G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1676085

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Дмитриев, Пискарев, Рудский

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичного, защиты, контроле, параметров, пробоя, силовых, транзисторов

...момент 12, Протекаощий через диоды ток о 31 препятствует дальнейшему росту коллекторного напряжения 30. Одновременно начинается процесс спада тока коллектора к 29 в условиях практического постоянства напряжения коллектор-эмиттер ИТ, Ток через диод 10 при этом нарастает, поддерживая величину тока индуктивности на заданном уровне (. =: к + о. Уровень напряжения источника 9 Оф выбирается несколько превышающим уровень напряжения стабилизации Ост стабилитрона 14, поэтому в базовую цепь транзисторов 11 защиты начинает протекать ток з 32 приоткрывающий транзисторы 11. В результате спустя некоторое время задержки коллекторное напряжение ИТ ограничивается на уровне напряжения стабилизации Ост. При сникении напряжения 30 от величины О до О с...

Номер патента: 1681283

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Матанов, Семенов, Сидоренко

МПК: G01R 31/26

Метки: дарлингтона, сопротивления, теплового, транзистора

...е 2.Переходной процесс отключения коллектора при неизменном токе базы сопровождается спадом напряжений коллектор-эмиттер и токов коллектора соответственно входного 8 и выходного 7 транзисторов транзистора 1 Дарлингтона. По окончании переходного процесса отключение коллектора при Осе 1 = 0 на выходе транзистора 1 Дарлингтона устанавливается напряжениеОсе 2 ОВ 2 е 2При этом ток база-эмиттер транзистора1 Дарлингтона, являющийся измерительным током изм = 1 бэ, распределяется через ф прямосмещенные эмиттерный и коллекторный переходы входного транзистора 8 в базовую и коллекторную цепи открытого выходного транзистора 7. Падение напряжения коллектор-эмиттер транзистора 1 Дарлингтона, измеряемое в схеме с разомкнутым коллектором при прохождении...

Номер патента: 1689892

Опубликовано: 07.11.1991

Автор: Рафиков

МПК: G01R 31/25, G01R 31/26

Метки: генераторном, испытания, приборов, режиме, электронных

...испытуемого прибора источника пульсирующего напряжения, состоящего из трех соединенных последовательно однотактных выпря 1689892мителей, выход каждого из которых зашун- тирован диодом,На фиг, 1 приведена схема устройства; на фиг. 2 - принцип формирования напряжения на аноде испытуемого прибора с помощью сложения напряжений трех соединенных последовательно. однотактных выпрямителей, подключенНых к трехфазной сети, и источника постоянного напряжения.Устройство для испытания электронных приборов в генераторном режиме содержит испытуемый прибор 1, источники 2 питания сеток (базы) и источник 3 постоянного напряжения в цепи анода (коллектора). Кроме того, в устройство входит источник пульсирующего напряжения, содержащий три соединенных...

Номер патента: 1712906

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алябина, Корнаухов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа

...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...

Номер патента: 1714541

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Архипов, Ермолаев, Знаменская, Кавешников, Кумиров, Малков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: микросхем, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...графикам, приведенным в ряде источников, можно установить, что при дивергенции, равной нулю, вероятность ошибки 40 распознавания равна 0,5, а при 12= 39,2 она составит 0,15. Таким образом, использование предлагаемого признака для рассмотренного примера снижает вероятность ошибки классификации на 0,35. 45Поскольку реальные распределения шу-,мов надежных и потенциально-дефектных элементов различаются в меньшей степени, чем распределение сигналов в рассмотренном примере, то практически вероятность 50 ошибки классификации может снизиться на величину 0,1 - 0,2, что и подтверждается экспериментом.Способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема кото рого приведена на фиг.3. Устройство содержит датчик 1 с...

Номер патента: 1607580

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Мясников, Новыш, Пилипенко

МПК: G01R 31/26

Метки: состояния, тиристора

...развязывающей мому 7 входу логичес версный 6 вход котор входу развязывающей генератора 3 импульс ключен к сигнальному ма 8 для подключения подключена к общей щ импульсон и логическоУстройство работае образом.Логиченал на ег1607580 напрямом 7 входе и отсутствии сигнала на инверсном 6 входе.При выключенном тиристоре и отсутствии сигнала генератора 3 импульсов из-эа отсутствия сигнала на входе 7 блок 5 не подает на вывод 4 сигнал включенного состояния тиристора (от- сутствие сигнала). Сигнал включенно" го состояния тиристора не вырабатывается и при подаче сигнала с генера-тора 3 импульсов из-за наличия сигнала на инверсном б входе. Лишь при условной включенного состояния тиристора и отсутствии сигнала управления генератора Э импульсов на...

Номер патента: 1732300

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Булычев, Макарычев, Серебряков

МПК: G01R 31/26

Метки: вентильных, пробивного, разрядников

...значе0 55 ние, выход компаратора 22 переходитв нулевое состояние, поскольку напряжение на инверсном входе превосходит напряжение на прямом входе.В момент этого перехода одновибратор21 формирует на выходе кратковременный сигнал логического нуля, которыйперебрасывает КБ-триггер 23 в нулевое состояние, Это вызывает размыкание управляемого ключа 14,Таким образом, в начале каждогополупериода конденсатор 16 разряжается, затем происходит его заряд донапряжения, пропорционального амплитудному значению испытательного напряжения, Величина этого напряженияфиксируется до окончания полупериода,после чего цикл повторяется.В один иэ полупериодов происходитпробой разрядника 4. Выходное на. пряжение регулятора 1 в силу .ограниченности его...

Номер патента: 1737384

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Винец, Кристалинский, Розин, Ханин, Харитонов

МПК: G01R 31/26

Метки: долговечности, конденсаторов, показателя

...предел Ропределен из соображений технико-экономической целесообразности, так как только их превышениеобеспечивает значимое сокращение длительности испытаний по сравнению с известными способами ускоренной оценкинадежности. Верхний предел Р обусловлен недопустимостью протекания слишкомбольших токов смещения (пропорциональных р ), способных разрушить конденсаторную структуру,П р и м е р. Определение 90% - ногоресурса конденсаторов типа К 73-11 с номинальной емкостью Сном = 0,68 мкФ пРи 35напряжении Оном = 160 В и температуреТном = 358 К,Подъем напряжения со временем, исходя из возможностей существующего испытательного оборудования, производится 40ступенями, начиная с 80 В (0,5 Оном), прикоторых по имеющимся данным отказовконденсаторов...

Номер патента: 1739324

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Ермолин, Саламатин

МПК: G01R 31/26

Метки: балансировки, измерителя, корреляционного, сейсмоприемников, шума, электрохимических

...второе слагаемое выраженияОви Аи Ки Ккв Кфи ("г г 2Аоп Кп Кфоп Коп Овои ) (б)Аи К к в Кфи КИ виВ известном устройстве балансировкупроизводят по амплитудам гармоническихсигналов испытуемого и опорного сейсмоприемников, возбуждаемых вибростендом.При этом индикатор баланса амплитуд(вольтметр переменного тока) подключаютк выходам усилителей опорного и испытуемого каналов, регулируют коэффициент усиления усилителя опорногосейсмоприемника и добиваются равенстваамплитуд, которое регистрируется по нулевому показанию индикатора баланса амплитуд, При таком способе балансировкивыполняется только условие(7)Для полной балансировки устройстванеобходимо выполнить дополнительно условиеАоп Кп Корон 1 (8)Аи Ккв КфнНевыполнение этого условия...

Номер патента: 1741091

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Владзиевский

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, импеданса, лавинно, малосигнального, пролетного

...импеданс ЛПД, в качестве измеряемых параметров выбирают значения резонансной частоты и КСВН на резонансной частоте при четырех величинах расстояния от оси ЛПД до коротко- замкнутой торцовой стенки измерительной камеры и по полученным значениям резо.нансных частот, КСВН и расстояний вычисляют искомый малосигнальный импеданс ЛПД по формулам,К 12 а + аг - К 12 В 11 аэ - В 11 а 4 = К 1 Х 1;К 2 а 1+ аг - Кг Вг аз - Вг а 4 = КгХг;Кэ а 1+ аг - Кэ Вз аэ - Вэ а 4 =КэХз; 2 2 1 1К 4 а 1+ аг- К 4 В 4 аз - В 4 а 4 = К 4 Х 4;Щ К 1 = -й): ф1+ф у 1з 1 пр Т-соьр4 л 115 " 3 1 -- )А = - ; в = 2 лб,С,б10 где б - резонансные частоты;р - значения КСВН;1 - расстояния от оси ЛПД до короткозамкнутой торцовой стенки, 1.= 1, 2, 3, 4;а - размер широкой...

Номер патента: 1755206

Опубликовано: 15.08.1992

Автор: Савин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодно-релейных, проверки, схем

...число 15, В момент прихода отрицательного полупериода напряжение на втором резисторе 3 сразу же оказывается более отрицательным, чем на среднем выводе первого резистора 2,и поэтому на выходе первого компаратора 8 остается высокий уровень, ЯЯ-триггер 14 не меняет своего состояния, двоичный реверсивный счетчик 20 не обнуляется.При обрыве обмотки реле 22 или при его отсутствии в течение положительных полупериодов напряжение на втором резисторе 3 будет равно нулю и на выходе второго компаратора 9 в течение положительного полупериода будет поддерживаться низкий уровень, который также записывается в двоичный реверсивный счетчик 20. На выходе первого компаратора 8 в течение всего периода будет высокий уровень, благодаря чему...

Номер патента: 1755207

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Лебедь, Особов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/318

Метки: диагностирования, узлов, цифровых

...8. Если в текущем такте контроля сигналы на выходах вышеперечисленных элементов и блока сравнения равны "нулю" (т,е. несравнение, отсутствует) то триггеры 35, 40, 41 остаются 10 в "нулевом" состоянии, и по синхроимпульсу Т 2 из генератора 1 тестовых воздействий и запоминающего блока 8 извлекается содержимое ячеек памяти с адресом,равным "единйце", Очередной такт контроля произ 15 водится аналогично вышеописанному, Если при отработке текущего такта контроля сигнал на выходе блока 7 сравнения окажется равным "единице", это означает, что при передачах информации по внутренним ши 20 нам устройства или при формировании тестнаборов в выходном узле 2 произошел сбой, который фиксируется по заднему фронту импульса Т 1 в триггере 41 на счетчике...

Номер патента: 1755218

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Воинов, Гущик, Кураченко, Чернуха

МПК: G01R 31/26

Метки: диэлектрик, зарядовой, переходом, приповерхностным, стабильности, структур, —полупроводник

...достаточно длительном процессе эксплуапробоя, воздействие коронными разрядом, тации, Потенциал электрода выбирается таполярность которого соответствует инвер- кой полярности, чтобы в приповерхностной сии приповерхностной области р-и-перехо- области р-п-перехода возникал инверсный да, изменяют величину потенциала слой. Величина потенциала, необходимая коронногоразрядаиодновременноизмеря для возникновения инверсионного слоя, ют электрический ток, протекающий через тем больше, чем меньше величина заряда .р-п-переход, причем потенциал коронирую- структуры диэлектрик-полупроводник, что щего разряда увеличивают до тех пор, пока иллюстрирует фиг.1. О появлении инверсноток начинает немонотонно увеличиваться, а го слоя судят по возрастаию...

Номер патента: 1758609

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Дмитриев, Пискарев, Рудский

МПК: G01R 31/26, H02H 7/10

Метки: вторичного, защиты, контроле, параметров, пробоя, силовых, транзисторов

...блока 2 обнаружения ВП, Втораясхема 21 ,индикатор ВЧ - колебаний)содернит одновибратор и детектор высокочастотных колебаний, включенныймежду входом одновибратора и вторыминформационным входом 24, Третьясхема 22 обнаружения ВП (индикатор"хвоста" тока) содержит преобразователь "время-напряжения" и компараторы, включенные между входом преобразователя "время-напряжениян и информационным входом 25 блока 2 обнаружения ВП, Выходы предусилителя 27,одновибратора и преобразователя "время-напряжения" подключены к вгкходу26 блока 2 обнаружения ВП,Блок 3 индикации ВП содержит ключ,световой индикатор и источник напряжения питания и имеет вход 28 и выход 29. Вход ключа соединен со входом 28, а источник напряжения питания - с выходом 29 блока 3...

Номер патента: 1777105

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Николаенко, Свекольников, Сукач, Сыпко

МПК: G01R 31/26

Метки: активной, области, приборов, светоизлучающих, температуры

...оптический фильтр 4 излучение попадает на приемно-преобразовательный блок 5, где . происходит преобразование оптического сигнала в электрический, а с выхода приемно-преобразовательного блока 5 через коммутатор 6, управляемый синфазно с генератором тока 1 от устройства управления 7 (переключение ам пл итудн ых значений тока 1 и 2 и.т.д,) электрический сигнал поступает через первый функциональный преобразователь 9 в измерительный канал 10 и напрямую в канал коррекции 15, где происходит выработка сигналов, последующая обработка которых в первом сумматоре и седьмом элементе сравнения 28 позволяет определить температуру перегрева активной области Тд,о, контролируемого 2 и светоизлучающих приборов с учетом влияния колебаний температуры...

Номер патента: 1777189

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Андрияшик, Титов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: встроенном, канале, мдп, примеси, профиля, транзистора

..."рез" кой границы области обеднения", по" ложенного в основу вольт-емкостного метода), что позволяет измерять профиль примеси вплоть до границы раз" дела полупроводник - диэлектрик.Исходным пунктом при выводе предлагаемых формул является решение уравнений Лапласа и Пуассона с соответствующими граничными условиями для состояния полного обеднения канала транзистора. Тогда, если Х " текущая координата, изменяющаяся от О на границе раздела диэлектрик " полупроводник до своего значения вглубь структуры, а Ч) - текущее зна" чение потенциала, можно записать:а Б Ев ЙЫвв 9 (Х + Ц)гсе " ЕОугде Х, - расстояние от границы разде"лаокисел - кремний в глубину канала,(" в -) " производная от потенциа"ЪвИфм )м" Ола подложки по канальномупотенциалу в...

Номер патента: 1781647

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Папуш

МПК: G01R 31/26

Метки: бескорпусных, контактное, параметров, элементов

...закрыты для наблюдения отрезками 25компланарных линий. на которых они образованы, даже при прозрачной подложке,Целью изобретения является повышение надежности за счет увеличения стабильности контактирования, 30Для повышения стабильности измерений необходимы надежные контакты внешних цепей измерительного устройства иконтактных площадок измеряемого полупроводникового прибора. При контактировании предлагается использоватьпроволочные выводы с шариками на концах.Шарики должны иметь диаметр не больше контактной площадки, чтобы иметь возможность наблюдать их совмещение, ичтобы была минимальной емкостная связьмежду шариками, расположенными на соседних контактных площадках, Проволокавыводов от шариков не должна обладать 45пружинными свойствами,...

Номер патента: 1783454

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Балтянский, Зверева, Карпанин, Лихацкий, Метальников, Чернецов, Шубин

МПК: G01R 31/26

Метки: деградации, мдп-структур

...в целом это позволяет уменьшить интервал времени от начала эксперимента до момента стабилизации токаинжекции;- останавливать рост напряжения на выхода задающего генератора 1 . поступаМДП-структуре в момент достижения ин- ет на аналоговый вход КМП 2. При этомжекционного тока заданной величины; напряжение на выходе КМП определяется- устанавливать напряжение на МДП- выражениемструктуре, равное нулю после окончания 5 Ог = Кг 61, . (1)очередного цикла воздействия.:-: где Кг - коэффициент передачи КМП, проБведение интегратора позволяет не- порцибнальный двоичному коду числа, попосредственно по напряжению с его выхода ступающего-на управляющий вход КМП ототсчитывать величину заряда, протекшегосчетчика 33 блока 12 управления. При...

Номер патента: 1292456

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Козьякова

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, лавинно, пролетных, сопротивления, теплового

...ВАХ в точке перегиба;температурный коэффициентпробивного напряжения;эффективное значение токагреющего импульса;начальное значение пробивного напряжения диода,где 63 ППР 1 Приведенные соотнощения между параметрами импульса тока и тепловыми постоянными времени перехода и диода найдены экспЬрииентальныи путем, При50;,Р приращение пробивного напряжения (или приращение ВАХ в точ. ке перегиба) относительно начального довольно незначительно ( с 0,1 В), что затрудняет его определение. При 7 0,11 ВАХ плывет по экрану, потому что при этом происходит изменение температуры корпуса диода эа время измерения. При 10,1 г и скнажиости 4 на экране осциллографа отчетливо наблюдаются две ВАХ, не изменяющие своего положения за время измерения, с...

Номер патента: 1798742

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Стеклов

МПК: G01R 31/26, H05K 1/18

Метки: аппаратуры, бескорпусным, заводской, измерительной, коммутации, контактное, ленточных, носителях, свч-микросхемам, таре

...Подлокка 1 закреплена в корпусе 7, снабженном й плоскими пружинами 8, с помощью винтов 9. Каждая прукина 8 установлена между корпусом 7 и соответствующим выступом 2.Плоская диэлектрическая подложка 1 с выступами 2 может быть выполнена, например, из поликора,Выступы 2 выполнены из диэлектрика, например, из фторопласта и снабжены плоской вершиной. Длина плоской вершины не больше ширины отверстия в заводской таре (см.фиг,2), открывающей К ленточных выводов бескорпусной схемы, например, серии 6500 (фиг,1), Ширина б 2 плоской вершины каждого выступа 2 определяется соотношеФнием: 02- , где О 1 - шаг, с которым выполнены ленточные выводы микросхемы.Плоские пружины 8 предназначены для обеспечения плавающего пружинно-прижимного контакта и могут...

Номер патента: 1807427

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Адамов, Ангелова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: металлизации, напряжений, структура, тестовая, электрических, электрооптического

...щуюгальванйческуюсвязьсметаллической рр.1083-1084.шиной, на котором измеряется напряжение, . (54) ТЕСТОВАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ЭЛЕКТРО- и йокрытую слоями диэлектрика и металла,3 ОПТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ЗЛЕКТРИЧЕ-. образующими оптическое зеркало для ла- СКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА МЕТАЛЛИЗАЦИЙ зерноголуча, зондирующего указанйый эле- ВИС мент. контроля через подложку. В основе (57) Изобретение относится к электроопти- метода измерений лежит электрооптичеческим измерениям и предназначено для ский эффект, Измерение электрических сиг- ." проведения внутрисхемных .бесконтакт- валов осуществляется в рабочем режиме ных измерений электрических напряже- ИМСбесконтактнымспособомпутемэондиний в интегральных микросхемах(ИМС) на . рования лазерным лучом и анализа...

Номер патента: 1810848

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Малецкий

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...5 вычитания (фиг,4) определяетразность между постоянными напряжениями на контролируемом стабилитроне иисточнике опорного напряжения 8, поступающих соответственно на его входы 2 и 3.Блок выполнен на операционном усили 15 теле 27, триггере 28 и реле 29. При поступлении разрешающего сигнала от блока 6 натриггер 28 и включенияреле 29 разностьнапряжений с выхода ОУ 27 выдается черезвыход блока 5 на вход измерителя 4.20 Блок 6 контроля напряжения стабилизации выполнен аналогично блоку измерителядифференциального сопротивления 4 нааналоговом кампараторе с цифровым выходом (например, К 521 САЗ) выдает результатконтроля через первый выход на блок 7 индикации о соответствии значения напряжения стабилизации контролируемогостабилитрона заданному...

Номер патента: 1812530

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Линник, Стрилец, Титов

МПК: G01R 31/26

Метки: исследования, локализованных, параметров, полупроводниковых, состояний, структурах

...и не зависит от выходного сигнала блока 7.Пусть в режиме стабилизации емкости образца произошел дрейф частоты Ь 1, вызванный температурно-временным дрейфом паразитной емкости Сп: Тогда напряжение на выходе блока 7 изменится на такую величину ЬО, которая обеспечит изменение емкости образца на ЬС 4 = ЬСп, таким образом, чтобы частоты 1 оа и 1 снова сравнялись, В результате вольтметр фиксирует напряжение О = О 4 4. +ЬО, где О 4- напряжение, необходимое для стабилизации емкости образца на уровне С 4, ЬО - ошибка в измеряемом напрякении, связанная с температурно-временными изменениями паразитной емкости Сп.После переключения системы в режим стабилизации частоты частота автогенератора 1 путем изменения блоком 7 емкости варикапа...

Номер патента: 1817046

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Викин, Мещеряков, Числов

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, сопротивления, теплового, транзисторов

...приращение температуры перехода транзисто 25. ра при разогреве;Озб - прямое напряжение эмиттер-базатранзистора;Окн - начальное напряжение эмиттербаза при калибровке;Окр, напряжение эмиттер-база послевнешнего разогрева;Ь Оп - приращение напряжения эмиттер-база эа время протекания пачки импульсов греющего. тока;Ь Он - приращение напряжения эмиттер-база за время протекания непрерывно-.го импульса греющего тока;Ь Ом - максимальное допустимое приращение температуры перехода транзисто 40 ра при разогреве, .Способ осуществляется следующим образом,8 коллекторную цепь испытуемоготранзистора, например типа 2 Т 9136 АС,45 включенного по схеме с общей базой с эакороченным по переменному току выходом,имеющего начальную температуру корпусаТкнС...

Номер патента: 1819352

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Воронцов, Ильюк, Молчанов, Остапчук, Пенцак, Чекмезов

МПК: G01R 31/26

Метки: кмоп, ненадежных, отбраковки

...близких к 90 ф, Под максимально допустимым током контроля мч здесь подразумевается такой ток, при котором наступает тепловое равновесие; т,е. энергия джоулева тепла, 35 выделяемого нэ контролируемых р-и-переходах, равна энергии отводимого тепла. При превышении энергии разогрева над отводимой р-и-переход разрушается. Предлагаемый метод является неразрушающим; величину эталона, определяющего угол наклона ВАХ на участке развития лавинного процесса для конкретмых типов приборов определяют опытным путем, поскольку пробивное напряжение зависит как от топологических размеров полупроводниковых элементов и их ухода. так и от изменения технологических процессов изготовления ИС, Для этого приборы, от- бракованные нэ первом и втором этапах,...

Номер патента: 1329502

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Лифанов

МПК: G01M 7/00, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: долговечности, кристаллов, однотипных, полупроводниковых

...контра"лируеиой полупроводниковой пластины .3 последняя подвергается осесимметричиой иэгибной деформации. Величинуформируемой нагрузки определяют иподдерживают по уроннкс отклонения луча на экране осцилографа 7, причемс моиента цачяла перемещения цагруО 1)е( ОПОРЫ П)1)В(1)111 Г В ПЕ Т(С" тап ра Гяж)(ь)1 кгх а) (13 м е м( п 1 ц(" пд 8(блок ПЛ прибора Х 1-4( цапасят метки времени через каждые О,с, Брсмцв)1)(ержн 1 контролируемой полупрОГ)ад)Тиковой пластины 3 псл ко)СГрольО)1 нагрузкой до разрушения Определяют путем суммирования метан времени пл протяжении существана)пся линии уровня иагрузки ца ленте гамоп)(сцен 8.11 а этапе формирования цс ра.)рушающпх нагрузок проволочные связи 9 плести)сы, помещенной н цпгрузочцоеустройство,с...

Номер патента: 2002271

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Акчурин, Огнищев

МПК: G01R 31/26

Метки: быстродействия, свч-транзисторов, фотодетекторов

...излучения многочастотного лазера после его детектирования на быстродействующем фотодетекторе.Последовательность операций, необходимых для реализации данного способа в соответствии со схемой, показанной на фиг.1, выглядит следующим образом.Излучение многочастотного инжекционного полупроводникового лазера 1 с просветленной рабочей гранью, внешким перестраиваемым резонатором, содержащим микрообъектив 2, в фокусе которого находится активная область лазера, и юстируемое полупрозрачное зеркало или дифракционную решетку, светоделительной пластинкой 5 делится на двз пучка, один из которых используется для измерения оптического спектра излучения с помощью дифракционного монохроматора или эталона Фабри-Перо б, низкочастотного фотодетектора...

Номер патента: 2003128

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Сергеев, Юдин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, корпус, переход, полупроводниковых, сопротивления, теплового

...мощности, которая определяется произведением действующего значения огибающей токана действующее значение огибающей напряжения О;ЬР= О, Р)НВЧаЛЬНЦЙТОКДИОДд нач, ПРОТЕКаЮЩИй в промежутках времени между действиями греющих импульсов тока, поддерживается постоянным и под действием переменной греощей мощности за период модуляции Тм создает переменное падение напряжения Отп на диоде.Выбирая период модуляции Тм из условия Ут,к-с Тм ю т.п-к, где т т,к-с - тепловая постоянная времени корпус-среда диода, а также период следования греющих импульсов тока Ттт,п-к, напряжение Огп будет отслеживать изменение греющей мощнбсти ЛР. Измерение реющей мощности ЬР можно осуществить ограничивая ток и напРЯжение на УРовне огр и Оогр (см. фиг, 2 а и 2 б)....

Номер патента: 2003995

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Бородянский, Колесниченко, Моравский, Онопко

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, стабилизаторов

...с вторым входом АЦП 11, вестой - с третьим входом схемы 12, седьмой - с третьим входом блока 14, Шина задания йр подключена к третьему входу задатчика 15. Шина задания Йуст соединена с четвертым входом схемы 16, а шина. задания Идрит - с вторым входом счетчика 18,Генераторы 1 и 5 представляют собой цйфроупрацляемые источники напряжений 30 и токов, обеспечивающие режимы стабилизатора 4, Генераторы 3 и 6 - также цифроуправляемые источники тестовых сигналов с хорошими динамическими параметрами для обеспечения возможности задания импульсов требуемой точности амплитуды и длительности, В общем случае это могут быть ЦАП на типовых интегральных микросхемах, например, серии 594, 572, 1106. Блок 8 обеспечивает фиксацию постоянной составляющей на...

Номер патента: 2005308

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Катеринич, Курин, Онопко, Оспищев, Попов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: испытаний, микросхем, моп-интегральных, пластине, ускоренных

...достижения сходного эффекта за счет отказа от установления связи коэффициента жесткости с плотностью ПС и сроком службы по току в подложку ИМС в патентной и научно-технической литературе не найдено. Сущность изобретения заключается в том, что ускоренные испытания на надежность МОП ИМС проводятся до разрезания пластины на кристалль 1 на основе установленной для данного типономинала изделия зависимости между вероятностью отказа при воздействии ИИ от уровня дозы ИИ в операции обучение - низкотемпературный отжиг, Контроль стандартных параметров МОП ИМС проводится до и после операции облучение-отжиг в режимах и условиях, указанных в ТУ для испытаний на надежность,Такой способ ускоренных испытаний обеспечивает сокращение длительности испытаний...