H01L 21/18 — приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы IV группы Периодической Системы или соединения A

Номер патента: 1840259

Опубликовано: 10.09.2006

Авторы: Басов, Кокин, Любушкин, Манжа

МПК: H01L 21/18

Метки: кремниевых, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов, включающий создание коллектора, базы транзистора, нанесение двухслойной маски, нижний слой которой является двуокисью кремния, вытравливание в маске эмиттерного окна, боковое подтравливание двуокиси кремния с образованием полости под вторым слоем маски, диффузию эмиттерной примеси, термическое окисление, вытравливание в окисле эмиттерного контакта, соответствующего окну во втором слое маски, вытравливание контактных окон к коллектору, базе и нанесение металлических контактов к электродам, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик транзисторов и повышения их надежности, в качестве второго слоя маски наносят поликристаллическим кремний и термическое окисление проводят...

Номер патента: 1840260

Опубликовано: 10.09.2006

Авторы: Басов, Кокин, Любимов, Манжа, Чистяков

МПК: H01L 21/18

Метки: кремниевых, структур, эпитаксиальных

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур, включающий создание в кремнии р-типа проводимости областей n-типа проводимости, легирование поверхности акцепторной примесью, окисление, вскрытие в окисле окон и эпитаксиальное наращивание в атмосфере водорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик структур, легируют поверхность акцепторной примесью между областями n-типа проводимости до уровня концентрации в 3-8 раз меньшего уровня, при котором имеют место канальные утечки под окислом кремния после эпитаксиального наращивания в атмосфере водорода, и после эпитаксиального наращивания структуру отжигают в атмосфере инертного газа, преимущественно азота, при температуре на 100°С больше и на...

Номер патента: 1822298

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Дулинец, Калошкин, Колешко, Красницкий, Малышев, Турцевич

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральная, металлизацией, микросхема, тонкопленочной

1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60...

Номер патента: 1326102

Опубликовано: 27.04.2008

Авторы: Буланов, Михайлов

МПК: H01L 21/18

Метки: датчиков, полупроводниковых, чувствительных, элементов

Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков, заключающийся в формировании тензорезисторов, тонкопленочных проводников и контактных площадок и утоньшении кристаллов путем травления, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления, уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных, после формирования схемы пластину со стороны тензосхемы закрывают промежуточным слоем адгезионного материала типа полимерного лака, не доходящем до края пластины от 3 до 5 мм, после чего на указанный слой наносят слой кислотощелочестойкого герметизирующего компаунда, перекрывающего слой адгезионного материала, и проводят травление в щелочном или кислотном травителе до...

Номер патента: 818372

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Игнатенко, Радионов, Снитовский

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n+-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле контактного окна, формирование металлического электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлизации путем улучшения планарности поверхности и снижения величины времени восстановления обратного сопротивления диода Шоттки путем уменьшения площади р-n перехода, на поверхности...