Способ определения напряжения программирования ячейки памяти на основе пноп-структуры
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1582834
Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин
Формула
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПНОП-СТРУКТУРЫ, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, на ПНОП-структуру подают нарастающее напряжение и при этом контролируют величину сквозного тока через ПНОП-структуру, при достижении сквозным током заданного значения определяют соответствующую ему величину приложенного напряжения, которое является напряжением программирования.
Описание
Целью изобретения является повышение производительности способа.
На фиг. 1 приведены типовые графики зависимости сдвига порогового напряжения

Напряжение программирования элемента памяти на основе запоминающего ПНОП-транзистора измеряют в следующей последовательности. Сначала на пластинах, содержащих тестовые ПНОП-транзисторы с толщиной слоев оксида и нитрида кремния 6 и 30 нм соответственно, изготовленные в одном технологическом цикле с ПНОП-элементами памяти ЗУ, измеряют зависимости сдвига порогого напряжения


I = K/T1 = 6,25 х 10-7/1 х 10-3 = 6,25 х 10-4 А/см2 и измеряют с помощью вольтметра 3 падение напряжения на структуре, например, 20,8 В. Эту величину можно сравнить с минимально допустимым значением этого параметра, указанным в технической документации на данный тип ЗУ, и произвести отбраковку пластин (или даже отдельных кристаллов) по напряжению программирования. Следует отметить, что при последующем контроле напряжения программирования кристаллов ЗУ на пластинах из других партий, изготовленных по одному и тому же технологическому маршруту, нет необходимости повторно определять калибровочную константу К, поскольку экспериментальная апробация предлагаемого способа на ПНОП-структурах с толщиной подзатворного диэлектрика от 25 до 45 нм, изготовленных в различных технологических процессах, показала, что использование при их контроле одного и того же значения константы К = 6,25 х 10-7 Кл/см2 дает погрешность при определении напряжения программирования не более чем

Определение напряжения программирования в соответствии с предлагаемым способом можно на практике выполнять и с помощью более простой установки (фиг. 4). В этом случае тестовую структуру 1, например ПНОП-конденсатор площадью S = 4 х 104 мкм2, подключают к источнику питания 2, например Б5-45, через вольтметр 3, например ЦУИП, входное сопротивление которого составляет R = 10 МОм. Постепенно увеличивая выходное напряжение источника питания 2, с помощью вольтметра 3 контролируют падение напряжения на его входном сопротивлении R. При плотности тока j = 6,25 х 10-7 А/см2, соответствующей времени программирования 1 мс, вольтметр покажет напряжение U = j


Использование предлагаемого способа определения напряжения программирования обеспечивает по сравнению с известными способами следующие преимущества.
1. Повышение производительности способа не менее чем в 10-30 раз за счет использования менее трудоемкой и простой в практической реализации измерительной операции.
2. Резкое упрощение и удешевление контрольно-измерительной аппаратуры для определения напряжения программирования.
3. Наличие четкого критерия для разбраковки пластин с кристаллами ЗУ, благодаря тому, что определяемый параметр ЗУ измеряется непосредственно.
(56) Электронная техника, сер. 3 Микроэлектроника, вып. 4 (100), 1982, с. 17.
Изобретение относится к способам измерения электрических параметров электрически репрограммируемых запоминающих устройств на основе структуры проводник - нитрид кремния - оксид кремния - полупроводник и может быть использовано для контроля напряжения программирования на этапах разработки и серийного производства. Целью изобретения является повышение производительности способа. Поставленная цель достигается за счет того, что на ПНОП-структуру подают нарастающее напряжение и при этом контролируют величину сквозного тока через ПНОП-структуру, при достижении сквозным током заданного значения определяют соответствующую ему величину приложенного напряжения, которое является напряжением программирования. 4 ил.
Рисунки
Заявка
4426555/24, 18.05.1988
Тюлькин В. М, Нагин А. П, Милошевский В. А, Мальцев А. И
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: основе, памяти, пноп-структуры, программирования, ячейки
Опубликовано: 15.03.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1582834-sposob-opredeleniya-napryazheniya-programmirovaniya-yachejjki-pamyati-na-osnove-pnop-struktury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения напряжения программирования ячейки памяти на основе пноп-структуры</a>