Устройство для исследования электронной структуры тонкопленочных материалов

Номер патента: 977990

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Белянин, Буленков, Добрусин, Масин, Симеонова

МПК: G01N 1/28

Метки: исследования, кристаллической, образцов, подготовки, структуры

...параллельно плоскости реза.Подводят под микроскоп плоскостьреза, так, чтобы в вырезаемый образец вошло исследуемое несовершенствокристаллической структуры, устанавливают фиксатор на регулировочномсуппорте станка для резки на ранеезафиксированном расстоянии от плос977 кости реза и осуществляют переноснасадки и гониометра с закрепленнымна нем прозрачным кристаллом на станокдля резки. Далее производят резкупрозрачного кристалла в требуемом месте вдоль выбранного направления.П р и м е р. Для осуществленияпредлагаемого способа используют осна-,.стку, состоящую из микроскопа 1, установленного на предметном столике 2, 1 Она котором с помощью насадки 3 укреплен также гониометр 4. На конце гониометра смонтирована площадка 5 из тетекстолита с...

Номер патента: 280593

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Смоленска, Топоровский

МПК: H05K 3/10

Метки: многослойных, структур, тонкопленочных

...способы изготовления многослойных тонкопленочных структур, основанные на последовательном нанесении токопроводящих и диэлектрических слоев и обработке токопроводящих слоев после нанесения каждого диэлектрического слоя через его дефектные участки химическим реактивом, не взаимодействующим с материалом диэлектрического слоя, но растворяющим материал токопроводящего слоя.Однако при использовании подобных способов в процессе обработки реактивом изменяется площадь токопроводящих слоев, а следовательно и параметры структуры.Цель изобретения - сохранить постоянство параметров структуры в процессе обработки.Для этого в качестве реактивов используют химические реактивы, которые образуют на участках токопроводящего слоя,...

Номер патента: 311239

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бахти, Винникова, Лисов, Овчаренко, Полуэктова, Черепашенец

МПК: G01B 11/30

Метки: зернистой, исследования, металлов, однородности, структуры

...имеет металлопрафический микроскоп 1 (МИМ), трансфокатор 2, призму 3, мальтийский механизм 4, фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) 5, вторичный црибор 6 (вольтметр эффективных значений В) вт электродвигатель 7. Световой поток, отражясь от поверхности ЗО микрошлцфа металла (шлцф установлен на предметном столовке металлографическо;о микроскопа 1), создает на выходе мсцкроскопа увеличенное изображение шлифа. Это изображение попадает на трансфокатор 2, с помощью которого изменяют масштаб цзображенсия и обеспечивают поступление сзетового сигнала от малого (точечного) участка поверхности микрошлцфа. С помощью, призмы 3, прцьодимой в движение электродвигателе.7 и вращающейся в подшипнике скольжения, осуществляют вр ащение...

Номер патента: 531400

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Арефьев, Воробьев, Стародубов

МПК: G01N 23/00

Метки: вещества, исследования, поверхности, структуры, электронной

...образования пози513400 Формула изобретения Составитель В, КирилловТехред М, Левицкая Корректор В. Сердюк Редактор Т Орловская Эакаэ 4065/43 Тираж 1101 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ности образования пара-позитрония.Цель достигается тем, что на исследуемое вещество, окруженное газообразной атмосферой (например, аргоном),при давлении 10-120 атм накладываетсястатическое магнитное поле напряженностью не менее 2 кгс.Использование магнитного поля усиливает образование пара-поэитронияв 2 раза и расширяет возможности спосо батак как позволяет исследовать электронную структуру...

Номер патента: 1322800

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Воробьев, Потылицын

МПК: G01N 23/203

Метки: вещества, исследования, структуры, электронной

...системы его плоскостей, Возникающеемонохроматическое рентгеновское излучение выходит под тем гке углом ук вектору Г и под углом ( -2 г ) коси падающего на монокристалл пучкаэлектронов и попадает на образец 3Рассеянный на образце 3 пучок фотоновпопадает на спектрометрический детектор 4, который установлен за образцом 3 под углом Ф /2 к пучкуфотонов падающих на образец, в плоскости, перпендикулярной к плоскости,проходящей через вектор 7 моноРкристаллического радиатора 2 и осьисточника 1 электронов.При прохоадении релятивистскихэлектронов через кристаллы электромагнитное поле электрона могкет быть представлено в виде спектра псевдофотонов с угловым распределением в пределах ьОс ш,с 7 Е,у , где- Лоренц-факторг Е, - энергия электрона;ш...