Способ относительного измеренияпараметра решетки монокристаллов

Союз Советских Социалистичвских РеспубликОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 17.08.79 (21 2810247/18-25 (51)М КЛ с присоединением заявки Йо 6 01 М 23/20 Государственный комитет. СССР по делам изобретений и открытийДата опубликования описания 30. 06. 81 В.В. Лидер(72) Автор изобретен Красного Знамени инститм, А.В. Шубникова АН ССС рдена Трудов ристаллограф(54) СПОСОБ ОТНОСИТЕЛЬНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРА РЕШЕТКИ МОНО"РИСТАЛЛО Изобретение относится к рентгенодифракционным методам анализа моно- кристаллов и может быть использовано для неразрушающего экспрессного контроля совершенства кристаллов,Известен способ относительного измерения параметра решетки, заключающийся в том, что на двухслойный образец под брэгговским углом направляют рентгеновский пучок от монохроматора и регистрируют два дифракционных максимума, соответствующие исследуемому и эталонному слою Г 11,Однако относительная точность 15 способа ограничена шириной области отражения кристалла и не превышает 10-10 , что обусловлено применением однолучевой дифракции.Известен также способ, при кото ром.на одну сторону исследуемого образца направляют два рентгеновских пучка, отраженных от монохроматора, служащего эталоном, и, вращая образец, регистрируют два дифракционных 25 максимума. Поскольку в данном способе возможна раздельная регистрация дифракционных максимумов, относительная точность может быть не менее10 т -10 в Г 21 30 Наиболее близким к предлагаемому является способ, заключающийся в облучении плоскопараллельного образца с двух сторон двумя рентгеновскими пучками, коллимированными отражением от монохроматоров,повороте исследуемого кристалла и регистрации двух дифракционных максимумов, соответствующих отражениям от противоположных сторон образца ГЗ,Однако необходимость использования в этом способе эталонного кристалла, изготовленного из материала образца с той же ориентировкой значительно сужает круг исследуемых объектов, а необходимость учета поправок на рефракцию рентгеновских лучей и необходимость высокой стабилизации поддержания температуры образца и эталона существенно усложняет. технику выполнения измерений.Цель изобретения - упрощение относительного измерения параметра решетки с одновременным сохранением высокой точности.Поставленная цель достигается тем, что в способе относительного измерения параметра решетки моно- кристаллов, включающем облучение плоскопараллельного образца с двух842519 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 5056/45 Тираж 907 Подписное Филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул,Проектная,сторон двумя рентгеновскими пучками, коллимированными отражением от монохроматоров, поворот исследуемого кристалла и регистрацию двух дифракционных максимумовсоответствующих отражениям от противоположных5 сторон образца, последний выполняют двухслойным со слоем изучаемого материала на одной стороне и эталоном на другой., а пучки, облучающие образец, направляют навстречу друг другу.На чертеже изображен кристалл-монохроматор.П-образный кристалл-монохроматор 1 содержит помещенный внутрь его прорези двухслойный образец 2, два источника 3 и 4 рентгеновских лучей и два детектора 5 и 6 дифрагированного излучения.Способ осуществляется следующйм образом.Для определения разницы периодов 20 решетки на противоположных сторонах монокристального образца 2 на них направляют встречные пучки рентгеновских лучей и осуществляют поворот образца вокруг оси вблизи отражающего положения. Регистрируя с помощью детекторов 5 и 6 Йифракционные максимумы, соответствующие отражениям Ь и Мот противоположных сторон образца, измеряют угол его поворота между этими позициями, который позволяет вычислить относительную разницу периодов Ь а/а.Предлагаемый способ позволяет определять разницу периодов решетки с точностью не менее 10 -10 и производить эксперссный контроль совершенных монокристаллов, напримерполупроводниковых приборов."пособ относительного измерения параметра решетки монокристаллов, включающий облучение плоскопараллельного образца с двух сторондвумя рентгеновскимипучками, коллимированными отражением от монохроматоров, поворот исследуемого кристалла и регистрацию двух диффракционных максимумов, соответствующихотражениям от противоположных сторонобразца, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью упрощения способапри сохранении его высокой тоМности,образец выполняют двухслойным сослоем изучаемого материала на однойстороне и эталоном на другой, апучки, облучающие образец, направляют,навстречу друг другуИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Смирнов И.Н. Исследование деформации в монокристаллах кремнияпосле ионного внедрения. - "Электронная техника". Сер. 3 (Микроэлектроника) . 1975, вып.4 (58),с. 120.2. Ковальчук М.В. и др. Рентгеновский трехкристальный спектрометри прецизионное определение д с,о"Кристаллография". 1975, Р 20,с.142.3. Нагй М. Нди ргесьоп аСйсерагавейег веаьцйевепйь Ьу вцСреВга 99 генестоп д 1 ГгастовеСгу"пРгос. Воу. 5 осп., 1969, А 309, 281.