15)1 Ь Фс) - щ Оп О со 5 (ад й+Ч 4асБ354 с) (163 Таким образом, полная подвижностьносителей тока характеризуется одночастотным (на частоте о )током перио 40дически с частотой коммутации Яменяющимся во времени от значенияДО 1 Ь, т. е. пРедставляется оДниммодулированным сигналом 45 1, 1(-й 51 Яп 51 пЯ, 1)с 05(Язв 9- 51 дп 61 пЯ й), Ф 9- р ( шсреднее значение модулированного тока,Ю Я И (Ю )-ф(МФ )3, +3,Мс)+Р "Р)5 6коэффициент глубины амплитудной модуляции, Р, - среднее значение Фазыю 4 Ц Ч...

Номер патента: 978084

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Мотеюнас, Пузонас, Сакалаускас

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-фарадных, регистрации, характеристик

...работает таким образом,что напряжение на его выходе О пропорционально максимальному значению О,или, что однозначно, максимальному значению С(О) ц т ( 1)вам4 У - 1 (4) где К., коэффициент пропорциональности;С(0 )," максимальное значение С(01 )Напряжение 01 поступает на блоксравнения, на котором усиливаетсз разность напряжения О и заданного напряжения 08, источник которого имеется в блоке, На выходе блока Э сравнения получаемое напряжение Мвр равноОюр = Кэ(0 ч 0 в )в где Кз - коэФФициент усиления блокасравнения.Так как Ор имеет определенное конечное значение при определенной проводимости функционального элемента 5, то при большом коэффициенте усиления Кэ напряжение 0 будет совпадать с напряжением Оз с большой точностью. Тогда из (4 )...

Номер патента: 980025

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Бардин, Барнашов, Бартанов

МПК: G01R 31/26

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...цель достигаетсятем, цто в устройство, содержащееблок преобразования обратного тока,реле времени, соединенное с первымвходом ключа, выход которого соединен с неинвертирующим входом операционного усилителя, выход которогочерез фильтр низких частот соединен 1 Ос первой схемой сравнения, блок опорных напряжений, выходы которого соединены с входами первой и второйсхем сравнения, выходы которых соединены с первым и вторым входами 15блока индикации, третий вход которого соединен с реле времени, схемууправления, выход которой соединенс входом реле времени, и элементпамяти, введен решающий блок, выход 20которого соединен с четвертым входом блока индикации, первый вход - свыходом фильтра низких частот, второйвход соединен с выходом...

Номер патента: 983596

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Дулов, Сергеев, Широков

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

...содержит генератор 1линейно нарастающего напряжения,стабилизатор 2 тока, дифференцирующую цепь 3, блок 4 Формирования импульсов, вольтметр 5, работающий в983596 Формула изобретения Составитель Н. ЧистяковаГунько Техред С,Мигунова Корректо зят едак аказ 913/53 Тираж 717ВНИИПИ Государственного комитетагго делам изобретений и открыти 3035, Москва, )7-35, Раушская наб. ПодписССР. 4/ 1 П "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 филиал режиме внешнего запуска, три клеммы 6-8 для поцключения испытуемого транзистора и клемму 9 "запуск".Устройство работает следующим образом.При появлении сигнала "Запуск" 5 на клемме 9 (например, при нажатии кнопки) генератор 1 линейно нарастающего напряжения вырабатывает напряжение, поступающее на...

Номер патента: 987541

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Сакалаускас

МПК: G01R 31/26

Метки: аморфных, амперной, вольт, параметров, переключателей, пороговых, с-образной, стеклообразных, характеристикой

...20 -22 . 5Блок 5 управления функционирует следующим образом.Импульсный селектор 17 сортирует входные импульсы по полярности и огра ни чи вает до уровня логической "1 н в Три г 10 гер 18 интервала вырабатывает импульс, длительность которого равна временному промежутку от первого отрицательного импульса до первого положительного импульса. Блок 19 запоминает сформиро 45 ванный триггером 18 интервала временной интервал и воспроизводит его. Одновибраторы 20-22 вырабатывают импульсы для открывания ключей 8-10, Блок 19 синхронизируется импульсами, поступа ющими с генератора 1 треугольного нап. ряжения.Принцип работы предлагаемого измерителя основан на определении пиковыми ,вольтметрами амплитуды напряжения 25 (фиг. 2) на испытуемом...

Номер патента: 991336

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Пецюх

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...клеммы, к которым подключены выводы испытуемого прибора, эадают,и измеряют токи и напряжения.Для задания тока к клеммеподается команда У 1 от блока 22, котораявключает управляемый генератор 5 тока.Для измерения тока на клеммах подается команда У 2, по которой в цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя 15 включается резистор цепочки 21, так как на входе усилителя 16 потенциал равен потенциалу общей шины, то неинвертирующий вход уси. лителя 15 будет иметь потенциал, равный потенциалу общей шины, а на выходе усилителя 15 будет потенциал относительно общей вины пропорциональный току от клеммы 2 и таким образом организована схема преобразования тока от клеммы 2 в напряжение (выходное напряжение операционного усилителя 15...

Номер патента: 991337

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Баландин, Кондрашкин, Медкова, Самошин, Шурупов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, транзисторов

...устройства,Устройство содержит источник питания 1 испытуемых транзисторов, схемы включения 2 и 3 испытуемых транзисторов, контакты синхронных переключателей для поочередного подключения испытуемых транзисторов к источнику питания 1 и включения в базовые цепи испытуемых транзисторовкалибровочного сопротивления, котороесвязано с входом преобразователя 4напрлжениея - частота через усилитель505, выход преобразователя напряжениецасота соединвн с первым входом формироваеля 6 временного интервала,второй вход которого связан с блоком7 управления, входы вентиля 8 соединены с выходами формирователя 6 вре 55менного интервала и генератора 9сценых импульсов, выход вентиля 8подкпюц к входу счетчика 1 О, сбро 7 фсовый вход котороо...

Номер патента: 993172

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Дуйшенбаев, Колузаев, Семенов, Соловьев, Тарасов, Шевцов

МПК: G01R 31/26

Метки: падения, тиристорах

...выходом устройства и переключателем 18. С генераторомимпульсов прямого тока связан программирующий блок 19, к которому подключены блоки 11 - 18 и блок 20 задержки.Устройство работает следующимобразом, 65 С помощью блока 19 программногоуправления производится включенйе известного устройства (по авт. св. Р 550600), которое производит измерение прямого падения напряжения, В конце цикла измерения блоком 19 вклю чается вторая схема 17 сравнения, на вход которой постуйает сигнал измеряемого значения прямого падения напряжения, схема 17 сравнения отключается. Схема 17 сравнения про" изводит включение переключателя 18, который включает решающий блок 16 в режим работы, соответствующий измеренному значению прямого падения напряжения (фиг. 2), т....

Номер патента: 993173

Опубликовано: 30.01.1983

Автор: Тарвид

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, статического, транзисторов

...17 и управляющему входу ключа 10.Выход второго одновибратора 16 подключен к управляющему входу генератора 5 тока эмиттера, выход третьего одновибратора 17 соединен с установочным входом триггера 18, выходкоторого подключен к управляющемувходу схемы 11 выборки и хранения,а сбросовый вход триггера 18 соединенс блоком 19 пуска.Устройство работает следующимобразом,Блок 19 пуска выдает импульс 20пуска, который запускает первый одновибратор 15, включающий ключ 10.При этом на коллектор измеряемоготранзистЬра подается напряжение, токэмиттера отсутствует, и в цепи базытранзистора протекает обратный .токперехода коллектор - база 1 О, который преобразуется операционнымусилителем 7 в выходное напряжение0 , равное"окто "ос О 2где Йос - величина...

Номер патента: 993174

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Байдоха, Корсунская, Маркевич, Мирзажанов, Торчинская, Шейнкман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, полупроводниковых, приборов

...процессов) .Поэтому предложенный способ содержит нагрев и охлаждение в темноте, чтобы разрушить протекающие в результате случайных эасветок Фотостимулированные процессы и получить исходное состояние полупроводника.Температуру Т, до которой нужнопрогреть полупроводник, выбирают такчтобы за время выдерживания приборапри этой температуре Фотостимулированный процесс успел разрушиться. Этовремя определяется скоростью нагрева и инерционностью печи и представляет собой время, в течение которого образец сохраняет заданную температуру после выключения печи. Скорость разрушения Фотостимулированных процессов возрастает с ростомтемпературы, при которой образецвыдерживается в темноте. Следовательно, температура до которой нужнопрогреть...

Номер патента: 995160

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Речкин, Симонов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...как элемент фиксации может быть также образован либо перегородкой, расположенной поперек лотка 8, либо выемкой, образующей на нем ступень.Щечки 19 захвата 11 имеют призмообразные выемки 20 и охватывают лоток 8 в месте расположения элемента фиксации - уступа 18, а контактный блок, закрепленный неподвижно, и подвижный съемник смонтирован над уступом 18. Щечки 19 могут быть выполнены из токопроводящего материала.Уступом8 лотка 8 могут служить боковые грани 21 выемок 20 у щечек 19, расположенные на пути движения прибора по лотку 8.Выполнение захвата из изоляционного материала, а его щечек из токопроводящего позволяет осуществить четырехконтактную схему подключения прибора на измерительной позиции: подключение питания к прибору через щечки...

Номер патента: 998982

Опубликовано: 23.02.1983

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/26

Метки: аппроксимации, нелинейных, параметров, характеристик, элементов

...каждого изпараметров преобразователя 2, что достижимо .при первичной регулировке опорного напряжения блока 11 и коэффициента передачи преобразователя 2 физическихпараметров.в напряжение,Второй пропорциональный модулятор13, управляемый генератором 6 импульсов, четвертый аттенюатор 14 с коэффициентом передачи равным (1"т) (9),суммирующе-вычитающий блок 15, второйлинейный преобразователь 16 напряжений, третий сравнивающий блок 17, третий аттенюатор 18, управляемый напряжением, и генератор 19 модулирующего.напряжения совместно с первым и вторымсуммирующими блоками 9 и 10, преобразователем 2 физических параметров внапряжение и блоком 11 опорных напряжений образуют систему стабилизацииприращений Р физических параметровнезависимо от...

Номер патента: 1000945

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков, Рут

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках, свободных

...период осцилляций дифференциального магнитосопротивления туннельного контакта при нулевом напряжении смещения на нем.Поскольку в данном случае регистрируются осцилляции дифференциального магнитосопротивления образца с туннельным контактом в магнитном поле,в нем определяется средняя концентрация свободных носителей заряда в малом объеме Ч=5 й, где 5 - площадь"уннельного контакта, Р - длина свобо;ного пробега, т.е, обеспечиваетсявысокая локальность измерений.физическая сущность способа поясняется следующим образом,Диффере;(циальное сопротивление туннельного контакта при постоянном напОяж;:.,ии смещения Ч обратно пропорцио(Гально готности состояний полупроводни в ; при энергии Я .+еЧ ( - энергия7 ер(;, полупроводника, знак...

Номер патента: 1002989

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Константинов, Рабодзей

МПК: G01R 31/26

Метки: интервалов, мощных, однородности, сохранения, токораспределения, транзисторах

...на основе предварительных исследований партиитранзисторов данного типа, включающих снятие характеристик зависи мости статического коэффициента усиления В от тока эмиттера и напря"жения коллектора, а также контрольоднородности токораспределения низбранном измерительном режиме осу щестнляемый, например, при исследовании распределения температуры поплощади транзисторной структуры спомощью инфракрасной техники илижидкокристаллических индикаторов, 15 либо косвенно путем снятия зависи-мостей напряжения база-.эмиттер отнапряжения коллектора при данномтоке эмиттера.Параметры измерительного режимавыбираются в области сохраненияоднородности токораспределения так,чтобы производная коэффициента уси"ления по току коллектора имела отрицательное...

Номер патента: 1004921

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Иванов, Лаврентьев

МПК: G01R 31/26

Метки: классификации, тиристоров

...5 подключены к соответ. ,ствующим входам цифровых компараторов минимальной и максимальной нормы 7 и 8, на другие входы которых с источников опорных сигналов 16 и 17 в коде задаются нор; мы, соответствующие граничным значениям классификационной группы, а выходы компа. раторов 7 и 8 соединены со схемой 9 обра. ботки информации.Устройство работает следующим образом,Перед подачей сигнала "Пуск" необходимо удалить из счетчика 5 информацию о парамет. рах предыдущего тиристора путем подачи им. пульса на шину "Сброс" и задать в двоичнодесятичном коде минимальную и максимальную нормы на компараторы 7 и 8. После прихода команды "Пуск" триггер 3 опрокидывается, на его выходе появляется сигнал логической 1, разрешающей работу генератора 4....

Номер патента: 1008677

Опубликовано: 30.03.1983

Автор: Котровский

МПК: G01R 31/26

Метки: навесных, настройки, преимущественно, спусковых, транзисторных, узлов, функциональных, элементах

...разбросатранзисторов по параметру р 1 Е наминимально допустимую амплитуду запуска.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ настройки спусковыхсхем,по которому функциональные узлы,15.( ФУ) проверяются при мини,альном значении напряжения источника питания(Ер мив);максимальном значении напряженияисточника смещения (Е мк ) сначалапри температуре воздуха 15 - 25 С, азатем при понижении или повышениитемпературы ФУ до значении, при которых ФУ еще должен работать в соответствии с требованиями техническихусловий на этот тип ФУ (2 1. 25Недостаток данного способа заключается в том, что он не позволяетоценивать влияние технологическогоразброса параметров навесных транзисторов на работающих ФУ,30Цель изобретения - повышение качества и...

Номер патента: 1008678

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Анисимов, Гамаюнов, Паленик, Пашенцев, Смирнов

МПК: G01R 31/26

Метки: величины, полупроводниковых, приборов, силовых, ударного

...прибор, соответствующих режимах по току, близким к величине ударного тока, преобладает емкостной характер полного дифференциального сопротивления прибора, причем в момент, когда наступает локализация тока в плазменный шнур, но еще не развился теп ловой пробой, наблюдаются экстремальные значения дифференциальной емкости и дифференциального активного сопротивления (максимальное и минималь.Ное значения соответственно), Фикси руя момент начала локализации тока по зависимости дифференциальной емкости прибора от величины прямого тока через него и. прерывая ток в момент достижения емкостью максимального значения, можно обеспечить нераэрушающий контроль величины ударного тока для каждого испытуемого прибора с высокой точностью.ОсциллограМмы двух...

Номер патента: 1012161

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Данилин, Загоровский, Кравченко, Лотох, Прытков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

...необходкмо предварительное измерение термочувствительного параметра при фиксированной температуре (время операции болеедесяти мин), а также использование двухсерий импульсов, нагревающих полупроводниковый прибор с постепенным наросганием их амплитуды и измерении каждыйраз после окончания очередного импульса термочувствительного параметра.Кроме того, данный способ не обладаетвысокой точностью, имеет место погрешность измерений, связанная с неконтролируемьм Охлаждением кристалла за время измерения термочувствительного параметра (после переключения от греющеготока к измерительному).Целью изобретения является повышение быстродействия и точности контроля.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу контроля качествасоединений...

Номер патента: 1018061

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Балявичюс, Бурдулис, Пошкус

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: переключающих, переключения, элементов

...и быстрота, с которой оператор после обнаружения на ВАХ участка отрицательного дифференциального сопротивления успевает снизить амплитуду переключающих импульсов ниже напряжения переключения. 8 результате при помощи этого -устройства невозможно исследовать образцы, свойства которых меняются после каждого переключения.Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем обеспечения возможности измерения напряжения переключения единичного переключения.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения напряжения переключения переключающих элементов, содержащее генератор наносекундных импульсов, последовательно соединенные коаксиальную линию передачи и ограничитель тока, который соединен с входами двух...

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...