G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 669300

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Пиняев, Порубай

МПК: G01R 31/26

Метки: коллектором, между, повышенной, пробивного, температуре, транзисторов, эмиттером

...основном через сопротивление, включенное между базой ц эмцттером, смегцает эмпттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно 5 воздействию температуры. Поэтому ток отвнешнего источника ге, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры. Соответствие между температурой Т 1 и гщ, -- 1 устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей И(ве)свг = 1 Т) и кве)сеегГ:Т= (гем)669300 Формула изобретения Составитель И. Гуляев Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е. Папи Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал П П П...

Номер патента: 669301

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Сушков, Титов

МПК: G01R 31/26

Метки: заряда, концентрации, локализованных, носителей, полупроводниках, регистрации

...сигнала.Наиболее близким техническим решением является способ регистрации локализованных носителей заряда в полупроводниках на уровнях прилипания в запрешенной зоне в области р-и перехода путем приложения обратного смегцения и регистрации тока через переход 2 . Согласно этому способу осуществляется определение полного протекшего заряда. Недостатками известного способа является низкая точность, связанная с необходимостью регистрации двух слабых токов, и невозможность определения измерения концентрации локализованных носителей. тносится к области элект ий в полупроводниковом ения - повышение точности печение возможности опреной концентрации носителей669301 Составитель Г. Баланюк Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е....

Номер патента: 670826

Опубликовано: 30.06.1979

Авторы: Глазов, Глиберман, Дмитриев, Ковалев, Комков, Косарев, Красиловский, Макаров, Никульшина, Рябиков

МПК: G01R 31/26

Метки: преобразователей, систем, фотоэлектрических

...фотоэлектрические преобразоватсли контролируемой системы 5, преобразователь сигналов 6 (тока в напрякение), амплитудный компаратор 7, блок образцовых напряжений 8 и блок индикации 9 с информационным табло 10.Устройство работает следующим образом.Источник стабилизированного питания 1 обеспечивает подачу напряжения на блоки устройства. Переменное напряжение сети преобраз ется программно-временным преобразователем 2 в последовательность синхро-импульсов, управляющих коммутатором 3, По заложенной программе коммутатор подключает излучатели 4, засвечивающие соответствующие фотоэлектрические преобразователи контролируемой системы 5, к источнику стабилизированного питания. Фототок, генерируемый фотоэлектрическим преобразователем,...

Номер патента: 673939

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Батаев, Васильев, Золототрубов

МПК: G01R 31/26

Метки: обратных, полупроводниковых, приборов, токов

...выходом схемы синхронизации и управляющим входом ключевого элемента.На фиг. 1 представлена блок-схема уст- оройства; на фиг, 2 даны временные диаграммы, поясняющие его работу,Устройство содсржит импульсный режимный источник напряжения 1, контактное устройство 2 для подключения испытуемого прибора, операционный усилитель 3, охваченный двумя параллельными цепями отрицательной обратной связи. В одной цепи постоянно включен резистор 4, а в другой, дополнительной, - последовательно соединенные резистор 5 и ключевой элемент 6. Уст- ЗОройство содержит также измеритель напряжения 7, подключенный к выходу операционного усилителя, схему синхронизации 8, предназначенную для управления работой режимного источника 1, измерителя напряжения7 и схемы...

Номер патента: 673940

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Зебрев, Обрезков

МПК: G01R 31/02, G01R 31/26

Метки: диодов, контактов, надежности, омических, полупроводниковых

...вентилей, обеспечивающих разделение импульсов положительной и отрицательной полярности, приходящих на его вход,Для обнаружения и фиксации кратковременных постоянных обрывов и кратковременных коротких замыканий в цепи контролируемого диода Рх, например, при воздействии механических ударов или испытаниях на вибропрочность он подключается через соединительные проводники или контактное устройство к клеммам между выходом генератора 1 импульсов и входом устройства 5 разделения импульсов через согласующее устройство 3. Двуполярные сигналы от генератора 1, проходя через исправный испытуемый диод Рх, преобразуются в импульсы отрицательной полярности, воздействующие на вход устройства разделения импульсов, При этом на входе 7 устройства...

Номер патента: 673941

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Валитов, Ландэ, Осинцев, Пестрякова

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, модель, полевого, транзистора

...широких пределах пороговым напряжением и крутизной, причем имитируемый транзистор может работать по любой из известных схем включения.На чертеже представлена блок-схема модели МДП-транзистора.Описываемое устройство содержит входной МДП-транзистор 1, усилитель постоянного тока 2, блок зашиты выходного транзис. тора 3, выходной МДП-транзистор 4, блок индикации перегрузки 5, блок обратной связи 6, блок сдвига уровня 7, клемму затвора модели 8, клемму сброса защиты 9, клемму стока модели 1 О, клемму истока модели 11, клемму регулирования порогового напряжения 12, клемму регулирования крутизны 13.Устройство работает следующим образом.При нулевом напряжении на клемме затвора модели 8 выходное напряжение уси 15 20 25 З 0 зз лителя постоянного...

Номер патента: 673942

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Бардин, Беспалов, Миков, Цетлин

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, тиристоров, цепи

...ключа соединен свыходом датчика тока и с одним из управ- оляющих входов измерительного устройства,входы которого соединены с измерительнымшунтом и клеммой для подключения управляющего электрода испытуемого тиристора,а выход с управляющим входом разрядного15электронного ключа.Схема предлагаемого устройства представлена на чертеже.Устройство содержит трансформатор 1,выпрямительный диод 2, отключающийэлектронный ключ 3, включенный последовательно с выпрямительным диодом, запоминающий конденсатор 4 и подключенныйпараллельно ему разрядный электронныйключ 5, усилитель мощности 6, датчик тока 7 в цепи питания испытуемого тиристора,зажимы 8, 9 и 10 для подключения испытуемого тиристора, источник анодного напряжения 11, измерительный...

Номер патента: 681395

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Аблаев, Нечаев

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилей, высоковольтных, испытаний

...работы устройства,Цепь изобретения - повысить надежность работы устройства путем егоупрощения.Эго достигается тем, что в устрой-ство введен источник пускового напря, жения, подключенный параллельно источнику питания,На чертеже приведена принципиапь 16ная схема устройства дпя испытаниявысоковольтных вентилей,Источник 1 питания постоянного токачерез короткозамыкатепь 2 и сглаживающий реактор 3 подкпючен к плечевым4индуктивностям 4 инвертора, последовательно которым включены испытуемыевентили 5, с блоком управления 6, являющиеся рабочими вентилями инвертора. Параллельно плечевым индуктивностям 4 включена коммутирующая емкость, Параппепьно источнику 1 и короткозамыкатепю 2 вкдючен источник 7пускового напряжения, выполненный...

Номер патента: 682848

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: вентильных, испытания, приборов

...них и индуктивность 8 проходит ток 4 (фиг. 2,б) под действием напрязжения обмотки ш 1 ающсготрансформатора 12, В момент 11 питающеенапряжение переходит через нуль и потс 11 циал фазы 11 становится отрицательным, апотенциал фазы 10 - положительным, Прпэтом ток через испытуемые приборы 4 и 5и индуктивность 8 продолжает проходитьза счет энергии, накопленной В индуктивности 8 в предшествующий полупериод питающего напряжения. Левая обкладка конденсатора 16 заряжена положительно, правая - отрицательно, и его напряжение У 1 ьравное требуемой всличине прямого запирающего напряжения, приложено в прямомнаправлении к испытуемому прибору 6(фиг. 2,д),В момент 12 отпирают вснтиль 21 и по цепи, включающей индуктивность 9, обмоткуфазы 11, исключая...

Номер патента: 685990

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Моисеев, Романов

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, выключения, тиристоров

...заряженного конденсатора 5. При этом формируется импульс прямого тока, во время которого конденсатор 5 перезаряжается. в После окончания импульса прямого токак испытуемому тиристор 9 прикладывается обратное напряжение псрезаряжснного конденсатора 5. При подаче на вспомогательный тиристор 7 управляюгцего импульса через685990 формула изобретения Составитель В, Немцев Редактор И. Шубина Техред О. Луговая Корректор Н. Стец Заказ 5453/46 Тираж 1090 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная. 13заданный промежуток времени, определяемый источником 8, конденсатор 5 начинает разряжаться через вспомогательный тиристор...

Номер патента: 685991

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Абубекеров, Быковский, Гончаров, Колобов, Тарасов

МПК: G01R 31/26

Метки: испытаний, полупроводниковых, приборов

...из датчиков температуры (термопар), коммутатора, усилителя и регуляторов мощности (на чертеже условно непоказана). При регулировании коммутаторпоочередно подключает термопары к усилителю, который управляет регуляторами мощности.Испьггуемый прибор 3, например мощныйтранзистор в металлическом корпусе ТО-З,закрепляется на теплопередающей поверхности полого корпуса 12 тепловой трубки 1с помошью устройства прижима.Конденсационная зона нескольких трубокразмещается в секционном коллекторе 4.Секции коллектора выполнены из теплоизолируюгцего материала, например из прессматериала АГС, и собраны в коллектор.Для обеспечения герметичности между секциями имеются прокладки 13. Коллекторсобирается с помощью двух пластин 14 ишпилек 15.Переключатель 6...

Номер патента: 685992

Опубликовано: 15.09.1979

Автор: Рабодзей

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичный, высоковольтных, защиты, испытаниях, мощных, пробой, транзисторов

...с:,1 ых транзисторов.Указанная пель достцгае 1 ся тем, что цопредлагаемому спосооу контролируют изменение тока базы испытуемого транзистора ово времени при фиксированном токе эмиттера и прекращают воздействие электри 1 еского режима в момент прохож.1 ецця мгновенного значения производной тока базы черезчоль685992 Формула изобретения Составитель И.Музанов Редактор И, Шубина Техред О. Луговая Корректор Н. Степ Заказ 5453/46 Тираж 090 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб. д, 4/5 филиал П П П Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 43В основе описываемого способа защиты мощных высоковольтных транзисторов от вторичного пробоя лежит зависимость коэффициента прямой...

Номер патента: 687419

Опубликовано: 25.09.1979

Авторы: Ладыгин, Солонецкий

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, разбраковки

...дифференциального усилителя 9, а выход канала 3 эталонного формирователя соединен с инвертирующим входом этого же усилителя, к выходу которого подключены . компаратор 10 верхнего уровня и компаратор 11 нижнего уровня, выходы котрых через 40 логическую схему И 12 соединены с индикатором 13 "Норма-брак",Устройство работает следующим образом.45От источника 1 постоянного напряже" ния, напряжение поступает в каналы 2 и 3 соответственно испытательного и эталонного формирователей. Из этого напряжения прерыватель 4 формирует прямоугольные импульсы, которые поступают на преобразователь 5 напряжения в ток, Преобразователь 5 напряжения в ток задает диапазон изменяющегося по экспоненте тока через испытуемый р-п-переход, подключаемый к клеммам...

Номер патента: 693270

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Рибикаускас, Чеснис

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперных, наблюдения, нелинейных, полупроводниковых, характеристик, элементов

...1(зх еггнтсэл)Гг)гоа;Нг:,е НИЯ.ГЕ 11 Ьг НЭОВГ)гЭТОНГ(51ГОГГЬ(1 НОС",ГЭ ТОЧ -ности БаблОл(с.пия 13 "13Каэ) г)г;гг г 1 ДР гЬ ге с) , )Рггд Гггм)" р НОГГ ГЭВЕЕЛггсонсг)т(3,11 Я г(1 Я г)зртэжэ 1(р)", 1)гЗДЕ г(г. Х:сэ 1 ГСПОЙ,гГГР)(1 ощ(з,сУмг(РУ(ощиЙ блок, лва генеРЯГОР 3, ВЬХОДЫ КГЗТОРЫХ Г;ОРДИННЫ С ВХ(3л дМ г М Оду ГИ.) у гощЕ-СЗ гми(.)г ГсгГ.гсг)О бгОК ( г Х(гЛЫ КофОО 31 с Со(ЗДИПЕПЬ С ВХ(3 ПЯЪГИ МСП(г"- ЛИРУ 101 ЦЕ -С гм)гг(1(Г)5 Ю)эгЭ 0 ОгГгка, 8 НХС)Д ВтоЭОГО ГЕЛЕРЯТОРЯ ОЕППНЕН Г. ЯЬХг)Дог,.первого через блок,эадэр)к(1( 1ОДНЯК(г Это УСтгЗОЙСтггэ НЕ ИМЕЕТ С)ЕДСЗ В 81 и ЪСЗРЯНЕПИЯ ОРЛ 31(г Л(г -г)гН, гс 1 ог ОР Ш НОСТИ, 1 г ООМЕ ТОГО. ГГр И 10Л О)С)3 с Н 5 И элемен.(ОВ, Оолядя(0(цих симк 1 РтсиеЙ Гпэс. Водимости, Опо не...

Номер патента: 693271

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Быданов

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, транзисторов

...потенциала с помощью триггера 39 через вентиля 11, 14 и 17, а результат этого изменения опв,",-еляется анализатором 35. Осуце 1 вляется зто следующим образом, Если состояние коммутатора 5 пе соответсгвует состояни:о подклсмченньх электров исньтыввемого транзистора, то изменение состояния триггера 39 не приводит к измененио сигналя на резисторе 32; который через повторитель на транзисторе 33 и резисторе 34 поступает Иа вход анализатора 35. А нализвтос 35 производи сравнение предыдущего сигналя 1 появившегося при первоначальном состоянии триггера 39) с вновь ГОстудивши м сигналом, Если сигналыаналогичными, то выходной сигнал со схемы анализа отсутствуети коммутатор 5 переключается в чодующее состояние. Если же состояние...

Номер патента: 693273

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Голосов, Крылова, Митряев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вольтфарадных, переходов, р-п, характеристик

...к периоду1.с,ь изобретения - повышение точности пзчсрсния. Поставленная цель лостигается тем, что :выхол генератора соелицец со входом Х осциллографа, д выход второго кочмута"ора сосдицсц со вторыч вхолоч первого кочмутатора.На чертеже прелставлепд схсмд сшисываемого хстроиствд.Устройство солержит лвд кочмута"ора . 1, 2 генератор 3, цослсловдтельно включсццыс двтогсцерятор 4 и частотный летсктс.р 5, .осциллограф б, источник калиброванного цацря)кения 7, эталонную ечкость 8 и измеряемый р-и-перехол 9.Устройство работдсг следуощим образом. Генератор 3 вырабатывает пилообразное напряжение, ачплитула кох)рого может иЗ хецяться. )то напряжение через коммутатор 2 цоластся ца измеряемый р-и-переход. С лругого вхола кочмутдтора 2 ца...

Номер патента: 693274

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Ворожеев, Панов

МПК: G01R 27/28, G01R 31/26, G01R 31/317 ...

Метки: параметров, полупроводниковых, цифровых, элементов

...импульс, а на входы инвертора 20 и схем 21, 23 совпадения подается О уровень (для случая измерения длительности и задержки фронта). Через логическую схему ИЛИ 24 импульс с выхода испытуемой схемы пройдет без изменения ца формирователь 25 импульсов малой длительности (фиг. 2, д) .Сформированный ио переднему фронтуимпульс малой длительности (фиг. 2, е) по 6932741 о выхода 2-го разряда испытуемой схемы счет- очика. 25 зо дается с выхода формирователя 25 на устройство 18 разрешения записи информации, в результате чего в ДПКД 16 будет записан требуемый коэффициент деления (в данном случае к). После записи нужного коэффициента деления, с момента времени ( ДПКД,срабатывая по заднему фронту импульсов синхронизации с генератора импульсов 4,...

Номер патента: 693275

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Гуртиков, Морозова, Перельман, Сидоров

МПК: G01R 31/26

Метки: внутренних, выводов, замыканий, коротких, обрывов, транзисторов, фиксации

...транзистор обозначен на схеме цифрой 8.Устройство работает следующим образом.На входную клемму испытуемого тзанзистора 8 с выхода генератора 1 прямоугольных импульсов напряжения поступают прямоугольные импульсы. Амплитуда импульсов устанавливается такой, что испытуемый транзистор работает в ключевом режиме (открыт-закрыт), а на резисторе 4, являющемся нагрузкой испытуемого транзистора, формируются прямоугольные импульсы напряжения, которые подаются на управляюций вход 5 схемы запрета 5, На сигнальный вход А схемы запрета 5 подаотея импульсы напряжения с генератора 1. Схема запрета работает таким образом, что сигнал, поданный на сигнальный вход А, вызывает появление сигнала на выходе Р только то;да, когда отсутствует запрещающий сигнал...

Номер патента: 693276

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Рагаускас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: велечины, емкости, зависимости, конденсатора, металл-диэлектрик-полупроводник, поверхностного, потенциала, структурой, электростатического

...идеализированные теоретические зависимости.Второе из известных устройств содержитгенератор линейно изменяющегося напряжения, аналоговое дифференцирующее устройством, образованное операционным усилителем и исследуемой МДП-структурой, ко торая включена между выходом генератора и инвертирующим входом операционного уси лителя, и осциллограф 2. Это устройство также не обеспечивает измерения зависи мости емкости МДП-структуры от величиныповерхностного электростатического потенциала.. Брызгаовая Составитель ЮТехред О. ЛугТираж 1073Государственного клам изобретений иква, Ж - 35, РаушсПатент, г. Ужгоро Редактор И, Нестеро Заказ 6066/1 6р Н. Стене митета С открытий кая наб.,ул. Про ЦНИИПИпо д 113035, Мо лиал ППП д. 4(5 ктная, 4 времени,...

Номер патента: 693277

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Крылов, Маслов

МПК: G01R 31/26

Метки: высоковольтный, измеритель, напряжений, пробивных, транзисторов

...напряжения связан с одним входом операционного усилителя, выход которого подключен к первичной обмотке импульсного трансформатора, вторичнаяЗО г 4ряжения, операционный усигИтель 3, ичцульсцый трансформатор 1, испытуемый транзистор 5, источник 6 запирающего напряжения, токозадающий резистор 7, делитель напряжения ца резисторах 8 и 9, первый неинвертируюц 1 ий О и ицвертирующий 11 повторители напряжения, первый суммирующий резистор 12, масштабный усилитель 13, второй неицвертирующий повторитель 14, второй суммирую 1 ций резистор 15 и резистор 6 обратной связи.Измеритель работает следуюцим Образом. Напряжеци: от источника 1 опорного напряжения через ключ 2, определяющий длительность импульса испытательного цапря жения, поступает на...

Номер патента: 693278

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Нуянзина, Тоскин

МПК: G01R 31/26

Метки: пар, подбора, транзисторов

...Составнтель Г. Дозоров Реда кто р О. Коле сн нко ва Техред О. Луговая Корректор Г. Назарова Заказ 606016 краж 1073 Подписное ЦН И И ПИ Государственного комитета СССР по делам нзобретеннй н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раунская наб., д. 4/5 Филиал П П П Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4гоцаль моста 2 включен источцик 7 посгоянюго напряжения, нагрузкой транзисторов является резистор )хЗ. Выходы уси. - . ителей 3, 4 подсоединены к входам блока 8 индикации. Вьход блока 8 подключен к входу управляемого источника 9 постоянного тоха, который имеет два независимы Выхода, подключенных и базам подбираемых транзисторов 5, 6. Устройство питается От генератора 10 синусоидального напряжения, включенного в питаюцую диагональ...

Номер патента: 693279

Опубликовано: 25.10.1979

Автор: Обликов

МПК: G01R 31/26

Метки: измеритель, импульсный, коэффициента, малого, передачи, режиме, сигнала, транзисторов

...с ц 3,";."ПС 1:/)с " С)/Я Т)2- )Ь 3 ЧЕЕ,ВВд(:Ы " ".Ю Г 3),.с .СИсг/2 гЙ сз/гш. )к)К)сьый ,.еж (,),ге.,; ).:, . О1 С:; Т С М ) Го)3 Ц С Т ) 2Ч СВЛ";Г, тока базы Вход ког,О;о и) :(. осц (ОД 00",.)ЯТО;)с Т)Кс 231, с ВЬ.)Доазс тре Пзи(тс)п 1, и к. ю со) Оса цамя- и,В:,)Д КС)ТСРСГО СОЕ ЦСН С:ЯДЯЮЦИ "1СЦС)2- ОРО;:, с ВЫХ)Д( Э,СХ(Пт 1 Пс )ЯТЦ Гка базы.1 2 серт. же Грс,1 стс Влс с фсн к иаль"ц Я я Е Х е с Я ( 3, Ер ИТОГ /(.Дкз;ер:.тс,ь сосржит за.,аюц и:ес атор/ и и, ьсОВ 1, эле мст заде)п жки /. Клч ссОса па 5,ти 3. 0 Рс 13 ю(цие с е /: 0 СРЯ ТРЯП,",ЬСОП ИСТОЧН1(РПОГО; а 05(;Е - .П ц ) 4, ( / СЛ я ТО р 1 О К 2 03 Ы), К.Ч ) а Зр Ы В а СПИ 050)ТПОЙ Связи 6, Э.СМЕ:(Т ца;с:Т: То02 ", Г(с)210) ) )К; СИ, и ЯЛЦОЙт 1,. и(:с) иик коллектори го...

Номер патента: 697937

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Тальнова, Хцынский

МПК: G01R 31/26

Метки: моп, напряжений, пороговых, транзисторов

...эталонный резистор, одним выводом соединенный с общей шиной, а другим - с истоком транзистора и инвертирующими входами двух компараторов напряжения, к неинвертирующим входам которых подключены два ис точника опорных напряжений, выходыкомпараторов напряжения через схемыформирования импульсов управлениясоединены с аналоговыми ключами. Такое устройство позволяет иэмерять как пороговые напряжения МОПтранзисторов с индуцированным каналом, так и напряжения отсечки полевых транзисторов с встроенным каналом, причем не только в режиме насыщения, но и в ненасыщенной области,а также независимо от длины каналатранзистора.На чертеже изображена блок-схемапредлагаемого устройства,Устройство содержит генератор 1низкой частоты, клеммы для...

Номер патента: 699455

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Громков, Мартяшин, Тростянский, Чураков, Шляндин

МПК: G01R 31/26

Метки: емкости, полупроводниковых, приборов

...формы, период которых зависит от емкости испытуемого р-и-перехода полупроводникового прибора.44 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССР по заявке2448513/25, кл. 01 К 31/26, 02.77.4 ф 2. Авторское свидетельство СССР402836, кл. О 1 К 31/26, 31.05,71,3. Авторское свидетельство СССР512440, кл. 01 й 3126, 17.06.4 (прототип). Частота генерируемых на выходе дифференциального усилителя-ограничителя 9 прямоугольных импульсов определяется выра- жением Формирователь 14 опорного интервала времени формирует опорный интервал времени Т о, на время которого открывается схема совпадения 11, и в счетчике 15 фиксируется числоЫ=т,=ф г .С"Ецф Это число однозначно-ойределяется значением измеряемой емкости С...

Номер патента: 699456

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Коляда, Панов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: анализатор, временных, полупроводниковых, приборов, характеристик, цифровой

...генератором 3таким образом, что разность периодовгенераторов 2 и 3 - эталонного и управляемого соответственно - обеспечивается постоянной и равной 0,1 нс, т.е.М= ЬТ= 01 нс,где д 1- шаг считывания,Т- разность периодов кварцевыхгенераторов.Эта величина является шагом считываниядля стробоскопического дискриминатора23. Благодаря введению схемы фазовойавтоподстройки, точность формированияшага считывания, равного разности периодов кварцевых генераторов, практическисоответствует точности формирования час тоты кварцевого генератора 10 нс),Импульсы с кварцевых генераторов 2699456 6нератора 2, Чтобы приурочить тестовыйимпульс генератора тестовых импульсов 20к приходу строб-импульса, необходимопериод импульсов генератора 20 задау 5 вать в...

Номер патента: 705390

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Полисадов, Смагин, Шаповал, Юрченко

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диодов, сопротивления, теплового

...явля используется эквивалентность тепются сложность оборудования и изме- ловых режимов при саморазогреве Рарения при малых временах тепловой бочим током .и внешним подогреве дирелаксации, а также низкая произно- ода до температуры активной области. дительность при технологическом Импульсная вольт-амперная характеконтроле больших партий диодов.ристика диода снимается с помощью30Т эоров Коррект топ Т дрейк 8022/ аж 1073 дарственизобрет ЖР Зак ТирГосу делам сква Подписно омитета СС открытий я наб. д, ного к ений и ЦНИИП п113035 а Мс РД сЧВ /у%Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Прое тная,серии импульсов малой длительностии большой скважности, имеющих линейнонарастающую амплитуду напряжения,Установка включает в себя генератор 1 серии...

Номер патента: 706796

Опубликовано: 30.12.1979

Автор: Бартанов

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, контактных, полупроводниковых, приборов, силовых, соединений

...постепенно увеличивая их амплитуду до тех пор, пока величина термочувствительного параметра, измеряемого каждый раз после окончания очередного импульса тока, не .достигнет первоначального значения, и фиксируют при этом амплитуду мощности. При наличии деФектов в области контакта во втором случае (длительность импульса тока больше тепловой постоянной кристалла) требуется меньшая величина мощности для достижения кристаллом одной и той же температуры по сравнениюс бесдефектным прибором, Поэтому большая разность амплитуд мощности, соответствующих различным по длительности импульсам тока, будет 55 соответствовать большей дефехтности контактных соединений, Длительность импульсов тбка выбирают для каждого типа приборов индивидуально,...

Номер патента: 708266

Опубликовано: 05.01.1980

Авторы: Грицевский, Кострицкий, Мартынов, Смирнов, Тогатов, Чебовский

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, выключения, тиристоров

...напряжения, датчик тока б,вспомогат льный тиристор 7 развязки,быстродействующий, управляемый, однонаг равленный ключ 8 (напримерэ 5 электронная лампа), источник 9 обратного напряжения и управляющий блок10,Устройство работает следующим образом.В статике источн"к 1 прямого тока и источник 9 обратного напряжениявключены между собой встречно и параллельно цепи, состоящей.иэ последовательно соединенных контролируемого тиристора 4 с тиристором 7 развязки и цепи, состоящей из последовательно соединенных ограничителя 3обратного напряжения, ограничителя 5прямого напряжения и быстродействующего, управляемого, однонаправленного ключа 8 (например электронной лампы), Источник 2 прямого повторногонапряжения одним концом связан с общей точкой...

Номер патента: 708267

Опубликовано: 05.01.1980

Авторы: Громков, Мартяшин, Тростянский, Чураков, Шляндин

МПК: G01R 31/26

Метки: варикапа, параметров

...задается рабочая точка исследуемого р-п-перехода по постоянному току, Выход операционного усилителя 2 через фильтр 5 верхних частот соединен с входом амплитудного детектора б и с одним из входов первого вычитающего усилителя 7, второй вход которого соединен с выходом переключателя 8, Аналоговые входы переключателя 8 соединены с выходом амплитудного детектора б, причем один непосредственно, а другой - через инвертор 9. Управляющий вход переключателя 8 соединен с выходом генератора 4 прямоугольных импульсов. Сигнал с выхода вычитающего усилителя 7 поступает:на вход второго ам плитудного детектора 10, выход которого соединен с входами порогового устройстна 11 через делитель напряжения 12, с входом преобразователя 13 напряжения в интервал...

Номер патента: 710007

Опубликовано: 15.01.1980

Авторы: Орлов, Принц, Скок

МПК: G01R 31/26

Метки: заряда, носителей, полупроводниках, распределения

...где У - напряжение первой гармоники;и - концентрация носителей заряда.Распределение носителей зарядаполучают, меняя толщину области обеднения изменением величины обратногосмещения на контакте.На чертеже представлена принципиальная схема устройства, реализующего предложенный способ.Устройство содержит линейно-управляемый генератор 1 высокой частоты,приемник 2 тока второй гармоники, перемножающий блок 3, логарифмирующийблок 4, усилитель 5 тока первой гармоники и блок б сравнения,На контакт металл-проводник 7подается обратное смещение и токвысокой частоты от генератора 1. Токпервой гармоники усиливается блоком5, детектируется и подается в схемусравнения б, куда поступает такжеопорное напряжение Бо Сигнал ошибки с выход схемы...