Способ измерения изгиба монокристаллов

формула изобретения 60 65 зы для производства полупроводниковых приборов полевого типа.Цель изобретения - повышение точности эа счет введения поправки на изменение периода решетки.Поставленная цель достигается тем, чтов способе измерения изгиба монокристаллов, заключающемся в том, что первичный рентгеновский пучок направляют на кристалл-монохроматор и получают дифрагированный пучок в виде К,-дублета, производят выделение составляющих З,-дублета с помощью подвижной цели, поочередно направляют их на исследуемый монокристалл, который поворотом выводят в отражающее положение для каждой составляющей дублета и измеряют угол между этими положениями, по измеренному углу судят об изгибе исследуемого монокристалла, в качестве подвижной щели используют эталонный монокристалл с прорезью, причем дополнительно производят поворот эталонного монокристалла и измеряют угол между его положениями, в которых имеют место дифракционные отражения задерживаемых эталонным монокристаллом составляющих К,-дублета и по совокупности измеренных углов судят об изменении периода решетки исследуемого монокристалла и вводят поправку при определении его изгиба.На чертеже дана Функциональная схема реализации способа.Способ осуществляется следующим образом.Первичный рентгенОвский пучок от источника 1 попадает на кристалл-мо" нохроматор 2, который выделяет из спектра Кдублет характеристического излучения источника 1. Одну иэ составляющих дублета выделяют с помо" щью щели Э,представляющей собой эталонный монокрнсталл с прорезью. Вы"деленная составляющая, проходя через щель . 3, попадает на исследуе-мый монокристалл 4. Дифрагированнаяисследуемым монокристаллом 4 составляющая К,-дублета регистрируетсядетектором 5. Одновременно эталонный монокристалл - щель 3 - устанавливается таким образом относительно задерживаемой им составляющей К,-дублета, что последняя дифрагирует нанем и регистрируется детектором б. Затем щель 3 перемещают таким об" разом, чтобы выделить другую состав" ляющую К,-дублета, Далее производят поВорот или качание исследуемого монокристалла 4 вместе с детектором при соотношении углов поворота 1;2 и регистрируют положение исследуемого монокрсталла 4 и положение детектора 5 , в которых имеет место дифракционное отражение данной составляющей дублета. Кроме того, эталонный ,монокристалл - щель 3 - поворачивают в положение 3 , в котором) 5 10 15 26 25 ЗО 35 40 45 50 55 имеет место дифракционное отражениезадерживаемой составляющей К,-дублета. В этом случае соответствующий детектор находится в положении бИзмеряя углы между положениями детекторов 5 и 5", а также б и б, можно не только определить радиус изгиба исследуемого монокристалла 4, нои выделить вклады составляющих изменения периода решетки и собственноизгиба. Этого можно добиться путемиспользования в качестве щели достаточно толстого эталонного монокристалла, подвергнутого такой же обработке, что и исследуемый, но в силу своейтолщины практически не испытывающегосколько-нибудь заметных изгибающих.деформаций..Кроме того, предлагаемый способобладает всеми преимуществами двухлучевых методов дифракционного исследования монокристаллов, выражающихся, в частности, в отсутствии необходимости Фиксации нулевой точкиизмерения, причем этот результатобусловлен именно поочередным регистрированием дифрагированных пучков,отраженных (одновременно 1 от эталонного и исследуемого монокристаллов.Предлагаемый способ может найтисвое применение в полупроводниковойтехнологии при отработке режимов технологического процесса. Егонапример,можно использовать для контроля пластин кремния с покрытием иэ проводящего материала. Пластины, вырезанныепо плоскости (Н), имеют толщину100 мкм и покрыты с одной стороны спомощью напыления слоем жвлвэа толщиной 32 мкм. В качестве эталона присъемке, которую производят на дифрактометре ДРОНвСиК,-излучении, служит пластинка кремния, аналогичнаяисследуемой, но без покрытия, снабженная прорезью шириной в 100 мкм.Исследование показывает, что в контролируемых пластинах помимо изгиба,обусловленного односторонним нанесением покрытия, имеет место изменение периода решетки, которое было измерено в зависимости от режимов .технологического процесса,Предлагаемый способ обладает высокой точностью, позволяет исследовать широкий круг объектов из самыхразличных веществ и дает более полную информацию, чем ранее известныеспособы аналогичного назначения. Способ измерения изгиба монокристаллов, заключающийся в том, что первичный рентгеновский пучок направляют на кристалл-монохроматор и получают дифрагированный пучок в виде К,-дублета, производят выделение894499 ная Техред Э. Фанта Корректор А.Дэятко едактор Н. Бе аказ 11472/68 Тираж 910 ВНИИПИ Государстве по делам изобре 3035, Москва, Ж, Подписноеого комитета СССРний и открытийаушская наб., д. 4/5 ПП фПатентф, г, Ужгород, ул. Проектна или составляющих К, "дублета с помощьюподвижной щели, поочередно направляют их на исследуемый монокристалл,который поворотом выводят в отражающее положение для каждой из составляющих дублета и измеряют угол междуэтими положениями, по измеренномууглу судят об изгибе исследуемогомонокристалла, о т л и ч а ю щ и й -с я тем, что, с целью повышения точности.эа счет введения поправки наизменение периода решетки, в качестве подвижной щели используют эталонный монокристалл с прорезью, причемпроизводят поворот эталонного монокристалла и измеряют угол между егоположениява, в которых имеют местодиракционные отражения эадерживаемых эталонным монокрнсталлом состав"ляющих К,-дублета и о совокупностиизмеренных углов судят об изменениипериода решетки исследуемого моно"кристалла и вводят поправку при определении его изгиба,Источники инФормации,принятые во внимание при экспертизе1. Русаков А.А. Рентгенографияметаллов. М., Атомиздатф, 1977,с, 262-265.о 2. Авторское свидетельство СССР9 391452, кл. 6 01 Я 23/20, 1971,3. Сопеп В.6. апй ГосЬ 1 М.И,Х-Кау МеавцгещепС оЕ Е 1 авС 3.с 81 га 1 папй АппеаЕ 1 пд Ы Бев 1 сопбис 1 огв.15 Зойка 81 а 1 е Еесгоп 1 сз, 1970,ч.13р, 105-112 (прототип).