Патенты опубликованные 07.06.1992

Страница 26

Способ получения хлебопекарных дрожжей

Загрузка...

Номер патента: 1738848

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Баширова, Краснобрижий, Кудинова, Слюсаренко, Снежкин, Хавин

МПК: C12N 1/18

Метки: дрожжей, хлебопекарных

...и других питательных веществ для дрожжей.Проведение гидролиза при 96-98 С обеспечивает щадящие условия и позволяет сохранить комплекс витаминов исходного продукта. Добавление гидролизата к массе питательной среды в соотношении 1:40-1.50 позволяет обес" пецить жизнедеятельность дрожжевых клеток. Добавление меньшего количества гидролизата не .обеспечивает жизнедеятельность дрожжевь 1 х клеток макро- и микроэлементами, витаминами. Добав" ление большего количества гидролизата являешься экономически. нецелесообразным, а также приводит к ухудшению ка-. чества получаемых дрожжей (подъемнаясила, стойкость).Таким образом, при использовании предлагаемого гидролизата повышается . выход и улучшается качество дрожжей по сравнению с гидролизатом...

Способ получения слизистых форм энтеропатогенных эшерихий и шигелл

Загрузка...

Номер патента: 1738849

Опубликовано: 07.06.1992

Автор: Воскресенский

МПК: C12N 1/20

Метки: слизистых, форм, шигелл, энтеропатогенных, эшерихий

...появляю.- среду ЭНДО +. Тз, Через 1 сут инкуощихся слизиСтых форм колоний в чистой бации при 37 С вырастают слизистыекультуре. 20 колонии в количестве 40-60 на чашку,П р и м е р. Получение слитистых Суточную бульонную культуру Е.со 11Форм ЭПЭ и шиггел по предлагаемому 0143 в исходной. К-форме с концентраспособу. цией 5 1 Оф КОЕ/мл в объеме 0,1 мл за Изучение литических свойств фага севают шпаделем на селективную средуТз, проводили методом "стекающей кап-. 25 АПА + Т, Через 1 сут инкубации прили" на засеянных газоном культурах 37 С вырастают слизистые колонии в коЭПЭ и шигелл. личестве 20-30 на чашку,Результаты приведены в табл. 1. Суточную бульонную культуру ЗЫ.- Как видно из приведенных в табл. 1 Ве 11 а эоппе 1 в исходной К-форме...

Штамм бактерий мyсовастеriuм fортuiтuм, используемый для изготовления преципитирующей сыворотки

Загрузка...

Номер патента: 1738850

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бондаренко, Лазовская, Леви, Рачкова, Тихомирова

МПК: A61K 39/04, C12N 1/20

Метки: fортuiтuм, бактерий, используемый, мyсовастеriuм, преципитирующей, сыворотки, штамм

...стандартизации и контроля медицинских и при 37 С в течение 3-4 нед. Бактерийную биологических препаратов имени Л, А. Та массу отделяли на стерильном бумажном расевича под ч. 34. фильтре, промывали дистиллированной воМорфология. Клетки имеют вид палочек дой, заливали на 18-24 ч 2 ф 6-ным фенолом, длиной 1,0 мкм. Окрашиваются по Граму, по повторно. отмывали дистиллированной воЦилю-Нильсену окрашиваются в красный 15 дой, помещали в коллодиевые пистоны на480 - 520 мг с последующим замораживаниКультуральные характеристики.На. ем при - 40-45 С и разрушением на бактеплотной яичной среде Левенштейна-Йенсена риальном прессе при давлении 25 атм и при 37 ОС вырастает за 3 - 5 дней, на карто- температуре -40-45 С. Разрушенную...

Способ получения коллагеновых микроносителей

Загрузка...

Номер патента: 1738851

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Белорусский, Буадзе, Вельчева, Вольф, Егоров, Зуев, Киц, Мостовая, Пухова, Рудаков, Царева, Чурина

МПК: C12N 5/00

Метки: коллагеновых, микроносителей

...на пол-. ученныхых этим способом микро носителях, позволяет достичь величины индекса пролифирации лишь на 4-е сутки 2,3 - 3,0. Кроме того, получают коллаген в виде пленок, которые обладают недостаточным рабочим обьемом, и для более удобного способа использования их необходимо измельчать до требуемых размеров, что я вляется технологически трудновоспроизводимым.Целью изобретения. является повышение качества коллагеновых микроносителей при сокращении длительности процесса,Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения коллагенновых микроносителей, заключающемуся в том. что зольный спилок шкур крупного рогатогоскота подвергают щелочно-солевой обработке в течение 120-144 ч, обрзующуюся. коллагенсодержащую массу...

Штамм бактерий bacillus sp. -продуцент циклодекстринтрансферазы

Загрузка...

Номер патента: 1738852

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Логинов, Мелентьев, Усанов

МПК: C12N 1/20, C12N 9/10

Метки: bacillus, бактерий, продуцент, циклодекстринтрансферазы, штамм

...росте на мясопентонном агаре через 48 ч при 37 С образует единичные колонии с четким, ровным краем, размером и диаметре 3 - 6 мм, поверхность колонии гладкая, колония полупрозрачная, белесая. При росте на картофельно-глюкозном агаре (рН 9,0) штамм образует через 48 ч при 37 С единичные колонии с ровным краем, размером 4 - 9 мм, поверхность колонии гладкая консистенция вязкая (на МПА маслоподобная), профиль колонии. выпуклый (на МПА плоский), колония полупрозрачная, матово-белесая. Биохимические признаки.Реакция Фогес - Проскауэра отрицательная; каталазная активность положительная; энаэробный рост слабый; штамм образует кислоту при росте на углеводах - глюкозе, ксилоэе, рибозе, мальтозе, лактозе, арабинозе, раффинозе, мелицитозе,...

Способ получения биомассы micrococcus luтеns вкпм в-2836 продуцента рестриктазы mlu 1

Загрузка...

Номер патента: 1738853

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Корсун, Лебедев

МПК: C12N 1/20, C12N 9/14

Метки: luтеns, micrococcus, биомассы, в-2836, вкпм, продуцента, рестриктазы

...клеточного лизата с 0,5 мкг ДНК фага лямбда);анализ клонов на содеркание рестриктазы Ма 1 при пассировании на среде без ДНК (контроль, первая дорожка - 5 мин инкубации, вторая - 60 мин инкубации одинакового количества клеточного лизата с 0,5 мкг ДНК фага ламбда);анализ биомасс М. 1 цсеоз на содержание рестриктазы Мв 1, полученных с пассираванием на среде без ДНК, с пассированием на среде с ДНК. В пробы добавляли соответственно клеточного лизата 0,5(а); 1,0(б); 2,0(в); 3,0(г); 5,0(д); 10,0(е);0,025(ж); 0,05(з); 0,1(и); 0,15(к); 0,25(л) и 0,75(м) мкл, инкубировали с 0,5 мкг ДНК фага лямбда в течение 1 ч при 37 С.Из полученных данных установлена, что картина полного специфического гидролиза ДНК рестриктазой наблюдается в первой...

Штамм гриба реniсilliuм canescens продуцент галактозидазы

Загрузка...

Номер патента: 1738854

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Беккер, Иванова, Морозова, Флях

МПК: C12N 1/14, C12N 9/38

Метки: canescens, галактозидазы, гриба, продуцент, реniсilliuм, штамм

...среде с соевой 50мукой иминеральными солями в течение.72 ч активность внеклеточной Р-галактозидазы штамма ТКсоставляет 60 ед,/млкультуральной жидкости (гидролиз ОНФГпри 30 С), 5Недостатком штамма Р. сапезсепз ТК -85 является низкий уровень синтеза Р -галакт,.озидазы,Наиболее близким к предлагаемому посовокупности признаков (вид продуцента,,5далее стелющийся. Конидиеобразование умеренное, Конидии светло-серые с голубо-. ватым оттенком, по краю колоний голубые. 5 Образуются равномерно по всей поверхности колоний, Обратная сторона колоний складчатая, темно коричневая.Агаризованная среда Чапека с глюкозой и добавлением кукурузного экстракта 10 (10 сут роста, 29 С), Диаметр колоний равен 5,0-6,0 см. Воздушный мицелий пушистый; местами...

Способ отбора жизнеспособных клеток или протопластов растений

Загрузка...

Номер патента: 1738855

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Забелин, Карабаев

МПК: C12N 13/00

Метки: жизнеспособных, клеток, отбора, протопластов, растений

...создают электрическое поле напряженностью 2000-200001738855 Формула изобретения Способ отбора жизнеспособных клето или протопластов растений, о т л и ч а о щ и й с я тем, что, с целью повышения е;г эффективности, клетки или протопласты растений суспендируют в 0,4-0,6 М растворе сорбита, содержащем 6 мМ хлорида кальция, полученную суспензию выдерживают до полной неионогенности и затем жизнеспособные клетки или протоплэсты отделяют от мертвых в проточной камере в электрическом поле нагряженность с 2000- 20000 В/и и частотой 1 - .2 мГц, при этом жизнеспособные клетки или протопласты отбирают из камеры, а мертвые удаляют с током суспензии,Составитель В. Демкин Редактор ВПетраш., Техред М.Моргентал Корректор О. КравцоваЗаказ 1978 Тираж...

Рекомбинантная плазмидная днк рмб-01 зонд для дифференциации мuсовастеriuм воvis, м. тuвеrсulоsis от микобактерий других видов

Загрузка...

Номер патента: 1738856

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Артюшин, Бортюк, Коромыслов, Косенко, Овдиенко, Фомин

МПК: C12N 15/31, C12Q 1/68

Метки: видов, воvis, дифференциации, днк, других, зонд, мuсовастеriuм, микобактерий, плазмидная, рекомбинантная, рмб-01, тuвеrсulоsis

...как описано в примере 1,Результаты исследований приведенына фиг, 2. Кэк видно из представленных данных, положительные сигналы, свидетельствующие о гибридизации клонированкойпоследовательности с ДНК микобактерий,отмечены в местах нанесения М. Ьочз (точки А 1 и А 2), М, Ьоч 1 з ВСО (точки С 1-С 4). Приэтом не отмечалось положительных сигналов в точках нанесения ДНК микобактерийдругих видов.Полученные данные свидетельствуют, оспецифичности используемого зонда по отношению к ДНК М. Ьог 1 з.П р и м е р 3. Использование выделенного фрагмента ДНК М. Ьоч 1 з ВСО для дифференциации культур М. Ьоч 1 з, М. 1 цЬегсц 1 оз 1 з от культур микобактерий других видов,Для приготовления препаратов культурмикобактерий культуры микобактерий (39 .5...

Способ выделения иерсиний

Загрузка...

Номер патента: 1738857

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Елкина, Новоселова, Сидельникова, Ющенко

МПК: C12Q 1/02

Метки: выделения, иерсиний

...эксикатор и в том же режиме культивируют 18 ч; затем их извлекают иэ эксикатора и просматривают.Изолированные колонии (6-8 шт,) пересевают на слабощелочной агар и инкубируют при обычных условиях 20-24 ч (как в известном способе). Выросшую культуру идентифицируют с сыворотками против иерсиний разных видов и по биохимическим местам.При исследовании синовиальной жидкости 34 больных иерсиниозом, что подтверждается или выделением культур ( группа) или положительными серологическими тестами (П группа), выделены культуры иерсиний и других микроорганизмов (табл. 1).П р и м е р 2. Синовиальную жидкость берут, как в примере 1, Содержимое шприца засевают в пробирку с дистиллированной водой (рН 6,9) в соотношении 1:5, помещают в анаэростат,...

Свеклорезка с устройством для блокировки привода

Загрузка...

Номер патента: 1738858

Опубликовано: 07.06.1992

Автор: Фуллер

МПК: C13C 1/06

Метки: блокировки, привода, свеклорезка, устройством

...подается пар. Кислоты, образующиеся при разложении свеклы, повреждая оболочку .и изоляцию бесконтактного выключателя, выводят его из строя. Срок работы до отказа такой блокировки до 30 сут,целью изобретения является повышение безопасности обслуживания и надежности работы при высокой температуре и химически агрессивной окружающей среде. Поставленная цель достигается тем, что в качестве чувствительного элемента используют магнитоуправляемый герметизивместе с подг алнными к его выводам проводами в монолитную пластмассовую оболочку, а в качестве воздействующего на геркон элемента используют постоянный магнит, помещенный "в алюминиевую чашку и закрепленный в корпусе ножевой рамки и в глушке.Помещение геркона в электроизоляционную...

Способ очистки сахаросодержащего раствора

Загрузка...

Номер патента: 1738859

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Барко, Кощиева, Шелухина

МПК: C13D 3/14

Метки: раствора, сахаросодержащего

...полученного ионообменника поглощение ионов из растворов сопровождается строго эквивалентным вытеснением подвижных ионов катионита,При этом отпадает необходимость использования для умягчения соков в свеклосахарном производстве растворов соды, являющихся сильным мелассообразователем.Предлагаемый ионообменный материал может быть подвергнут регенерации, как и любые другие карбоксильные катиониты, действием 5%-ных растворов кислот согласно реакцииРСОО - Н РСООН, где Р - остаток пектина. Он нетоксичен и устойчив к щелочно-земельным основаниям и особенно к кислотам. Разложение ионообменника по гликозидным связям может происходить лишь при длительном его кипячениис растворами серной кислоты.Пример 1,100 гсвекловичногожома измельчают до...

Способ определения плотности сгущаемого сахаросодержащего раствора и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1738860

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Волошин, Совлуков

МПК: C13F 1/02, G01N 33/02

Метки: плотности, раствора, сахаросодержащего, сгущаемого

...г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 В некотором сечении вдоль волновода 2 к нему подключен детектор 5, с выхода которого сигнал поступает на электрический управляемый фазовращатель 6, включенный между генератором 1 и волноводом 2. В зависимости от амплитуды продетектированного сигнала, определяемого значением напряженности поля стоячей волны в указанном сечении, изменяется фаза сигнала генератора 1, поступающего с выхода фазовращателя 6 на вход волновода 2. Величина 4 у этого изменения фазы соответствует отклонению плотности раствора от некоторого номинального значения, при котором в рассматриваемом сечении волновода имеет место минимум напряженности поля стоячей волны, Смещение фазы возбуждаемой волны на величинул р приводит к...

Способ разделения утфеля перфой кристаллизации

Загрузка...

Номер патента: 1738861

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Балуева, Гоцун, Сапронов, Славянский, Стрельников

МПК: C13F 1/08

Метки: кристаллизации, перфой, разделения, утфеля

...том возможен временной разрыв в воздействии на чувствительный элемент устройства, что ведет. к нарушению последовательности операций цикла центрифугирования.В том случае, когда расход пробеливающего сахарсодержащего раствора составляет менее 5% к массе кристаллов сахара, не обеспечена полная замена пленки межкристального раствора на более качественный сахарсодержащий раствор, что ухудшает качество получаемого сахара-песка и требует дополнительного расхода горячей пробеливающей воды,При превышении расхода сахарсодержаьцего раствора более 10 к массе кристаллов сахара не выдержаны оптимальные условия замены пленки межкристального раствора, что ухудшает качество сахара-песка, при этом возрастают длительность центрифугированияи...

Система автоматического управления процессом варки утфеля в вакуум-аппарате

Загрузка...

Номер патента: 1738862

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Заможный, Маципура

МПК: C13F 1/12

Метки: вакуум-аппарате, варки, процессом, утфеля

...14 подкачки посредством ЭПК 17 с регулятором 5 уровня, Заданное значениеуровня до заводки кристаллов задается задатчиком 7. Текущее значение уровня измеряется датчиком 12 уровня. Регулятор 55 поддерживает заданное значение уровня.Датчик 11 измеряет пересыщение (Й) утфеля в аппарате, На трехмембранном элементе 19 происходит сравнение текущегозначения пересыщения от датчика 11 и эа 10 данного задатчиком 4 (Й затравки), Когдатекущее значение Й достигает значения Йзатравки, трехмембранный элемент 19 выдает команду на срабатывание мембранно 15 му сигнализатору 18, который включаетсветовой и звуковой сигналы,После ввода затравки БПУ посредствомЭПК 27 отключает элементы 19 и 18 сигнализации затравки. Одновременно суммар 20 ный...

Установка для пламенной поверхностной закалки ручьев барабана лебедки

Загрузка...

Номер патента: 1738863

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Концовенко, Сапожников

МПК: C21D 1/08

Метки: барабана, закалки, лебедки, пламенной, поверхностной, ручьев

...стола для установки закаливаемого барабана, а направ" ляющий элемент - в виде кольца, охватывающего барабан, с подпружиненными роликами, взаимодействующими с ручьем барабана, и дополнительного ролика, взаимодействующего с вертикальной направляющей.На фиг. 1 показана установка, общий вид; на фиг. 2 - сечение А - А на фиг, 1; на фиг. 3 - сечение Б-.Б на фиг. 2.Установка для пламенной поверхност-ной закалки ручьев барабана лебедки экскаватора включает горизонтальный поворотный стол 1 с приводом (не показан), на котором устанавливается барабан 2 лебедки экскаватора, и газовые горелки 3 с форсунками 4 для охлаждающей жидкости, которые установлены с помощью кронштейнов 5 на кольце 6, охватывающем барабан 2 и опертом на него посредством...

Способ контроля вращения печных роликов

Загрузка...

Номер патента: 1738864

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Крыжановский, Храпов

МПК: C21D 11/00

Метки: вращения, печных, роликов

...есть в печь периодически поступает (и выходит) прокат - полоса или лист, Все ролики вращаются и нормально охлаждаются водой, На одной из шин 3-х фаэной сети питания, питающих группу электроприводов печи установлен датчик 1 - трансформатор тока, соединенный через нормирующий преобразователь 1, с входом дифференциатора 2, Дифференциатор 2 - двухканальный (можно использовать два идентичных дифференциатора). На одном дифференциаторе (канале) постоянная времени выбрана меньше вре- мени нарастания (спада) нагрузки в момент поступления проката в печь. На другом дифференциаторе (канале) постоянная времени выбрана больше времени нарастания (спада) нагрузки в момент поступления проката в печь, На блоке 3 задания установок выставляется нижнее и...

Способ получения деформируемых полуфабрикатов из сплавов системы алюминий-медь-марганец

Загрузка...

Номер патента: 1738865

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Башмаков, Вальков, Евреинов, Ланцман, Медницкий

МПК: C22F 1/057

Метки: алюминий-медь-марганец, деформируемых, полуфабрикатов, системы, сплавов

...пластичность с понижением температуры повышается. Таким образом, предлагаемый способ отличается от известного тем, что холодная деформация является заключительной операцией формообразования и проводится локально, только в зонах свариваемых кромок, в перед холодной деформацией вводится гетерогенизирующий отжиг. При этом холодная деформация проводится перед закалкой, степень деформации выбрана такой, чтобы обеспечить при нагревании под закалку прохождение полной рекристаллизации с образованием мелкозернистой структуры. Температурный диапазон деформации выбран таким, чтобы обеспечить осуществление холодной деформации беэ трещин,Проведение после горячей деформации гетерогенизирующего отжига с последующей локальной холодной деформацией со...

Способ изготовления тел вращения

Загрузка...

Номер патента: 1738866

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бондаренко, Еленевич, Каденаций, Лисовская

МПК: C23C 4/00, C23C 4/16

Метки: вращения, тел

...сущности к предлагаемому является способ изготовления гладких и износостойких ения поставленной цели соизготовления тел вращения, апыление на вращающуюся ких слоев покрытия с арми1738866 Составитель В, БондаренкоТехред М. Моргентал Корректор О, Кравцова Редактор В. Петраш Заказ 1978 Тираж Подписное ННИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 рованием слоев нитевидными элементами, предварительно на оправку напыляют подслой материала покрытия толщиной до 0,15 мкм, а армирование осуществляют с второго слоя, причем в нечетных слоях армирующие элементы располагают перпендикулярно друг другу и под...

Способ газотермического напыления покрытий

Загрузка...

Номер патента: 1738867

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Ахматов, Исаев, Кобелев, Чудинов

МПК: C23C 4/02, C23C 4/12

Метки: газотермического, напыления, покрытий

...прочности сцепления покрытия с деталью и исключает его отслаивание в процессе эксплуатации,Более высокая стойкость покрытия к термоударам связана с тем, что способ позволяет организовать стоки избыточной энергии, накопляемой в покрытии при термических видах напыления, по двум вариантам: через специально организованные дефекты покрытия и через неплотности,рцхлоты в покрытии за счет напыления вканавки под одним постоянным углом,Избыточная энергия, имеющаяся в по 5 крытии в виде термических напряжений, реализуется в виде тепловой, которая наноситвред покрытию тем меньший, чем меньшепуть для ее выхода, В изобретении имеютсядва пути сброса или выхода избыточной10 энергии: через трещины в окружающее пространство и через неплотности...

Способ электродуговой металлизации

Загрузка...

Номер патента: 1738868

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Скороход, Страх, Юркевич, Якубеня

МПК: C23C 4/04

Метки: металлизации, электродуговой

...микроскопа МИМизмеряли и суммировали длины отрезков прямой линии, проходящей через полимерную составляющую на определенной длине секущей линии. Среднее значение полимерной составляющей в покрытии определяли по восьми секущим линиям. Для различия границ полимера, пор и металла на поверхно- сти шлифа в полимер перед напылением вводили краситель красного цвета,Объемное содержание полимерной составляющей в покрытии определяли по фор- муле иЧ.,.; -100,где Чп,с. - объемное содержание полимерной составляющей в покрытии;1 - сумма длин отрезков полимернойсоставляющей на общей секущей линии;- длина общей секущей пинии,Полученные результаты по определению проницаемости, прочности сцепленияпокрытия и содержания полимера в нанесенных...

Способ формирования покрытий

Загрузка...

Номер патента: 1738869

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Ахматов, Гриц

МПК: C23C 4/12

Метки: покрытий, формирования

...некоторых случаях заданным является расположение оплавленных участков на поверхности детали, Тогда выступы располагают в тех местах,где должны нахо- . диться оплавляемые участки. В других слу д чаях выступы формируются в покрытии за СО счет перекрытия отдельных элементов не- СО равномерной толщины и их расположение О обусловлено кинематикой процесса нанесе ния покрытия.П р и м е р 1 (известный спо.соб), Напыляемая деталь - палец длиной 180 мм и диаметром 25 мм, Напыляемый материал ПГ - СР 4, Напыленное покрытие обрабатывают до получения равнотолщинного слоя толщиной 1 мм. Производят частичное оплавление покрытия на установке ЛГНпо винтовой линии с шагом 9 мм и шириной дорожки 3 мм. Частично оплавленное покрытие обрабатывают до получения...

Устройство для газотермического нанесения покрытий

Загрузка...

Номер патента: 1738870

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бойко, Габидулин, Ивасев, Михеев, Моисеев, Накрохин, Никушкин, Стацура

МПК: C23C 4/12

Метки: газотермического, нанесения, покрытий

...образованы между кожухом и диском эжектора, а кольцевая камера35 смешения образуется между подложкой идиском. Таким образом, эжектор расположен за пределами пятна контакта, это исключает взаимодействие эжектируемого газас горячим потоком рабочего газа в зоне кон 40 такта, Наличие эжектора за срезом кожухапозволяет создать в нем разрежение дляуменьшения влияния пограничного слоя,образующегося при взаимодействии рабочего потока с подложкой,45 На фиг, 1 представлено устройство; нафиг. 2 - распределение статического давления по поверхности преграды.устройство содержит плазмотрон 1, соединенный с ним с помощью двух накладок50 2 защитный кожух 3. К защитному кожуху 3крепится ресивер 4 со штуцерами 5 для подвода газа и диск эжектора 6. Зазор...

Устройство для обработки изделий в вакууме

Загрузка...

Номер патента: 1738871

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бородин, Подобед, Семенюк, Трипута, Хоббихожин, Хоменко

МПК: C23C 14/34

Метки: вакууме

...системы 3 газов через камеру 1 в ней конденсируется рабочее химическое соединение, например ЯЕб, а продукты реакции, например ВР 4, и 20 возможные добавки аргона или кислородапоступают в систему 8 обработки выходящих газов, Процесс продолжается до тех пор, пока камера 1 не насытится рабочими химическими соединениями, что может 25 быть установлено по возрастанию их концентрации за клапаном 7 с помощью системы контроля концентрации химических соединений и продуктов реакции в виде, например, встроенного масс-спектрометра 30 (не показан).После этого открывают клапаны 2 и 7другой камеры, предварительно охлажденной до температуры ТТТ, и закрывают клапаны 2 и 7 первой камеры 1. Открывают 35 клапан 5 первой камеры 1, прогревают ее дотемпературы,...

Способ получения пленок двуокиси кремния

Загрузка...

Номер патента: 1738872

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Денисенко, Мещеряков, Перфилов, Поздняков, Сарин, Храмов

МПК: C23C 16/50

Метки: двуокиси, кремния, пленок

...потока паров тетраметоксисилана (ТМОС), обеспечивающую установление в реакционном (поуколпачном) объеме давления (1,80,1) 10 мм рт.ст. После установления необходимого давления паров ТМОС с помощью натекателя устанавливают величину потока воздуха, обеспечивающую установление в реакционном объеме давления (4,5 + 0,1) 10 мм рт,ст., причем воздух в подколпачный объем поступает через фильтр, обеспечивающий его очистку от пыли. Затем на электроды подают переменное напряжение частотой 1000 Гц и устанавливают плотность тока разряда 0,34 +. 0,03 МА/см, Скорость роста пленки двуокиси кремния в этих условиях 0,230,25 мкм/ч. При достижении необходимой толщины пленки процесс осаждения и рекращают.Контроль толщины пленки осуществляют с помощью...

Устройство для измерения поляризационного потенциала стальных трубопроводов

Загрузка...

Номер патента: 1738873

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Муравьев, Соколов, Хайкин, Хмельницкий

МПК: C23F 13/00

Метки: поляризационного, потенциала, стальных, трубопроводов

...точность измерения.Целью изобретения является повышение точности измерений и снижение эксплуатационных затрат.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для измерения поляризационного потенциала, заключающемся в помещении электрода сравнения и вспомогательного электрода в специально открытый шурф, подключении их к схеме измерения, содержащей прерыватель и вольтметр, засыпке шурфа и измерении потенциала вспомогательного электрода в момент отключения его от сооружения, электрод сравнения и вспомогательный электрод выполняются в виде единого зонда. Корпус зонда имеет ручку на верхнемторце и пробку из изоляционного материалас осевой полостью на нижнем. На торцепробки смонтированы медно-сульфатный5 электрод сравнения....

Способ защиты трубопровода от коррозии

Загрузка...

Номер патента: 1738874

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Пупынин, Сергеев, Ямашкин

МПК: C23F 13/00

Метки: защиты, коррозии, трубопровода

...высоконелинейного со 25 противления 5, включенного параллельнодиодам и линейной индуктивности 6, а также дренажные кабели 7 и 8, которыми блокполяризации присоединен соответственнок трубопроводу 9 и нулевой точке дроссель 30 трансформатора 10 рельсов пути 11, роговые разрядники 12, включенные междуконтактным проводом 13 и одним из рельсов 11 пути, к цепи которого присоединенблок поляризации.35 Работа устройства, в соответствии спредлагаемым способом, осуществляетсяследующим образом.При положительном потенциале трубопровода 9 относительно рельсов 11 пути40 диоды 2 иЗ схемы пропускаюттокоттрубопровода 9 к рельсам 11 и тем самым обеспечивают снижение потенциала трубопроводадо допустимых пределов. Необходимая величина...

Способ регулировки защитной плотности тока подвесного протектора

Загрузка...

Номер патента: 1738875

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Полупанов, Шаповалов

МПК: C23F 13/00

Метки: защитной, плотности, подвесного, протектора, регулировки

...шпильками 2 с буртиком и резьбой, герметизация резьбового соединения в местах стыка осуществляется прокладками 3, например, из резины. Для создания равномерного потенциала на защищаемой смоченной поверхности в верхней части протектора установлен экран 4 с отверстиями 5 для крепления каната 6 при подвеске его к металлической конструкции. Верхняя шпилька с гайкой 7 осуществляет электрический контакт тела протектора со скобой 8, к которой присоединен, напри 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 мер, пайкой токоведущий привод 9. Место пайки заливается изоляционным материалом 10, например герметиком ХЗОМЭС,Предлагаемая конструкция протектора, для реализации способа, дает возможность варьирования его массой и площадью, путем набора соответствующего...

Способ выращивания монокристаллов y в с о

Загрузка...

Номер патента: 1738876

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Карасик, Качарава, Тогонидзе, Цинцадзе

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...малую площадь контакта с шихтой, что исключает растрескивание кристаллов за счет разности температурных коэффициентов расширения,Целью изобретения является увеличение размеров, повышение выхода кристаллов и облегчение их извлечения из шихты.Поставленная цель достигается тем, что приготовленную смесь из ВаО, СцО и У 1 ВагСозО-х нагревают в алундовом тигле до 970 - 990 С и выдерживают в течение 24 - 30 ч, после чего тигель перемещают через градиент температуры1,5 С/мм со скоростью 1 - 2 мм/ч, при этом в температурной области 700 - 600 С охлаждение производят со скоростью 15 - 20 С. Весь процесс роста происходит в атмосфере воздуха.На фиг. 1 дача установка зонной плавки; на фиг. 2 - температурный профиль установки.Сущность изобретения...

Способ выращивания монокристаллов l с о

Загрузка...

Номер патента: 1738877

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Безрукавников, Емельченко, Малюк, Масалов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...ниже температуры спонтанной кристаллизации, но выше 1050 С, после чего изменяют направление температурного градиента на противоположное и ведут рост монокристаллов в охлаждаемой верхней части раствора-расплава при постоянной температуре.В предлагаемом способе рост монокристаллов происходит за счет массопереноса кристаллообразующих компонентов путем естественной конвекции от питателя к кристаллоносцу(либо затравке) в поле температурного градиента при постоянной температуре на фронте кристаллизации. Питатель формируется в нижней части кристаллизатора в ходе охлаждения расплава со скоростью 10 - 50 град/ч в поле температурного градиента от температуры выше температуры ликвидуса до температуры ниже температуры начала спонтанной...