G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 855551

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Михайлов, Смирнов

МПК: G01R 31/26

Метки: вентиля, высоковольтного, тиристоров

...через высоковольтный кабель б, трансформаторы 7 тока и выпрямительные диоды 8 поступают на 40 электроды управления тиристоров 2 вентиля. Одновременно импульсами управления через диоды 13 происходит заряд накопительных конденсаторов 14 в накопителях энергии 12. При 45 включении тиристоров 2 происходит разряд конденсаторов 3 через резисторы 4 и через первичные обмотки импульсных трансформаторов 21 тока, обеспечивающих включение тиристоров 50 20 в элементе 19 сброса. Таким образом, при исправных тиристорах 2 вентиля на генератор 15 контрольных импулЬсов напряжение питания не поступат. В случае пробо тиристора 2 соответствующий конденсатор 3 РС-цепи не заряжается, и следовательно, прекращается включение элемента 19 сброса. При этом от...

Номер патента: 855553

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Барабаш, Литовченко, Трегуб

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, поля, релаксации, эффекта

...от генератора 3. От источника напряжения Г прикладывают к образцу 1 постоянное тянущее поле. Резисторы и конденсаторы образуют мостовую схему, в которую включают исследуемый образец 1. Сигнал, снимаемый с образца 1, после прохождения фазовращателя 4, усиливается дифференциальным усилителем 5 и регистрируется осциллографом 6 и вольтметром 7. 15На фиг. 2 изображена осциллограмма напряжения, снимаемого с образца при подаче на полевой электрод прямоугольного импульса модулирующего напряжения, по которой предварительно 20 определяют время релаксации эффекта поля на участке спада кривой) и измеряют величину О квазиравновесного значения напряжения.После предварительного определения параметра по осциллограмме напряжения, снимаемого с...

Номер патента: 857889

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Ашмонтас, Олекас

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, заряда, носителей, полупроводниках, релаксации, энергии

...зависимостьи т. д. Величина .в зависит от различныхфакторов, в частности от степени легирования полупроводника. 10Известен способ измерения времени релаксации энергии носителей заряда в полупроводниках, основанный на измерениях электрических параметров как на СВЧ, так и напостоянном токе, заключающийся в том,что создают специальные тестовые диодныеструктуры, содержащие п - и+ переход, пропускают через них постоянный ток и измеряют продольные и поперечные составляющие токов, по которым определяют параметры полупроводника.Недостаток этого способа заключаетсяв том, что он требует изготовления сложных тестовых структур. Известен также способ, основанный на том, что в полупроводнике создают неоднородное электрическое поле с различными...

Номер патента: 859973

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Веревкин, Мизев, Шевцов

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимого, полупроводниковых, приборов

...вторичной обмотки включены последовательно соединенные высоковольтный ключ, испытуемый прибор и токосъемныи резистор.На чертеже изображена блок-схема 4 ф устройства.Устройство содержит источник 1 напряжений, параллельно которому подключены входы устройства 2 синхронизации, Первичная обмотка повышающего 4 трансформатора 3 подключена к источнику 1 напряжения через регулирующий элемент 4, управляющий вход которого соединен с выходом схемы 5 срав" нения. Б цепь вторичной обмотки по- Я вышакщего трансформатора 3 последовательно включены испытуемый. прибор 6, токосъемный резистор 7 и высоковольтный ключ 8, управляющий вход которого соединен с одним из выходов устройства 2 синхронизации, второй выход которого соединен с синхронизирующим входом...

Номер патента: 864191

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Балявичюс, Пошкус

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, задержки, индикации, переключающих, элементов

...осциллограф 5, дополнительный стробоскопический осциллограф д б, формирователи импульсов 7 и 8, элемент ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 9, два триггера 10 и 11 и два индикатора 12 и 13Устройство работает следующим об - разом.ЪНа образец, подключенный ко входу устройства, поступают импульсы длительностью в несколько наносекунд, имеющие Форму, приведенную на Фиг,2. Такая Форма импульса создается при помощи ответвителя 2 и коаксиальной линии 3 с сопротивлением. После (оступления на образец отраженный сигнал подается на два канала стробоскопического осциллографа, причем при, помощи различной задержки сиг налы в разных каналах сдвинуты по шкале времени на 0,9 от общей длительности импульсов. При помощи ручной развертки стробоскопического...

Номер патента: 864192

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Моисеев, Сафонов

МПК: G01R 31/26

Метки: испытаний, симметричных, тиристоров

...фазам В и,с, Формирователь 65 одиночных импульсов 9, блок эадержки 10, блок однократных прямоугольныхимпульсов 11, испытуемый симистор 12, измеритель тока 13 и устройство для измерения температуры структуры 14, использующее, например, температурную зависимость прямого падения напряжения на полупроводниковом приборе при протекании через него постоян ного стабилизированного тока малой величины.Устройство работает следующим образом,Через предварительно отградуированный в обоих направлениях испытуемый симистор 12 пропускается греющий ток (фиг.2 а) в течение времени, необходимого для установления теплового состояния. Симисторы 2 и 3 открыты током от источника б через открытые ключи 4 и 5. На вход блока однократных полусинусоидальных...

Номер патента: 812009

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Бахтин, Михайлов, Шевчук, Шмулевич

МПК: G01R 31/26

Метки: температуры

...и позволяет измерять температуру структуры беэ прерывания рабочего режима тнристора, однако его недостатком является низкая точность измерения температуры, так как в силу инерционности термопреобраэователя им можно измерить усредненную, а не максимальную температуру в структуре, которая возникает именно в рабочих режимах, близких к предельным.Целью изобретения является повышение точности определения температуры.Цель достигается тем, что в способе определения температуры полупроводниковой структуры тиристора в рабочем режиме, включающем установку на испытуемую структуру термопреобразователя, его термокалибровку и последующее определение температуры, дополнительно измеряют зависимость термочувствительного параметра ти.ристора от...

Номер патента: 866509

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Заика, Усов, Школык

МПК: G01R 31/26

Метки: конструктирующее

...4электромагнита 2,09ключения тока и изменения тока в обмотке 4 сердечник 3 начинает перемещаться к блоку 1 контактов с замедлением (участок 14 на кривой 12) и приходит к положению контактирования почти с нулевой скоростью. Удар сердечника 3 не возникает, и процесс контактирования происходит плавно.Таким образом, контактирующее устройство обладает высокой надежностью и позволяет повысить качество контактирования при высоком быстродействии устройства. Формула изобретения Контактирующее устройство, содержащее электромагнит, сердечник которогомеханически соединен с блоком контактов, а один иэ выводов обмотки электромагнита соединен с ключом переключениятока, а другой ее вывод соединен с источником питания электромагнита, о т л ич а ю щ е е...

Номер патента: 871103

Опубликовано: 07.10.1981

Автор: Рожков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, полупроводниковых, прямых, термокомпенсации, характеристик

...диоду,На фиг. 1 представлена функциональная схема предлагаемого устройствана фиг. 2 - вариант принципиальнойсхемы устройства с элементами заданиярежимов опорного диода и вычитающегоустройства, в качестве которого может 1 обыть использована схема на основе операционного усилителя с дифференциальным входом.Предлагаемое устройство (фиг. 1):соцержит генератор тока 1, опорный 15диод 2, вычитающее устройство 3 итермокомпенсируемый диод 4Ток генератора 1 проходит практически полностью через опорный диод 2, создавая опорное напряжение, поступающее2 оНа первый вход вычитающего устройства3, на второй вход которого подаетсянапряжение смещения О смС выхода вычитающего устройствана вход термокомпенсируемого диода 4поступает напряжение 0 В =(.1 о-...

Номер патента: 871104

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Букевич, Железняков, Молчанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...эффективности,Поставленная цель достигается тем,что по способу отбраковки полупроводниковых приборов, включающему измерение электрических параметров испытуемых приборов и разбраковку по ним при-.боров на годные и дефектные, передизмерением параметров пластину выдерживают в высокочастотном электромагнитном поле.Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом.Полупроводниковые пластины послеформирования на них структур полупро,водниковых приборов или интегральных схем до скрайбирования на кристап лы помещают в высокочастотное электромагнитное поле, создаваемое генератором. За счет воздействия вихревых токов, вазникающих в структуре проводящих элементов, приборов, создается повышенная температура. Кроме того,воздействие...

Номер патента: 873154

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Бучковский, Голинский, Киселинчик

МПК: G01R 27/28, G01R 31/26

Метки: обратной, передачи, проводимости, четырехполюсника

...на входе т.е, бл =О, тогда Ч = - .1 гкьгг ог где Р = -- коэффициент передачи тока.УгПо определению проводимость обрат где -,(л- ной пеРеДачи УЛ = 1 л,О 2 пРи коРотком замыкании на входе (Ц =О). Приравняв обе проводимости, получаем1 -1 :а 12 кэ 2 ххл4Обычно Р )1 Л, например для транзи стора он равен сотням, а иногда тысячам раз. Кроме того, выходные.сопро тивления ряда четырехполюсников ве" лико и не ставит жестких требований 4 к входному сопротивлению прибора, измеряющего ток. В результате этого. точность измерений повышается.На чертеже представлен вариант реализации устройства, осуществляющего предлагаемый способ. Устройство содержит управляемыйпрерыватель 1, исследуемый четырехполюсник 2, трансформатор тока 3,вольтметр 4, генератор 5,...

Номер патента: 873164

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Денисенко, Кухаренко

МПК: G01R 31/26

Метки: измеритель, насыщения, переходов, р-п, т-фактора

...компенсации температурных зависимостей тока насыщения .и теплового потенциала р-и-переходов измеряемого прибора и транзистора.873164 Формула изобретения оставитель В, Немцехред Т.Маточка Корректор М. Шароши едактор Н. Воловик 765 Поденного комитета СССРтений и открытий5, Раушская наб., д. 4/ писное Заказ 9026 Тираж ВНИИПИ Государст по делам изобр 13035, Москва, Ж филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул, Проектна на чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.Схема содержит источник 1 тока, операционный усилитель 2, транзистор 3, амперметр 4 и испытуемяй прибор 5.Транзистор 3 ббеспечивает компен" сацию температурных зависимостей параметров измеряемого о-и-перехода испытуемого поибооа 5Используя...

Номер патента: 873166

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...9, 1 д - граничная частота полевого гальваномагниторекомбинационного эффекта.При этом поверхностные электростатические потенциалы и скорость поверхностной рекомбинации на гранях исследуемого образца 2 под полевыми пластинами 3 изменяются по синусоидальному закону противофаэно и обеспечивается линейность функции 1(Ц 4)=сопвс О . Частота о связана с измеряемой величиной эффективного времени живинка носителей тока в образце 2 формулойГзф= 1/2 )Игде То - период. Причем частота Г определяется как частота выходного переменного напряжения исследуемого образца 2, при котором фаза этого напряжения отстает на )Г/4 относи" тельно фазы переменного напряжения с частотой Гс на полевых пластинах 3.Частота выходного напряжения исследуемого образца 2...

Номер патента: 873167

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Горин, Дергачев, Пиорунский

МПК: G01R 31/26

Метки: сопротивления, теплового, транзисторов

...контроля, период изменения коллекторного напряжения устанавливают на один и более порядков меньшим тепловой постоянной времени кристалла, а полученную в ре- Щ зультате измерения амплитуду переменной составляющей прямого падения напряжения на р-и-переходе вычитают из результата предыдущего измерения.На фиг. 1 изображено устройство, которое может быть использовано для осуществления этого способа и состоит из генератора 1 постоянного тока, измерителя 2 переменного напряжения, испытуемого транзистора 3, источника 4 коллекторного напряжения, величина которого изменяется периодически во времени без изменения знака; нафиг. 2 - эпюры изменения во времени; тока, задаваемого в эмиттер транзистора (О ), прямого падения напряжения на переходе...

Номер патента: 881630

Опубликовано: 15.11.1981

Автор: Торопов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: с-параметров, свч, транзисторов

...З 0 ваются автогенерации на требуемых частоте и уровне выходной мощности, измеряют комплексные напряжения сигналов на входе первого и выходе второго четырехполюсника, затем перестройкой четырехполюсников изменяют режим автогенерации таким образом, чтобы частота генерации и уровень выходной мощности незначительно отличались от первоначальных, причем в обоих режимах автогенерации измеряют параметры Ь 11 ианцым напряжений сигналов, параметров четырехполюсников опреаеляют параметры транзистора по формулам 453 М 16 и входе каскадного соединения трансформатор-транзистор-трансформатор 2.Однако по данному способу трудно измерять точно 5 -параметры транзисторов (или процесс измерения совсем невоэможжен) неустойчиво работающих в усилительном...

Номер патента: 883808

Опубликовано: 23.11.1981

Автор: Соков

МПК: G01R 31/26

Метки: динамической, термостойкости, тиристоров

...функциональнаясхема устройства.Устройство содержит источник 1 импульсовкратковременной перегрузки, выполненный свозможностью переключения в положения"Калибровка" и "Измерение" источник 2 позволяет осуществить регулировку выходного сигнала посредством регулятора 18. Разделительный диод 17 в блоке 14 исключаетпрохождение силового токе в цепи блокакалибровки. Резонансный фильтр 19 может быть выполнен по любой известной схеме,он предназначен для пропускания на вход блока 14 только, полезного сигнала калиброванной частоты. Генератор 20 калиброванной частоты предназначен для пропускания через испытуемый тиристор сигнала калиброванной частоты, причем высокочастотный сигнал модулирован по амплитуде сигналом источника 2. Выход генератора...

Номер патента: 886345

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Богданов, Васильев, Волчек, Конев, Марченко, Моргун, Полянский, Свешникова

МПК: G01R 31/26

Метки: испытаний, радиоэлементов

...и производительности работы устройства.Указанная цель достигается тем, что в устройстве для испытания радио" деталей преимущественно полупроводниковых приборов, содержащем корпус с держателем для радиодеталей, трубы и испаритель, частично заполненный жидкостью, в держателе выполнены каналы, в которых размещены трубы,а испаритель установлен внутри корпуса под держателем и заполнен жидкостью с отношением ее объема к суммарному объему труб и испарителя 0,15-0,5.Кроме того, трубы размещены симметрично относительно испарителя.Теплоотвод выполнен разъемным в плоскости осей его каналов,886345 Подписно ж 8 каз 10594/8 ВНИИПИ ф, г.ужгород,ул,Проектная,4 П илиал Устройство работает следующим образом.При подаче электрического напряжения к...

Номер патента: 890279

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Гусев, Соков, Тестоедов, Шермеревич

МПК: G01R 31/26

Метки: сопротивления, теплового, тиристоров

...измерения теплового сопротивления тиристоров осуществляют следующим образом., еПеред началом измерений температура всех областей установленного на теплоотвод тиристора постоянна и рав" на температуре корпуса Т , которая равна температуре окружающей среды. 1 з Сначала через тиристор пропускают се" рию коротких возрастающих по амплитуде анодных импульсов, и Фиксируют амплитуду анодного импульса, после прохождения которого время остывания . включенной области до температуры собственной проводимости достигаетЪ фф некоторой заданной величины -л, которое фиксируют по моменту восстановле" ния тиристором блокирующих своиств, д считая от момента окончания анодного импульса, т.е. по моменту его выключения. Во время прохождения каждого...

Номер патента: 892360

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Барейкис, Гальдикас, Приходько

МПК: G01R 31/26

Метки: нелинейных, характеристик, элементов

...усилитель9, первый осциллограф 10, диоды 11,12, блок 13 модуляции яркости луча,модуляционный радиометр 14, индикатор 15, блок 16 задержки, генератор 17 импульсов напряжения, второйосциллограф 18, волновод 19, СВЧпереключатель 20, волноводные измерительные линии 21 и 22, генератор 23 СВЧ-мощности, преобразователи 24 и 25 напряжения и аналоговуювычислительную машину 26.Устройство работает следуюцим об"разом.Управляющие сигналы, вырабатываемые генератором 1, попеременно за пускают генераторы 2 и 3 прямоугольных импульсов напряжения , а такжеблок 13 модуляции яркости луча, которые запускают блоки 4 и 5, предназначенные для подачи нанелинейныйэлемент 8 через ограничитель 6 токаи резистор 7 последовательности прямоугольных импульсов с...

Номер патента: 892362

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Колобутин, Пыж, Староверов, Хомич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов

...9 в формебольше или меньше норм заданных источником эталонных уровней поступа ют на вход блока 12. Блок 12 вырабатывает циклически следующие импульсы: импульс заряда суммарной емкости р-п перехода контролируемого прибора 4 и электрических цепей для егоподключения и импульс измеренияИмпульс заряда суммарной емкостиблок 12 подает на управляющий входоперационного усилителя 7 и включаетдиапазон измерения больших токов,обеспечивая на время действие импульса малое входное сопротивление операционного усилителя 7, чем осущест" ляет быстрый заряд суммарной емкости, шунтирующей р-и переход. Иа время действия импульса измерения блок 12 после установления переходного про 5 цесса коммутации операционного усилителя 7 анализирует сигналы, пос"...

Номер патента: 894613

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Кукушкин, Соляков

МПК: G01R 27/08, G01R 31/26

Метки: вольтамперной, двухполюсника, характеристики

...получают зависимость ВО) оюи О О:ОСЬ 4аопосле чего искомую вольтамперную ха-рактеристику двухполюсника вычисляютно формулеУ 3 М=Э 0) ф 0 ММЙИМ 1 М 1 ЙжЦ фО 1 8 ЩГИи 1)М 1), 1) Здесь ЗЬО) - постоянный ток че.ч рез двухполюсник при отсутствии на нем как постоянного, так и переменно го напряжения. Он может быть не ра" вен О в случае, если, например, измеряемым двухполюсником является фото- диод, температура и т,п. На чертеже представлена схемаустройства для реализации предлагаемого способаУстройство содержит измеритель 1постоянного тока, измеритель 2 постоянного напряжения, измеритель 3амплитуды переменного напряжения,разделительную катушку 4 иидуктивности, разделительный конденсатор 5 иисследуемый двухполюсйик 6.На вход 7 измерительной...

Номер патента: 894614

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Антанавичюс, Масюлис, Мачюлайтис, Шахтинов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, задания, пикового, туннельных

...резистор 5, параллельно туннельному диоду 4 подключен измеритель6 напряжения, например дифференци альный усилитель постоянного тока,а также усилитель 7 постоянного тока, вместе с калиброванным резистором 5 составляющий измеритель 8тока. Выход измерителя 6 напряженияф 5 соединен со входом регулируемого порогового устройства 9, например триггера Шмитта, выход которого подключенк управляющему входу аналоговогоключа О, другой вход аналогового50 ключа 10 соединен с выходом измерителя 8 тока, а выход - с одним входомкомпаратора 11, другой вход компаратора 11 соединен с узлом 12 управляемых калиброванных токов, а выход.55 через шину 13 сброса импульсов подключен к одному входу счетчика 14импульсов, другой вход; последнегосоединен с...

Номер патента: 894615

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Манюшите, Рагаускас

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, двухколлекторных, магнитотранзисторов, температурных, характеристик

...полупроводниковых приборов.Основными температурными характе ристиками биполярных двухколлекторных магнитотранэисторов являются температурная зависимость магниточузствнтельности4.ф- ф 1 где дОкг- изменение напряжений на первом и втором коллекторах магнитотранэистора при изменении на дВ индукции магнитного поля, а также температурная зависимость начальной разности коллекторных напряже- ний нсации температурных погруществляют с использованием характеристик ,(Т)и ООо(Т),Известны способы измерения температурных характеристик биполярных ф транзисторов, основанные на воздействии на испытуемый транзистор тепловым потоком, регистрации величины температуры этого потока, а такжерегистрации величины напряжений или 10токов) на электродах...

Номер патента: 894616

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Захаров, Старовойтов, Стельмах, Уренев

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, транзисторов

...тока источника 8 в соответствии с условиями режима насыщения. 4При подаче с задатчика 2 на неинвертирующий вход операционного усилителя 1 О запирающего напряженияна его выходе появляется сигнал,переводящий .транзистор 1 в режимотсечки, сопротивление транзистора1 возрастает, потенциал эмиттерауменьшается, что приводит к эапиранию транзистора 11 исоответственно, к возрастанию потенциала базы транзистора б, который в результате переходит в открытое состояние, Напряжение источника 5 оказывается практически полностью приложенным к коллектору испытуемого транзистора 1 и одновременно запирает вентиль 7, Искомое значение тока через транзистор 1 в режиме отсечки отсчитывают по показаиию измерителя 3. Потребляемая от источника 5 мощность...

Номер патента: 894617

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Крылов, Маслов

МПК: G01R 31/26

Метки: высоковольтный, измеритель, напряжений, пробивных, транзисторов

...3, импульсный трансформатор 4,нагрузку 5 в виде испытуемого трап .зистора, эталонный резистор 6,. второй 7 и первый 8 повторители, делитель 9 напряжения, масштабный уси"литедь О инвертор 11 , первый12 и второй 13 переключатели.Устройство работает следующим образом. Напряжение от источника 1 через формирователь 2 в виде прямоугольных импульсов поступает на первый вход усилителя 3. Усиленное напря- жение посредством трансформатора 4 передается в нагрузку 5. Напряжение, снимаемое с эталонного резистора 6 через повторитель 7, пропорциональ- .но величине тока, протекающего через нагрузку 5, В свою очередь, напряжение повторителя 8, подключенного к выходу делителя 9, пропорционально алгебраической сумме напряже" ний резистора 6 и нагрузки...

Номер патента: 894618

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Манюшите, Рагаускас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: магнитотранзисторов, магниточувствительностью, полевых, характеристик

...через переключатель 13 ко входу вертикальной развертки цифрового графопостроителя 14. Вход горизонтальной развертки цифрового графопостроителя 14, а также входы управления преобразователей 10, .11 и 12, импульсного генератора 7 и переключателей 9 и 13 соединены с блоком 15 управления.Способ осуществляется следующим образом.В момент времени Й импульсом, поступающим с блока 15 управления, запускается импульсный генератор 7, на выходе которого формируется видеом импульс положительной полярности. Дпительность этого импульса 6 устанавливают больше удвоенной длительности переходной характеристики магннтотранзистора. Одновременно импульсами, поступавцими с блока управления, запускается, горизонтальная развертка цифрового графопостроения 14,...

Номер патента: 917141

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Веревкин, Ершов, Луценко, Щевцов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: выпрямительных, полупроводниковых, элементов

...Уровни опорных постоянных напряжений формируются блоком 5 опорных сигналов, а значения опорных напряжений, тока и динамического сопротивления выбраны, исходя из требований технологии производства данного типа полупроводниковых приборов, и могут меняться при контроле качества выпрямительных элементов различных типов. При линейном нарастании напряжения на испытуемом выпрямительном элементе напряжение на выходе датчика 4 напряжения также растет линейно. При этом оно по очереди превышает значения опорных сигналов, поступающих на вторые входы компараторов 7 - 9 по напряжению.Пока сигнал на первом входе каждого компаратора 7 - 9 по напряжению меньше опорного, на выходе сигнал отсутствует, Как только сигнал от датчика 4 напряжения становится...

Номер патента: 917142

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Веркялис, Мажейкис

МПК: G01R 31/26

Метки: датчиков, импульсных, приемно-излучающих, узлов, фотоэлектрических, характеристик, электрических

...и ус- тановлен к оси вращения под угломомаксЧ = -" агсып2 0 Формула изобретенияУстройство для измерения электрических характеристик приемно-излучающих узлов фотоэлектрических импульсных датчиков, содержащее источник питания, соединенный с входом приемно- излучающего узла, выход которого подключен к входу блока регистрации, контактный узел и растр, о т л и " ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения функциональных возможйостей, в него введены блок управления вращением растра, механизм опрвделе" ния координаты приемно-излучающего узла, причем блок управления вращени" ем растра жестко связан с механизмом определения координаты приемно"йзлу" чающего узла, а растр выполнен с радиальными штрихами до центра и уста" новлен к оси...

Номер патента: 917143

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Бингелис, Клебанский, Шпаков

МПК: G01R 31/26

Метки: крутизны, полевых, транзисторов, характеристики

...измерителя напряжения.На чертеже приведена функциональная схема предлагаемого устройства,Устройство содержит генератор 1,источник 2 напряжения затвора, испытуемый полевой транзистор 3, операци.онный усилитель Й с настроенным параллельным контуром в цепи отрицательной обратной связи, источник 5напряжения стока, измеритель. б переменного напряжения.Устройство работает следующим Образом.Переменное напряжение, соответствующее условию малого сигнала, поступает на затвор испытуемого транзистора 3 с генератора 1. Этонапряжениевызывает малосигнальный ток стока . равный 40 где д - малосигнальный ток стока;11 - малосигнальное напряжение3затвора;О - крутизна характеристики полевого транзистора,Иалосигнальный ток стока поступает на вход...

Номер патента: 918901

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Богушевич, Добровольскис, Кутьин, Соколов, Шевейко

МПК: G01R 31/26

Метки: агрегатов, вентилей, диагностики, полупроводниковых, преобразовательных

...несколь ко периодов питающего напряжения тиристора 18 и на выходе генератора 25 формируется прямоугольный импульс измерительного тока 1 25, проходящий через контролируемый вентиль 11 1 , а на выходе блока синхронизации 15 импульс Ц (фиг. 2), запускающий цифровой вепьтметр 14, на экране которого высвечивается начальное значение падения напряжения от измерительного тока 13 на не нагретом контролируемом вентиле 11 - 13 .Замыкая выключатель силового тока 8, контролируемый вентиль 11 прогревается однополупериодными импульсами тока 14 требуемое время, определяемое с помощью электромеханического секундомера 3, запускающегося через контакт 9, В этот же момент времени от контакта 9 срабатывает и реле 2 с регулируемым временем замедления при...