G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов

Номер патента: 1816116

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Небрат, Овсюк, Попов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик

Устройство для измерения характеристик полупроводников, содержащее первый и второй источники света, оптически связанные с первым и вторым входами световода с полупрозрачным металлическим электродом, установленным на выходе световода, направленного на полупроводниковый образец, изолированный от полупрозрачного металлического электрода и подключенный к первому выходу источника смещения, первый и второй селективные делители, переключатель, первый вход которого соединен с шиной нулевого потенциала, первый регулируемый усилитель, емкостный делитель, нуль-орган, выход которого подключен к входу RC-фильтра, фазовращатель и первый и второй синхронные детекторы, первые и вторые входы которых...

Номер патента: 1308013

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Агафонова, Пушков, Сенчуков, Старков, Толкунов

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов, включающий создание механического напряжения в соединения кристалла и основания корпуса прибора, измерение параметра, характеризующего качество соединения кристалла и основания корпуса, и сравнение его с эталонным, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, механическое напряжение создают сжатием или растяжением основания корпуса прибора, измеряют относительную деформацию корпуса, параметр, характеризующий качество соединения кристалла и основания корпуса, измеряют при величине относительной деформации основания корпуса прибора в пределах 10-1 - 10-3, при этом в...

Номер патента: 1491179

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Брагин, Гейфман, Мягкова

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, тиристора

Способ определения качества изготовления тиристора, включающий измерение времени выключения тиристора, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения достоверности способа, повторно выключают тиристор, регистрируют зависимость прямого тока через тиристор от времени, в момент снижения прямого тока через тиристор до нуля прикладывают положительное напряжение к металлизации катодной области тиристора относительно металлизации управляющего электрода, измеряют время выключения тиристора и считают годными тиристоры, у которых t1 = t2, где t1, t2 - время выключения тиристора при первом и втором измерениях соответственно.

Номер патента: 814055

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Булатецкий

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, излучательной, рекомбинации, светодиода

Способ определения времени излучательной рекомбинации светодиода с одновременным измерением интенсивности излучения, включающий возбуждение светодиода и проекцию выбранного участка излучающей поверхности на фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона в области малых времен релаксации, световой поток, идущий от светодиода, перекрывают и измеряют высокочастотный ток, проходящий через светодиод, затем, постепенно увеличивая световой поток, измеряют минимальное значение этого тока и по отношению минимального тока к первоначальному току светодиода находят время излучательной рекомбинации светодиода по формулеarctg2

Номер патента: 1271231

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Попов, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: бесконтактного, емкости, полупроводника

1. Способ бесконтактного измерения емкости полупроводника, состоящий в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения и освещении его модулированным световым потоком, измерения сигнала конденсаторной фотоЭДС, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, автоматизации и упрощения измерений, сигнал конденсаторной фотоЭДС поддерживают постоянным изменением светового потока по критериюImE = const,где ImE - мнимая часть конденсаторной фотоЭДС, измеряют амплитуду интенсивности модулированного светового потока и рассчитывают емкость полупроводника по математической формуле.2. Устройство для бесконтактного измерения емкости полупроводника,...

Номер патента: 1489389

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Горохов, Панов, Садиков

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, силовых

1. Устройство для контроля параметров силовых полупроводниковых приборов, содержащее трансформатор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с первой клеммой для подключения испытуемого прибора, вторая клемма для подключения испытуемого прибора через последовательно соединенные шунт и ограничительный резистор подключена к второму выводу вторичной обмотки трансформатора, первый вывод вторичной обмотки трансформатора подключен к аноду формирующего тиристора, катод которого подключен к одному из выводов ограничительного резистора, к общей шине, и к одному из выводов первого резистора, второй вывод которого подключен к первому выводу второго резистора, второй вывод которого подключен к...

Номер патента: 1215492

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Куземин, Лазутин, Матвеев

МПК: G01R 31/26

Метки: сопротивления, теплового, тиристоров

Устройство для контроля теплового сопротивления тиристоров, содержащее источник постоянного напряжения, источник опорного напряжения, первый выход которого соединен с общей шиной устройства, три шины для подключения соответственно катода, анода и управляющего электрода контролируемого тиристора, вольтметр, первых вход которого соединен с шиной для подключения катода контролируемого тиристора, а второй вход вольтметра соединен через размыкающий контакт реле с шиной для подключения анода контролируемого тиристора, шина для подключения управляющего электрода которого соединена с выходом источника тока управления, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено двумя...

Номер патента: 1353129

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Гейфман, Сафонов

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, выключения, тиристоров

Устройство для измерения времени выключения тиристоров по авт. св. N 708266, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено быстродействующим однонаправленным ключом и переменным резистором, при этом параллельно соединенные быстродействующий однонаправленный ключ и переменный резистор включены между катодом вспомогательного тиристора развязки с подключенным к нему выходом быстродействующего управляемого однонаправленного ключа и клеммой для подключения анода испытуемого тиристора с подключенными к ней выводами ограничителя прямого повторного напряжения и датчика тока.

Номер патента: 1412456

Опубликовано: 10.09.2000

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, силовых, транзисторов

1. Устройство для испытания силовых транзисторов по авт.св. N 1128203 (п. 1), отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено двумя сглаживающими индуктивностями и ведомым инвертором со средней точкой, которая подключена к выходу от средней точки источника питания, положительный и отрицательный полюса которого соединены с первыми выводами соответствующих сглаживающих индуктивностей, вторые выводы которых соединены с соответствующими полюсами ведомого инвертора.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что источник питания выполнен в виде трехфазного входного трансформатора с магнитопроводом, вторичные обмотки которого соединены в звезду и подключены к...

Номер патента: 1825155

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Дмитриев, Новиков, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, отбраковки, транзисторов

Способ отбраковки биполярных транзисторов, включающий приложение напряжения питания между коллектором и эмиттером транзистора, измерение тока и сравнение его с допустимым значением, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности способа, между коллектором и эмиттером прикладывают высокочастотное напряжение и увеличивают его амплитуду до лавинообразного открывания транзистора, после чего уменьшают амплитуду высокочастотного напряжения между коллектором и эмиттером транзистора до его лавинообразного выключения, при этом фиксируют амплитуду высокочастотного напряжения между коллектором и эмиттером транзистора, постоянные составляющие тока и напряжения эмиттера и амплитуду...

Номер патента: 1528159

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Авдошин, Дмитриев, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: дрейфовых, отбраковки, транзисторов

Способ отбраковки дрейфовых транзисторов, включающий подачу напряжения питания, измерение тока в цепи коллектор - эмиттер и сравнение его с эталоном, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки, напряжение питания подают высокочастотным и синусоидальным на фиксированной частоте при отключенном базовом выводе транзистора, затем амплитуду высокочастотного синусоидального напряжения питания линейно увеличивают от минимального значения до значения, при котором транзистор скачком открывается, уменьшают амплитуду высокочастотного синусоидального напряжения питания до значения, при котором происходит лавинообразное запирание транзистора, фиксируют амплитуды высокочастотного...

Номер патента: 1646394

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Дмитриев, Леднев, Миронов, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: дрейфовых, отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки дрейфовых транзисторов, содержащее генератор высокочастотного синусоидального напряжения, клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора и клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, которая соединена с первым выводом резистора и через конденсатор - с общей шиной устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности отбраковки, оно снабжено управляемым усилителем, генератором треугольного напряжения, детектором, дифференцирующим блоком, инвертором, четырьмя пороговыми блоками, регистром и блоком индикации, при этом выход генератора высокочастотного синусоидального напряжения подключен к входу управляемого усилителя,...

Номер патента: 1536987

Опубликовано: 27.08.2002

Авторы: Буренина, Дмитриев, Пиганов, Чернобровин

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, отбраковки, транзисторов

Устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора, клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока и входом дифференцирующей цепи, выход которой подключен к входу блока формирования импульсов, клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, клемму "Пуск" и блок индикации, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки, оно снабжено генератором тактовых импульсов, двоичным счетчиком, цифроаналоговым преобразователем, усилителем мощности, двоично-десятичным счетчиком, блок индикации выполнен с дополнительными входами, причем...

Номер патента: 1324448

Опубликовано: 27.02.2003

Авторы: Бардин, Бартанов, Беспалов, Пономарев

МПК: G01R 31/26

Метки: включенного, времени, выпрямительного, площади, распространения, состояния, тиристора, элемента

Устройство для измерения времени распространения включенного состояния по площади выпрямительного элемента тиристора, содержащее источник импульсов тока, параллельно которому включена последовательная цепь, состоящая из клемм для подключения анода и катода испытуемого тиристора и резистора, точка соединения первого вывода резистора и клеммы для подключения анода испытуемого тиристора подключена к общей шине, блок управления, один выход которого соединен с клеммой для подключения управляющего электрода испытуемого тиристора, и измерительный блок, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и быстродействия измерения, оно снабжено триггером, вычитателем, компаратором максимальных...

Номер патента: 1394925

Опубликовано: 27.02.2003

Авторы: Беспалов, Головченко, Колпахчьян, Красновид, Мускатиньев

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, силовых

Устройство для измерения параметров силовых полупроводниковых приборов, содержащее трансформатор, блок пуска, один из выходов которого соединен с управляющим электродом коммутирующего тиристора, компаратор, выход которого соединен с управляющим электродом формирующего тиристора, катод которого соединен с общей шиной, клемма для подключения анода испытуемого прибора подключена к одному из выводов делителя напряжения, второй вывод которого подключен к общей шине и через шунт - к клемме для подключения катода испытуемого прибора, первый вывод вторичной обмотки трансформатора через ограничитель тока подключен к второму выводу делителя напряжения, второй вывод вторичной обмотки трансформатора...

Номер патента: 1466474

Опубликовано: 27.02.2003

Авторы: Беспалов, Мускатиньев

МПК: G01R 31/26

Метки: тиристора, удержания

Устройство для измерения тока удержания тиристора, содержащее генератор медленно уменьшающегося напряжения, к выходу которого подключены последовательно соединенные баластный резистор, клеммы для подключения анода и катода испытуемого тиристора, измерительный резистор, первый вывод которого подключен к общей шине, генератор запускающих импульсов, первый выход которого подключен к клемме для подключения управляющего электрода тиристора, второй выход которого подключен к общей шине, цифровой вольтметр, запоминающий конденсатор, одна из обкладок которого подключена к общей шине, первый аналоговый ключ, управляющий вход которого подключен к выходу дискриминатора, вход аналогового ключа...

Номер патента: 782509

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Бобрович, Евдокимов, Леонихин, Летин, Милованов

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, фотопреобразователей

Способ определения параметров фотопреобразователей, основанный на измерении напряжения при освещении фотопреобразователя полосой света, параллельной контактной полосе при двух положениях полосы света, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения области применения способа, поочередно освещают половину площади фотопреобразователя, прилегающую к контактной полосе и другую половину площади, измеряют зависимость разности напряжений при двух положениях полосы света от величины фототока, измеряют полный ток и, поддерживая его величину постоянной, повторяют измерения при увеличении интенсивности освещения, по измеренным значениям вычисляют слоевое сопротивление и параметр...

Номер патента: 1840284

Опубликовано: 27.08.2006

Автор: Борисов

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диода, параметров

Устройство для измерения параметров диода Ганна, содержащее стабилизирующие элементы, входные и выходные зажимы, отличающееся тем, что, с целью исключения взаимодействия диода Ганна с измерительной схемой и повышения стабильности измерений, источник импульсного питания подключен к первичной обмотке трансформатора, вторичная обмотка упомянутого трансформатора подключена на вход ФНЧ, а выход указанного фильтра подключен к последовательно цепи; состоящей из диода Ганна и измерительного сопротивления, причем выходные зажимы подключены параллельно измерительному сопротивлению.

Номер патента: 1143197

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Гурский, Покрышкин, Сигалов, Таратын

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп-структур, характеристик

Устройство для измерения характеристик МДП-структур, содержащее генератор тестового сигнала и генератор напряжения смещения, выход которых соединены с первой клеммой для подключения испытуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с первым выводом резистора, второй вывод которого соединен с общей шиной, усилитель напряжения, вход которого также соединен со второй клеммой для подключения испытуемой структуры, сумматор, логический элемент "И", блок задержки, блок сравнения, выход которого соединен со стробирующим входом блока измерения напряжения, выход которого соединен с первым входом блока обработки и отображения информации, отличающееся тем, что, с целью...

Номер патента: 1526515

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: дозы, излучения, ионизирующего, мдп-структурах, мощности, поглощенной

Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в МДП-структурах, включающий нанесение электродов к структуре, подачу на них напряжения смещения, облучение структуры ионизирующим излучением и вычисление мощности поглощенной дозы излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и оперативности способа, до облучения снимают C-V-характеристики с разными скоростями изменения напряжения, определяют скорость, при которой прямой и обратный ходы высокочастотных C-V-характеристик МДП-структуры совпадают на всем участке изменения емкости от максимального до минимального значений и обратно, измеряют C-V-характеристики с выбранной скоростью при облучении в прямом и...

Номер патента: 1336725

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Дениженко, Марфель

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, структур

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур по авт. св. 1222145, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено аттенюатором, коммутатором, сумматором и инвертором, при этом первый выход генератора трапецеидального напряжения соединен с вторым входом регистратора через сумматор, к второму входу которого через аттенюатор подключен выход коммутатора, первый и второй управляющие входы которого соединены соответственно с вторым и третьим выходами генератора трапецеидального напряжения, выход регистратора подключен к первому входу коммутатора и через инвертор к второму входу коммутатора.