G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов
206649
Номер патента: 206649
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G01R 31/26
Метки: 206649
...жения, питающий такжетиристора, отличающееся т создания на измеряемом т режима с экспоненциальны стация напряжения, накопи тор КС-цепи связан с изм ром через вспомогательны стоянцый резистор, общий гательного и измеряемого т 20 Известны устройства для измерения теплового сопротивления тиристоров с периодическим нагревом тиристоров постоянным током в открытом состоянии,Недостатком подобных устройств является недостаточно высокая точность измерения теплового сопротивления,Предлагаемое устройство отличается тем, что, с целью создания на измеряемом тиристоре щелевого режима с экспоненциальным нарастанием напряжения для увеличения точности измерения теплового сопротивлениянакопительный конденсатор КС-цепи связан с измеряемы.тиристором через...
Устройство для испытания термоэлементов
Номер патента: 210227
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Горемыкин, Иванов, Полищук, Силин, Тереков, Типикин, Черкасский
МПК: G01R 31/26, H01L 35/20
Метки: испытания, термоэлементов
...б. редмет изоо етени оэлементов, определения при радиаия темпераенте за счет утационные ом концах ериалов, обпоглощения люминпя. При определении термоэлектрических характеристик термоэлементов необходимо наличие температурного градиента между горячим и холодным концами последнего, В существующих устройствах для этих целей применяют специальные нагреватели и холодильники.Предложенное устройство отличается тем, что в качестве коммутационных электродов применены материалы, обладающие различной степенью поглощения излучения, за счет чего температурный градиент на термоэлементе создается самим радиационным полем.На чертеже представлено предложенное устройство.Полуэлементы 1 и 2 закладываются между электродами 3 и 4, выполненными из...
Устройство для измерения величины нрямого падения напряжения 1управляемого полупроводникового выпрямителя
Номер патента: 211661
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Всесоюзный, Голованов, Сапожников
МПК: G01R 31/26
Метки: 1управляемого, величины, выпрямителя, нрямого, падения, полупроводникового
...на вентиле в 25 этот момент полупериода, Вольтметрпоказывает величину этого напряжения. Кнопкой КУ 2 закорачивают конденсатор, тем самым разряжая его и подготавливая для следующего опыта. Переключатель П 1 осуществляет 30 подключение измерительной цепи, состоящей из конденсатора С и вольтметра Ь, через диоды Д, и Д;, к испытуемому выпрямителю таким образом, чтобы,при испытании эта измерительная цепь была подключена через диод, имеющий полярность, противоположную той, которую имеет испытуемый выпрямитель в проводящий полупериод. Переключатель П 2 позволяет разъединить измерительную цепь и общую точку осциллографа. Временной замыкатель В содержит синхронный электродвигатель Д, на валу 1 которого, между изоляционными дисками 2 и 3 зажат...
Полуавтомат для контроля электрических параметров транзисторов
Номер патента: 212575
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Бел, Богданов, Егоров, Коваленко, Кравчук, Леднов, Мильский, Новиков, Таныгин, Терновский, Чайванов
МПК: G01R 31/26
Метки: параметров, полуавтомат, транзисторов, электрических
...12 на колодке 4 и удерживают их в прижатом положении в течение нескольких шагов барабана, пока осуществляется процесс контроля. Далее кулачки И выводят фиксаторы 10 из зацепления с колодкой 4, которая под действием собственного веса поворачивается вокруг своих осей б. Держатель 14 съемника 15 подходит к транзисторам 3 на грани барабана 2. С приводом полуавтомата жестко связана траверса 1 б съемника 15, В начале движения траверсы 1 б держатель 14 остается на месте. В пазах кулачка 17, расположенного на траверсе 1 б, находятся ролики 18 захватных губок 19, которые раскрываются212575 О35 кулачками, Кулачок 20 на траверсе, перемещаясь относительно подпружиненного рычага 21 отсекателя 22, ставит зубья 23 отсекателя, находящиеся между...
Устройство для определения импульсного
Номер патента: 217533
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Улановский
МПК: G01R 31/26
Метки: импульсного
...3, а через выпрямитель 4 измерительный ток от генератора 5.После пропускания греющего импульса через диод 1 температурозависимый параметр, например пороговое напряжение на диоде 1, меняется.Его переменная составляющая, пройдя через конденсатор 6, усц;швается усилителем 7 переменного тока, к выходу которого подключены пиковая ячейка 8 с минимально Возможным временем заряда и пиковая ячейка 9 с временем заряда, большим времени остывапия кристалла, но меньшим времени остывания корпуса диода 1. Обе ячейки при помощи диодов 1 О и 11 включены встречно а выходной прибор 12, показьизакпций разность значений порогового напряжения в указанные моменты времени, характеризующую тепловое сопротивление р - п-перехода.Если время разряда ячеек...
Устройство для измерения среднего значения
Номер патента: 218323
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Люков, Рапопорт, Семенюк
МПК: G01R 31/26
...измерений.Предлагаемое устройство отличается тем, что к интегрирующему элементу подсоединены аноды стабилитронов, катоды которых соеди. иены вместе и через сопротивление подсоединены к источнику синусоидального напряжения, Такое выполнение устройства повышает помехоустойчивость.На чертеже приведена схема устройства.К интегрирующему элементу 1 подсоединены аноды стабилитронов 2, катоды которых соединены вместе и через сопротивление 8 подсоединены к источнику синусоидального напряжения 4. Позицией б обозначен измерительный диод; б - разделительные диоды; 7 - измерительное устройство. билитронов приводит упериод синусоидальодит разряд интегриновременным снятием гехи значения. Таким элемент накаплизает ка в каждый полупеение помехг каАЛЫЙ...
Устройство для измерения температуры р—п-переходов
Номер патента: 219020
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Афанасье, Осмоловский, Самойлов, Скрипников, Томилинский
МПК: G01K 11/00, G01K 3/00, G01R 31/26 ...
Метки: р—п-переходов, температуры
...температуре окружающей среды.Это напряжение подводится ко входу 11 нуль-органа 5 аналого-цифрового преобразователя. К другому входу 12 от преобразователя 7 код-напряжение подводится опорное напряжение, соответствующее нулевому состоянию счетчика б, которое по абсолютной величине больше, чем начальное падение напряжения.При этом нуль-орган генерирует импульсы, так как напряжение на входе 12 больше, чем напряжение на входе 11. Эти импульсы поступают на вход счетчика б. По мере заполнения счетчика импульсами нуль-органа напряжение на выходе преобразователя 7 код-напряжение уменьшается пропорционально числу импульсов, записанному в счетчике б. Генерация нуль-органа прекращается в момент равенства напряжений на входах нуль-органа,Таким...
Устройство для измерения потерь преобразования смесительных свч диодов
Номер патента: 231632
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Васильев
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, потерь, преобразования, свч, смесительных
...1 б и модулятор 17.Так как в измерительном усилителе установлен квадратичный детектор, то можно счи тать, напряжения в различных точках схемыпропорциональными мощности.Источник сигнала импульсно модулируетсячастотойсов модуляторе 17. Мощность источника сигнала через ответвитель 2 подво дится к опорному б и испытуемому 8 диодам.К этим же диодам через ответвители 4 и 5 подводится мощность гетеродина 8. Преобразованные диодами сигналы усиливаются предварительными усилителями 9 и 10 соответ.20 ственно и поступают на входы синхронногопереключателя 11, который поочередно с частотой со, подает эти сигналы на вход главното усилителя 12.Усиленные сигналы поступают,на вход син хронного переключателя 14 и разделяютсятаким образом, что сигнал,...
Устройство выбора полярности питающего напряжения при проверке полупроводниковыхприборов
Номер патента: 231666
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G01R 31/26, G01R 31/28
Метки: выбора, питающего, полупроводниковыхприборов, полярности, проверке
...сопротивлению в проводящем направлении.На сртсже зобрасена электрическая схема описываемого устройства.Оно содержит управляющее сопротивление 1, инвертор на транзисторе 2, триггер, собранный на туннельном диоде 3 и транзисторе 4, и двуполярный источник напряженияЕ, и - Ез, подключенный к зажимам 5 и 6 соответственно. Рабочая точка туннельного диода устанавливается рсостатом 7. 11 спытуемый элемент (диод, р-и-переход) присоединяется к зажимам 8 - 9.Напряжение на управляющем сопротивлении 1 образуется в результате сложения токов от двух источников протвоположной полярности +Е, и - Ез Если испытуемый полупроводниковый переход (диод) будет подключен в прямом направлении относительно полярности напряжения :а сопротивлении 1, то на...
Способ измерения параметров нерезонансных пассивных трехэлементных двухполюсников
Номер патента: 234508
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Казаков, Новицкий, Соболевский
МПК: G01R 27/02, G01R 31/26
Метки: двухполюсников, нерезонансных, параметров, пассивных, трехэлементных
...реактивных составляющих сигнаАвлов Л в и в сразу же после приведения цевпи в первое квазиравновесие.В качестве примера рассмотрим работу измерителя параметров резистивно-емкостного двухполюсника.К выходу источника напряжения 1 рабочей частоты и подключен трансформатор напряжения 12, с помощью которого комплексная проводимость исследуемого двухполюсника и образцовая проводимость преобразуются соответственно в сигналы в, 1А=1=Е, - - о - , --- и1 1г .1 "СЗ 15 А =- = - Ев д20где Ео - э. д. с, источника 1- ток, протекающий в ветви сисследуемым двухполюсником; 251 - ток, протекающии в ветви собразцовой проводимостью,ии, иь а - количество витков обмоток13, 14 и 15 трансформаторанапряжения 12;30д - образцовая проводимость;Яи, Д 2 и,...
Устройство для измерения переходных характеристик полупроводниковых приборов
Номер патента: 234524
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Рацун
МПК: G01R 31/26
Метки: переходных, полупроводниковых, приборов, характеристик
...временных параметров полупроводникового прибора автоматическим сравнением трансформированных во времени с помощью стробоскопических преобразователей входного сигнала, поступающего на испытуемый полупроводниковый прибор, и выходного сигнала, снимаемого с этого прибора.Импульсные напряжения, обеспечивающие начало отсчета интервалов времени, формируются блоком 10 из переднего и заднего фронтов преобразованного входного сигнала, импульсы конца отсчета формируются блоком 11 в момент, когда амплитуда выходного сигнала достигает заданного значения.Блок 12 формирования импульсов запрета приводит в рабочее состояние схемы формирования импульсов начала и конца отсчета и нейтрализует влияние помех на их работу,Интервалы времени измеряются...
Цифровой измеритель статического коэффициента передачи тока транзисторов
Номер патента: 236564
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: G01R 31/26
Метки: измеритель, коэффициента, передачи, статического, транзисторов, цифровой
...представлена на чертеже.Сопротивление база-эмиттер испытуемого транзистора 1 является нагрузкой генератора 2 импульсов постоянного тока, состоящего из источника опорного напряжения 8, управляемого дискретного делителя 4, измерительного ЧЕСКОГО КОЭФФИЦИЕНТАНЗИСТОРОВ элемента 5, регулирующего элемента 6, импульсного модулятора 7, источника питания 8 генератора импульсов, а также переключателя 9 пределов измерения с эталонными рези сторами 10 и 11.При запуске схемы измерения блок управления 12 осуществляет запуск коммутатора 13, который своими контактами производит дискретное изменение сопротивления делителя 4. О Реличины сопротивлений делителя пропорциональны весовым коэффициентам выбранного цифрового кода.При изменении...
Способ измерения емкости туннельного диода
Номер патента: 236628
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Гуревич
МПК: G01R 31/26
Метки: диода, емкости, туннельного
...ключевой усилитель 3 постоянного тока, схему 4 сброса ТЛ в исходное состояние, интегрирующий каскад 5 (ди. одно-емкостная ячейка), генератор коммутирующего тока с отсчетным прибором б и сопротивление 7 обратной связи. Измеряемый диод используется в схемевольтметра в качестве дискриминатора. В исходном состоянии рабочая точка на характеристике ТД (см. фиг. 2) устанавливается 5 вблизи точки с,=1 что фиксируется по наличию тока в цепи обратной связи, При подаче импульсов напряжения от генератора 2 ТД из устоичивого состояния, соответствующего ветви ОЛ, переходит в новое устойчивое со стояние, соответствующее ветви И,. Ключевой усилитель срабатывает, и происходит заряд емкости диодно-емкостной ячейки, В результате вырабатывается ток...
Способ контроля качества изготовления элементов внутреннего люнгажа полупрозодниковьгх приборов
Номер патента: 238671
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Бреславец, Хуторненко
МПК: G01N 29/12, G01R 31/26
Метки: внутреннего, качества, люнгажа, полупрозодниковьгх, приборов, элементов
...только в процессе эксплуатации приборов.Цель настоящего изобретения - разработкаметода испытанц 11 полугтроводнцковых приборов, который обеспечивал бы выявление прц боров, имеющих сверхдопустцмые по конструкторской документации отклонен 1 гя элементов конструкции,внутреннего монтажа (внутренних выводов). Достигается ача тем, что все полупроводниковые приборы подвергают воздействи 10 у.1 ьтразву ковых колебанц 11 в цдкОЙ среде, не оказывающей агрессивного воздействия на покрытие ц элементы конструкции.В результате, воздействия на прибор знакопсрсмен 11 лх давлений, Возникающих:В жидкой среде при распространении ультразвуковых колебаний, происходят колебания лрцбора в целом и отдельных элементов его конструкции.Собственная...
Устройство для измерения времени запираниятиристоров
Номер патента: 240533
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Аранчий, Мустафа, Эпштейн
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, запираниятиристоров
...в том случае,240533 Составитель Э. Гилинская ипография, пр. Сапунова, 2 когда на коммутирующий тиристор 2 приходит управляющий импульс.К испытуемому тиристору 1 прикладьгвается линейно возрастающее напряженгие. Это же напряжение прикладывается к коммутирующему дросселю б. Через, диод 9 течет избыток тока подмагничивания. После перехода напряжения на конденсаторе че 1 рез нуль он заряжается в противоположную сторону тем же током подугагничивания. На этом коммутация заканчивается. По окончании коммутации коммутирующий конденсатор перезаряжается от сети переменного тока через автогрансформаматор 7 и тиристор 3, после чего схема вновь готова к коммутации. Процесс повтсряется периодически с частотой сети.Для того чтобы через тиристор 3...
Устройство для классификации полупроводниковых вентилей по величине обратного пробивногонапряжения
Номер патента: 241547
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Грицевский, Ильичев, Пашенцев, Тепман
МПК: G01R 31/26
Метки: величине, вентилей, классификации, обратного, полупроводниковых, пробивногонапряжения
...фиг. 2 приведены следующие обозначения: У, - напряжение сети; Г,от, - номинальное значение напряжения сети; /, амплитуда п импульса испытательного напряжения;- время.Принцип работы устройства состоит в следующем.Реверсивный коммутаторпеременного напрях ения по сигналу пуск начинает вырабатывать сергио спнусопдальных импульсов напряжения 1= ИЛп з 1 пЛг, амплитуды которых пропорциональны напряжениям классов испытуемых вентилей (прп этом амплитуда каждого импульса пропорциональна верхней границе п класса и нижней грашще п+1 класса),Высоковольтный управляемый выпрямитель 2 предназначен для повышения и выпрямления напряжения, поступающего на его вход от коммутатора 1. Выпрямитель 2 снабжен специальным быстродействующим выключателем,...
Импульсный мост для измерения электрических параметров р-п перехода
Номер патента: 244503
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Чеснавичюс
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: импульсный, мост, параметров, перехода, р-п, электрических
...точность измерений. На чертеже показана принципиальная схема описываемого моста.Позициями 1 и 2 обозначены переменные сопротивления, 8 - переменная емкость, 4 - 7 - ом ические сопротивления, 8 - измеряемый образец с . р - п-переходом, 9 - генератор П-образных импульсов уравновешивания;10 - генератор переменного напряжения (например звуковой), 11 - ограничитель и 12 - осциллограф с дифференциальным входом. Импульсный мост уравновешивают по переменному напряжению и ио амплитуде П-образного импульса напряжения уравновешивания в следующем порядке.5 Регулированием сопротивления 1 на экранеосциллографа вершину импульса уравновешивания совмещают с вершиной импульса смещения.Регулированием сопротивления 2 и емкости10 8 синусоиду на экране...
Устройство для измерения параметров р—п-перехода
Номер патента: 244511
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Чеснавичюс
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: параметров, р—п-перехода
...импульса, генератор 11 прямоугольных импульсов напряжения уравновешивания с длительностью -. р, генератор 12 прямоугольных импульсов йапряжения смещения с длительностью т, т р, сумматор 13 и осциллограф 14 с дифференциальным входом, один канал осциллографа включен в измерительную диагональ, а другой - в диагональ питания моста.Принцип работы устройства состоит в следующем.В диагональ питания моста поступает прямоугольный импульс напряжения уравновешиРедактор А. Пе а Заказ 2507/17 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 пография, пр. Сапунова вания с амплитудой, достаточно малой, чтобы вызванные им изменения параметров р - и-перехода были малы...
248848
Номер патента: 248848
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: G01R 31/26
Метки: 248848
...положению коммутатора в момент равенства тока и напряжения коллектора требуемым значением; Я, - входное сопротивление испытываемого транзистора.1По определению В= ", учитывая равенство (1), получим где У, - требуемый ток коллектора испытываемого транзистора.В равенстве (2) неопределенной является1 ксоставляющая - Я, так как величина й2неодинакова у транзисторов одного типа, и тем более у транзисторов различных типов. Поэтому при каждом измерении эту составляющую необходимо учитывать. Для этого величина напряжения, пропорциональная току базы, которая обеспечивает требуемые ток и наприкение коллектора испытываемого транзистора, запоминается запоминающим устройством б. Формирователь кода включает реле Р которое своими контактами Р...
251094
Номер патента: 251094
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: G01R 31/26
Метки: 251094
...чертеже приведена принципиальная схема устройства для многократных испытаний полупроводниковых приборов на вторичный пробой.Устройство содержит клеммы 1, 2 для подключения сиспытуемого полупроводникового прибора 3, генератор 4 импульсов запуска,схему 5 формирования импульсов управления и быстродействующую короткозамыкающую цепь 6, Т.Схема формирования импульсов управле ния содержит ограничитель уровня напряжения (стабилитрон 8 и резистор 9), дифференцирующую цепь (конденсатор 10 1 с входное сопротивление транзистора 11) и инвертор (транзистор 11 и рези:гор 12). Для измерения тока испытуемого прибора в цель вклк чен резистор 13.Прннцип действия устройства следующий.С генератора 4 на исследуемый прибор 3подается одиночный импульс...
Способ определения резонансных частот
Номер патента: 258462
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Козлов, Перельман, Придоро
МПК: G01R 31/26
Метки: резонансных, частот
...под микроскопом, либо с помощью датчика перемещений. В том и другом случае корпус испытуемого прибора вскрывают для обеспечения 1доступа к исследуемым элементам конструкции и удаляют вязкий наполнитель (если олимеется). Элементы конструкции полупроводникового прибора поочередно размещают вполе зрения микроскопа или в поле датчика, 1Прибор подвергают воздействию вибрацииплавно изменяющейся частоты. При этом путем наблюдения амплитуды колебаний илиамплитуды сигнала, поступающего с датчика,фиксируют увеличение амплитуды колебаний 2в момент резонанса.Недостатками указанных способов являются большая трудоемкость и сложность процесса измерения, обусловленные необходимостью вскрытия корпуса испытуемого прибора 2с обязательным сохранением...
Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов
Номер патента: 258466
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Дикун
МПК: G01R 31/26
Метки: параметров, полупроводниковых, приборов
...напряжения в код, ключ 7, к выходам которого подключены два регистра 8 и 9, соединенных с вхо дами арифметического устройства 10. Выходпоследнего подключен к регистрирующему устройству 11, причем ключи 2 и 4 имеют клеммы для подключения испытуемого транзистора 12.20 Кроме того, устройство содержит генератор 13 тактовых импульсов, который связан со входами ключей 2, 4, 7 и арифметического устройства 10.Устройство работает следующим образом.25 При подключении испытуемого транзистора12 к схеме запускается генератор 13 тактовых импульсов, переводящий ключи 2, 4,. 7 таким образом, что сигнал от генератора 1 переменной частоты поступает на эталонное 30 сопротивление 3 и далее через усилитель б и258466 Предмет изобретения Составитель О....
Устройство для измерения среднего значения
Номер патента: 262276
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Осмоловский, Самойлов, Скрипников
МПК: G01R 31/26
...в момент макси мума синусоиды обратного напряжения.На чертеже изображена схема интегратораобратного тока полупроводниковых диодов.Блок 1 задания режима устанавливает режим динамических испытаний: ток синусои дальной формы через испытуемый диод 2 дляпрямого направления и напряжение синусоидальной формы для обратного направления, Разделение цепей прямого и обратного токов осуществляется с помощью диодного переклю чателя 8.Когда к прямому диоду 2 прикладываетсяобратное напряжение, то протекающий через него обратный ток заряжает конденсатор 4 до напряжения, пропорционального среднему 25 значению обратного тока.В полупериод прямого тока, напряжение,подаваемое из блока 1 задания режима, выводит стабилитроны б в область стабилизации...
Устройство для подключения диодов таблеточного типа к блоку измерений
Номер патента: 266872
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Черг, Чечельницкий
МПК: G01R 31/26
Метки: блоку, диодов, измерений, подключения, таблеточного, типа
...фиг, 1 изображено предлагаемое устройство в разрезе; на фиг. 2 - его общий вид,Подвижный контакт 1, выполненный в виде 5 10 15 20 25 контактного ножа, закреплен наизолирующей втулки 3, может смещаться в указанном пазу ипружиной 4,Неподвижные контакты 5 и б закреплены во втулке 3 с помощью гаек 7 и установлены симметрично относительно контакта 1.На наружную цилиндрическую поверхность втулки 3 свободно надета ручка 8, снабженная профильным участком 9 и пазом 10, в который входит штифт 11, закрепленный во втулке 3. Перемещение ручки 8 вдоль оси втулки 3 ограничено с одной стороны буртом 12, а с другой - врезной шайбой 13. Устройство крепится к панели прибора накидной крышкой 14 и двумя гайками 15, навинченными на резьбовые...
Способ испытаний на циклостойкость силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 270079
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Чесноков
МПК: G01R 31/26
Метки: испытаний, полупроводниковых, приборов, силовых, циклостойкость
...прцпоев. Температуру перегрева любого элемента 25 конструкции прибора, а также контактноосоединения можно с достаточным приближением оценить методом электротепловой аналогии (ЭТА),Как показывает анализ методом ЭТА, для 30 типичных конструкций прцооров оп 1)едсляю 270079Шим фактором при оценке предеЛьно допустимой температуры структуры является температура плавления контактного соединения кремниевой пластины с вольфрамовыми термокомпенсаторами.Учитывая возможность существенно большего допустимого перепада температур в контактном соединеНии в процессе циклирования однократными импульсами тока (особенно при снятии с структуры обратного напряжения в схеме циклических испытаний), а также тот факт, что при кратковременных импульсах...
Устройство для установки диодов в гнезда
Номер патента: 270844
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01R 31/26
Метки: гнезда, диодов, установки
...на верхней части которогоустановлен кулачок 7, жестко связанный с толкателем 8 с воздеиствующеи на него пружиной 9 и связанные с губками 10 рычаги 11 с роликами 12.У основания ползуна перемещается язычок 13 с цилиндрической пружиной 14 и плоской пружиной 15, Винт 1 б, предназначенный для управления язычком, размещен в кронштейне 17, на котором закреплены кулачки 18 и 19. В кассету загружают диоды 20, при ее опускании кулачок 5 отодвигает ползун, а выступ язычка захватывает проверенный диод за буртик, и он подает на распределитель ту или иную тару. Когда ползун прижат к волноводной секции, язычок находится в крайнем правом положении, зубчик плоской пружины 15 западает и удерживает язычок, позволяя диоду свободно падать. При перемещении...
Полуавтомат для разбраковки транзисторов по величине и стабильности обратных токов при повышенной температуре
Номер патента: 273004
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: G01R 31/26
Метки: величине, обратных, повышенной, полуавтомат, разбраковки, стабильности, температуре, токов, транзисторов
...электрического параметра, заключающееся всравненпи двух электрцческих 1 величин, осуществляется с помощью запоминающего устройства в виде конденсатора 10 и сопротивления 11, установленного в каждом рабочемгнезде оарабапа,Транзисторы, забракованные по определенному параметру, снимаются с барабана механизмами 12 в бункеры 13, число которых равно числу контролируемых параметров,На неподвижной части машины установлены измерительные блоки 14 (по одному ца каждый измеряемый параметр) и источники питания 15, подсоединяемые к выводам исследуемых транзисторов через неподвижный электрический коллектор 9 и пружинные контакты 8.Принцип работы состоит в следующем.При прохождении обратного тока транзистора 7 через сопротивление 11...
Способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов
Номер патента: 274233
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Вители
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового
...Обра зующееся при этом на приборе напряжениеподают на фильтр первой гармоники, затем отселектцрованный сигнал напряжения с фильтра и ток тцрцстора подают на фазочувствительный прибор, по отградуиров анной О шкале которого определяют тепловое сопротивление полупроводникового прибора. Известны способ противления полуп которым измеряют бора непосредствен полупроводника ко бором мощность, а сопротивление, хар в приборе,Недостатком необходимость вт измерения теплового сооводниковых приборов, по температуру корпуса прино, температуру кристалла свенно, рассеиваемую призатем вычисляют тепловое акте ризующее теплоотвод известного способа является трех операциях измерения и ения теплового сопротивления ния - обеспеа теплового соо прибора...
Способ определения максимальной л1гновенной
Номер патента: 274234
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Андреев, Улановский
МПК: G01R 31/26
Метки: л1гновенной, максимальной
...после выравнивания теъпературы в кристалле полупроводника.Недостатками этого способа измерения являются небольшая разность напряжений (на порядок меньше .,г,р) ц чередование периодов измерения сг,р с периодами нагрева, в течение которых на диоде возникает большое напряжение Ь.При импульсном нагреве диода . может быть на два порядка больше измеряемой разности ДвУх мгновенных значений 1,г,р.Цель изобретения - повышение точности измерения, Достигается оца тем, что снимаемое с измеряемого полупроводникового прибора напряжение ОГраичгпаот ио заксиз 1 м до среднего значения этого напряжения, а раз. ность минимального мгновенного значения и среднего значения, ограниченного по максимуму напряжения, преобразуют в выходной сигнал. Частоту...