Коршунов

Номер патента: 1005602

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дубровская, Коршунов, Тихонов, Тихонова

МПК: H01L 21/324

Метки: антимониде, инверсного, индия, слоя

Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Астахов, Белотелов, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Камушкин, Коршунов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...

Номер патента: 1391168

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: бором, кремния, легирования

1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2...

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Номер патента: 1268013

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/66

Метки: дна, долины, зоны, нижней, обманки, положения, полупроводникового, проводимости, структурой, точки, цинковой, энергетического

Способ определения энергетического положения точки Lic - дна долины L нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки путем измерения физических величин, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и удешевления применяемой аппаратуры, изготавливают образцы из анализируемого материала с различной концентрацией электронов, превышающей концентрацию вырождения при температуре измерений, включая максимально возможную величину, затем на каждом из упомянутых образцов измеряют величину эффективной массы электронов и концентрацию электронов, после чего проводят сравнение экспериментальной зависимости эффективной массы электронов от их концентрации с...

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...

Номер патента: 1507126

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/26

Метки: кремния, поверхности

Способ обработки поверхности кремния, включающий имплантацию ионов бора и последующее облучение импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости имплантированного слоя, облучение ведут с длительностью импульсов не более десятков секунд при плотности мощности не менее 10 Вт/см2.

Номер патента: 1507129

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Лисина, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, пластин

Способ легирования пластин кремния для изготовления диодов, включающий имплантацию в них ионов бора и электрическую активацию бора последующим нагревом импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда путем получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда выше дозы имплантации и одновременного повышения быстродействия диодов путем снижения времени жизни неосновных носителей заряда, имплантацию проводят при энергиях ионов бора от 30 до 60 кэВ со средней плотностью ионного тока, меньшей 3 мкА/см2, а нагрев ведут от появления следов расплава на пластине до пробега волны плавления по ее поверхности.

Номер патента: 1563510

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белотелов, Коршунов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимониде, индия, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия, включающий легирование исходного материала компенсирующей примесью до получения материала p-типа, изготовление из легированного материала подложек, имплантацию в них ионов и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДП-структур с инверсионным каналом и p-n-переходов за счет снижения токов утечки и повышения подвижности свободных носителей заряда, в качестве компенсирующей примеси используют германий, легирование осуществляют до концентраций дырок от 1012 до 1016 см-3, после изготовления подложек на них дополнительно наносят слои диэлектрика, в качестве...

Номер патента: 1442004

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/265

Метки: включений, гексаборида, кремния

Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.

Номер патента: 1498074

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Никитин, Петровнин, Поташный, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: кремния

Способ обработки кремния путем облучения его поверхности пучком ионов бора при средней плотности ионного тока 2 j < 3 мкА/см2, отличающийся тем, что, с целью формирования сплошного слоя тетраборида кремния, облучение ведут дозой 6,25 1016 - 1,00 1017 см-2.

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Номер патента: 677597

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Газуко, Коршунов, Лукашова, Миркин, Постников, Шпирт

МПК: H01L 21/268

Метки: материале, полупроводниковом, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от величины, вызывающей образование кратера, до величины, меньшей образования сквозного отверстия в обрабатываемом материале.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-p-n+-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с...

Номер патента: 676109

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Короткова, Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104...

Номер патента: 665602

Опубликовано: 20.03.2001

Авторы: Аптер, Гайле, Горшков, Кириллова, Коршунов, Кузнецов, Михлин, Павлов, Сараев, Семенов, Серова, Степанов

МПК: C07C 7/08, C07C 7/10

Метки: c4-c5, насыщенности, разделения, разной, смесей, степени, углеводородов

1. Способ разделения смесей углеводородов C4-C5 разной степени насыщенности путем экстракции или ректификации в присутствии разделяющего агента, отличающийся тем, что, с целью повышения степени разделения и упрощения процесса, в качестве разделяющего агента используют соединение общей формулыгде X - кислород или сера;R - алкил C1-C4.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют разделяющий агент, содержащий 0,1 - 25 мас.% воды.

Номер патента: 706997

Опубликовано: 20.03.2001

Авторы: Боднарюк, Козина, Коршунов, Котельников, Патанов

МПК: B01J 23/24

Метки: дегидрирования, катализатора, приготовления, углеводородов

Способ приготовления катализатора для дегидрирования углеводородов, например алюмохромового, путем смешения исходных компонентов с последующим формованием полученной катализаторной массы или суспензии с добавлением поверхностно-активного вещества, отличающийся тем, что, с целью повышения активности и стабильности катализатора, в качестве поверхностно-активного вещества берут аминоалкиловые эфиры карбоновых кислот, например алкилароматических, нафтеновых.

Номер патента: 813900

Опубликовано: 20.03.2001

Авторы: Большаков, Горшков, Давыдова, Кандалова, Кашин, Коврайский, Коршунов, Львов, Орлов, Степанов

МПК: C07C 15/46, C07C 5/393

Метки: стирола

1. Способ получения стирола дегидроциклизацией н-октана на алюмохромовом катализаторе при повышенной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода стирола и упрощения технологии процесса, последний проводят под вакуумом 500 - 660 мм рт.ст. в присутствии этилбензола при весовом соотношении н-октан : этилбензол, равном 1 - 4 : 1.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 570 - 620oC.

Номер патента: 736777

Опубликовано: 20.03.2001

Авторы: Белицкий, Белов, Вайнер, Гладилович, Коршунов, Лазарянц, Ушомирский, Шибанов

МПК: G03C 1/38

Метки: композиция, фотополимеризующаяся

Фотополимеризующаяся композиция, включающая водорастворимый полимер, диалкиламиноалкилметакрилат, фотоинициатор, термоингибитор, полиэтиленгликоль, стабилизатор и воду, отличающаяся тем, что, с целью увеличения стабильности композиции при хранении, в качестве стабилизатора она содержит органическую моно- или полифункциональную кислоту, выбранную из ряда: уксусная, метакриловая, щавелевая, малеиновая, винная, адипиновая или лимонная кислота, в количестве, обеспечивающем соотношение карбоксильных и аминогрупп в композиции 0,9 : 1 - 1,1 : 1, при следующем соотношении компонентов, мас. ч.:Водорастворимый полимер - 20 - 50Диалкиламиноалкилметакрилат - 6 - 50Органическая кислота...

Номер патента: 726820

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Андреев, Арутюнов, Вернов, Вьюгина, Гальперин, Кичигин, Кнубовец, Короткевич, Коршунов, Лемаев, Лиакумович, Милославский, Мухин, Степанов, Суровцев, Федотов, Фельдблюм

МПК: C07C 11/02, C07C 2/08

Метки: олефинов

1. Способ получения олефинов С4-С6 путем димеризации или содимеризации этилена и/или пропилена в присутствии катализатора на основе соединений никеля и алкилалюминийсесквихлорида в углеводородной среде с образованием реакционной смеси, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии процесса, последний проводят при температуре кипения реакционной смеси с отбором всех или 16 - 96 мас.% парообразных продуктов, конденсацией последних и рециркуляцией жидких продуктов конденсации в реакционную смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс проводят при давлении 0,8 - 16 атм.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что димеризацию этилена проводят при...

Номер патента: 965086

Опубликовано: 10.08.2000

Авторы: Горшков, Коршунов, Павлов, Павлова, Серегина, Смирнов, Степанов, Стряхилева, Чаплиц, Чуркин

МПК: C07C 41/34, C07C 43/04

Метки: выделения, метил-трет-алкиловых, эфиров

1. Способ выделения метил-трет-алкиловых эфиров общей формулы CH3-O-R, где R - трет-алкиловый радикал с 4 - 8 атомами углерода, из реакционной смеси, полученной в результате реакции метанола и третичных олефинов углеводородной фракции C4 - C8, путем выделения из нее непрореагировавших углеводородов перегонкой с последующей азеотропной ректификацией остатка смеси в присутствии углеводорода в качестве разделяющего агента с отбором дистиллята азеотропа метанола с разделяющим агентом и кубового продукта, содержащего целевой эфир, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и снижения энергозатрат, в качестве разделяющего агента используют углеводороды,...

Номер патента: 1083807

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Белицкая, Белицкий, Вайнер, Коршунов, Мелехов, Михлин, Трахтенберг

МПК: G03F 7/027

Метки: композиция, печатных, форм, фотополимеризующаяся, фотополимерных

Фотополимеризующаяся композиция для изготовления фотополимерных печатных форм, включающая ацетосукцинат целлюлозы, триэтиленгликольдиметакрилат, глицидилметакрилат, 1-хлорантрахинон, тетра(оксипропил)этилендиамин, глицерин, полиоксиэтилен (мол.м. 4500 - 5000), спирт этиловый и ацетон, отличающаяся тем, что, с целью повышения светочувствительности, она дополнительно содержит смесь монометакрилата глицерина, диметакрилата глицерина, триметакрилата глицерина, тетраметакрилата глицерина, пентаметакрилата глицерина и гексаметакрилата глицерина при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Ацетосукцинат целлюлозы - 95 - 105Триэтиленгликольдиметакрилат - 18 - 22Глицидилметакрилат...

Номер патента: 1089896

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Болтаев, Каримов, Коршунов, Лазарянц, Мелехов, Мусаев, Хамраев, Юлдашев

МПК: C01B 17/10

Метки: серы, стабилизации, суспензии

Способ стабилизации суспензии серы введением стабилизирующей добавки - продукта полимеризации хлоргидрата диалкиламиноалкилметакрилата, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса за счет снижения расхода стабилизирующей добавки и повышения степени стабилизации, в качестве стабилизирующей добавки используют продукт полимеризации хлоргидрата диэтиламиноэтилметакрилата.

Номер патента: 1617918

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Дмитриев, Коршунов, Крейцберг, Лазарянц, Лебедев, Петров, Придатко, Родионова, Соколов, Соловьева, Цайлингольд, Яблонский

МПК: C08F 226/06

Метки: 2-пиридилэтилметакрилатом, винилпиридина, источниках, катодной, качестве, массы, основы, сополимер, химических

Сополимер винилпиридина с 2-пиридилэтилметакрилатом формулыm и n составляют соответственно 50-90 и 50-10 мол.%,с мол.м. 20000-300000 в качестве основы катодной массы в химических источниках тока.

Номер патента: 677508

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Бугров, Высокинская, Доронин, Климова, Копылов, Коршунов, Космодемьянский, Микаэлян, Рохлин, Тамонов, Ферапонтова, Юхнович

МПК: C14C 9/00

Метки: кож, наполнения, состав, хромовых

1. Способ для наполнения хромовых кож, состоящий из латекса полимера, неионогенного эмульгатора и воды, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества кож, сокращения расхода полимера и исключения операции поддубливания кож после наполнения, в качестве латекса используют сополимер, содержащий диалкиламиноэтиловый эфир ненасыщенных кислот общей формулыгде R1 - H или СН3;R2 - CnH2n+1 при n 1 - 3,при следующем соотношении компонентов состава, считая на сухое вещество латекса, мас.ч.:Латекс полимера - 100Неионогенный эмульгатор - 1 - 10Вода -...

Номер патента: 1053550

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Агишева, Герасимова, Коршунов, Рахманкулов, Сабитов, Хазипов, Цветков

МПК: E21B 43/22

Метки: заводнения, нефтяного, пласта, состав

Состав для заводнения нефтяного пласта, содержащий неионогенное поверхностно-активное вещество, воду и добавку, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры застывания и снижения адсорбции поверхностно-активного вещества на породе, в качестве добавки он содержит спиртовую фракцию отходов производства капролактама при следующем соотношении компонентов, мас.%:Неионогенное поверхностно-активное вещество - 70-90Вода - 5-15Спиртовая фракция отходов производства капролактама - 5-15

Номер патента: 1338241

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Айкашев, Воленко, Голицынский, Коршунов, Мирончик

МПК: B63B 59/00

Метки: льда, объекта, удаления

1. Устройство для удаления льда с объекта, преимущественно лихтера, содержащее кожух в виде колпака, имеющего форму объекта, и систему подачи нагретого теплоносителя, снабженную нагревателем и насосом и сообщенную трубопроводом с кольцевым перфорированным коллектором, размещенным в верхней части полости кожуха, отличающееся тем, что, с целью, повышения эффективности и экономичности, оно снабжено кольцевым рукавом из эластичного материала, размещенным в полости кожуха по периметру его нижней кромки и соединенным с источником сжатого газа, и коллектором, снабженным всасывающими патрубками, размещенным над кольцевым рукавом и сообщенным трубопроводом с всасывающей полостью насоса системы...

Номер патента: 862425

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Емельянов, Золотарев, Коршунов, Марсин, Михин, Пеклер, Позднеев, Тхоревская

МПК: B01D 9/00

Метки: кристаллизации, рибофлавина

1. Способ кристаллизации рибофлавина из солянокислого раствора путем смешения его с водой с последующим охлаждением в кристаллизаторе, отделением кристаллов от маточного раствора и возвращением его в кристаллизатор, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса кристаллизации, маточный раствор возвращают в кристаллизатор двумя потоками в объемном соотношении 3 : 1 - 5 : 1, а подачу солянокислого раствора рибофлавина в кристаллизатор осуществляют совместно с меньшим потоком маточного раствора.2. Устройство для осуществления способа по п.1, включающее корпус, снабженный двумя штуцерами для ввода и одним штуцером для вывода маточного раствора, а также штуцером для ввода исходного...

Номер патента: 1178041

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Вафина, Ворожейкин, Давыдов, Коршунов, Лиакумович, Мустафин, Напольских, Сахапов

МПК: C07C 5/333

Метки: c4-c5, олефиновых, углеводородов

Способ получения олефиновых углеводородов С4-С5 дегидрированием соответствующих парафиновых углеводородов в кипящем слое алюмохромового катализатора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода целевых продуктов и селективности процесса, дегидрирование проводят в присутствии катализатора, дополнительно содержащего карбонат кальция в количестве 0,5 - 1,0 мас.%.

Номер патента: 1469784

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Ворожейкин, Давыдов, Зарипов, Коршунов, Курочкин, Муллина, Рязанов, Савельев, Сидорова, Туйбарсов, Черкасов, Щербавская

МПК: C07C 11/18, C07C 5/333

Метки: изопрена

1. Способ получения изопрена путем дегидрирования изоамиленов на железохромкалиевом катализаторе К-24 при повышенной температуре в присутствии водяного пара, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и увеличения селективности процесса, используют железохромкалиевый катализатор К-24, отработанный в условиях промышленной эксплуатации в процессе дегидрирования алкилароматических углеводородов в течение 1 - 2 лет.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 580 - 650oC, объемной скорости подачи сырья 0,35 - 1,5 ч-1 и молярном разбавлении сырья паром 1 : 15 - 19.

Номер патента: 1336469

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Вафина, Давыдов, Зарипов, Коршунов, Мустафин, Напольских, Савельев

МПК: C07C 11/08, C07C 11/10, C07C 5/333 ...

Метки: c4-c5, олефинов

Способ получения олефинов С4-С5 путем дегидрирования соответствующих парафиновых углеводородов на алюмохромовом катализаторе при 520 - 610oC в присутствии добавки, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода целевого продукта, в качестве добавки используют смесь этилмеркаптана и диметилформамида, взятых в количестве 0,005 - 0,1 и 0,005 - 0,05 мас.% соответственно в расчете на сырье.