Патенты с меткой «структуры»

Номер патента: 459704

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Дорофеев, Корсаков, Лившиц, Черенкова

МПК: G01N 3/00

Метки: кондиции, структуры

...структуры,Сущность срсдлагаек;ого способа заключается в следующем.Образцы из хромоникелевых жаропрочных силавов, используемых в устройствах с цикВ результате воздействия на образцы ком 1 О слекса термодинамических нагрузок происходят процессы активного окисления сплава иобеднение легирующими элементами за счетвыгорания их с поверхности. При умеренныхтемпературах в пределах 1000 С в поверхно 15 стном слое хромоникелевых сплавов образуются окислы типа шсинель, не обладающиемагнитными свойствами,При более высоких температурах за счетдиффузии элементов среды и сплава, имею 20 щих сродство к кислороду, в поверхностномслое появляются окислы типа %0, СоО и др.,обладающие слабой магнитной восприимчивостью. Величина магнитной...

Номер патента: 459784

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Копейкин, Нечаев, Сломов, Тугуз

МПК: G06G 7/62

Метки: аналоговое, вычислительное, оптимизации, производственных, систем, структуры

...18 обеспечивает поступление продукции подсистем в готовую продукцию производственной системы, накапливаемую на выходе сумматора 5. Коммутацию выполняет блок управления коммутатором 17, который осуществляет переключение в соответствии с выходными сигналами логического блока 16.Для регулирования производительности каждой подсистемы из готовой продукции системы выделяются пропорциональные части, внесенные каждой подсистемой, которые вычитаются сумматорами б и 7 из готовой продукции подсистем, накапливаемой интеграторами 12 и 13. Для моделирования инерционности информационных процессов в подсистемах служат блоки задержки 10 и 11. Управление производительностью каждой подсистемы аддитивно и реализуется сумматорами 3 и 4,Схема управления...

Номер патента: 459903

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Роберт, Симон

МПК: G03G 13/00

Метки: мозаичной, структуры, цветного, электрофотографического

...зон спектра,Для изготовления электрофотографическо 50 го материала на бумагу наносят суспензию12 вес. ч. окиси цинка в растворе 1 вес. ч,смолы Е 87-09 в толуоле, сушат, заряжаютбумагу отрицательно (8 кв, коронный разряд)и экспонируют 30 сек через стеклянный шаб 55 лон, одна треть площади которого покрытанепрозрачными черными линиями, расположенными на равном расстоянии друг от друга (300 линий на 25,4 мм) на расстоянии305 мм вольфрамовой лампой (48 вт, 2830 К).60 После экспонирования материал помещают на3 мин в тонер, приготовленный из 1,0 г Ра 1 еп 1В 1 цеЧ, сенсибилизированной окиси цинка,0,025 г ферростеарата, 2,0 г алкидной смолыМ 11 сйаоз 715 и 250 мг 1 зорег 6, сушат и поб 5 лучают материал (см. фиг. 1), содержащийучастки 1 и 2,...

Номер патента: 465004

Опубликовано: 25.03.1975

Автор: Гарри

МПК: H01J 9/22

Метки: масочной, печати, структуры, трубки, фотографический, экрана, электроннолучевой

...освети тельного устройства, используемого для экспозиции, яркость светового поля изменяется в противоположном направлении и наибольшая яркость будет в центре экрана, а наименьшая - в углах. Для того чтобы обеспечить противоположное распределение светового поля, необходимо пропустить свет через ослабляющий фильтр, имеющий постепенно изменяющееся пропускание от наименьшего в центре (обычно 15 - 25 О) до наибольшего в углах (обычно 100%). Экспонирование через фильтр требует относительно большого времени экспонирования, которое для всего поля определяется временем экспонирования, необходимым для передержки в углах поля. Чем больше передержка в углах, тем больше время экспонирования. В некоторых случаях изза наличия ослабляющих фильтров...

Номер патента: 465582

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Ангаров, Дивинский, Повзиков, Фишман

МПК: G01N 21/20

Метки: ватки, исследования, прочеса, структуры

...вибратора 38, и вилку 39.Блок преобразования и регистрации образо ван фотоэлементом 40, усилителем 41 и указательным прибором 42.Устройство работает следующим образом.Световой поток от источника 1 света, проходя через двухканальную оптическую систе му, попадает на экран 9 так, что световойпоток от каждого из каналов оказывается на соответствующей полуокружности, образуя круг, разделенный тонкой линией. Освещенность полуокружностей считывается поочередно фотоэлементом 40 с помощью качающейся зеркальной призмы 36.Блок сравнения и регистрации потоков выполнен таким образом, что при выравнивании световых потоков сигнал с фотоэлемента 40 является минимальным.В обойму 16 каретки 19 вставляется образец 17, помещенный между двумя стеклами 18....

Номер патента: 78074

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Андреевская, Буров, Бутузов

МПК: B01J 17/30

Метки: вещества, структуры, электроориентированной

...загружают коллоидные кристаллические частицы вещества, например кварца титанатан)Оария и т. п. Бун 1 ер снабхкен соплом, через коорый равномерно Вы.сыпаются частицы вещества, Сопло бункера окружено кольцеобразным электродом, к которому подведен полюс высокого напряжения.В нижней части колокола под бункером расположен обогреватель,закрытый тонкой графитовой пластинкой, к которой подводится минуси земля. Сыплющиеся на пластинку коллопдно-измельченные мелкокристаллические частицы вещества ориентируются по полю и фиксируются им на обогреваемой пластинке. Температуру обогрева регулируют таким образом, чтобы обеспечить спекание коллоидных частиц вориентированном состоянии.Электроды могут бь 1 ть расположены и по бокам...

Номер патента: 480925

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: G01K 7/01

Метки: полупроводниковой, структуры, температуры

...или ее малых отклонений.Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает 5 10 - зС в интервале температур от 50 до +100 С,В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п - типа, у...

Номер патента: 482662

Опубликовано: 30.08.1975

Автор: Дубейковский

МПК: G01N 25/00

Метки: закалке, констроля, стальных, структуры

...о годности детали. Момент начала распада аустенита вне зависимости от характера распада (перлитное превращение, промежуточное превращениеили мартенситное превращение) может быть индицирован по приобретению деталью магнитных свойств.На чертеже схематически показано устройство для реализации предлагаемого способа.Устройство состоит из нагревателя 1 с фотопирометром 2, закалочной электромагнитной плиты, спреера 3, маслонасоса 4, клапана подачи закалочного масла 5, транспортера 6 для передачи детали 7 из нагревателя в закалочное устройство, устройство отсчета контрольного времени 8, устройства сравнения 9 и устройства индикации мартенситного превращения 10. Электромагнитная закалочная плита представляет собой кольцевой электромагнит с...

Номер патента: 488184

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Макашев, Шмидт

МПК: G04F 11/08

Метки: анализатор, дискретного, сигнала, структуры, цифровой

...импульс начала сразу, а импульс конца - с задор)ккой на один период тактовой частоты. Примензние регистра 8 позволяет получить сигпалы начала и конца, задор)каиные относительно реальных на одип период тактовой частоты. Эту постоянную ошибку легко учесть и откорректировать,Импульсы с выходов А и Б ооъединяются схемой ИЛИ 9 и подаются па регистр 2 в качестве импульсов сдвига Так как первый4881844разряд регистра 2 был уста 5 иовлен сигналом начала цикла в 1, то в момент появления импульса начала первого сгнала 1 поя- В:тс 5 во Втором разряде, а в момент появле.- ,. Ипя и)пульс.конца этого снпала - в тпе 15 20 25зО зз 4 О4 З Эд ьо65 1 Е)1 РЯЗР 5 Р П Т ЦС Выхода )ег:стра 2 сигнал через перек.10 атегь постуяс ИЯ ВходиОЙ. элемент 3....

Номер патента: 489077

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Генин, Козиоров, Купервассер

МПК: G05B 13/02

Метки: переменной, систем, структуры

...которого обозначен через,3, ."ыходной сигнал сумматора 1 О- через ,К, датчик а и:"оме".,%уточч ьх коордугчар 7 р, ч,м, правлаюшее устройство выполнено на двух усилителях 13, 14, диодных элем. птах "5.-18 конден"аторе 19 и резис орах И 2 Ои включает датчики 5, 7, 11 и задатчик 9.Логический переключающий блок 8 представляет диодный ключевой элемент 27 составленный из четырех диодов 15-18 и двух 15 резисторов 21, 22. Формироватещ фужции переключения 28 выполнен на усилителе 13 и резисторах 23 - 25, бумматор и фильтр реализованы на одном усилителе 14, охваченном обратной связью. На вход этого усиО лителя через конденсатор 19 и резистор 26 поданы выходные сигналы логического переключдг)щего блока 8 и через резистор 20 датчика текущих...

Номер патента: 492261

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Берлин, Васильев, Вольфкович, Малыгина, Розенберг

МПК: C09K 17/50

Метки: почв, структуры, улучшения

...пополнения органического вещества почв.В предлагаемом способе в качестве структора используют привитой сополимеризат технического лигносульфоната с виниловыми мономерами, например,эфирами акриловой кислоты, сложно- эфирные группы которого омылены на 30-10 Я, причем установлено, что частичное или полное омыление сложно- эфирных групп полиакрилатных фрагмен. тов привитого сополимера приводит к увеличению эффективности действия сополимера как струнтора.Способ получения предлагаемого структора прост, не требует применения специальной или дефицитной аппаратуры и может быть осуществлен в одном аппарате периодического действия.В реантор, снабженный механической мешалкой, термометром и обратным холодильником, загружают 100 вес.ч. 25 М=ного...

Номер патента: 495598

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Кундла, Паст, Сюгис

МПК: G01N 27/78

Метки: линии, линий, одной, структуры

...частоту, равную частоте сигнала основной линии, 3.Ч, .= 2-,1,/ Ь =-п, где , - частота модуляции; гг - н вой полосы (гг=, - 2, - 1, 1, 2, для их детектирова 1;ия применяетс стотный фазовый детектор, опорное ние которого должно иметь частотуГ -- и Ьо - резонансное значение поляризую.о поля, )О - частота сигнала ЯМР от осЬН, = 2 тсиЦТ,где /, частота вращения образца. Номер боковой полосы и Формул а пзооретенпя Составитель В. Филиппов Корректоры: Л, Котова и Л. Брахнина1 ехре Е. Подурушина Редактор И. Шубина Заказ 907/6 Изд.309 Тираж 902 Подписное ЦП 1 П 1 ПИ Госутарственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 повпой лгцпш, у -- гироыагцптцое...

Номер патента: 497718

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Привалов, Черныш

МПК: H03K 3/82

Метки: псевдослучайных«, сигналов, сложной, структуры, формирования

...адрес называемого абонента и т. д.), причем са. ма псевдослучайная последовательность используется как сигнал фазового пчска.497718 Изд.21 Тираж каз 399/ одпис Типография, пр. Сапунов Сигнал, поступающий на вход 12, перебрасывает триггер 10 в рабочее состояние. При этом открывается схема И 4, и импульсы с выхода генератора 1 начинают поступать на шину управления генератора 3. Формирование одного периода (цикла) псевдослучайной последовательности происходит за У=2" - 1 тактовых импульса, где ив число ячеек в генераторе. В конце периода формируемой псевдослучайной последовательности на выходе дешифратора 8 появляется импульс, который переводит счетчик 6 тактов из нулевого состоя. ния в начальное, а также записывает единицу в...

Номер патента: 503490

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Гьи, Жан

МПК: B29B 1/02

Метки: волокнистой, гранул, структуры

...слабая и среда достаточно жидкая (например, весовое содержаниесухх смолистых волокон 2 - Оо) то сгусткистремятся освободиться от волокон и от ихгрупп.Иными словами, в суспензии волокнистыхсг;стков сначала при обработке мокрым способом появляются базовые волокна и начальные образования грануляции, состоящие изгрупп, полученных сухим путем. При дальнейшей обработке начальные образования болеепли менее консолидируются уплотнением поддейсгвпем столкновений при движении в жидкости и в то же время они захватывают свободные волокна, размещая их по касательной.Структура полученных гранул может бытьизобра)кена приблизительно следующим образом.Каждая гранула содержит ядро, представляющее собой начальное образование, полученное сухим...

Номер патента: 503535

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Гьи, Жан

МПК: D04H 1/00

Метки: волокнистой, гранул, структуры

...сухой обработки зависит отстепени заполнении туннеля (причем активная поверхность обработки должна быть малой относительно объема обработки), а также от окорости вращения туннеля. Так, наилучшие результаты оыли получены при степени заполнения от 2/3 до 4/5 объема туннеля. Например, можно подвергать сухой обработке 850 кг древесных волокон в туннеледиаметром 2,5 и длиной 8 м, что соответствует степени заполнения 65%; туннель приводят во вращение с таким расчетом, чтобы окружная скорость была около 80 м/мин; ипосле 2 ч обработчики 80% волокнистой массыпреобразуется,в соединения (волокнистыегранулы) .После сухого свойлачивания проводят мокрую обработку волокнистых гранул. Иногдапосле свойлачивания проводят отделение волокнистых гранул...

Номер патента: 506849

Опубликовано: 15.03.1976

Авторы: Авдеев, Лавриненко, Макаревич

МПК: G06F 3/12

Метки: выфода, данных, интегрирующей, структуры, цифровой

...решения ЦИС,Коммутатор 14 предназначен для выполнения,построения соединительных путей междукакими-либо входами и выходами решающихблоков. Часть выходов коммутатора используется для одновременного вывода нескольких результатов решения на печать, Такимобразом, коммутатор обеспечивает набор любой задачи на ЦИС и параллельный вывод нескольких чисел на печать.Работа устройства происходит следующимобразом, Перед началом работы ЦИС происходит настройка коммутатора 14 на соединение требуемых выходов решающих блоков13 - 13, числа которых должны выводитьсяна печать в процессе решения, с теми выходами коммутатора, которые соединены с блоком2 памяти устройства,Клавиатура пульта блока 6 управления служит для набора кода Интервал печати, Онопределяет...

Номер патента: 511710

Опубликовано: 25.04.1976

Автор: Кислюк

МПК: H04J 3/02

Метки: дискретной, информации, преобразования, структуры

...+ 1, вырабатывается сигнал интервала перезаписи длительностью ОХ , задержанный на 1 относительно считываю- ШЕГО ИМПУЛЬСа,Сигнал перезаписи через элемент ИЛИ 1 1 поступает на индикатор заполнения памяти 9 для съема с него величины запаса данных В и для уменьшения величины запаса данных на единицу.Так как сигнал перезаписи подан на ьхад разрешения счета счетчика 12, ем - костью П + 1 , то по Окончании сигнала щ перезаписи в счетчике оказывается число ФКроме того, сигнал перезаписи поступает на вход разрешения сдвига регистра памяти 14 и на коммутатор 13 для подключения выхода старшего разряда Ц 1 регистра памяти 14 и к его входу первого разряда. Запас данных хранится в первыхЦ/ ячейках регистра памяти 14. Поэтому с40 задержкой на (...

Номер патента: 513309

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Завьялова, Шоков

МПК: G01N 29/04

Метки: пористости, структуры

...ото осится пониженная точность вследствие зонного усреднения результатов контроля.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что принятые эхо-сигн лы квантуют по нескольким вмплнт уровням и по времени поступления сигналов серией селектирующих им сов с длительностью и периодом сл ния, близкими к длительности эхлов, а о контролируемом. параметре по количеству норммрованных таки зом импульсов.Это позволяет повысить точност тропа цористости и структуры мате И зависимости отконтроля предлагаемыопределить величинуристости в контролируРеализация способ,Пссредством акуствозоуждаемого, наприэлектрического напряр рувмый материал вводзвуковыхколебанийОтраженные от порсигналы принимают ижению, Усиленные сига временной селекции сещкти.:1...

Номер патента: 514239

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Садунас, Садунене, Шяучюлис

МПК: G01N 33/38

Метки: керамических, строительных, структуры, характеристики

...и по отношению их определяют структурность глиняного кирпича.Определение характеристики структуры производят следующим образом. Из кирпича выпиливают образец в виде куба. Образец высушивают до постоянного веса, насыщают в холодной воде в течение 20 ч. с последу 1 ощим кипячением в течение 4 ч. После остываиия образец промораживают на специальном холодильнике с одной стороны в органическом растворителе при температуре - 6 С в течение 5 ч. Одностороннее замораживание образца связано с расположением структурных трещ:1 и кирпича и поэтому оио проводится в направлении, перпендикулярном ложковой плоскости кирпича. Вытеснеи 11 ый во время 5 замораживания па нижнюю поверхность образца лед снимают гигроскопическим веществом в герметической...

Номер патента: 515976

Опубликовано: 30.05.1976

Авторы: Каблов, Кирюхин, Огрель

МПК: G01N 21/60

Метки: выявления, надмолекулярной, резины, структуры

...другом растворителе йода.П р и м е р 1. Выявление структуры вулканизаторов на основе буталпенового каучука (СКД) .Для выявления структуры готовят раствор йода в бензоле с концентрацией 0,25%, На поверхность образца из вулканизованного каучука наносят каплю раствора йода и проводят обработку в течение 1 - 5 мин. до полного высыхания капли. Наибольшая интенсивность окрашивания достигается по границам раздела неупорядоченных и упорядоченных обла515976 Режим обработки Результат Способ выявленияВыявление структуры Размеры,Концентра- оь Вещество Время,Эластомер мин мкм 20 - 40 Структура Бензол Известшяй СКЛ 0,25 10 - 20 Структура выявляется Раствор йода в бензолеСКД 0,25 То же 10 - 20 30 - 50 30 - 50 0,25 То же НКф НК 0,25 Структура...

Номер патента: 516017

Опубликовано: 30.05.1976

Авторы: Вохрышев, Ключников

МПК: G05B 11/36

Метки: переменной, пневматический, регулятор, структуры

...ц регулирующего блока 8 с переключаемыми параметрами. Выход блока 1 через элемент 5 запоминания максимума, повторитель 6, дроссельный делитель 7 подключен к прямому вхо 20 ду элемента 3 сравнения и непосредственно кего инверсионному входу. Выход элемента 2сравнения подсоединен к управляющему входу коммутирующего элемента 4, вход которогосоединен с выходом блока 1, а выход - с вы 25 одом элемента 5 запоминания максимума.Выход элемента 3 сравнения подключен куправляющему входу регулирующего блока 8,выход которого соединен с выходным каналомрегулятора Р30 Регулятор работает следующим образом.(,ссН)ипе)и, О, Гуехред 3, Тараненко озняковека 5 1 едактор орректо узов; а ,Хо 1 З 70 133 рс) сК 10 ОЗ Г 1 оди 3 еи Заказ 1155 7 3 ИОГраф 3,...

Номер патента: 518781

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Гузик, Каляев, Крюков, Максименко, Плотников

МПК: G06J 1/02

Метки: вычислительное, интегрирующей, структуры, цифровой

...сигнал и если из блока 4 пормвлиэации и переполнения поступает в блок 7 сигнал О том что мантисса подынтегрвльиой функции В блок.8 не нормализована, то блок 7 Выдает управляющие сигналы: В блок 8 хрвцени 1 по дынтегральной функции, при котг.о 1 /11- тисов ПДЫНЕГРВ 1 ЬИОй фУ 1 К/т 1/И СДВ//"аэт и ВлеВО на Один разряд и порядок "меньша - ется на единицу," В блок 10, прп котором значение порядка переменной 11/твг.:роп. - ния уменьшается на единицу; В бток 1;:ркотором порядок входных прирвце г;1 1)ь/нтегральной функции увеличиваетсп на е/)ш/11- цу, Все эти действия Выпол 1)1).)тся пе тех пор пока значение порядка /е)е)е/,:1/о. 1111-. тегРиРованиЯ вблоке 10 не св/1= Рв)1)м нулю или пока из блока 4 пс с-,тп)От с/11-".1);, О том, что...

Номер патента: 518836

Опубликовано: 25.06.1976

Автор: Вайс

МПК: H02H 7/12

Метки: вентилей, непрерывного, полупроводниковых, преобразователя, структуры, температуры

...вторичной об. мотке трансформатора тока с коэффициентом трансформации, равным числу параллельных вентилей в плече, через устройства отключения электрической цепи и снятия перенапряжения.фхладитель модуля. тора введен в систему охлаждения преобразователя, причем электрические и тепловые параметры венти. ля модулятора и его охладителя идентичны тем же параметрам вентилей н охладителей.преобраэовате - ля. дителя 2 и охладител ляется одной системаждении через охлади хлаждающая преооросуществляется т структуры полупр ется устройством518836 Составитель В. ПушкаревТехред А. Богдан Корректор. А, ЛакПодписное едактор Л. Йародна Тираж 882 о комитета Совета Минобретений и открытий Заказ 2617/264 И Государствен елам из- 35, Раушская н 3035,...

Номер патента: 525016

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Дранов, Кичигин, Чернина

МПК: G01N 27/78

Метки: диэлектрических, кристаллической, парамагнитными, примесями, совершенства, стержней, структуры

...слоев листового пермаллояэкран 6, Волновод припаян к крышке 7 резонатора 1. У места крепления к резонатору в экране просверлено окно 8, которое закрывается медными пробками. Стержень перемешается с помощью винта 9, который одним концом прикреплен к держателю стержня. Поступательное перемещение стержня обеспечивается гайкой с накаткой, закрепленной неподвижно. Резонатор 1 прикреплен к СВЧ-тракту спектрометра ЭПР с помощью фланца 10,Дезонатор помещается в магнитное поле так, чтобы окно 8 находилось в центре зазоПодписное Совета Министров ССС открытий аб д,4/5осударстве по дела Москва, Ж 3035,Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ра между полюсчыми наконечниками электромагнита.С помощью окна в полости волновода, огна иченной...

Номер патента: 526812

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Джемилев, Мизонов, Пластинин, Савина, Школяр

МПК: G01N 25/02

Метки: выявления, композиция, металлов, сплавов, стеклообразная, структуры

...перечисленных спосооов является невозможность пх осу щсствленп непосредственно на изделиях, работающих плп деформ пруемых (ковкой, штамповкой и т. д.) при высоких тсмперату.рах.Целью изооретения является создание спо соба, позволяющего изучать структуру в процессе нагрсва и деформации.Поставленная цель достигается благодарятому, что перед нагревом на исследуемую поверхность наносят стеклообразную компози цпю, температ ра плавления которой ниже526812 Формула изобретения Гоставитсль С. Беловодченко Текред В, Рыбакова Редактор Н, Коляда Корректор А, Дзесова Заказ 95315 Изд.1578 Тираж 1029 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СГСР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 7 К, Раушская наб., д. 4/5Подписное Типография,...

Номер патента: 511794

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Чармакадзе, Чиковани

МПК: H05B 33/10

Метки: полупроводниковой, светоизлучающей, структуры

...1 ошего выокуюэфф,к,ь изчельней рекомбинацииЭто достигается тем что процесс выращивания производится при последовательНОЙ смене тга подложке из арсенида галлиядвух растворов-расп:тавов, причем второйраствор-расплав., содержащий примесь доадвигается так, что на под слой толщиной 200-600 м1794 16+РЦД М. ПЕЕЫХМ КОРРИ:ТОР В, Е прияыы Редактор Н. Лвнипавнч Заказ 5361/163 Тираж 1029 ПодписноеПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открь 1 тий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 51кальным градиентом, После достижения темопературы 960 + 5 С и выдержки при этойтемпературе в течение 30 мин первыйраствор - расплав подвигается на подложку и при снижении...

Номер патента: 533910

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Джафаров, Файязов

МПК: G05B 11/50

Метки: переменной, пневматический, регулятор, структуры

...- с каналом параметра Р минусовая камера элемента 2 сравнения соединена через дроссель с его выходом, а плюсовая - с каналом опорного давления. Плюсовые камеры элемента 4 предварения соединены с выходом сумматора 1, плюсовые камеры сумматора 3 - с выходомЗо 35 40 сумматора 1 и выходом элемента 2 сравнения, минусовая камера - с выходом элемента 4 предварения, а его выход является выходным каналом регулятора Рых узел формирования функции, Вход узла формирования функции переключения соединен с выходом сумматора 1, а его выход подключен к управляющему входу узла переменных коэффициентов. Проточные камеры реле 15 подключены к выходу сумматора 1, а каждое сопло через переменные дроссели 11 - 12 и 13 - 14 соединено соответственно с...

Номер патента: 534677

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структуры

...в положении Брэгг-дифракции.Дифрагированные им лучи регистрируются4 Ьсчетчиком излучения 5. Часть рентгеновского излучения, поглощенная кристаллом, вызывает фотоэмиссию электронов, которые выходят из кристалла с определенной кинетичесЯкой энергией,Процесс поглощения рентгеновского кван( Ста энергией п - ( Я - постоянная Планка, с - скорость света, Л - длина волныпадающего излучения) носит локальный характер. Образовавшиеся фотоэлектроны, распространяющиеся по поверхности кристалла,по мере своего движения взаимодействуют сэлектронами атомов решетки кристалла. Врезультате неупругого рассеяния часть элект 9 ронов полностью теряет свою кинетическую энергию и поглощается. Покидают кристалл только электроны, вылетающие с определенной...

Номер патента: 534835

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Кулагин, Румак, Сергеев, Черных

МПК: H01L 21/465

Метки: выявления, кремния, кристаллической, нарушения, поверхности, полированной, структуры, травитель

...используют главным образомдля оценки дислокационной структуры монокристаллического кремния по фигурам травления и для химической полировки кремниевыхпластин с ориентацией 3 1 25 Недостатком травителя являются высокиескорости травления, что приводит к одновременному травлению всей поверхности кремниевых пластин и не позволяет выявлять дефекты предшествовавшей сгадийной механической обработки, а также нарушений кристаллической структуры поверхности кремниевойпластины, ориентированной параллельно плоскости (3.00 при внедрении акцепторных идонорных примесей в кремний,Целью изобретения является повышениеизбирательности к нарушениям кристаллической структуры поверхности кремниевой пластины, ориентированной параллельно...

Номер патента: 536442

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Денис, Каружа, Скучас, Ярмалис

МПК: G01R 29/14

Метки: зонд, исследования, поля, сверхвысокочастотного, структуры

...тока. Величина измснеция сопротивления зависит от ориентациипродольной оси перемычки 3 относительно на 5 правления электрическоц со тавляющсй сверхвысокочастотного поля.Для измсрсци 5 Измспсп:я сопротпвлсп 11 япредложсцного зонда через него пропускаютпостоянный по велцчпцс ток, а падение напряжения на зонде, пропорциональпос изменению536442 Составитель Г, ЧелейТехред Е. Подурушина Корректор А. Галахова Редактор Н. Данилович Заказ 3015/3 Изд,377 Тираж 1029 Подписное ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 его сопротивления, регистрируют индикатором, Направление электрической составляющей сверхвысокочастотного поля...