Патенты с меткой «структуры»

Номер патента: 1807811

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Бродко, Возный

МПК: H01L 21/312

Метки: м-слойной, покрытий, структуры, тонкопленочных

...структуры и распространение в ней излучения в ходе технологического процесса,а также характеризующие этот прсцесс физические параметры: ф - угол падения излучения на структуру; ф О = 1, , М) - углыпреломлени излучения в слоях структуры;по - показатель преломления окружающейсреды; п, О - 1М) - показатели преломления слоев структуры; б) О " 1 М) -толщины слоев структуры,На фиг. 2 а показана зависимость отражения от трехслойной структуры ф П 051 МК(Поликремний) 302/5 в воздух в зависимости от толщины слоя фоторезиста, По осиординат отложен коэффициент отраженияизлучения В (отн.ед,), оси абсцисс - толщинаслоя фоторезиста б(нм), На фиг. 2 б показана зависимость отражения в фоторезист отструктуры Поликремний (302)5 в воздух...

Номер патента: 923281

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Квурт, Миндлин, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: мощных, однородности, структуры, транзисторов

1. Способ контроля однородности структуры мощных транзисторов, включающий импульсный разогрев структуры при постоянной амплитуде тока эмиттера и регистрацию изменения во времени прямого падения напряжения на переходе эмиттер база, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, разогрев осуществляют подачей прямоугольного импульса напряжения на переход коллектор база, амплитуда которого превышает напряжение образования шнура тока в структуре для статического режима и длительность фронта которого значительно меньше тепловой постоянной времени полупроводникового кристалла, причем импульс разогрева прерывают в момент, когда происходит увеличение скорости изменения во времени модуля приращения регистрируемого параметра, а однородность...

Номер патента: 1669275

Опубликовано: 20.05.1999

Автор: Герник

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитной, образцов, параметров, структуры

Способ определения параметров магнитной структуры образцов материалов, включающий воздействие на образец насыщающим переменным магнитным полем в выбранном направлении и осуществление первого измерительного цикла, включающего намагничивание образца путем одновременного воздействия затухающим переменным и постоянным магнитными полями в выбранном направлении, измерение остаточной намагниченности образца, частичное размагничивание образца в направлении, перпендикулярном выбранному, и повторное измерение остаточной намагниченности, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа за счет дополнительного определения степени магнитной многоосности частиц образца в...

Номер патента: 1157964

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Андреев, Вахтанова, Груз, Лейбзон, Шапиро

МПК: G03C 5/30

Метки: изображения, лиt, проявителе, растрового, регулятор, структуры, типа

Применение соединений общей формулыгде R - метил, бензил или гептил, - хлор, бром или иод,в качестве регулятора структуры растрового изображения, в процессе проявления в проявителе типа "лит".

Номер патента: 1018521

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Андреев, Лейбзон, Леонова, Мыльцева, Пясецкая

МПК: G03F 5/04

Метки: изображения, растрового, регулятор, структуры

Применение натриевой соли ди-2-этилгексилоктаэтиленгликолевого эфира сульфоянтарной кислоты формулыв качестве регулятора структуры растрового изображения.

Номер патента: 1019935

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Андреев, Лейбзон, Леонова, Мыльцева, Пясецкая

МПК: G03F 5/04

Метки: изображения, растрового, регулятор, структуры

Применение полигликолевого эфира изооктилфенола формулыв качестве регулятора структуры растрового изображения.

Номер патента: 1575681

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Гаевский, Гехман, Гольд, Попельницкий, Шатров

МПК: G01N 21/64

Метки: оценки, структуры, таксономической, фитопланктона

Способ оценки таксономической структуры фитопланктона, включающий облучение проб видимым светом и регистрацию их флуоресценции, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности за счет возможности определения количественных характеристик фитопланктона и расширения круга анализируемых таксономических групп, облучают n длинами волн ( 1... n) в диапазоне 400 - 540 нм анализируемую пробу и образцы чистых культур, являющихся представителями и анализируемых таксономических групп, регистрируют их флуоресценцию и по системе уравнений

Номер патента: 1545845

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структуры

Способ получения структуры "кремний на изоляторе", включающий имплантацию в кремниевую подложку ионов кислорода (азота) с дозами и энергиями, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния (нитрида кремния) под слоем кремния, и нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структуры, имплантацию и нагрев проводят в два этапа: на первом этапе имплантируют часть поверхности кремниевой подложки так, чтобы имплантируемые области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором имплантируют только неиплантированную на первом этапе поверхность кремниевой подложки и проводят нагрев.

Номер патента: 1119535

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Астахов, Герасименко, Ивахнишин

МПК: H01L 21/302

Метки: использования, образцов, структуры, твердых, тел

Способ изготовления образцов для исследования структуры твердых тел, включающий формирование границ раздела между разными участками структуры и последующее утонение образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа изготовления образцов, перед утонением на поверхности исследуемого тела создают ряд выступов прямоугольного или трапецеидального поперечного сечения, на боковых гранях которых формируют границы раздела.

Номер патента: 843534

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Воробьев, Кузьминых, Орлов, Подгребняк, Стародубов

МПК: G01N 23/04

Метки: исследования, структуры, тонкопленочных, электронной

Устройство для исследования электронной структуры тонкопленочных материалов с помощью аннигиляции позитронов, содержащее радиоактивный источник позитронов, расположенный на подложке, и детекторы аннигиляционных гамма-квантов, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения, устройство снабжено подложкой для установки образца, а подложка источника позитронов изготовлена в виде усеченного конуса, причем обе подложки выполнены из материала с атомным номером Zэфф 70.

Номер патента: 1533496

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Аристов, Ерохин, Никулин, Снигирев

МПК: G01N 23/20

Метки: деформации, кристаллической, поверхностных, слоев, структуры

Способ измерения деформации кристаллической структуры поверхностных слоев в контролируемом образце, включающий измерение угловой зависимости дифрагированной волны многокристальным рентгеновским дифрактометром и определение деформации по этой зависимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, изготавливают тестовый образец из того же материала и по технологии, полностью соответствующей контролируемому образцу, деформирующим воздействием на поверхности исследуемого образца формируют периодическую структуру из чередующихся с постоянным периодом из интервала значений от 0,1 мкм до 2 длин экстинкции рентгеновского излучения областей с нарушенной и ненарушенной структурой,...

Номер патента: 1166604

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Полубедов, Урвачев

МПК: G01N 29/06

Метки: внутренней, объекта, отображения, структуры, томографического

Устройство для получения томографического отображения внутренней структуры объекта, содержащее антенные решетки ультразвуковых излучателей и приемников, блок питания антенной решетки ультразвуковых излучателей, детектор и индикатор, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, оно снабжено блоками фазовращателей включенных соответственно между блоком питания антенной решетки ультразвуковых излучателей и последней и между антенной решеткой ультразвуковых приемников и детектором, двумя генераторами пилообразного напряжения, включенными соответственно между входами блоков фазовращателей и входом индикатора, в качестве детектора использован амплитудный детектор, а индикатора -...

Номер патента: 385536

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Романов, Серяпин, Серяпина, Смирнов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковой, структуры

Способ изготовления полупроводниковой структуры путем легирования полупроводника примесями с последующим облучением его потоком быстрых электронов, отличающийся тем, что, с целью локального направленного перераспределения примесей, выбранные участки полупроводника облучают потоком электронов, энергия которых по крайней мере в два раза больше пороговой энергии образования радиационных дефектов полупроводниковой структуры.

Номер патента: 1623492

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевой, соединения, структуры, термокомпенсатором

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором, включающий помещение припоя между кремниевой структурой и термокомпенсатором, нагрев до расплавления припоя, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения напряжения пробоя за счет улучшение качества соединения, охлаждение осуществляют со скоростью 0,2...1,5oC/мин.

Номер патента: 1369598

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Зайцев, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактного, кремниевые, никелевого, осаждения, покрытия, полупроводниковые, раствор, структуры, химического

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры, содержащий никель сульфаминовокислый, натрий гипофосфат и воду, отличающийся тем, что, с целью уменьшения переходного сопротивления контакта к кремнию р-типа проводимости с поверхностной концентрацией основных носителей ниже 5 1018 см-2 при сохранении стабильной скорости осаждения, он дополнительно содержит гидразинсодержащую соль при следующем соотношении ингредиентов, г/л:Никель сульфаминовокислый - 30 - 70Натрий гипофосфит - 5 - 35Гидразинсодержащая соль - 0,4 - 1,45Вода...

Номер патента: 1579344

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Авдонин, Евтушенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковой, соединения, структуры, термокомпенсатором

Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором, включающий размещение в каждой из ячеек кассеты пакета из термокомпенсатора, алюминиевого припоя, кремниевой структуры с р-n-переходом, заполнение полости кассеты графитовым порошком, создание сжимающего давления на пакеты и термообработку при 577 - 900o, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения, осуществляют предварительную термообработку заполненной кассеты при 500 - 560oC и давлении 1 - 9 Н/мм2.

Номер патента: 1598813

Опубликовано: 27.04.2002

Автор: Камышный

МПК: H03B 1/02

Метки: активного, аппаратуре, использования, кратковременного, образования, одноразового, основе, полупроводниковой, радиоэлектронной, структуры, элемента

Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре, например для генерирования электрических колебаний, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности активного элемента, через полупроводниковую структуру диодного типа пропускают в прямом и обратном направлении электрический импульс для инициирования в ней необратимого электрического или термоэлектрического пробоя с последующей подачей на образованный нелинейный элемент рабочего тока и напряжения.

Номер патента: 1094523

Опубликовано: 20.11.2002

Автор: Король

МПК: H01L 21/425

Метки: полупроводниковой, структуры, четырехслойной

Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры, включающий введение легирующей примеси в кристалл кремния и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и длительности процесса формирования структуры при сохранении времени жизни неосновных носителей заряда, в качестве легирующей примеси используют натрий, который вводят в кристалл ионной имплантации при дозе 200-2000 мкКл/см2, а последующий отжиг проводят при температуре 675-725oС в течение 23-35 мин.

Номер патента: 830728

Опубликовано: 20.07.2003

Авторы: Байрамов, Горожанкин, Меньшов, Сабанин

МПК: C01F 7/42

Метки: алюминия, бемитной, гидроокиси, структуры

1. Способ получения гидроокиси алюминия бемитной структуры, включающий электроискровое диспергирование металлического алюминия в воде с неорганической добавкой, кипячение образовавшейся суспензии гидроокиси алюминия, ее фильтрацию и сушку, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса, в качестве неорганической добавки используют аммонийные соли.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве аммонийных солей берут уксуснокислый, и/или углекислый, и/или хлористый аммоний.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что аммонийные соли вводят в количестве 0,05-0,1 вес.%.

Номер патента: 1840192

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Алехин, Варламов, Дрозд, Емельянов

МПК: H01L 21/31

Метки: диэлектрик-полупроводник, кадмий-ртуть-теллурид, создания, структуры

Способ создания структуры диэлектрик-полупроводник кадмий-ртуть-теллурид, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка, отличающийся тем, что, с целью повышениях стабильности характеристик структуры, слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С, давлении паров диэтилцинка и сероводорода в вакуумной камере не менее 5 мм рт.ст и выдержке не менее 0,1 с.

Номер патента: 1007546

Опубликовано: 10.06.2007

Авторы: Соболев, Шек

МПК: H01L 21/225, H01L 21/34

Метки: p-n-p-n, структуры

Способ изготовления p-n-p-n структуры в окисляющей атмосфере, включающей отмывку поверхностей пластины кремния n-типа проводимости, диффузию в галогенсодержащей среде акцепторных примесей, стравливание двуокиси кремния с поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры и повышения их воспроизводимости, перед операцией отмывки осуществляется полировка поверхностей пластины, после отмывки окисляют пластину в галогенсодержащей среде и стравливают образовавшуюся двуокись кремния с поверхностей пластины, затем на обе стороны пластины наносят пленку двуокиси кремния, легированную акцепторными примесями, после стравливания двуокиси кремния с...

Номер патента: 1082253

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.

Номер патента: 1238630

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.