G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов
Устройство для определения тока удержания силовых тиристоров
Номер патента: 773537
Опубликовано: 23.10.1980
Авторы: Бардин, Миков, Петров, Цетлин
МПК: G01R 31/26
Метки: силовых, тиристоров, удержания
...соединен с датчиком тока, и оба нуль-органа через триггер соединены с измерителем временных интервалов.На фиг. 1 представлена Функциональная схема предлагаемого устройст. ва, на Фиг, 2 - временные диаграммы,поясняющие его работу.773537Устройство содержит источник 1 импульсов анодного тока, блок 2 пуска, генератор 3 линейно-падающего напряжения, усилитель 4 мощности, нуль-органы 5 и 6, датчик тока на резисторе 7, триггер 8, блок 9 измерениявременных интервалов и клеммы 10-12 для подключения испытуемого тиристора (ИТ) 13.Устройство работает следующим образом.По сигналу "Пуск" с блока 2 науправляющий электрод тиристора 13подается напряжение, и тиристор отпирается. Через него начинает протекать ток, являющийся суммой токовблока 1 и...
Устройство для измерения удерживающего тока тиристора
Номер патента: 775702
Опубликовано: 30.10.1980
МПК: G01R 31/26
Метки: тиристора, удерживающего
...резистор 3, включенный в анодцуюцепь испытуемого тиристора 4, к катодукоторого подключен измерительный резистор 5, ключ 6, управляемый сигналомс выхода дискриминатора 7, добавочныйрезистор 8, запоминающий конденсатор9 и вольтметр 10.Работает устройство следуюшим обра 4Пусть и исходном состоянии тиристор 4 открыт, а ключ 6 замкнут. При плавном уменьшещщ тока через тиристор, обусловленном уменьшением напряжения на выходе генератора 1, в момент достижения им значения удерживающего тока происходит выключение тиристора и резкое уменьшение тока через измерительный резистор 5. Цепочка из добавочного резистора 8 и запоминающего конденсатора 9 дифференцирует перепад напряжения на измерительном резисторе 5 и при превышении напряжен ием иа...
Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора
Номер патента: 779940
Опубликовано: 15.11.1980
Авторы: Лебедев, Сидоренко, Сыромятников, Усачев
МПК: G01R 31/26
Метки: коэффициента, передачи, статического, транзистора
...схемы И 15 триггера 16,выход которого соединен с другим входом схемы И 15, и"инвертора 17, черезкоторый схема Й 15 соединена с управляющим входом ключа 12, кроме этоговыход схемы И 15 соединен с управляющим входом амплитудно-временного преобраэователя 12 и управляющим входомключа 4.На временных даиграммах фиг, 2обозначено: вх, 13 - напряжение сигнала помехи на входе формирователя импульсов 13; вых. 13 - импульсы на входе формирователя 13; вых. 14 - импульсы на входе схемы регулируемойзадержки 141 вых15 - импульсы навыходе схемы И 15 Пуск - им"пульсы запуска, по которым проводитсяизмерение; вых, 16 - импульсы на выходе триггера 16 П 7 - напряжение натокосъемном резисторе 7, которое ранняется сумме наряжений сигнала поме"--хи и...
Устройство для испытания высоковольтных вентилей
Номер патента: 779941
Опубликовано: 15.11.1980
МПК: G01R 31/26
Метки: вентилей, высоковольтных, испытания
...синхроимпульсов заданной длительности,которые поступают на вход импульсного источника тока 1 и обеспечиваютзарядный,.частотно-импульсный режимработы источника 1. С выхода делителя напряжения 2 информация о величине напряжения заряда выходного емкостного наполнителя источника 1 поступает на первый вход схемы сравнения 8, второй вход которой подключенк источнику опорного напряжения 9.В момент достижения величины напряжения заряда емкостного накопителязаданного уровня, определяемого опорным сигналом, схема сравнения 8 вырабатывает импульсный сигнал, которыйпоступает на управляющий вход модулятора поджигающих импульсов 10 испытуемого разрядника 7, Разряд выходного емкостного накопителя источника1 происходит через балластный резистор 3,...
Устройство для контроля параметров полупроводниковых приборов
Номер патента: 781721
Опубликовано: 23.11.1980
Авторы: Тарвид, Терпигорев, Шаронов
МПК: G01R 31/26, G01R 31/28
Метки: параметров, полупроводниковых, приборов
...параметра, задаются требуемые режимы измерения и вырабатывается 50 аналоговый. сигнал, пропорциональный величине измеряемого параметра, ко. торый поступает на цифровой измеритель 15 и там преобразуется в двоично-дясятичный код. ЦиФровой компара тор 16 сравнивает величину измеренного параметра с нормой и выдает результат сравнения в виде логического уровня на декодер 17, который в зависимости от результата сравнения и записанного на шинах 8 кода режима адреса-ф 0 . ции выбирает одно из пятИ возможных направлений дальнейшего контроля: включение следующего теста+1), тестов ТО и Т 1, групп ГО или Г 1, адрес которыхзаписан на шинах 11, лри чем индексы 0 и 1 в обозначениях тестов и групп указывают на логический уровень цифрового...
Способ контроля внутреннего теплового сопротивления силового полупроводникового вентиля
Номер патента: 788050
Опубликовано: 15.12.1980
МПК: G01R 31/26
Метки: вентиля, внутреннего, полупроводникового, силового, сопротивления, теплового
...силовогополупроводникового вентиля с паянными контактами и одностороннимохлаждением измеряют и сравниваюттемпературы основания корпуса и гиб 25 кого силового вывода в месте его запрессовки, а предельно допустимоезначение теплового сопротивления фиксируют в момент появления превышениятемпературы гибкого силового выводаЗо над температурой корпуса,Всесоюзный ордена Трудоного Красного Знамени научноисследовательский институт железнодорожного транспортаЗаказ 8345/53 Тираж 1019 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Суцность предлагаемого способа контроля внутреннего теплового сопротивления силового...
Способ контроля нагрузочной способности тиристоров
Номер патента: 788051
Опубликовано: 15.12.1980
МПК: G01R 31/26
Метки: нагрузочной, способности, тиристоров
...решением к предлагаемому являетсяспособ контроля нагруэочной способности тиристоров путем нагрева тиристора импульсом силового тока нор"мированной длительности и измеренияпадения напряжения на них 3.Недостатком этого способа является невысокая точность измерений иэ-заскачкообразной зависимости прямогопадения напряжения от температурыу тиристоров с большим диаметромструктуры при малом измерительномтоке.Цель изобретения - повышение точности измерения.Поставленная цель достигаетсятем, что силовой ток модулируют вконце импульса высокочастотным сигналом, измеряют падение напряженияна тиристоре от тока высокой частотыи по градуировочной характеристикеопределяют нагрузочную способность,Определение температуры тиристорапроисходит при...
Цифровой измеритель модуля коэффициента передачи тока транзисторов на высокой частоте
Номер патента: 788052
Опубликовано: 15.12.1980
Автор: Григорьев
МПК: G01R 31/26
Метки: высокой, измеритель, коэффициента, модуля, передачи, транзисторов, цифровой, частоте
...напряжений навыходе управляемого усилителя 12 оказывается равным отношению токови З и равно модулю коэффициента пекредачи тока контролируемого транзистора.Временная диаграмма сигнала на входе запоминающего устройства 10 покаана на фиг. 2 а. Сигнал поступает навход запоминающего устройства 10 в интервалы времени Ф -й - й)когда через коммутирующее устройство9 к нему подключается выход детектора8. Сигнал на выходе запоминающего устройства 10 присутствует и после прохождения входного сигнала (Фиг.2 б),т.е. запоминается, Сигнал на входахсравнивающего устройства 11 представлен на фиг. 3 в. В интервалы времениЬ - М,- 6 (Фиг, 2 в) на входах2.сравнивающего устройства 11 присутствует один сигнал, на выходе егоФормируется отрицательный...
Устройство для измерения температурной зависимости холловской подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах
Номер патента: 788053
Опубликовано: 15.12.1980
Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: зависимости, заряда, материалах, носителей, подвижности, полупроводниковых, температурной, холловской
...электромагнитом 10.Устройство работает следующим образом.Образец 4 подключается к источнику1 напряжения и между потенциальнымиконтактами 6 и 7 устанавливается заданное напряжение, С изменением температуры образца 4 изменяется электропроводность объема полупроводника итоковых контактов 2 и 3, в результатепроисходит перераспределение паденийнапряжения на токовых контактах и наобъеме полупроводника, расположенноммежду потенциальными контактами 6 и 7.При этом блок 5 обратной связи,снабженный схемой управления источником 1 напряжения, позволяет изменятьнапряжение между токовыми контактами2 и 3 так, чтобы падение напряжениямежду потенциальными контактами б и 7оставалось постоянным, Таким образом,каждому значению температуры...
Устройство для испытания полупроводниковых материалов
Номер патента: 789918
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Беглов, Каратыгин, Ликальтер
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: испытания, полупроводниковых
...функциональная схема устройства; на фиг.2конструкция крепления емкостногодатчика на корпусе, фиг. 3 - вид Ана фиг. 2,Устройство содержит источник 1инжектирующих импульсов света, состоящий из импульсного генератора 2и светодиода 3, высокочастотный генератор 4, широкополосный усилитель5, детектор б, осциллограф 7 и емкостный датчик 8, содержащий электропроводящие пластины 9 и 10,Каждая из электропроводящих пластин 9 и 10 емкостного датчика 8размещается между двумя замкнутымиэластичными электроизоляционными ЗОлентами 11 и 12, расположенными нанатяжных роликах 13, 14, 15 соответствующих пар рычагов 16 и 17,установленных на корпусе 18, установленном на направляющих 19 и 20 с возможностью перемещения по вертикалинад электроизоляционной...
Устройство для дистанционныхизмерений вольтамперных xapak теристик четырехполюсника
Номер патента: 798647
Опубликовано: 23.01.1981
Авторы: Абрамов, Мотягин, Першенков
МПК: G01R 31/26, G01R 31/28
Метки: xapak, вольтамперных, дистанционныхизмерений, теристик, четырехполюсника
...транзисторно-транзисторнаялогическая схема (ТТЛ ) - вентиля 6 (в состоянии логического "0").Исследуемый четырехполюсник 1 в исходном состоянии закрыт и его выходное напряжение равно напряжению логической "1" (точка с на фиг. 2). До этого же напряжения заряжена длинная линия 2 по всей длине,Задающий генератор 4 при с = 0 осуществляет синхронный запуск регистратора 3 и генератора 5 тестовых импульсов.При подаче на вход четырехполюсника 1 тест-импульса он переходит .в состояние логического "0" на выходе за время, много меньше времени распространения сигнала вдоль длинной линии 2, которая начинает разряжаться через открытый четырехполюсник 1. Выходной ток четырехполюсника, задаваемый разрядом длиной линии 2, и напряжение,...
Устройство для измерения тепловогосопротивления полупроводниковыхприборов
Номер патента: 798649
Опубликовано: 23.01.1981
Авторы: Беляков, Голубев, Грицевский
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводниковыхприборов, тепловогосопротивления
...между охладителями так, что контактные поверхности тепловых шунтов взаимодействуют с охладителями, Всю систему - охладители, два тепловых шунта и помещенный между ними ИП зажимают зажимным устройством (на чертеже не показано), Зажим осуществляется с нормируемым усилием в результате образуется электрическая цепь, включающая источник 1 силового тока, радиаторы 4,тепловые шунты 2 и ИП 13.Для определения теплового сопротивления ИП проводят два цикла измерений. В первом цикле измерений в первый из охладителей подают охлаждающую жидкость, например воду с температурой 20 С, а во второй из охлаодителей - с температурой 80 С и производят измерения. Во втором цикле измерений в первый из охладителейподают охлаждающую жидкость (воду) с температурой...
Устройство для измерения макси-мально допустимых прямых и обратныхнапряжений силовых полупроводниковыхприборов
Номер патента: 798650
Опубликовано: 23.01.1981
МПК: G01R 31/26
Метки: допустимых, макси-мально, обратныхнапряжений, полупроводниковыхприборов, прямых, силовых
...устанавливается тот интервал, за который должно произойтиизменение тока утечки в диапазонемежду нижним и верхним пределами.При условии, что источник испытательного напряжения фоРмирует на выходеимпульс пилообразной формы, в устройстве производится определениедифференциальной проводимости испытуемого прибора и сравнение ее с заданным значением. При превышении этого значения регистрируется значениенапряжения на испытуемом приборе,которое принимается эа максимально допустимое 4. На чертеже представлена Функциональная схема устройства,Устройство содержит источник 1испытательного напряжения, делительнапряжения на резисторах 2, 3, измерительный шунт 4, блок 5 заданияприращений напряжения с первым запоминающим конденсатором б, блок...
Устройство для измерения добротностии емкости варикапов
Номер патента: 800910
Опубликовано: 30.01.1981
Автор: Свирид
МПК: G01R 27/26, G01R 31/26
Метки: варикапов, добротностии, емкости
...новыезначения добротности Я и емкостиС измерительного блока 3, т. е.йэквивалентные им Ьф иили ихганалоги Л У и 0 с последующим хранением информацйи об этих параметрах.Полученная информация о параметрах измерительного блока с цодключенным(й;С Д ) и отключеннымОСи) исследуемым варикапом обрабатывается в соответствующих каналахс последующим вычислением в соответствии с Формулами 1) и (2 ) величинискомыхпараметров,В исходном состоянии, когда подвлиянием управляющих импульсов генератора 21 переключатель б находитсяв состоянии, подключающем к измерительному блоку 3 исследуемый элемент7, смещенный необходимым напряжениемисточника 24, а синхронные демодуляторы 8, 11, 16, 10, 15 соответственно в режиме накопления и храненияинформации, на один...
Устройство для измерения параметровварикапов
Номер патента: 800911
Опубликовано: 30.01.1981
Автор: Свирид
МПК: G01R 31/26
Метки: параметровварикапов
...результатов измерения. В установившемся режиме эта настройка осуществляется с помощью системы стабилизации частоты измерения путем замещения емкости измерительного блока 3 емкостью исследуемого варика па 6, причем резонанс в измерительном блоке поддерживается непрерывно с помощью системы 5 поиска резонанснои частоты за счет перестройки частоты генератора 1. 20На заданной частоте ( ) определяется добротность 0 (4) и емкость С (10) измерительного блока с включенным зарикапом, т.е. эквивалентные им дГ и Г или их аналоги д 0 и 0 (1)-(3) с последующим хоанеЯнием информации об этих параметрах.Исследуемый варикап исключается из измерительного блока, а на его место включается корректируюная индуктивность Я, образуя замкну-. тую цепь...
Измеритель модуля параметров четырех-полюсников
Номер патента: 800912
Опубликовано: 30.01.1981
Автор: Боренко
МПК: G01R 31/26
Метки: измеритель, модуля, параметров, четырех-полюсников
...через из мерительную линию 2 и ввод питания 7 с входом согласованного детектора 8. Выходное сечение держателя 4 соединено через трансформатор 5 сопротивлений и ввод питания б с входом детектора 9, Выходы детекторов 8 и 9 соединены через переключатель 10 типа тумблер с измерителем 11 отношений напряжений.Устройство работает следующим образом.Перед началом измерений трансформатор 5 сопротивлений настраивается таким образом, чтобы в выходном сечении держателя 4 обеспечивались условия холостого хода или короткого замыкания. Например, для измерения параметра (6,) замыкающий зонд трансформатора устанавливается на расстоянии, кратном /2 от выходного сечения четырехполюсника. Зонд 3 измерительной линии 2 устанавливается на расстоянии (2 п+1)/4...
Устройство для контроля параметрови разбраковки полупроводниковыхдиодов
Номер патента: 800913
Опубликовано: 30.01.1981
Автор: Кисляков
МПК: G01R 31/26
Метки: параметрови, полупроводниковыхдиодов, разбраковки
...7 нижних частот, блок 8 контроля напряжения, детектор 9, компаратор 10, блок 11 памяти, схему 12 управления, схему 13 совпадения и блок 14 Фиксации результатов контроля.Устройство имеет два режима работы: режим калибровки и режим контроля.Режим калибровки производится автоматически при установке в кассету (не показана) следующей партии полупроводниковых диодов. При этом коммутатор 3 объектов контроля подключает магазин 5 эталонных сопротивлений к выходам источника 1 стабильного постоянного тока и генератора 2 переменного тока и ко входам полосового Фильтра б и фильтра 7 нижних частот. Переменный и постоянный токи создают на эталонном сопротивлении падение нагряжения. Переменная составляющая этого сигнала55 65 ключению блока...
Способ контроля полупроводниковыхприборов ha вторичный пробой
Номер патента: 805214
Опубликовано: 15.02.1981
Авторы: Пентюш, Пуритис, Цескан
МПК: G01R 31/26
Метки: вторичный, полупроводниковыхприборов, пробой
...части близко значению напряжения лавинного пробоя, Напряжение начальной части импульса; увеличивается до появления искажений формы импульса в конечной части, которые свидетельствуют о появлении вторичного пробоя в конце повышенной части. В таком случае в моменте времени при достижении тока вторичного пробоя в начальной части импульса начинается шнурование. Ток в токопроводящем канле (часть Т на фиг. 16) 15 увеличивается, но этот ток ограничивается в моменте времени источником тока. Значение данного тока является неразрушающим для прибора. Существование токопроводящего канала в 3) приборе сильно снижает сопротивление прибора, и поэтому напряжение на приборе имеет очень малое значение, т.е. появляются искажения форма импульса...
Устройство для контроля и разбраковкирадиоэлементов
Номер патента: 805451
Опубликовано: 15.02.1981
Авторы: Крачковский, Чарный
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: разбраковкирадиоэлементов
...а на нижнемконце вертикального питателя 2 выполнен вырез 42 под Г-образныйприжим 12, Каждая каретка снабженадвумя парами вертикальных пазов:43 в каретке б и 44 в каретке 7,форма и размеры которых соответствуют спутникам-носителям 37-40с загруженными в них приборами33 - 36. Расстояние а между пазами 43 каретки б и 44, каретки 7равно шагу рабочего хода кареток6 и 7. Каждая разделительная пластина снабжена одной парой пазов соответственно 45 в пластине 8 и 46 впластине 9, форма и размеры которых соответствуют спутникам-носителям 37 - 40 с загруженными в нихприборами 33 - 36. На боковой поверхности каждой каретки б и 7выполнена сквозная прорезь 47, переходящая в продольный паз 48 дляразмещения отсекателей соответственно 10 и 11. Торец...
Устройство для измерения неквад-ратичности сверхвысокочастотныхдетекторов
Номер патента: 809005
Опубликовано: 28.02.1981
Автор: Довидавичюс
МПК: G01R 31/26
Метки: неквад-ратичности, сверхвысокочастотныхдетекторов
...регулировки мощности перестраивается по пилообразному закону.Так как в цепь блока 9 включен исследуемый сверхвысокочастотный детектор 8, то уровень СВЧ мощностина входе аттенюатора 4 зависит также отхарактеристики сверхвысокочастотного детектора 8. Начальноеослабление аттенюатора 4 составлявт5 дБ. Перестройка выходной СВЧ мощности генератора 1 начинается отуровня, при, котором на оба детектора .8 и 11 поступает мощность, нв превышающая уровня уверенного квадратичного детектирования. Опорное напряжение 0 блока 7 сравнения выбирается несколько меньше максимального 5 0 25 30 35 40 выхоцного напрякения опорного детектора 11, при котором сохраняется уверенное квадратичное детектирование. При достижении напряжения 0 на выхооде опорного...
Устройство для измерения электри-ческих параметров матричных электрон-ных элементов
Номер патента: 811159
Опубликовано: 07.03.1981
Авторы: Андреев, Желбакова, Малютин, Шуленин
МПК: G01R 31/26, G01R 31/27
Метки: матричных, параметров, электри-ческих, электрон-ных, элементов
...5 подключенный к невыбранным строкамматрицы через коммутатор.На фиг. 1 представлена схема устройства; на фиг, 2 поясняется процесс измерения.0 На схеме изображены объект контроля 1,коммутатор 2, блок задания режима 3, измерительный прибор 4, блок управления 5 и источник опорного напряжения 6.Устройство работает следующим обра зом.Блок управления 5 поочередно подключает через коммутатор 2 выбранный столбец и выбранную строку матрицы 1 к блоку задания режима 3 и измерительному 0 прибору 4. Невыбранные строки подсоединяются к источнику опорного напряжения 6, полярность которого противоположна полярности напряжения на измеряемом диоде.Величина опорного напряжения равна ожи даемому падению напряжения на измеряемом диоде. Блок задания...
Способ измерения параметровглубоких центров b полупроводниках
Номер патента: 813329
Опубликовано: 15.03.1981
Авторы: Акимов, Сережкин, Федосеев
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: параметровглубоких, полупроводниках, центров
...б, индуктивность7 развязки,Измерение зарядового состоянияглубоких центров в области объемного заряда осуществляют частичнымуменьшением напряжения смещения нар-и переходе образца б от значенияОдо Ощ при помощи источника 1 ступенчатого напряжения, Контроль комплексного сопротивления осуществляютс помощью моста 4 полных проводимостейи индикатора 3 баланса моста. В плечо сравнения моста 4 включают параллельную йб-цепочку, комплексное сопротивление которой принимают заКонтроль баланса моста осуществляютпо фазе комплексного сопротивленияВремя достижения баланса моста в хо.де релаксации комплексного сопротивления измеряют измерителем 2 времени.Индуктивность 7 и емкость 5 служатэлементами развязки цепей постоянного и переменного...
Зондовое устройство
Номер патента: 813330
Опубликовано: 15.03.1981
МПК: G01R 31/26
Метки: зондовое
...2 имеются пазы, через которые выведены наружу, жесткосоединенные с зондами 8, рычаги 9, с помощью которых осуществляется ручное управление зондодержателями в радиальных плоскостях и зондами вдоль осей зондодержателей при точной установке зондов на контактные площадки печатных плрт. Корпус каждого зондодержателя 2 имеет покрытие из изоляционного материала для предохранения от короткого за813330 Формула изобретения Фмв . ПППатент д од,ул Проектн Ф г.Уж мыкания между зондодержателями 2 при проведении испытаний. Все контактирующие между собой токопроводящие детали покрыты антикоррозийным металлом, например никелем, кроме того, устройство содержит выводы 10 каждого из зондов 8 для подключения зондового устройства к испытательному прибору и...
Способ контроля качества силовыхполупроводниковых приборов прижимнойконструкции
Номер патента: 819755
Опубликовано: 07.04.1981
Авторы: Гуревич, Долгих, Салман, Таратута
МПК: G01R 31/26
Метки: качества, приборов, прижимнойконструкции, силовыхполупроводниковых
...прибора 2.При использовании известного способа контроля качества полупроводникового прибора по прямому падению напряжения устанавливают номинальное сжимающее усилие с точностью АРом При Рдля испытуеьых приборов 1 и 2 получают одно и то же значение Ор. Оба испытуеьвх прибора считают годными, если выполняется условие ОномОном.взеънГде Оном. МРхн допустимое значение классификационного прямого падения напряжения для полупроводникового прибора данного типоразмера. При использовании предлагаемого способа дополнительно измеряют прямое падение напряжения при сжимающем усилии, уменьшенном до величины Ря ,. которую выбирают меньше, чем номинальное сжимающее усилие Рщц, например, на 25. Для испытуемого .прибора 1.получают практически...
Устройство для классификации силовыхполупроводниковых приборов поповторяющемуся напряжению
Номер патента: 838614
Опубликовано: 15.06.1981
Авторы: Веревкин, Корнейчук, Шевцов
МПК: G01R 31/26
Метки: классификации, напряжению, поповторяющемуся, приборов, силовыхполупроводниковых
...в запоминающий блок 3 где осуществляетсяхранение получен:ой инФОрмации Бо Врсмя определения класса испытуемого прибора 13,Преобразователь 4 запоминающегоблока 3 осуществляет преобразование 40амплитуды импульса напряжения в последовательность импульсов,. число которых пропорционально амплитуде входного напряжения, Распределительныйэлемент 5 в соответствии с сигналамиот блока 2 управления распределяетчетыре последовательности импульсовв регистры Не ГОказаны 5)лока б регистров, который хранит инФормацию впроцессе ее обработки и индикации,Кроме того, в запоминающем слоке 3при преобразовании ходных напрякений Б соответствующие последовательнсСти импульсов осуцествляется умножение значений 11 о и Пна коэФФициент К Беличина КОТОРОГО...
Устройство для измерения граничнойчастоты транзисторов
Номер патента: 842643
Опубликовано: 30.06.1981
Авторы: Вайтекунас, Павасарис
МПК: G01R 31/26
Метки: граничнойчастоты, транзисторов
...работает следующим образом.Для подготовки устройстна к рабо те в высокочастотную головку 19 вместо исследуемого транзистора 16 устанавливается перемычка 20. Сигнал от генератора 1 подается на тройник 2, который раэветвляет его на опорный и измерительный каналы 3 и 9. Сигнал опорным каналом 3 через вентиль 4, аттенюатор 5, измерительную линию б и аттенюатор 7 подается на выход вентиля 8, где он поглощается, а измерительным каналом 9 проходит через вентиль 10, аттенюатор 11, измерительную линию 12, высокочастотную головку 19, н которой вставлена короткоэамыкающая перемычка 20, конденсатор 18 и усилитель 17, При этом от входа усилителя 17 часть сигнала отражается, а часть его усиливается и передается через вентиль 8, аттенюатор...
Устройство для физического моделированиягибридных интегральных микросборок
Номер патента: 842644
Опубликовано: 30.06.1981
Авторы: Водяников, Гурылев, Лопухин, Шелест
МПК: G01R 31/26, H01L 21/70, H05K 13/00 ...
Метки: интегральных, микросборок, моделированиягибридных, физического
...19 и базовую пластину 20 к вакуумному захвату 11 манипулятора 10. После этого отключается электромагнит 16 управления клапаном, закрывается клапан 15, а затем отключается электромагнит 14 поддержки, Навесной элемент 8 удерживается у базовой пластины 20, благодаря разности давлений внутри и вне колпака 12. Чтобы такое удерживание обеспечить, необходимо, чтобы диаметр отверстий базовой пластины 20 был много меньше размеров меньшего из навесных элементов 8. Расстояние между отверстиями базовой пластины 20 должно быть тоже много меньше размеров навесного элемента 8, в противном случае на базовой пластине 20 будут области, где присосать навесной элемент не удастся, Переместив требуемый навесной элемент 8 и закрепив его на заданном месте,...
Устройство для разбраковкиполупроводниковых приборов
Номер патента: 842645
Опубликовано: 30.06.1981
Авторы: Сульжик, Тверезовский
МПК: G01R 31/26
Метки: приборов, разбраковкиполупроводниковых
...8, зажимы 9 и 10 длямеханического подсоединения полупроводникового прибора 1, второйпреобразователь 11 параметра.Устройство для разбраковки полу-,проводниковых приборов работает следующим образом.В исходном состоянии задатчик биспытательного сигнала вырабатываетэлектрические сигналы, которые поступают на эталонный прибор 7 и назажим 9 для подключения контролируемого прибора 1. На выходе преобразователя 11 параметра сигнал отсутствует. На выходе преобразователя 2параметра действует сигнал, величина которого пропорциональна параметру эталонного прибора 7. На выходахблока 3 деления и измерителя 8 сигналы отсутствуют. С подключениемЗОконтролируемого прибора 1 к зажимам9 и 10 преобразователем 11 параметрконтролируемого прибора...
Преобразователь статического коэффи-циента передачи toka транзистора вчастоту
Номер патента: 851290
Опубликовано: 30.07.1981
Автор: Ковальков
МПК: G01R 31/26
Метки: вчастоту, коэффи-циента, передачи, статического, транзистора
...восстанавливается и процесс повторяется снова.45Поскольку конденсатор заряжается до напряжения О( , а разряжается до напряжения 0, то время заряда равно1 зр =СЩ-О) 3Э сгде С - емкость конденсатора 4. ЗОЧастоту выходных импульсов преобразователя можно определить как Зк кбо 3 г с 7 ц-ЪсГц-ц 1 Ъфъ 4 рсорнргде с ., с,время разряда и заряда конденсатора; В" о - статический коэф 7 + Юкио Фициент передачитока испытуемоготранзистора.,источника регулируемого напряжения и к конденсатору.На Фиг, 1 приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого преобразователя; на фиг. 2 воЛЬт-амперная характеристика лавин, ного транзистора.5Преобразователь содержит испытуемый транзистор 1, в базу которого задается стабильный ток от источника ,2,...
Способ определения профиля концентрациипримеси b полупроводниках
Номер патента: 689423
Опубликовано: 07.08.1981
Автор: Нахмансон
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: концентрациипримеси, полупроводниках, профиля
...имеемили, используя (3),Если величина О является гармонической функцией времени0 = Оэ 1 им, и = 2 ЙЕ,то из (б) следует, что перная гармоника фото-ЭДС пропорциональна Сч т.е., согласно (1), пропорциональнакоординате х, а вторая гармоникафото-Эдс пропорциональна а(С )/а 1),т.е., согласно (2), пропорциональна1/И(х). Если величина 0 являетсясуммой двух гармонических величин то обе первые гармоники фото-ЭДС пропорциональны х, а обе вторые гармоники фото-ЭДС, а также сигналы фото ЭДС на комбинационных часто.тах Е + Г и Г 1 - Г пропорциональны 1/Я(х).В принципе для измерений достаточно использовать один световой поток, модулируемый с частотой Г/Г 1 = х /, для более точных измерений концентрации (1(х) предпочтительнее использовать два...