Патенты с меткой «бис»

Номер патента: 1293186

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Забиров, Халиков, Черкасов

МПК: C07F 9/24

Метки: бис, диизопропокситиофосфорилбензимидо-дисульфида

...КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ свои с19 71,(57)ганичполу отка способа получени нения указанного класса. Это достигается новым способом получения ФС изМ-дииэопропокситиофосфорилтиобензамида удалением тио-группы обработко(С Н )з И и иодом в ср еде СС 14 с последующим упариванием и растворениемостатка в гексане. После отделенияосадка и упаривания в вакууме (удаление гексана) получают ФС с выходом907. в виде густой оранжевой жидкостиСпособ позволяет получить ФС в однустадию с высоким выходом, 2 з.п,ф-лы, 1 табл,1293186 Т ,фс Продол- жительВыходсоединения1, Е Растворитель Основание Молярноесоотношение Способпо примерам ность реагентовсоединение11:основареакции,чние:иод,моль СС 14 80,0 20 2 1,0;1,0:0,5...

Номер патента: 1356963

Опубликовано: 30.11.1987

Автор: Та-Сен

МПК: A61K 31/546, C07D 501/46

Метки: бис, гидробромида, кристаллического, моногидрата, формы, цефтазидима

...в течение 3,5 ч и затем фильтруют для удаления нерастворимого трифенилметанола. Фильтрат разделяют на два равных объема и одну половину по каплям при перемешивании добавляют к 185 мл метилэтилкетона. После добавления фильтрата начинает осаждаться кристаллический моногидрат, Затем добавляют дополнительные 50 мл метилэтилкетона и смесь перемешивают при комнатной температуре в течение 15 ч, Кристаллический о-моногидрат отфильтровывают, промывают 50 мл кетона и сушат под вакуумом при комнатной температуре. Белый кристаллический д. -моногидрат весит 5,50 г. Другую половину деблокированнойреакционной смеси (31 мл), при комнатной температуре добавляют по каплям при перемешивании к 185 мл циклогексанола, При этом образуется некоторое...

Номер патента: 1404504

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Агаева, Буният-Заде, Гамидова, Левшина

МПК: C07C 154/02, C10M 135/14

Метки: бис, качестве, маслам, полиалкилфенилизопропилксантогенат)-дисульфид, присадки, противозадирной, противоизносной, смазочным

...светло-коричневого цвета, имеющий мол,м. 990, кинематическую вязкость при 100 С 65 мм /с, темпеоратуру вспышки 150 С, Содержание серы в присадке 19,02. П р и м е р 3В условиях, аналогичных примеру 1, синтезируют серу" содержащую полимерную присадку на основе соолигомера изобутилена со стиролом мол,м, 800,Мол.м. присадки 1880, кинематическая вязкость при 100 С составляет 180,4 мм /с, температура вспьппки 185 С, цвет - коричневый. Содержание серы в присадке 9,0 Е.1404504 СН1СН - С1СН 2 тве про ной при 5 П р и м е р 4. В реакционнуюколбу, содержащую 250 г соолигомера изобутилена со стиролом мол.м.1000,(растворенного в равном количео5стве гептана) при 15-20 С в течение0,5 ч при перемешивании вводят 17,0 г(-0,1,3...

Номер патента: 1479451

Опубликовано: 15.05.1989

Авторы: Панюкова, Савицкий, Соколова, Суворов, Филатов

МПК: C07C 101/447

Метки: бис, диметилового, диэтилового, карбоксиэтил)анилина, эфира

...до прекращения выделения воды (4 ч),. После охлаждения содержимое колбы нейтрализуют20%-ным раствором соды (до прекращения выделения пузырьков СЛ) Органический слой отделяют от водного,промывают водой до нейтральной реакции, сущат безводным сульфатом натрия, отгоняют при обычном давлениидихлорэтан, а остаток подвергают разгонке в вакууме. Отбирают фракциюс т,кип, 176-180 С при 3 мм рт,ст.Вьгход целевого продукта 20,2 г(76,2% теор,).Найдено,%: й 1,1339; п 1,5339;МБ 72,6.Вычислено: МБ 71,744. 3.ч420,2. 421,1. Вычислено э.ч. 423,3Найдено,7.: С 63,30, 63,28;Н 720.ь 7 э 18 И 540, 538,Вычислено,%: С 63,39; Н 7,17;Б 5,28,П р и м е р 2. Диэтиловый эфирМ,М-бис(-карбоксиэтил)анилина,Получение диэтилового эфира проводят в условиях, аналогичных...

Номер патента: 1529288

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Беккер, Петухов, Фомин, Фролов

МПК: G11C 11/40

Метки: бис, записи, информации, кмоп, структурах, хранения

...области пространственного заряда коллекторноо перехода, отклоняется от прямолиейной, Радиус кривизны траектории еоснованных носителей заряда пропорционален величине вектора силы Лорена Г Таким образом, при приложении агнитного поля определенной величи-. ны можно достичь полного ответвления ока, создаваемого основными носите-, ямн заряда при обтекании областей бъемных резисторов 5 и 6, шунтируюих эммитерные переходы транзисторов10, 7 и 8 прямой и обратной проодпмости, что устраняет возможность нжекции зарядов эммитерами составяющих транзисторов. Вследствие отутствия инжекции эммитеров устраня тся возможность увеличения тока, протекающего через паразитную тирисорную структуру, которое может приести к изменению коэффициентов усиения по току...

Номер патента: 1559286

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Кудряшова, Макаров, Трохаченкова

МПК: C07F 7/08, G01N 31/16

Метки: бис, количественного, трифенилсилил)хромате, хрома

...табл.З.Как видно из табл.3, полученные содержания хрома в продуктах раэложе. ния БТФСХ йодометрическим титрованием хорошо согласуются с данными, полученными методом добавок. Добавки вводят в раствор продуктов разложения БТФСХ в виде раствора хромата калия, содержащего 1,00 мг/см хрома,59286 ьбраэец НайденоСг в раст НайденоСг метододобавок врастворе,ВведенадобавкаСг, мг, т 4 5 мыш 2 1,0 3 л лица пр ле НайденоСг методомдобавок врастворе,мг Введена добавка Сг, мг аэец Найдено Сг врас воре,мг. делений,В табл,4 привиэводимости ио способов дены данные вестного и и в 27 лабора торный гае" пр мо 0 Таблиц+Способ Найден азе мас 8,25; 8,1 о8108,50;8,32.8,22; 7,99;8,208,40; 7,90;8,60810 8 8,19;8,15; лабораторнь 2 омьддленныи 10 15; 3ромьппленный,4...

Номер патента: 1603453

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Гришаков, Дорошенко, Дубов, Кошманов, Лозовой, Орлов, Попов, Рябцев

МПК: H01L 27/118

Метки: базового, бис, кристалла, матричная, матричного, основе

...и 3 и Конденсаторе 4, снижая его добротность до уровня ниже критического, Таким образом, паразитные высокочастотные колебания на элементах 8 схемы (фиг.1) возникнуть не могут,Величина антипаразитного резистора 5 еыбирается с учетом двухстороннего ограничения: с одной стороны, резистор должен предотвращать самовозбуждение, что требует уменьшения номинала резистора, с другой - обеспечить необходимый запас помехоустойчивости путем уменьшения амплитуды импульсов помех, что требует увеличения номинала резистора.Величина антипаразитного резистора Зависит от многих факторов: конфигурации й взаимного расположения систем земляНых шин, величин их паразитных емкостных вязей, числа эмиттерных повторителей в группе и их нагрузочных импедансов,...

Номер патента: 1608185

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Петров, Руднев, Сорокин

МПК: C07C 323/25

Метки: бис, диалкиламиноалкил, дисульфидов, циклоалкил

...И,И-диэтилдитиобисамина в50 мл хлористого метилена. В охлажденную до - 10 С смесь по каплям дообавляют 5,5 г (38 ммоль) эфирата трехфтористого бора при непрерывном перемешивании, которое продолжают10 мин. Затем в реакционную смесьпри -5 С барботируют умеренный токэтилена в течение 1 ч, после чего,не прекращая подачи этилена, температуру постепенно доводят до комнатной. По окончании пропускания газасмесь перемешивают еще 10 мин, затемобрабатывают 150 мл 5%-ного водногораствора гидроокиси натрия и экстра( , Н - Н, - 5)низший алкил; где К45 2( , .В 2 при п - 0 - 4;К - водород или низший алкил,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью упрощения процесса и повышениявыхода цеЛевого продукта, И,И-диал 55килдитиобисамины общей формулы 5...

Номер патента: 799390

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Баранова, Васильев, Заславский, Казымов, Кучерявенко, Литвиненко, Савелова, Соломойченко, Федорина

МПК: C09B 23/06

Метки: 3-карбоксипиразолон-5-триметиноксанина, бис, калиевой, соли, сульфофенил

...при 4850 С с последующим охлаждением реак-.ционной смеси, подкислением ее, осаждением красителя этанолом или ацетоном, Фильтрацией, промывкой этаноломили ацетоном и сушкой, выход и чистота целевого продукта не указаны.Недостатки известного способа связаны со сложностью проведения технологии вследствие необходимости проведения процесса при повышенной температуре в присутствии высокотоксичноготриэтиламина, 30Наиболее близким по техническойсущности к данному изобретению техни"ческим решением является способ получения красителя (1) конденсацией1-(4 -сульйофенил)-3-карбоксипиразолонас диэтилацеталем р-этоксиакро 35леина в среде метанола в присутствиитриэтиламина при 55-60 ОС в течение4 ч с последующим осаждением красителя метанолом...

Номер патента: 1462748

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Баулин, Бондаренко, Вострокнутова, Евреинов, Сюндюкова, Цветков

МПК: C07F 9/53, G01N 27/06

Метки: бис, дифенилфосфинилэтиловый, избирательного, катиона, катионов, качестве, комплексообразователя, лития, металлов, ряду, щелочных, эфир

...и 0,05 г(0,87 ммоль) мелкорастертого КОН,Реакционную смесь нагревают до 80 С,затем выдерживают при 20 С в течение 24 ч. Упаривают диоксан, реакционную смесь экстрагируют хлороформом(3"20 мл), экстракт промывают водой,сушат сульфатом натрия и затеи растворитель упаринают в вакууме. Остаток хроматографируют на колонке ссиликагелем марки Ь (злюесст - хлороФорм). Выход 2,36 г (57 )1 т.пл.134136 С (бенэол - гексан).Найдено,: С 71)0) 70,9; Н 5,7;6,0; Р 13,1; 13,2.С 11 О,Р,Вычислено: С 70 ) 9 ) Н 5,91Р 13,0. Е 1 Р (с) м.д.) 2,54 и(8 Н, ароматическое, ацетон-О 6) .ЯМР ЗР (д) м.д.): 27,28 (ацетонс 16) еМетодика испытанил комплексообра"эу)ицей способности известных и новыхсоединений.ЭФФективность комплексообраэующихсвойств как...

Номер патента: 1361964

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Баулин, Бондаренко, Вострокнутова, Евреинов, Сюндюкова, Цветков

МПК: C07F 9/53, G01N 21/78

Метки: бис, дифенилфосфинил)этиловые, калия, катионов, качестве, комплексообразователей, олигоили, полиэтиленгликолей, рубидия, связывания, цезия, эфиры

...Р), 7,46 (12 П), М (аромат), 7,47 (ЯН), 2 е 1 (аромат) (СРС 1). Спектр Р, с, м,д.; 30,34 (срсз.,) .П р и м е р 2, Бис 2(н-дифенилфосфинил)этиловыйэАир полиэтиленгликоля (м,в. 300) ( 22 )Получают аналогично (1) из 6 гнолиэтиленгликоля (м.в, 300) и 10 г окиси дифенилвинилФосфина в 60 мл диоксана в присутствии 0,12 г едкого кали. Выход ( 1) количественный. 964Найдено, %: Р 7,6; 7,7,Сде Н у, 1 ОдВычислено, %: Р 8,2,П р и м е р 3. (р-тиАецилфосфи.)нил) этиловый эАир полиэтилецгликсля (м.в. 400) ( ц).Получают аналогично ( ) из 8 гполиэтиленгликоля (м.в. 400) и 1 О г1 О окиси дифецилвциилАосфина в 60 млдиоксана я присутствии 0,12 г едкогокали. Выход ( а ) количественный,Найдено, %: Р 7,7; 7,6,С,И , Р,О1 В Вычислено, %: Р 7,3.Методика испытания...

Номер патента: 1132686

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: бис, мдп, многопороговых

...и определение их токов стока,на затворы обоих транзисторов подаютодинаковое напряжение и одновременноизменяют его до момента равенстватоков стока транзисторов, а годность)1 ЛП БИС определяют путем сравненияполученных значений тока стока инапряжения затвора с номинальнымизначениями, при этом параметры транзисторов тестовой ячейки выбираютиз соотношения:"д 11 П ) ) 0(),где 1 11 - пороговое напряжениепервого и второготранзисторов соответственно;- крутизна первого ивторого транзисторовсоответственно.1 Ь чертеже изображены переходныехарактеристики двух МДП-транзисторов с различной крутизной: с индуцированным каналом (поз.1) и встооенным кзналом (поз,2) д-типа в ркремнии, показанные с учетом технологического разброса пороговогонапряжения...

Номер патента: 1340481

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Гордиенко, Колесников, Коновалов

МПК: H01L 21/265

Метки: бис, затворами, мдп-транзисторах, поликремниевыми

...термическое окисление (Т = 950 С)поликремния в кислородной среде до тало20 щины окисла кремния 700 А. Затем осуществляют фотогравировку, используядополнительные маскирующие свойства выращенного окисла кремния, слоя поликремния, вытравливая его над областями стока,истока и затвора, При этом оставляют подслоем поликремния диэлектрик запоминающего конденсатора и второй промежуточ-.ный диэлектрический слой окисла кремния,расположенный над активными областямиструктур стока, истока и подзатворного диэлектрика,Для Обеспечения необходимого примесного распределения в подзатворной области подложки с учетом последующейо 5 термической сегрегации примеси и для подгонки порогов через выращенный слойокисла кремния проводят подгонку имплантацией...

Номер патента: 1457738

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Калинин

МПК: H01L 21/60

Метки: бис, выводов, монтажа

...к точке второй сварки по эволь. венте круга радиуса В. Точка второй сваркирасположена на кристалле БИС, В данном20 примере исполнения точка второй сваркирасположена выше уровня траверзы (точкипервой сварки) на высоту кристалла,а уголО выбран равным й/6, Это является примером сложного случая при монтаже выводов25 инструментом с наклонным капиллярнымотверстием. По ОСТ 11.0409,017.5-79 предусмотрен инструмент с углами О: л/6,л/4 и ж/3, при этом монтаж вывода можетвыполняться как от траверзы к кристаллу,З 0 так и от кристалла к траверзе.При подъеме инструмента сила тренияпроволоки в его капиллярном отверстии минимальна, поскольку нормальное давлениеблизко к нулю. Для более толстой проволокиЗ 5 ( 827 мкм) допускается отклонение...

Номер патента: 1752142

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Барабанов, Матвеев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: p-канальных, бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БИС, включающий нанесение на кремниевую подложку слоя нитрида кремния, вскрытие в нем окон, противоинверсионное легирование кремния, формирование фоторезистивной маски для получения активных областей, легирование активных областей, формирование полевого и подзатворного оксида кремния, создание контактной металлизации и межсоединений, отличающийся тем, что, с целью изготовления интегральных схем с повышенным уровнем напряжения питания за счет повышения пробивных напряжений активных областей и пороговых напряжений паразитных транзисторов, окна в слое нитрида кремния вскрывают только над полевыми областями, проводят противоинверсионное легирование только на участках полевых областей, выращивают полевой...

Номер патента: 1743315

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Дмитриев, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: бис, кмдп, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КМДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке первого типа проводимости областей карманов второго типа проводимости, нанесение слоя нитрида кремния, формирование фоторезистивной маски, создание маски из нитрида кремния на активных областях, легирование примесью второго типа охранных областей транзисторов первого типа, создание изолирующего слоя оксида кремния, легирование примесью первого типа охранных областей транзисторов второго типа, удаление маски из нитрида кремния в активных областях и формирование транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия за счет снижения паразитной емкости боковой стенки переходов транзисторов поликремниевой разводки, маску из нитрида...

Номер патента: 1833606

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Демидова, Завелева, Крысин, Лугова, Халикова

МПК: C07C 323/16, C07C 39/11, C08K 5/37 ...

Метки: 3-(3, 5-диметил4-оксифенил)пропил-1, 5диметил-4оксифенил, бис, бис-3(3, диметил-4оксифенил, качестве, продукта, промежуточного, пропанол-1, пропил-1, синтезе, су, сульфид, сэвилена, термостабилизатор

БИС-[3-(3,5-ДИМЕТИЛ-4-ОКСИФЕНИЛ)-ПРОПИЛ-1]-СУЛЬФИД КАК ТЕРМОСТАБИЛИЗАТОР СЭВИЛЕНА И 3-(3,5-ДИМЕТИЛ-4-ОКСИФЕНИЛ)-ПРОПАНОЛ-1 В КАЧЕСТВЕ ПРОМЕЖУТОЧНОГО ПРОДУКТА В СИНТЕЗЕ БИС-[3-(3,5-ДИМЕТИЛ-4-ОКСИФЕНИЛ)-ПРОПИЛ-1] -СУЛЬФИДА - ТЕРМОСТАБИЛИЗАТОРА СЭВИЛЕНА.1. Бис-[3-(3,5-диметил-4-оксифенил)-пропил-1]-сульфид формулыкак термостабилизатор сэвилена.2. 3-(3,5-Диметил-4-оксифенил)-пропанол-1 формулыв качестве промежуточного продукта в синтезе бис-[3-(3,5-диметил-4-оксифенил)-пропил-1]-сульфида - термостабилизатора сэвилена.

Номер патента: 1762688

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Татаринцев

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения сформированных структур пучком рентгеновского излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа при подгонке БИС, содержащих две различных группы МДП компонентов, одновременно с рентгеновским излучением структуры облучают ультрафиолетовым излучением, а соотношение между коэффициентами подгонки двух групп МДП компонентов регулируют путем изменения соотношения интенсивностей рентгеновского и ультрафиолетового излучений Iу/Iр, устанавливают это соотношение, исходя...

Номер патента: 1519452

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Ачкасов, Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/26

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоев подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки, подгонку пороговых напряжений путем облучения подложки рентгеновским излучением и термический отжиг при температуре 400-450oС в течение 30-60 мин, отличающийся тем, что с целью улучщения эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизации ее параметров и повышения процента выхода годных, термический отжиг проводят в среде водяного пара, после этого проводят обработку в нейтральной среде, при температуре 500-510oС в течение 8-12 мин.

Номер патента: 1752128

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Бугров, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование МДП-структур и подгонку порогового напряжения до требуемой величины путем облучения сформированной структуры рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет расширения диапазона подгонки порогового напряжения, цикл облучение отжиг при подгонке проводят не менее двух раз.

Номер патента: 1642708

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Коптюг, Крысин, Пинко, Просенко, Халикова

МПК: C07C 323/16

Метки: 4-оксифенил)алкил, бис, дисульфидов

Способ получения бис-[ w -(4-оксифенил)алкил]дисульфидов общей формулы Iгде R1 R2 трет-бутил, R3 H, n 0 3,или R1 R2 трет-бутил, R3 CH3, n 2,или R1 R2 CH3, R3 H, n 2,или R1 трет-бутил, R2 CH3, R3 H, n 2,взаимодействием соответствующего -(4-оксифенил)алкилхлорида общей формулы IIгде R1, R2, R3 и n имеют...

Номер патента: 1384106

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/263

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий, а также повышения надежности и улучшения стабильности их работы путем снятия нестабильной части радиационно стимулированного в подзатворном диэлектрике заряда, после облучения структуры проводят дополнительный термический отжиг последней при температуре от 400 до 450oС в течение от 30 до 60 мин, а дозу облучения выбирают из отношениягде =6 10-6P

Номер патента: 1825185

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Альперович, Киренская, Лифшиц, Ратнер, Шагалова, Яшукова

МПК: C09B 3/00, G03C 1/10

Метки: 2бис-(этокси, бис, бромиодсеребряных, ди, дибензо-9, качестве, ортохроматических, сенсибилизаторов, соли, сульфопропил-4, фотографических, эмульсий, этилен-бис-(1-этилбензимидазолия, этилтиакарбоцианинбетаина

...ГОСТ 10.691.0-73 и ГОСТ 10.691.1-73.В табл.2 приведены величины светочувствительности фотослоев, определенные по критерию О - 00 + 0,85, (Яо,в 5), значения коэффициентов контрастности у и плотности вуали (00),П р и м е р 4. В 1 л расплавленной бромиодсеребряной эмульсии М 1 вводят спиртовой раствор соли З,З-ди-у.сульфопропил,5,4,5-дибензо-этилтиакарбоцианинбетаина с 3.3-диэтилтиаэолинокарбоцианином (М 2) в количестве 128 10М/М Ад На (64 мг/л), Далее поступают аналогично примеру 3. Получают панхроматический фотоматериал с жанс - 680 нм и границей эоны 720 нм, параметры которого приведены в табл.2.П р и м е р 5, В 1 л расплавленной бромиодсеребряной эмульсии Ф 1 вводят раствор в ДМСО соли...

Номер патента: 1825186

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Альперович, Киренская, Лифшиц, Пономаренко, Ратнер, Ушанов, Шагалова, Яшукова

МПК: G03C 1/18

Метки: n-метилпиридиний-2, аминотиакарбоцианинбетаина, бис, бромиодсеребряных, ди-сульфопропил-9, дитиаалканов, качестве, максимумом, сенсибили, сенсибилизаторов, соли, спектральных, фотографических, эмульсий

...К без фильтра и за желтым светофильтром ЖС, Химико-фотографическую обработку фотослоев и определение сенситометрических параметров проводят в соответствии с ОСТ-17-450-78 с использованием ГОСТ 10,691,0-73 ГОСТ 10.691,1-73.В табл.2 приведены величины светочувствительности фотослоев, определенные по критерию О - Оо + 0,85, величины коэффициентов контрастности ( у) и плотности вуали (0).П р и м е р 4. В 1 л расплавленной негативной монодисперсной бромйодсеребряной эмульсии 1 вводят спиртовой раствор сенсибилизаторапо примеру 1 в количестве 32010 М/М А 9 На (80 мг/л). Сенсибилизированную эмульсию выстаивают в термостате при 39 + 1 С в течение 30 мин и затем поливают на пластинки или пленку. Получают ортохроматический фотоматериал 4 с...

Номер патента: 1601985

Опубликовано: 27.09.1998

Авторы: Зубрицкий, Капкан, Морозова, Ниязов, Сыропятов, Червинский

МПК: A61K 31/165, C07C 235/76

Метки: n-толил)амида, агрегацию, бис, гидрокси, гидроксиэтил, ингибирующая, кислоты, моно, соль, толилоксиметил)этиламина, тромбоцитов, фумаровой

Соль бис-( -гидроксиэтил)-[ -гидрокси- -(n-толилоксиметил)этил] амина моно(n-толил)амида фумаровой кислоты формулыингибирующая агрегацию тромбоцитов.

Номер патента: 1419132

Опубликовано: 27.04.1999

Авторы: Альянов, Ананьева, Федоров, Шорин

МПК: C09B 47/04

Метки: алюминий-фталоцианин, бис, фталоцианина

Способ получения бис(алюминийфталоцианин)фталоцианина путем взаимодействия динатрийфталоцианина с хлоралюминийфталоцианином в молярном соотношении 2 : 1, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода и улучшения качества целевого продукта, реакцию ведут в газовой фазе в глубоком вакууме при температуре возгонки 480 - 490oС с последующим выделением продукта осаждением на подложку.