G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 711502

Опубликовано: 25.01.1980

Автор: Головко

МПК: G01R 31/26

Метки: переходов, пробоя, р-п

...что в иэвестных способах напряжение пробоя определяется при токе, на 3,5 порядков превышаошем Зрто очевидно существенное повышение точности измерения параметра и возможность контроля первичного пробоя р- п -перехода.На фиг. 1 показана блок-схема устройства для осуществления способа измерения напряжения пробоя р- ц -переходов;,- на фиг. 2 представлена токовая зависимость 1-шумов обратно-смещенного кремниевого диода; на фиг. 3 представлена зависимость 1шумов от напряжения.25Блок-схема содержит регулируемый историк обратного тока 1, ламповый вольтметр 2, нагрузочный резистор 3, измеряемый р- д -переход 4 включенныйв обратном направлении, регистратор 5 Способ измерения напряжения пробояр- и -переходов, заключающийся в пропускании обратного...

Номер патента: 711504

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Гусев, Соков, Тестоедов

МПК: G01R 31/26

Метки: перегрузочной, способности, тиристоров

...до температуры собственной проводимости, причем это время в устрой стве регистрируется как время выключения тиристора нри постоянном прямом напряжении и тока, меньшего тока удерж ния. Кроме того, с целью повышения производительности при подавлении влияния на погрешность измерения эффекта накопления тепла, источник 1 импульсов ,тока, линейно возрастающих по амплитуде, содержит источник импульсов найряжения, возрастающих по амплитуде, и К -. - С контур,причем элементы 1 и С контура выбираются из расчета длительности токовой перегрузки не более 100 мкс, а блок управления и связанный с ним источник импульсов напряжения, возрастающих по амплитуде, настраиваются на частоту 10-25 Гц. и выпрямительные свойства, т.е. он выключается. При...

Номер патента: 712785

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26

Метки: зависимости, пластин, полупроводниковых, сопротивления, температурной, удельного

...Предлагаемое устройство позволяет автоматизировать проводпмыс в динамическом режимс измерения температурной зависимости удельного сопротивления образцов полупроводниковых материалов произвольной формы, что дает возможность исключить ряд технологических и измерительных операций по приданию образцам правильной формы н измерению геометрических размеров; все это, в конечном счете, приводит к повышению точности измерений, сокращению времени на подготовку образца, сокращению расходов материальных средств. Устройство для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупроводниковых пластин, содержащее источник переменного тока постоянной частотысоединенный с первым и вторым зондами, усилитель, вход которого соединен с...

Номер патента: 714317

Опубликовано: 05.02.1980

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/26

Метки: координат, полевых, термостабильной, точки, транзисторов

...термостата 13 с температурой Сц и продолжает сохранять прежний режим работы синхронных детекторов 16 и 21 (управляющие импулы сы на Фиг. Зг) . По,мере прогреватранэистора 1 (Фиг, За) изменяетсяйаклЬн исследуемой характеристики(Фиг. 2), при этом системы стабили"зации крутизны Я 2 ) и глубины моду 1 ляциикрутизны ьЯ, стремясь воспре" О пятствовать изменению этих параметров, вызывают изменения напряжения смещения и модулирующего воздействия ьО, что приводит к непрерывному на накоплению информаций о производнойкрутиэны и напряжении отсечки раэдел- но в синхронных детекторах 16 и 21, Изменяющееся напряжение детектора 21 обрабатывается в соответствии с выражением (4) в канале измерения напряжений затвор-исток, соответствующих теростабильной...

Номер патента: 721778

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Воронов, Фарафонов

МПК: G01R 31/26

Метки: вентильных, испытаний, рабочих, разрядников, сопротивлений

...лавинообразования, цепочки 6 5 лавинных диодов с меньшим напряжением лавинообраэования, резистор 7, параллельно которому подключен блок индикации 8, резистор 9 и диод 10.Устройство работает следующим обра-о зом.От генератора импульсных токов 1 на нелинейное сопротивление испытуемого объекта 2 воздействуют волной тока, Если диски нелинейного сопротивления не повреждены, волна напряже ния на них за фронтом импульса имеет вид спадающей экспоненты (фиг. 2), Напряжение на конденсаторе 3 при соответствующем выборе шунтирующего его резистора 4 будет с некоторым прибли жением повторять волну напряжения на испытуемом объекте. Заряд конденсатора 3 в период прохождения через объект испытательного импульса осуществляется через цепочку 5 лавинных 25...

Номер патента: 721780

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Беспамятнов, Иванюта, Ключников

МПК: G01R 19/04, G01R 31/26

Метки: генератора, запуска, инвертора, кварцевого, часов, электронных

...инвертора в момент лавинообразного нарастания тока питания,Способ основывается на следующихсвойствах кварцевого генератора иинвертора. Возбуждение кварцевогогенератора происходит только в случае, когда его инвертор введен врежим линейного усиления. Это условие можно выразить следующим обра721780 Формула изобретения Тираж 10 СПИ Заказ 125/ исно илиад ППП Пат ктн Ужгород,где Е, - напряжение питания инвертора;ПАя - напряжение запуска инвертора;К - коэффициент, отражающий необходимость появления ненулевого сквозного тока черезинвертор;1 ор - пороговое напряжение р-канального транзистора инвертора;Ц- пороговое напряжение и-канального транзистора инвертора,Инвертор кварцевого генератора можно ввести и режим линейного усиленияс помошью...

Номер патента: 728098

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Аблаев, Нечаев

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилей, испытания, полупроводниковых

...для подключения управляющего электрода вентиля 8. Замыкающие контакты 20 переключателя включены между выводом 19 генератора и "зажимом 10 для подключения управляющего электрода испытуемого вентиля 7. Параллельно замыкающим контактам 20 подключен коммутирующий элемент 15,.Устройство работает следующим образом.На вентили 4 и 7 (в случае испытания вентиля, предназначенного для совмещения функций рабочего и шунтирующего, фиг, 2 б - второй вспомогательный вентиль 8 в этом случае в схему устройства не вводится, коьвтутатор 15 включен) или на вентили 4 и 8 (в случае испытаниявентйля,предназначенного для работы только в качестве ШВ,фиг.2 а,вентиль 8 в схеме присутствует;коммутатор 15 в этом случае разомкнут) от генератора 13 через размыкающие...

Номер патента: 736027

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Бобров, Добровольскис, Соболев, Соколов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/27

Метки: вентилей, полупроводниковых, режима, теплового

...силового вывода,. 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 представляет собой возраставшую функцию. Таким образом, термочувствительный датчик, находящийся в тепловом контакте с гибким силовым выводом, следит за изменением температуры -п структуры, обусловленным как изменением на - грузки диода, так и изменением его внутреннего теплового сопротивления,На фиг. 1 изображена структурная схема предлагаемого устройства при контроле теплового режима вентилч штыревой конструкции с гибким силовым выводом; на фиг, 2 - зависимости температуры О элементов вентиля от его внутреннего теплового сопротивления Р построенные по экспериментальным данным, полученным на диодс штыревой конструкции при номинальном токе агрегата.Термочувствительный элемент 1...

Номер патента: 737890

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Паташюс, Рагаускас, Шилальникас

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп-структур, реализации, характеристик

...9 и частотные зависимости коэффициентов затухания р (Ш)Фильтра 9 (кривая г), приемника 18(кривая д) и приемника 19 (кривая е),В стационарном режиме на входефильтра 9 действуют только две спектральные компоненты с частотами щ ищ, Амплитуды и Фазы этих компонентопределяются стационарными величинами импеданса МДП-структуры 1 начастотах щ, и оз, В компенсаторе 10с помощью инерционной автоматическойподстройки амплитуд и фаз сигналов,подаваемых с соответствующих генераторов б и 7 на регулируемые аттенюаторы-Фазовращатели 15 и 16, производится компенсация комПонент щ иШ в спектре информационного сигнала(Фиг. 2), Этим обеспечена независимость метрологических характеристикустройства от стационарных составляющих измеряемых компонентов...

Номер патента: 737891

Опубликовано: 30.05.1980

Автор: Свирид

МПК: G01R 31/26

Метки: дрейфа, коэффициентов, параметров, полевых, составляющих, температурных, транзисторов

...переход-среда полевого транзистора,1 О днейшей обработки на синхронные детек- когда температура кристаллаторы 19 и 20: Одновременно с ним вы- (фнг. 3 а) станет равной температуред- ходное напряжение сравнивающего уст- другой камеры термостатаи дальройства 8, соответствующее производ- нейшее изменение наклона характеристиной проводймости Ь 0, воздействует ки проводимости (Фиг. 2) прекращается,на информационные входы синхронных 15 мбностабильный элемент, возвращаясьдетекторов 15 и 16, К этому моменту - в исходное состояние, заканчиваетсявремени полевой транзистор 1, нахбдясь формирование управляющего импульсав одной из камер термостата 13, приоб- (фиг, 3 в), переводя синхронные детекретает температуру кристалла Р, торы 16 и 20 в режим...

Номер патента: 741205

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Иванов, Лаврентьев, Петриш

МПК: G01R 31/26

Метки: классификации, тиристоров

...тиристор выключен так как ток управляющего электрода равен нулюи регистратор 2 момента включения не работает. На первом источнике 3опорного напряжения установлено напряжение, равное нижнему классификационному значению напряжения включения, а на втором источнике 4 опорного напряжения - равное верхнему классификационному значению.Триггер 14 в исходном состоянии разрешает генератору 7 тока управляющего электрода формировать линейно нарастающий ток, который протекает также через эталонные резисторы 8-9. Сопротивления эталонных резисторов 8- 9 выбираются так, чтобы падение напряжения на них от тока управляющего электрода, равного граничным классификационным значениям, равнялось выходному напряжению третьего источника 12 опорного напряжения.По...

Номер патента: 744382

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Григорьев, Панов

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, коллекторной, постоянной, транзистора, цепи

...Пс 13 ХОДЫ УС 11 ЛПС.151 С РС- гулируемым коэффициентом уаЛспя 3 и переключателя 7. (,Пгпа. с 31 ХО) усплпТЕЛ 51 С РСГУГ ПР)СМ ЫМ И)с: ЦС ПО.СПЛЕШЯ 3 ПОСтУПЯСт ЧСРЗ с)Си 0; Р 1 ДРУГОЙ ВХОД ПЕРСКГПОЧсПСГЯ 3 И И; (, ПЗ 13 Х,ОБ ПР СЕЛЮ 121 С 15,), Пс),РЕО 10 РОО ПОС)ПЯСТ Иси 1 Р 5 ЖСПП(. С) С с)МП) тера испытуемого ризпстор 2.ОсрсдстБОМ ПЕрЕКЛОЧятеля 5, упрси)ЛяСМОГС КЫХодпым сигналом измерителя гнш ппп 12, осуществляется поперсмсппяя пода я пяпряжепий высокой частоты эмпттсря Ь )СИЛЕППОГО КО;,Е 1"10 РПОГО ПЯ 1 Ц)51 ЯПП 51 С); па вход усигппеля высокой частоты 8.,1 алее каждое 1 з этик папр 51)ксппй, попсремсппо усилешюе Б усилителе 8, детектируется детектором 10 и через псрсключ пель , )ПРЯБЛ 51 СМЬ 1 й 12)КЕ 15 ЫХОЛП 11 Х СПГПЛО:)1 и;3-...

Номер патента: 744384

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Герасимов, Панов, Рамзайцев

МПК: G01R 31/26

Метки: временных, измеритель, параметров, полупроводниковых, приборов, цифровой

...сигнал, по которому блок 8 управления дискретно"тью считывания разрешает сброс пос,1 едцей крупной дискретности сдвига стробимпульса. Дальнейший сдвиг стробцмпульса будет производиться мелкими дискрстностями до момента сравнения преобразованного мгновенного зца гения сигнала ц запомненного нулевого уровня, В этот момент в блоке автоматического сдвига стробимпульсов зафиксируется число, пропор 11 иональцое задержке стробимпульсов стробоскопического дискриминатора 7, соответствующей начальной точке отсчета измеряемого параметра на входном импульсе. После нахождения начальной точки отсчета по команде с блока управления 3 стробимпульс сдвигается на время, равное классификационному значешцо измеряемого параметра в дацном тесте,...

Номер патента: 744385

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Гура, Крыжановский, Нестеренко

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, преобразователей, фотоэлектрических

...6 имеет пороги срабатывания: нижний, соответствующий току эталонного фотоэлемента, пропорциональному интенсивности облучения, например, в солнечную постоянную 1,и уменьшенному на величину Л, определяющую заданную погрешность, т, е. 1, - Л, и верхний порог, соответствующий 1,+Л.На выходе двухпорогового селектора амплитуды возможны три комбинации выходных сигналов: первая, соответствуощая освещенности в одну солнечную постоянную, - сигнал ни 5 ке, вторая, соотвстствующая освещенности ниже солнечной постоянной, - отсутствие сигналов вышс и ниже, третья, соответствующая освещенности выше солнечной постоянной, - последовательность сигналов выше и ниже.Сигналы поступают ца установочные входы ячеек памяти 7, которые В моменты поджига лампы были...

Номер патента: 744386

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Бровко, Еремин, Разлом

МПК: G01R 31/02, G01R 31/26

Метки: замыканий, коротких, обрывов, транзисторов, фиксации, электродов

...уровню 6 О(логический 1 О) (Фиг, 2 г и Фиг.Зг).Так как с выходов усилителей 7 и 11на входы схемы 8 И-НЕ подают низкийУРовень напряжения (Фиг. 2 в,г и Фяг,Звг), а на входы схемы 13 И-НЕ поают низкий уровень с выхода усяли:еля 7 я высокий уровень напряженияс выхода янвертара 12, то, следовательно, на выходе схем 8 и 13 уста-.навливается высокий уровень напряжения (логическая1 ), который невызывает срабатывание триггеров Э и14 и индикаторы 10 и 3 не вклкчаютсясигнализируя тем самым об исправности испытуемого транзистора 3,В случае появления при механическом воздействии кратковременного илипастояннога деффекта (обрыва одногоиз электродов транзистора или короткого замыкания между электродами) вточке А возникает испытуемый сигнал(фиг. 2...

Номер патента: 744387

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Белов, Калмычков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, напряжений, туннельных, характеристических

...тока максимума, после чего происходит скачкообразное перемещение рабочей точки диода на диффузионную ветвь и возникает положительцый перепад напряжения ца Испытуемом диоде 2. Дискримипа гор перепадов 6 подает в это время сигнал ца схему 5 управления счетчиком и:пульсов, которая останавливает счетчик 4, а также ПСрЕКЛОаРТуправ,яЕМэй:СтстНК Тока 7 В РЕ.:КИМ УМЕНЬШЕНИЯ тОКа ДО ЦттСВО. О Зпачтне 5. Таи Образом, чсосз пспьтсхь;Й диод 2 формируется импульс тока трсуголь пой формы.Слсдующцй цикл начинается с:тоявлспцсм второго импульса ца вь хсдс;сл тсля частоты 3. зтих импульсом з: пускеетс:1 ; Ц 1 ЕГЛ 5 СЬ 1, ЦСстпИК Гока, 1;Отстсцт .нформирует царастающиц Во Врем.пп токнТЕРЕЗ ЦСПЫТ, СМЬИ;т,ПОД,. и ЧСРСЗ Г."СЗ; СПОЧТ аеття СЧСТ 1 И 1:, 4...

Номер патента: 744388

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Ледовский, Чалый

МПК: G01R 31/26

Метки: коррекции, полевых, температурной, транзисторов, характеристик

...сток-исток, например прн Уох -+ 0 либо в области насыщения, где и считается независимым от температуры, что сужает диапазон коррекции,Целью изобретения является расширение диапазона температурной коррекции характеристик управляс мых резисторов на полевом эффекте.Поставленная цель достигается тем, что в известном устройстве, содержащем источникк управляющего напряжения, резисторы, измерительный прибор, масштабный усилитель, в цепь обратной связи которого включен термозависимый элемент, источник напряжения компенсации, источник напряжения восстановления, прн этом первый вход масштабного усилителя через резистор соединен с истоком полевого тран.зистора, второй вход масштабного усилителя соединен через второй и третий резисторы с...

Номер патента: 746346

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Кернер, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: максимальной, мощных, структуре, температуры, транзисторов

...в структуре прибора происходят необратимые изменения (измерения проводят с помощью инфракрасногомикроскопа или используя малые приращения температуры окружающей среды исохраняя при этом неизменный электрический режим работы транзистора),Экспериментально установлено, чточисленное значение К практически независит от величины 1 фф и для разныхтипов мощных транзисторов колеблетсяот 0,8 мВ/ С до 1 мВ "/С.Определив значение К, измеряют величину А УЦ 1 соответствующую заданнымзначениям Уко =1 и 1 = 1, и по формуле (2) определяют максимальную тем-пературу в структуре.Многочисленные эксперйментальныеданные показали, что погрешность измерения максимальной температуры по данному. способу не превышает 1504, в товремя как использование известного...

Номер патента: 746347

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Гончаров, Гусев, Ухин

МПК: G01R 31/26

Метки: дефектов, параметров, полупроводниковых, приборах

...быть порядка (5-;10),Напряжения с выходов аналоговых ячеек 12 памяти, выполненных, например,на конденсаторах с истоковыми повторителями, поступают на вход вычитаю- щего устройства 13, выполненного, например, на операционном усилителе, Снимаемое с выхода вычитающего устройства 13 разностное напряжение ЬО, величина которого прямо пропорциональна величине ЬС= С(Ьа) -(Япоступает на один из входов многоканального регистратора 14, выполненного, например, на основе многолучевого шлейфого осциллографа или многоканального аналого-цифрового преобразователя, На другие входы регистратора 14 поступает напряжение с выходов других блоков преобразователя 10, а также напряжение с датчика 4 температуры,Синхронизация работыустройстваОсуществляется...

Номер патента: 746348

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Долгов, Елисеев, Михайлова, Родичев, Соколов, Спиглазов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: столик, термостатированный

...резервуар закрыт колпачком0, Для установки контрольного термометра 11 выполнено гнездо 12, При использовании столика беэ осветителя снизу к его корпусу прикрепляется электрический нагремтель 13 с теплоиэоляцией 14,При применении столика в устроЕстве контроля КПД фотопреобразомтеля устанавливают зеркальную лампу 15 под кожухом 16, водяной светофильтр 17, держатель 18, фотопреобраэомтель 19,Работа термостатированного столика заключается в следующем. 46348Фтурой и равномерно распределяется повсей поверхности нагреваемой стенки,Данное устройство повышает надежность термостатирования, сокращает расход электроэнергии и воды и значительно упрощает техническое обслуживание,Термостатированный столик можетприменяться и в виде...

Номер патента: 748250

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Писарский, Райхцаум, Смирнов, Уваров

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниковых, приборов

...следующимобразом.В исходном состоянии с генератора 1 импульсы тока не поступают, электронный ключ 2 открыт, испытуемый полупроводниковый прибор 3 закрыт сигнала на токосъемном элементе 4 и усилителе 5 нет.При поступлении импульса прямого тока от генератора"1 импульс тока положительной полярности проходит через электронный ключ 2, поступает на испытуемый полупроводниковый прибор 3 и токосъемный элемент. Испы О туемый прибор 3. открывается и через него начинает протекать прямой ток. В п.-базе испытуемого полупроводни кового прибора происходит накопление заряда, 15По окончании импульса прямого тока с генератора 7 переключающих импульсов поступает импульс отрицательной полярности. При этом в и -базе испытуемого полупроводникового прибора...

Номер патента: 748302

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Лебедев, Сыромятников, Усачев

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, передачи, регистрации, статического, транзистора

...связи, аналоговые ключи,7 и 8," запоминающие конденсаторы 9 и 10, дифференциальный усилитель11, регистратор 12, схему 13 управления ключами, которая состоит нздвух цепей, содержащих одновибраторы 14 и 15, дифференцирующие цепочки 16 и 17 и восемь логическихэлементов И-НЕ 18 - 25,Устройство работает следующимобразом.Генератор импульсного напряжения через резистор 3 задает импульсный эмиттерный ток. Генератор постоянного напряжения 2 задает постоянное напряжение на коллекторе испытуемого транзистора 1, благодаря чему в базе транзистора возникает импульсный ток 1 11 , формакоторого приведена на Фиг. 2.Операционный усилитель 5 с резистором в цепи обратной связи б,преобразует базовый ток в напряжение. Импульсы генератора...

Номер патента: 763822

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Балявичус, Гружинскис

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперных, переключающих, характеристик, элементов

...осциллографа 6, а второй.подключен прямо к входу В того жеосциллографа б. Зонд 9 расположенмежду зондами 7 и 8, переменным резистором 12 и подключен к входу В,стробоскопического осциллографа э.Между зондом 9 и переменным резистором 12 введен зонд 10, которыйсоединен с входом А осциллографа 5.Аналоговые выходы стробоскопическихосциллографов 5 и б соединены со вхо Одами аналоговой вычислительной машины 13, к выходу которой подсоединендвухкоординатный самописец 14. Исследуемый образец располагается визмерительной коаксиальной линии 3 65 между зондами 9 и 10 таким образом, чтобы его масса имела контакт с центральным проводником линии, а с внешним проводником контакт осуществлялся через последовательно подсоединенный переменный резистор...

Номер патента: 765762

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Водотовка, Глазков, Скрипник

МПК: G01R 31/26

Метки: носителей, подвижности, полупроводниках, реализации

...цапряжеггие суммаргой частоты -высокочастотньг г фильтром 5.Автоыатгггескгяя ггс 1 лклгтлгатель 6 прявггяемьгй низкочастогцым коммутацггонггггм гецера.тором 7, подклгочает через широкополосныйусилитель 8 полевой электрод контролируемогополупроводника 9 к выходам фильтров 4 и 5поочередно. Сформированное двухчастотцое поггергеч 1 ое иапряжецие воздействует на проводи.мость контролируемого полупроводника, на торцовыс электроды которого поступает цапряже;ие генератора 1. Модулированный сигнал, снимаемый с резистора 10, поступает ца избирательный усилитель 11, цастроеццый на частотусэ Амгглитудньгм детектором 12 производится амплитудное детектирование модулированцо.го цапряжеция. Прямоугольное напряжение частоты коммутации, пропорциональное...

Номер патента: 765935

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Безуглый, Тимошенко

МПК: G01R 31/26, G01R 31/27

Метки: вентилей, последовательно, соединенных, состояния

...цепочки по абсолютной величине, и через индикатор потечет ток, При изменении полярности напряжения на всей цепочке вентилей, одновременно оно изменяется и в точках диагонали моста. С появлением прямого напряже.ния начинают одновременно свою работу датчики прямого напряжения 10, 11. Сигналы датчиков поступают в логическое устройство 1, но на выходе ячейки сигнала не будет и соответственно не будет дополнительного включения головного вентиля 2. В инверторном режиме работы преобразователя, характеризующемся малым временем воздействия обратного напряжения, устройство контроля состояния последовательно соединенных вентилей работает аналогично работе в выпрямительном режиме в момент включения и выключения вентилей 12,2. В связи с малым...

Номер патента: 767673

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Барышев, Боханкевич, Столяров, Цветков

МПК: G01R 31/12, G01R 31/26

Метки: диэлектрике, мдп-структур, микропробоя, неразрушающего

...напряжения, а выход -к коммутатору, включенному между генератором испытательного напряженияи испытуемой МДП-структурой, котораясвязана с генератором йспытательногонапряжения через последовательно соединенные усилитель-детектор микропробоя и шунтирующую блокировку.Такое устройство обеспечивает подачу на испытуемую МДП-структуру знакопеременного испытательного напряжения и измерение напряжения микропробоя в диэлектрике структуры без ееразрушения.На чертеже приведена бЛок-схемапредлагаемого устройства.Устройство содержит генератор испытательного напряжения 1, выполненный в виде генератора однополярныхимпульсов, нуль-орган 2, коммутатор 3,испытываемую структуру 4,усилитель-детектор пробоя 5, шунтирующую блокировку 6,...

Номер патента: 771576

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Дорошенко, Кернер, Минин, Перельман

МПК: G01R 31/26

Метки: локального, области, перегрева, структуры, температуры, транзисторной

...эмиттер-база.формула изобретения ОфмоН ВНИИПИ Заказ 6688 Фираж 1019 Подписно филиал ППП "Патент .Ужгород,ул.Проект 4 ус,: фрр3 с 771576 4фв у)Эта цель достигается.тем, что на структуры определяют, например, изчальную температуру устанавливают меряя температуру этих областей инпутем пропускания тока, величина ко- фракрасным радиометром на негерметиторого соответствует максимальному зированном транзисторе той же серии,напряжению эмиттер-база, а изменение что и испытуемый.напряжения эмиттер-база измеряют при Предложенный способ повышает точтоке, превышающем эту величину. ность измерения температуры областейРасчеты и эксперимент показывают, локалЬного перегрева транзисторнойчто коэффициент К в приведенной фор- структуры, что позволит....

Номер патента: 771577

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Гармашов, Кострицкий, Прокушкин, Смирнов, Чебовский

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимой, максимально, нарастания, прямого, скорости, тиристоров

...прибору 7, датчик то. ка 8, преобразователь 9 "код-напряжение", дешифратор 10, счетчик импульсов 11, управляющий блок 12, датчик тока 13, индикатор 14, схему "ИЛИ" 15.В исхоцном состоянии дешифратор 10 задает в преобразователь 9 "коднапряжение" и Формирователь 5 переднего фронта код, соответствующий минимальной величине скорости нарастания прямого напряжения (дО/дс), По сигналу "Пуск" с выхода управляющегоблока 12 включают задающий генератор 4, который передним фронтом своего импульса запускает формирователь импульсов 3. Формирователь включаетгенератор тока 2, который Формируетимпульс тока амплитудой, необходимой для формирования заданной величиныскорости нарастания ОО/дс. Если испытуемый прибор 7 не переключится отзаданной величины...

Номер патента: 771578

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Бингелис, Пукянец

МПК: G01R 31/26

Метки: граничного, транзисторов

...соединен через схему срав- . нения со. вторым входом схемы выборки и запоминания, а первый вход последней соединен с коллектором испытываемого транзистора, а выход - с импульсным вольтметром.На чертеже приведена функционалй ная схема описываемого устройства.771578 Формула изобретения Составитель А. ПурцхванидзеРедактор . Абрамова Техред Т.Маточка Ко екторС. Ыекмар. Заказ 6688/57 Тираж 1019 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб.Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Устройство содержит генератор 1 импульсов тока базы, источник коллекторного напряжения 2, токозадающий резистор 3, индуктивность 4, испытываемый транзистор 5, датчик тока коллектора 6, схему...

Номер патента: 773536

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Хотько

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых

...(обозначенцточками) производится измерение прямого падения напряжения. В этот полупериод тиристор Т открыт, в результате создается цепь протекания прямого тока через испытуемый диоц - начало обмотки 3, тиристор Т, диод Д 1,испытуемый диод, резистор В 1, конецобмотки 3. Токи в остальных обмоткахотсутствуют (обратными токами диодов 2 ОД 2, ДЗ, Д 4 пренебрегаем). Прямое падение напряжения измеряется приборомУ . При смене полярности на вторичных обмотках происходит измерение обратного тока, В данном случае, как ив схеме известного устройства, создаются две цепи тока. Первая цепь - этоцепь, создаваемая низковольтной обмоткой 4 через диод Д 2 и резистор В 1,которая устраняет постоянную составляющую подмагничивания сердечника Мтрансформатора от...