G01R 31/26 — испытание отдельных полупроводниковых приборов
Способ контроля характеристик полупроводниковых приборов
Номер патента: 624180
Опубликовано: 15.09.1978
Авторы: Голынная, Приходько, Соболев, Хоменко
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводниковых, приборов, характеристик
...прибора.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу стабильность опре- ,деляют по разности двух значений фото.-ЭДС при освещении перехода между замерами излучением мощностью, не ни624180 2 4 г же чем в 10 раз превыаающей мсхцность облучения при измерениях.Способ осуществляется следующим образом.После изготовления р .- Н -переходов на пластине полупроводника измеряется величина фото-ЭдС при освещенности Б 1 поверхности прибора, затем освещенность поверхности вбли." зи р -И -перехода увеличивают до зна чений Е ф (10+15). Е 1 на время, которое одного порядка со временем релаксации заряда на поверхностных состояниях. После этого проводится повторное измерение фото-ЭДС при освещенности Е 1 поверхности прибора. Величина...
Устройство для испытания полностью управляемых вентилей
Номер патента: 629628
Опубликовано: 25.10.1978
Авторы: Киеня, Кочкин, Френкель
МПК: G01R 31/26
Метки: вентилей, испытания, полностью, управляемых
...7 приложено прямое высокое напряжение (десятки киловольт). Диод 8 и резистор 9 исклю629628 Формула изобретения оставитель В. Скоробо Техред О. ЛуговаяТираж 1044 ова Корректор Поднисно Редактор Н. РазумоЗаказ 6080/47ЦНИИП 14 Го 4 акаревин ударственного по делам изоб Москва, Ж 3 ПП Патент, омитета С ретений и 5, Рву шск г Ужгород вета Министровтнйд. 4/5Проектная откр 11303Филиал я на улчают попадание высокого напряжения в цепи источника 2, Величина резистора 9 выбирается такой, чтобы к выходу источника 2 прикладывалось напряжение, ра нное или меньше собственного его напряжения (высокое напряжение от источника 1 делится пропорционально обратному сопротивлению диода 8 и резистора 9, а ри отсутствии резистора 9 -- диода 8 и диодов...
Устройство для измерения экстремальных токов туннельного диода
Номер патента: 630600
Опубликовано: 30.10.1978
МПК: G01R 31/26
Метки: диода, токов, туннельного, экстремальных
...11 строб-импульса, резистор 12.Задающий генератор 2 подключен к управляющему источнику тока 3, в цепь которого последовательно включен токосъемный резистор 7 и исследуемый диод. Анод диода соединен с дискриминатором 4 перепадов, выход которого подключен к источнику регулируемого тока 3 и генератору строб-импульса 11, связанному с электронным ключом 9 и источником регулируемого тока 3.К токосъемному резистору 7 подключен операционный усилитель 8, соединенный через электронный ключ 9 с запоминающим устройством 10, выход которого связан с индикатором 6, инвертирующим входом операционного усилителя 8 и через резистор 12 с анодом диода 1.Работа устройства осуществляется следующим образом.Цикл измерения тока птах начинается подачей на...
Устройство для неразрушающего измерения ударного тока силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 636562
Опубликовано: 05.12.1978
Авторы: Гамаюнов, Паленик, Пащенцев, Смирнов
МПК: G01R 31/26
Метки: неразрушающего, полупроводниковых, приборов, силовых, ударного
...со генератор 1 сину ударного тока, и литель 3 (11, /2 =(11 / =гЬ, ), сх ГЬ 1, блок индика зистор 8. Устройство ра зом.ается тем,блока дев цепиюченный км блокиелем тока, емым приа друВыход схемытором им3 636562 формула изобретения Составитель В. НемцевРедактор Т,Орловская Техред З,фанта КоРРектоРП,МакаревичЗаказ 6933/36 Тираж 1070 Подписное11 НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035 москва иРакескак иао. а.45 Филиал ППП Патент, г,ужгород, ул,Проектная, 4 Испытуемый прибор (диод, тиристор) подключают к клеммам и запускают управляемый генератор 1 синусоидального импульса ударного тока, амплитуда которого превышает значение ударного тока, предусмотренное ГОСТом для данного типа...
Способ определения профиля легирования полупроводниковых материалов
Номер патента: 640216
Опубликовано: 30.12.1978
Авторы: Гудков, Невский, Сушков
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: легирования, полупроводниковых, профиля
...персонал, сложно, наладить серийное производство для использования установки в про. мышленности.Известен также способ 2профиля легирования полупматериалов Ба р - и-переходаШоттки путем подачи на ис трации альной рохож- линейО в том ты на кп пл ности где С=еяда-Ущая. Прп включенванного меандром- 1,0 Кгц, в измерися низкочастопныйкоторый легко уси,и подается:на,реги посто ая составля А соя И Лlопределения роводниковых х и барьерах следуемый обеьда-Мое унрощя тому, ч ние схемы достигао отношение частот Существен ЗО ется благодаИзобретение относится к роля свойств полупроводны быть использовано как для так и для непрерывной регис ля легирования в полупровод риалах на р - п-,переходах. единением заяаки-ии така ВЧ, модулиронизкой частоты...
Способ определения шумового напряжения в полупроводниках
Номер патента: 640217
Опубликовано: 30.12.1978
Авторы: Алексеюнас, Барейкис, Бондаренко, Либерис
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводниках, шумового
...области материала. Это,достигают тем, что перепад температур выбирают такой величины и созда640217 Р, М = 1+ - =1+0,12. и л Ял Я,=., 1 + И Лпри 3 Я ( Р Формула изобретения Составитель Т. Дозоров Текред С, Антипенко Редактор И. Грузова,Корректор С, файн Заказ 1136/40 Изд.353 Тираж 070 Подписиос НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушскаи наб., д. 4/5 Тип. Харьк. фпл. пред. Патент сот его таким образом, чтобы отклонение от единицы соотношений сопротивлений областей полупроводника, находящегося в состояжии до,и после фазового перехода, обусловливалось только изменением,их сопротивлений, вызванных переме 1 цением границы фазового превращения при тепловой модуляции, а значения...
Устройство для испытания вентиля
Номер патента: 641345
Опубликовано: 05.01.1979
Авторы: Варфоломеева, Кочкин, Френкель
МПК: G01R 31/26, H02M 7/12
...расширение функциональных возможностей,Поставленная цель достигается тем, что испытуемый вентиль подсоединен параллельно нагрузочному реактору, а третий допол. нительиый выход логического элемента. соединен со входом блока управления второй группой вентилей,На фиг. ) показана электрическая схема предложенного устройства; на фиг. 2 диаграммы напряжений н токой в схеме.Предлагаемое устройство содержит рабочие вентили- 3 катодной группы преобразователя, рабочие вентили 4 - 6 аиодной группы преобразователя, трехфазный .питающий трансформатор 7, нагрузочный реактор 8, испытуемый вентиль 9, блокО управления катодиой группой вентилей, блокуправления вводной группой вентилей, звено 12 управлейня испытуемым вентилем и логический элемент...
Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов
Номер патента: 642653
Опубликовано: 15.01.1979
Авторы: Масленников, Романов
МПК: G01R 31/26
Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов
...спусковыеустройства соединены между собой, каждое из них соединено с сигнальнымустройством, и одно из спусковых устройств соединено с источником анодного напряжения и генератором пилообразного сигнала, а другое с обоиминуль-органами, 5На чертеже представлена схемаописываемого устройства.На схеме показаны генератор 1 одиночного пилообразного импульса, нульорган 2 и нуль-орган 3, представляющие собой диодно-регенеративные пороговые устройства с дискретно регулируемым порогом срабатывания, порогсрабатывания которых устанавливаетсяна уровне граничных значений отпирающих тока и напряжения управления,спусковые устройства 4 и 5, сигнальное устройство 6 брак, сигнальноеустройство 7 годен, резисторы 8и 9, источник 10 анодного напряженияи...
Неразрушающий способ контроля степени однородности структур силовых тиристоров
Номер патента: 642654
Опубликовано: 15.01.1979
МПК: G01R 31/26
Метки: неразрушающий, однородности, силовых, степени, структур, тиристоров
...ППП ффйатентф, г.ужгород, ул.Проектная, 4 вследствие неравномерного тепловогонагрева проводящего элемента, но неучитывает другие факторы, приводящиек локализации максимальной нагрузки.(неоднородность удельного сопротив 1 дения кремния, неоднородность фронтадиффузии .и т,д,),Целью изобретения является обеспечение возможности учета максимальной локальной нагрузки при количественной оценке степени неоднородностиструктуры и повышение точности оценки,Цель Достигается тем, что по предлагаемому способу измеряют напряжение переключения тиристора при фиксированной скорости нарастания анодного напряжения через фиксированныйпромежуток времени после протеканияпрямоугольного импульса тока, измеряют напряжение переключения исследуемой...
Устройство для измерения коэффициента усиления по току транзисторов
Номер патента: 645102
Опубликовано: 30.01.1979
Автор: Пецюх
МПК: G01R 31/26
Метки: коэффициента, току, транзисторов, усиления
...переключателях 8 и 9,причем резистор 3 включен в отрицательную обратную связь операционного усилителя 2, к выходу которого подключены дваконденсатора 5 и 6, которые через коммутатор 7 поочередно подключены к общейточке и регистрирующему устройству,Описываемое устройство работает следующим образом.5В первом такте управляемый источникпостоянного тока 1 задает известное значение тока эмиттера 1,ь В базе испытуемоготранзистора протекает ток 1 в. Ток 1 и преобразуется с коэффициентом преобразования К операционным усилителем 2, охваченным отрицательной обратной связью(резистор 3) в напряжение.Схема построена так, что всегда один изконденсаторов 5 или 6 подключен на общуюточку, а другой - к регистрирующему прибору. Поэтому напряжение Увв,х с...
Устройство для измерений характеристик переключающего элемента
Номер патента: 646277
Опубликовано: 05.02.1979
Авторы: Барейкис, Гальдикас, Либерис, Приходько, Чеснис
МПК: G01R 31/26
Метки: измерений, переключающего, характеристик, элемента
...от импульса к импульсу изменяющейся амплитудой. Эта последовательность импульсов используется дляизмерения импульсной "ольтамперной характеристики. При помощи блока 5 онаскладывается с последовательностью импульсов, поступающих от генератора 3.Суммарное напряжение через ограничи- .тель 6, который предназначен для ограничения тока при переключении исследуемого элемента в низкоомное состояние и тем самым предотвращения еговыхода из строя, поступает на вход измерительной пепи, который состоит изсопротивления 7,и испытуемого"й перехода 8, помещенного в волновод 19.Одновременно с запуском генераторов2 и 3 через диоды 11 и 12 запускается блок 13 модуляции яркости луча осциллографа,который вырабатывает импульсы найряжения, сдвинутые по...
Устройство для измерения допустимой мощности полупроводниковых приборов
Номер патента: 646278
Опубликовано: 05.02.1979
Автор: Рыскин
МПК: G01R 31/26
Метки: допустимой, мощности, полупроводниковых, приборов
...помощью генератора 5 измерительного тока выставляется начальное нвпряженио эмиттер-база ЦэочПриэтом для всех испытуемых приборов данной партии выполняется условие;Затем с помощью источника 1 напряжения сравнения выставляется напряжение сравнения Оса из условия:)ср э-Кнац ( э о) "где- заданная температура перехода, при которой необходимо измеритьмошйость полупроводникового прибора;1 о - температура окружающей среды;(температурно-зависимый параметр в прямое падение напряжения У д. ).По сигналу "Пуск" блок синхрониза 55ции 4 начинает периодически включатьгенератор 3 греющего тока и выключатьна это время генератор 5 измерительноготока. Время рабаты генератора 3 греющего тока значительно больше времени ра 4 Оботы генератора 5 измерительного...
Устройство для измерения параметров аморфных и стеклообразных пороговых переключателей с -образной вольтамперной характеристикой
Номер патента: 648920
Опубликовано: 25.02.1979
Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Рибикаускас, Сакалаускас
МПК: G01R 31/26
Метки: аморфных, вольтамперной, образной, параметров, переключателей, пороговых, стеклообразных, характеристикой
...9 напряжения включения и вольтметр 10 напряжения поддержки, Выход генератора 1 через нагрузку 2 соединен с входами параллельно включенных испытуемого порогового переключателя 3 и повторителя 4 напряжения. Выход повторителя 4 напряжения соединен с входами дифференцирующей цепочки 5, ключа 7 и вольтметра 9 напряжения включения. Выход дифференцирующей цепочки 5 цодключен к схеме управления ключом, а ее выход - к ключу 7. К выходу ключа 7 подсоединены счетчик 8 импульсов вольтметр 10 напряжения поддержки, 26Устройство работает следующим образом С генератора 1 на испытуемый пороговой переключатель 3 через нагрузку 2 подается пилообразный импульс напряжения. Когда напря- ЗО ;жение на пороговом переключателе 3 достигает величины 0 к , он...
Устройство для контроля параметров варикапов
Номер патента: 651275
Опубликовано: 05.03.1979
Автор: Тверезовский
МПК: G01R 31/26
Метки: варикапов, параметров
...схемы сравнеЭ ния соединен с регулируюшим блоком исхемой управления, ее выход соединенс управляющими входами, коммутатора,источника смешения и регулирующегоблока, подключенного ксхеме с управЭллемым коэффициентом передачи, входкоммутатора соединен через . емкостьс генератором высокочастотного сигнала и через первый резистор с источником смешения, один выход коммута 40тора подключен к образцовой емкости, адругой - к клемме для подклхоченилиспытуемого прибора,Такое устройство благодаря наличиюсхемы с управляемым коэффициентом43передачи, регулирующего блока, источника опорного напряжения и схемы сравнения, работа которого осуществляетсяпо сигналам со схемы управления, позволяет измерять емкость,варикапа, коэфипиент перекрытия по емкости...
Устройство для определения режима работы вентильных преобразователей
Номер патента: 652508
Опубликовано: 15.03.1979
МПК: G01R 31/26, G01R 31/27
Метки: вентильных, преобразователей, работы, режима
...с выпрямительными мостами переменного гока 4,5, 6, оптоэлектронные ячейки 7,8,9 и транзистор 10 блока индикации 11, в цепь базы которого последовательно включены выходы оптоэлектронных ячеек.Устройство работает слепуюпим образом еКонтролируемые напряжения на полупроводниковых веигипях подаются на входымостов переменного гока 4,5,6, выходы этих,мостов соединены со входнымиклеммами оптоэпекгронных звеньев связи 7,8,9. Если величине напряжения навыходе кака о-йибо моста меньше некогорого выбранного значения, го/светоизпу чаащий 1 элеменг оптоэлектронной ячейкине вызывает изменения состояния выходного фотогранзистора. Последовательнаяцепь иэ выходов оптоэлектронных устройств в цепи базьг транзистора 10 йыпоцияет логическую функцию,...
Устройство для измерения пробивного напряжения р-п перехода
Номер патента: 654917
Опубликовано: 30.03.1979
МПК: G01R 31/26
Метки: перехода, пробивного, р-п
...изобретения - обеспечение неразрушающего контроля пробивного напряжения полупроводниковых приборов.Поставленная цель достигается тем, что в предлагаемое устройство введен конденсатор, подключенный между выходом генератора импульсного напряжения и клеммами для подключения испытуемого элемента.Конденсатор образует с испытуемым образцом дифференцирующую цепь, постоянная времени которой зависит от сопротивления испытуемого полупроводникового прибора.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из гпульсного напряжения с р654917 5 где 10 Составитель И. МузановРедактор Т. Рыбалова Техред Н, Строганова Корректор О. Тюрина Заказ 318/13 Изд. ЛЪ 256 Тираж 1089 Подписное НПО Государственного комитета СССР по делам...
Устройство для измерения нелинейности фотоприемников и оптических излучателей
Номер патента: 655944
Опубликовано: 05.04.1979
МПК: G01R 31/26
Метки: излучателей, нелинейности, оптических, фотоприемников
...на вход анализатора основныхсигналов с частотами К 1 1 и 1. Напряжения этих сигналов измеряются широкополосными вольтметрами 13.Определение затухания второй гармоники С . осуществляется посредством измерения напряжения комбинационного сигнала с частотэй4(при этом тре 40тий светодиод выключей), третьей гармоники а, - с частотой Уз, Хч ф 1- ЕСледует оговориться, что йспользование комбинационного сигнала с частотойх, - в данном случае недопустимо, так 4Ф фй.как результаты измерений могут бытьискажены из эа возникновения в излучателе гармоник основных сигналов,Нелинейные искажения фотоприемникамогут быть различны на различных поэлектрическому выходу частотах. Поэтому,исследования проводят, выбирая частотуКк = ,ф 1 уоочередно на...
Устройство для измерения гистерезисных характеристик мдп структур
Номер патента: 655996
Опубликовано: 05.04.1979
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: гистерезисных, мдп, структур, характеристик
...измерений и автоматического синхронизатора 10, предназначенного для синхровизвции работы всего устройства. Ко входам схемы 8 вычитания подключены емкости 11, 12, предназначенные дня расширения импульсов, подаваемых нв иих вночвми 7 и 8, сигнальные входы которых подключены к генератору 4 пилообразного напряжения, а управляющие входы к пороговому устройству 6.При подаче сигнала от генератора 1 на испытываемую Мйй структуру 5, через нее прогекаег ток и нв твкосьемном резисторе 3 выделяегса напряжении, про-, порциональное емкости. Это напряжение усиливается и детекгируегся усилителем 2 измерительного сигнала, а затем попадаег на вход порогового устройства 6.По команде авгоматического синхро низа тора 10 запускается генератор 4...
Измеритель времени рассасывания транзисторов
Номер патента: 655997
Опубликовано: 05.04.1979
Автор: Шатило
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, измеритель, рассасывания, транзисторов
...3 гока в базу испытуемоготранзистора 4 начинает втекать отпирающий ток 1 б (фиг. З,б). Транзистор Тоткрывается и ток 1 (фиг. 2) со второго выхода переключателя 3 гока поступает на вход дискриминатора 9 гока(фиг. З,в). При этом на выходе дискриминатора 9 гока появляегся отрицательный перепад (фиг. З,д), который задерживается цепью последовательно соединенных логических схем 1 и через время 1 появляегся на входе переключате,ля 3 гока. При этом ток 1 переключается со второго выхода переключателя 3 тока на первый (иэ транзистора Т в гранзисгор Т -фиг. 2) и в базу испытуемого транзистора 4 пос тупее г эа пирающий перепад (фиг, З,б), Напряжение на коллекторе испытуемого транзистора 4 начинаег нарастать через время, равное времени...
Устройство для определения концентрации примесей в полупроводниках
Номер патента: 658507
Опубликовано: 25.04.1979
Автор: Нахмансон
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: концентрации, полупроводниках, примесей
...В - коэффициент пропорциональ-, ности, а Ч - напряжение образца, Для 14 ДП структур эти формулы также могут быть использованы, поскольку диэлектрик .чисто 1 формально (с некоторой траисФормацией толщины в соответствии с разницей диэлектрических постоянных) может быть отнесен к области пространственного заряда. устройство для измерения концентрации примесей работает следующим образом. Высо кочастотн ый сиги ал ча. готы 1, от генератора 1 через мо. дулятор 2 и усилитель 3 попадает на мост 4, и, пройдя через образец 5, выделяется на малом токосъемном сопротивлении 7. С помощью емкости 6 можно скомпенсировать ток, текущий через паразитную и краевую емкость С , так что сигнал на выходе моста будет пропорционален только емкости 1...
Устройство для регистрации вольтфарадных характеристик
Номер патента: 658508
Опубликовано: 25.04.1979
Авторы: Балтянский, Зверева, Кузнецов, Лях, Рыжевский, Фельдберг, Цыпин, Чернецов
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: вольтфарадных, регистрации, характеристик
...выход упранляемого .делите.ля напряжения соединен с упомянутымобразцовым резистором, первый и второй образцовые конденсаторы включенысоответственно в целях обратной снязи первого и второго усилителей, авыход второго усилителя одновременно 60соединен через третий образцовый конденсатор со нходом первого усилителяи через фильтр нижних частот - с управляющим входом регулируемого сопротивления,На чертеже представлена функциональная схема устройстна,. выполненная согласно данному изобретению.Устройство содержит генератор синусоидального напряжения 1, объект измерения 2, источник смещения 3, управляемый делитель напряжения 4, образцовое сопротивление 5 (В ), усилитель б, выпрямитель 7, самописец 8, индикатор синфазнос; 9, иннертор 10,...
Устройство для измерения приведенного теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 661435
Опубликовано: 05.05.1979
Автор: Хазен
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводниковых, приборов, приведенного, силовых, сопротивления, теплового
...полупроводникового прибора 40. С датчиком тока связана также катушка 5 управления, помещенная в защитный электромагнитный экран, внутри которой размещены, например, магнитоуправляемые контакты 6, 7 и 8 типа Геркон: нормально замкнутые 7 и 8 в цепях мостового измерителя 1 падения напряжения на р - п-переходе и нормально разомкнутый 6 в гальванической цепи 26 холлов ского преобразователя 3 мощности, Катушка 5 управления также может быть совмещена с датчиком 4 тока силовой цепи 42, если магнитоуправляемые контакты 6, 7 и 8 типа Геркон поместить в виток, образованный кабелем силовой цепи 42, Выходы блоков 1 и 3 через сглаживающие, например, Т или П-образные К - С фильтры 9и 10, с индуктивностями 32 и 37, емкостями 33, 34, 35 и 36,...
Измеритель временных параметров полупроводниковых приборов
Номер патента: 661436
Опубликовано: 05.05.1979
Авторы: Ковальков, Медведев, Ошемков
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: временных, измеритель, параметров, полупроводниковых, приборов
...нем транзистор12 надежно заперт. Через транзистор13 ток также не протекает, посколькузаперты транзисторы 5 и 7Пусковой импульс запускает формирователь 1 тестового импульса прямо-угольной формы. На фиг. 2,а показанслучай, когда длительность фронта тестового импульса не равна нулю. Придостижении входным напряжением 1)ВХ(1)уровня По ток Д,1 начинает перераспределяться между транзисторами 4 и 5,а несколько позже, когда Пвых(1) сравнивается с Поп 2, начинает йерераспре"деляться между транзисторами б, 7 иток генератора 9 Ю (фиг. 2,в,д). Пе-риоды времени между моментами пересечения входным напряжением Овх (1.)уровня Ццц и выходным Пвых (1) уровняравны измеряемью задержкам включения 1 и выключения 12 испытуемогоприбора 3., Поскольку...
Способ измерения электрофизических характеристик полупроводника
Номер патента: 661437
Опубликовано: 05.05.1979
Автор: Рагаускас
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: полупроводника, характеристик, электрофизических
...гранях образца находит.применение способ 21.Измерения электрофизических характеристик полупроводниказаключаютсяв том, что полупроводниковый образец помещают в скрещенные магнитное иэлектрическое поля, измеряют их велйчину и регистрируют электрический.сигнал на поверхности полупроводника.Однако, в известном способе из-за воздействия на образец стационарных сил Лоренца в процессе измерения имеет место определенное изменение отношения величины поверхностных электростатических потенциалов во и авэо наа противоположных гранях образца. В результате этого изменяются и скорости поверхностной рекомбийации на этих гранях. Следовательно имеет место зависимость между результатами и режимом измерения, которая приводит к грубым погрешностям....
Устройство для испытаний полупроводниковых вентилей
Номер патента: 661438
Опубликовано: 05.05.1979
Авторы: Абрамович, Либер, Сакович
МПК: G01R 31/26
Метки: вентилей, испытаний, полупроводниковых
...интервале (г - 14 конденсаторы 24 и 25 26 перезаряжаются токами 8 и 1 о (фиг. 2 в)через отпертые вентили. Перезаряд емкости 24 происходит по контуру, включающему вентили 8 и 17 индуктивности 23 и 11; связь 35 и обмотку фазы 29 трансформатора 28.Перезаряд емкости 26 происходит по контуру, включающему вентили 10 и 17, индуктивности 25 и 13 и обмотку фазы 29 трансформатора 28.Токи 8, 1 о перезаряда конденсаторовимеют синусоидальную форму. Требуемая величина токов и частота обеспечиваются соответствующим выбором параметров колебательных контуров перезаряда.Напряжения конденсаторов 24, 26 такжеимеют синусоидальную форму и прикладываются соответственно к запертым венти О лям 7 и 9 (1.1 э фиг. 2 б) сначала вобратном направлении на интервале- 1,...
Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов
Номер патента: 661440
Опубликовано: 05.05.1979
Автор: Выменец
МПК: G01R 31/26
Метки: коэффициента, передачи, статического, транзисторов
...входом операционного усилителя 1.Устройство работает следующим образом.На коллектор испытуемого транзистораподается необходимое напряжение от источника 12 коллекторного напряжения, ток коллектора измеряется измерителем 11.Импульсное напряжение на линии связи9 равно импульсному напряжению "на выходе регулируемого генератора импульсов 3, так как операционный усилитель 1 охвачен отрицательной обратной связью через измерительный резистор 4, что приводит к равенству потенциалов на обоих входах операционного усилителя 1. Так как разность потенциалов линии связи 9 и экрана 1 О равна нулю, это эквивалентно нулевой эффективной емкости линии связи 9, поскольку нулевое напряжение не вызывает токов перезарядки емкости линия связи - экран.Ток...
Устройство для контроля изотермических вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
Номер патента: 662884
Опубликовано: 15.05.1979
Авторы: Белов, Исаев, Лебедев, Мелков, Ребони
МПК: G01R 31/26
Метки: вольт-амперных, изотермических, полупроводниковых, приборов, характеристик
...преобра ует сигнал изменения коллекторного тока вуправляющий сигнал на вход Х регистрирующего устройства 4. На входУ уотройства 4 поступает пилообразное напряжение с выхода источника 1.Двухкоордийатное регистрирующее устройство 4, будучи подготовлено крегистрации синхфоимпульсом блокаб, начинает отображать (вычерчиватьна бумаге, высвечивать на экране) 60график Функции 3 ф Р(Ю) при Тф соп 91ф 84 4(Зс - ток стабилизации; ц - линейно возрастающее напряжение) .Через промежуток времени с выбранный с учетом постоянной времени регистрирующего устройства 4, возрастание коллекторного напряжения заканчивается на заданном уровне 0, а затем резко падает до уровня 01 . В этот момент в описанной выше цепи отрицательной обратной свя зи Формируется...
Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов
Номер патента: 667918
Опубликовано: 15.06.1979
Автор: Рыскин
МПК: G01R 31/26
Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов
...тока, ключ 3 цепи5памяти, пороговое устройство 4, источник 5 напряжения коллектора, запоминающий конденсатор б,генератор 7 интервала времени.Устройство работает следующим образоМ,К схеме подключают испытуемый транзистор,Начальное падение напряжения на его переходеэмиттер-база определяется током генератора 2 иустанавливается равным некоторой величине (на.пример, 0,2 В) с помощью источника опорногонапряжения. При этом дпя всех транзисторов данного типа выполняется условие Оа, =содат;ив =Ки.Затем ключ 3 закрывается и измерительныйток благодаря запоминающему конденсатсру "6остается постоянным на время, значительно боль. з 0шее, чем общее время измерения.По сигналу "пуск" запускается генератор 7 интервала времени нагрева, на время Г ц...
Способ переключения модуляторного тиристора
Номер патента: 667919
Опубликовано: 15.06.1979
Авторы: Азимов, Бурханов, Кузьмин
МПК: G01R 31/26
Метки: модуляторного, переключения, тиристора
...ферийные электроды замыкаются с помощью емкости на землю. В результате за счет фазового сдвига, образованного ЙС-цепью, где й - сопротивление полупроводникового материала между , центральным и периферийным жектродамн, запускающий импульс на периферийных электродах возникает позже, тем самым облегчая режим работы тиристора.Недостатком данного способа является то, что из-за неоднородности структуры включение всег. да будет происходить в одной точке, следователь-. но при больших й/дт будет происходить быстрее старение н прогорание этого участка.Целью изобретения является повышение надежности работы тнрнстора и увеличение частоты переключений.667919 Формула изобретения 3Цель достигается тем, что, открывающие им. пульсы последовательно...
Устройство для автоматического снятия характеристик полупроводниковых приборов
Номер патента: 669299
Опубликовано: 25.06.1979
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводниковых, приборов, снятия, характеристик
...устройства 10 подключен непосредственно ко входу вертикального отклонения второго луча осциллографа 9 и через блок 11 формирования меток ко входу модуляции яркости осциллографа 9, вход горизонтального отклонения которого подключен к выходу генератора нарастающего напряжения.Устройство работает следующим образом Сигнал, представляющий собой медленно нарастающее напряжение с наложенной 1 О на него малой высокочастотной составляющей с генераторов 1 и 2 через сумматор 3 подается на испытуемый прибор, Напряжение, пропорциональное току через него, снимается с резистора 4 и после фильтрации15 усиления и детектирования блоками 5 - 8 преобразуется в напряжение, пропорциональное дифференциальной проводимости испытуемого прибора....