Патенты с меткой «структуры»

Номер патента: 1726367

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Кузнецов, Негуторов

МПК: C01B 3/04, G05D 27/00

Метки: графитируемых, момента, образования, окончания, структуры, турбостратной

...описываемой уравнением видаЛ = А 1+ А 2 Т + АЗТ + А 4 Т,25 при этом момент окончания образования турбостратной структуры характеризуется нулевым значением активности АЭ.П р и м е р 1. Заготовку диаметром 45 мм и длиной 150 мм, спрессованную на ос нове красноводского кокса замедленного коксования Я - 0,61 (Оп - 2,12 г/см ), помещают между токоподводами и зажимают при нагрузке 5 - 15 кгс/см . В заготовку 352вставляют графитовый звукопровод для передачи волн акустической эмиссии пьезоэлементу, находящемуся вне габаритов печи. Заготовки окружают теплоизоляцией - коксовой мелочью с величиной зерна до 2 мм: 40 Толщина слоя теплоизоляции составляет 300 мм.Заготовку нагревают путем пропускания тока со скоростью 33 град,/мин,...

Номер патента: 1727153

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Бадиян, Тонкопряд

МПК: G09B 23/26

Метки: моделирования, поликристаллов, структуры

...интенсивности прошедшегопучка света без искажения, что осуществляется фокусировкой. на экран поверхностикасания дисков,Под обоймой 1 с дисками 2 и 3 разме-. 25 щен блок 8, регистрирующий распределение интенсивности прошедшего через диски пучка света и его интегральную интенсивность с помощью плоского фотоэле 30 35 диаграммную ленту Устройство работает следующим образом.В обойме 1 с выточкой закрепляют неподвижно диск 2.со сквозными отверстиями, одно из которых расположено в центре диска. Сверху на закрепленный в обойме неподвижный диск 2 устанавливают другой подвижный диск 3, предварительно закреп 40 ленный на шестерне 4 Диски 2 и 3 устанавливают таким образом, чтобы имело место полное совпадение всех отверстий, О чем...

Номер патента: 1728744

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Котляр, Ром, Свердлова, Ткаченко

МПК: G01N 23/20

Метки: структуры

...под заданным углом ф, угол й направле 20 25 30 35 40 45 50 55 ния первичного луча с поверхностью образца находят из соотношенияа = ч - агсщ ( эп у то 3 ),где дР - текущий угол дискретного поворота,и строят зависимость интенсивности дифрагированного излучения от угла р, из которой находят определяемую структурную характеристику материала.Отличительные признаки предлагаемго решения, характеризующие дискретность вращения образца в плоскости главной оси гониометра, проведение измерения в пау-, зах междудискретными поворотами при неподвижном образце, а также размещение образца, при котором его исследуемая поверхность установлена относительно к оси дискретного поворота образца под заданным углом Р, а угол направления первичного угла с...

Номер патента: 1733517

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Макаров, Макарова

МПК: C30B 29/20, C30B 33/10

Метки: алюминия, выявления, оксиде, структуры, травитель

...железо.Происходила бурная реакция взаимодействия компонентов, Травление проводили вфарфоровой. емкости, которую нагревали наплитке вместе с травителем при 40 С в течение 1-2 мин. Образец из оксида алюминия в это время травился, после травленияпромывали тщательно от продуктов травле; ния водой, спиртом, Структура изучается наэлектронном микроскопе в зависимости от 50размеров элементов структуры, выявляемых травителем.Приведенные в таблице данные показывают, что по сравнению с аналогом (примеры 1 и 2) предлагаемый способ выявляет 55микроструктуру оксида алюминия, а не ямкитравления в плоскости (ОООЦ и т.д, при 4050 С вместо 680 С,В сравнении с прототипом (пример 3)предлагаемый способ значительно, увеличивает скорость травления (в 15...

Номер патента: 1734051

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Зобов, Сидоров

МПК: G01R 29/12

Метки: визуализации, импульсного, поля, структуры, электрического

...в пределах микрокристалла бромистого серебра, но также и между ними в глубину эмульсионного слоя.Поскольку отрицательный заряд снижает светочувствительность фотопленки, для получения изображения применяют импульсную подсветку, при этом зоны воздействия электронных лавин выделены на равномерном фоне подсветки более низкой плотностью почернения. При одновременном воздействии света и электрического поля общая светочувствительность фотослоя резко повышается. Такое повышение имеет место при запаздывании импульса поля по отношению к;импульсу излучения не более чем на 1 10 с. Повышение общей свето- чувствительности фотоэмульсии и снижение ее в поверхностном слое под действием электронных лавин определяет требования к импульсу подсветки, Его...

Номер патента: 1322800

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Воробьев, Потылицын

МПК: G01N 23/203

Метки: вещества, исследования, структуры, электронной

...системы его плоскостей, Возникающеемонохроматическое рентгеновское излучение выходит под тем гке углом ук вектору Г и под углом ( -2 г ) коси падающего на монокристалл пучкаэлектронов и попадает на образец 3Рассеянный на образце 3 пучок фотоновпопадает на спектрометрический детектор 4, который установлен за образцом 3 под углом Ф /2 к пучкуфотонов падающих на образец, в плоскости, перпендикулярной к плоскости,проходящей через вектор 7 моноРкристаллического радиатора 2 и осьисточника 1 электронов.При прохоадении релятивистскихэлектронов через кристаллы электромагнитное поле электрона могкет быть представлено в виде спектра псевдофотонов с угловым распределением в пределах ьОс ш,с 7 Е,у , где- Лоренц-факторг Е, - энергия электрона;ш...

Номер патента: 1737558

Опубликовано: 30.05.1992

Автор: Бочаров

МПК: H01J 37/28

Метки: анализа, объекта, растровое, структуры

...мощности Р соответствуетрежиму анализа, уровень мощности Ррежиму подготовки поверхности дляанализа, а уровень мощности Ррежиму испарения,"2 3 ф Б 6 У 9 (О 1тие слоев материала, а в интервалах е-, т-в, ,.и- снятие.осажденного слоя (режим подготовки) .После установки исходных данныхи включения начала работы процессанализа объекта происходит автоматически в следующем порядке.С программатора 14 через генератор 11 развертки задаются напряжения на систему 3 сканирования пучка, которые устанавливают пучок вначальные координаты Х и У исследуемого участка объекта, расположенного на столике 4Одновременно с программатора 14на первую адресную шину блока . 13памяти поступают двоичный код номе"5По окончании анализа слоя программатор 14 через...

Номер патента: 1738155

Опубликовано: 07.06.1992

Автор: Аткин

МПК: A01G 23/00

Метки: вертикальной, дерева, кроновой, массы, оценки, структуры

...соответствии со средним значением угла отхождения боковых побегов от осевого.1738155 Биометрические параметры от верхушечной почки к основанию кроны Фактический гол отхождения боковых побегов от осевого Слой-мутовкаСумма приростов, см 6 В сред- нем Модельное де ево 1 60 70 65 70 65 70 65 53 53 65 70 60 60 54 62 63 68 63 65 70 50 63 60 70 63 65 75 12 26 42 56 71 83 98 1 2 3 4 5 6 7 63 64 В с еднем для де ева 53 70 70 65 75 50 50 55 53 56 70 60 53 60 55 80 40 60 60 60 70 65 50 65 65 55 60 55 53 45 65 60 55 50 9 29 48 66 88 108 133 160 185 56 64 64 59 58 58 63 50 53 63 60 63 50 В с еднем для де ева 58 Данные дополнительных исследований по трем деревьям сосны разного размера, Модельное дерево 1; диаметр ствола 1,0 см, высота ствола 1,9 м....

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...

Номер патента: 1742696

Опубликовано: 23.06.1992

Автор: Коробейников

МПК: G01N 25/32

Метки: металлов, состава, сплавов, структуры, химического

...температур между электродами. 1 ил,Целью изобретения является повышение точности определения.На чертеже представлена схема, поясняющая предлагаемый способ,Способ осуществляется следующим об- Ф разом. ЬЭОтбирают два образца исследуемого СЬ металла или сплава, имеющих одинако- Я вый химический состав и структуру, по сле этого один из образцов нагревают, .затем прикрепляют к ним термопары и помещают их в теплоизоляционные обо- фа лочки, после чего электроды приводят в соприкосновение один с другим. с образованием электрического контакта и одновременно фиксируют термоЭДС и разность температур.П р и м е р, При определении содержания кремния в электротехнической стали из печи отбирают две общепринятые технолоЗаказ 2280 Тираж Подписное...

Номер патента: 1742845

Опубликовано: 23.06.1992

Автор: Пронин

МПК: G09B 23/00

Метки: демонстрации, механических, моделирования, поликристаллических, свойств, структуры, тел

...содержанию соответствующего компонента структуры в единице объема поликристаллического тела, размещают ихпослойно в емкости так, цтобы внутри одного слоя находились элементыс одинаковыми свойствами (из одногоматериала), устанавливает заполненную емкость под пресс 1, регистрируют по шкале 7 начальное положениекаждого комплекта, производят нагру жение элементов с требуемым усилиемР, Фиксируют под нагрузкой конечноеположение аждого комплекта и всегостолбца элементов в целом,П р и м е р. Моделированиеф структуры свинцовистой бронзы БрС 30содержащей 304 свинца (РЬ) и 70(Си)и демонстрация раздельноговлияния свойств зерен свинца и медина жесткость (деформируемость) бронзы.Структура укАзанного сплавапредставляет собой механическую...

Номер патента: 1744183

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Алтунин, Гловацкий, Малаев, Тураев

МПК: E02B 8/06

Метки: водоприемнике, гаэс, гэс, изменения, многоагрегатных, насосных, потока, станций, структуры

...и шарнирно прикрепленной внизу к дну аванкамеры, а вверху к монтажному гидрометрическому мостику.Выполнение растекателя призматическим и вращающимся позволяет регулировать условия подвода воды к агрегатам в аванкамере в зависимости от графика работы.Возможное варьирование месторасположения перегораживающих боковых граней растекателя наиболее полно удовлетворяет гидравлическим условиям оптимизации подвода воды к агрегатам при всех возможных комбинациях их работы,На фиг. 1 изображено устройство дляизменения структуры потока; на фиг. 2 -то же, поперечный разрез, то же; на фиг,3 - треугольный призматический растека 5 .тель, аксонометрия.Устройство представляет собой установленный в аванкамере 1 растекатель 2,расположенный...

Номер патента: 1748127

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Бородин, Красов, Чернов

МПК: G02B 27/44, G02B 27/48

Метки: лазерного, преобразования, пучка, структуры, фазового

...толщину напыленного слоя,Высоту щтриха решетки выбирают иэусловия подавления аберраций преобразуемого пучка и обеспечения максимальногодиапазона изменения формы огибающейраспределения интенсивности при измене нии пср,Выбор ширины штриха решетки осуществляют исходя из условия равенства диаметра облучаемой площади мишени икружка рассеяния, образованного при дифракции излучения-на размере шириныштриха решеткй. Для того, чтобы размерыкружка рассеяния от отдельных зон неодно родности были равны, период решетки выбирают вдвое большим ширины штриха,Дополнительная пластина 4 изготовлена из оптически прозрачного материала, например стекла или кварца, и с помощью манжеты 8 образует с подложкой 1 герметичную емкость. В исходном состоянии...

Номер патента: 1751744

Опубликовано: 30.07.1992

Автор: Карандин

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, ячейка

...Первый 15настроечный вход 3 соединен с третьим входом мажоритарного элемента 6, с вторымивходами элементов И 8 и 9 и через элементНЕ 15 с третьими входами элементов И 7 и10, Второй настроечный вход 4 соединен с 20первыми входами элементов И 7 и 10, счетвертыми входами элементов И 8 и 9, и синверсным входом элемента ЗАПРЕТ 11.Третий настроечный вход 5 соединен с чет-вертыми входами элементов И 7 и 10, с 25третьими входами элементов И 8 и 9 и синверсным входом элемента ЗАПРЕТ 12.Выход мажоритарйого элемента 6 соединенс прямыми входами элементов ЗАПРЕТ 11и 12; выходы которых соединены с первым 30и третьим входами элементов ИЛИ 13 и 14соответственно. Выход элемейта И 7 соединен с вторым входом элемента ИЛИ 13, выход элемента И 10 соединен...

Номер патента: 1755217

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Журавлев, Муркин, Платова, Решетов, Сотникова, Яббаров

МПК: G01R 29/14

Метки: визуализации, канала, разряда, скользящего, структуры, токового

...изображения и урощенной фазе с образованием высокопроводящего токового канала приводит к увеличению теплового воздействия на подложку до 1 Дж см и выше. Кроме возникающих на данном этапе эрозионных структур большую информацию о характере развития токового канала несут пузырьковые образования, которые в виде сплошной 35 40 точечной линии оконтуривают наружную границу просветленного эроэионного канала с быстрым снижением плотности пузырьков при удалении от области протекания тока и полным отсутствием их в остаточном 45 русле Анализ закономерностей изменения электрического поля в стримерной, лидерной и завершенной фазах разряда говорит о наличии механизма ослабления поля в канале стримера и выносе его на края токовых образований за счет...

Номер патента: 1756729

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Волков, Киселев, Поливода

МПК: F16L 59/14

Метки: виде, многослойная, монолитной, структуры, теплогидроизоляция

...щенным дозатором. При контакте с ной дт пенопласта, термоизоляционнОго наружной поверхностью 5 суспензии или слоя 2 с толщиной дв и наружного 3 гидро жидкости типа пульпы сначала вызывают 1 Я изоляционного слоя с толщиной дс. Слой 3 унос поверхностной пленки, снаружи совыполнен из двух составляющих; внутрен- ставляющей части 5 до обнаружения зерен . ней 4 с большей толщиной д"с 5-15 мм, вабразива, Затем унос материала части 5 которую введен наполнитель из сйлик 4 Фов и " прекращается, так как твердость частиц абкальцитов (например, гранитная-и мрймор. - разива, противостоящего истирающему ная крошка), и наружной 5 с меньшей тол- действиюсуспензий, во много раз выше,чем щиной дВ 1-5 мм; в которую введеу . твердость частиц суспензий. прй...

Номер патента: 1759232

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Балдин, Грушевский

МПК: C04B 40/00

Метки: пористой, структуры

...время вакуумирования составило соответственно 100, 130, 170 с, выдерживали 45. 40, 30 с. Второй этап вакуумирования проводили при глубине 0,088, 0,092, 0,096 МПа, время снижения вакуума принимали соответственно 50, 70, 100 с. После эатвердевания смеси в форме последнюю разгерметизировали и освобождали полученные в укаэанных примерах образцы, Средняя плотность их составляла около 500 кг/м, пористость 42, 45 Д и была равномерной по обьему образцов. При этом коэффициент теплопроводности составлял 0,12, 0,1, 0,12 Вт/(м К).В примерах 4 - 9 осуществляли изготовление утеплителя на основе жидкого стекла, молотого шлака и легковесного заполнителя, а также жаростойкого бетона из смеси молотого шлака, золы, отходов асбошиферного производства (АШП)...

Номер патента: 1760450

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Белкина, Иванникова, Терпенова

МПК: G01N 33/36

Метки: драпируемости, изделиях, подвижности, структуры, текстильных

...одежды, выбора члене. ний, ритмизации и т,д.Для фиксации. боковых и нижний проекций образцов и их изменений используется фото- или киноаппарат 9, установленный на регулируемом штативе 10 для съемки сбоку и сверху.Устройство для имитации ветровых воздействий в виде, например, вентилятора 11 устанавливается в зависимости от задач ис- следований (например, под станиной 1, в которой выполнены отверстия для воздухораспределителя, или на станине ). Способ оценки подвижности структурыи драпИруемости материалов и одеждывключает выполнение следующих операций.1. Определение структуры пакета пододеваемого под испытуемый вид изделийодежды и его формирование на каркасефиксатором, имитирующим частично илиполностью опорную поверхность тела...

Номер патента: 1764001

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Панов, Щербак

МПК: G01R 31/02

Метки: нелинейной, отбраковки, рабочей, резистивной, структуры, характеристикой

...ресурсные затраты при проведении испытаний на надежность. Изобретение обеспечивает оперативность получения первичной диагностической инФормации, высокую чувствительность и может быть использовано в автоматизированных системах производства резистивных структур. 1 ил. точник 2 постоянного напряжения, например генератор пилообразного напряжения, фильтр 3, селективный микровольтметр 4 и двухкоординатный самописец 5. Выходы источника 1 переменного и постоянного 2 напряжений соединены с входом фильтра 3 и первым входом самописца 5, а также с первым выводом объекта 6 контроля, второй вывод которого соединен с общим выводом. Выход" фильтра 3 через микровольтметр 4 соединен с вторым входом самописца 5.Устройство работает следующим...

Номер патента: 1765426

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Линник

МПК: E21C 49/00

Метки: добычи, кускового, ненарушенной, структуры, торфа

...энергоемкости добычи.Указанная цель достигается тем, что устройство снабжено установленным на раме отражателем, каждый подрезающий нож выполнен в виде двустороннего лемеха с выступающей гранью и установлен выше режущей кромки дисков, которые имеют рассекающие зубья.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку; на фиг, 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - разрез А - А на фиг. 2 (повернуто); на фиг. 4 - вид по стрелке Б на фиг. 3.Устройство для добычи кускового торфа ненарушенной структуры состоит из дискового аппарата 1, подрезающих ножей 2, отражателя 3, смонтированных на раме 4.Устройство навешивается на оси 5 и 6 базовой машины, имеет гидроцилиндр 7 для подъема в транспортное положение, Диски 8 аппарата 1 снабжены...

Номер патента: 1768759

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Галкин, Левин, Морозов

МПК: E21C 49/00

Метки: добычи, ненарушенной, структуры, торфа

...балки осуществляется гидроцилиндром 6, В направляющих 7 балки установлены стойка 8, имеющая возможность вертикальных перемещений посредством гидроцилиндра 9, К стойке в ее верхней части шарнирно закреплена дополнительная рама 10 подвески цилиндрической фрезы. Рама подвески фрезы имеет возможность радиальных кача- тельных перемещений в вертикальной плоскости отн осител ь но ве рти кал ь но-подвижной части рамы устройства с помощью гидроцилиндра 11.Соосно полой вертикальной цилиндрической фрезе установлен подвижной стержень 12 с коническим наконечником 13, снабженный выдвижными подрезающими ножами 14 с выступающей за контуры поперечного сечения подвижного стержня концевой частью 15,Подвижной стержень имеет возможность вертикальных...

Номер патента: 1772711

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Мигаль, Ульянов, Чугай

МПК: G01N 27/22

Метки: кристалла, неоднородностей, распределения, структуры

...поля для частоты, равной нулю, судят о распределении неоВ предложенном способе определения распределения неоднородностей структуры кристалла новыми, в сравнении с прототипом и другими известными решениями, существенными признаками являются: измерение напряженности электрического. поля, соответствующей началу диэлектрической нелинейности, в кристаллах неполярных классов, использование напряженности поля, соответствующей точке перегиба ветвей петли гистерезиса, экстраполяция указанных значений поля на нулевую частоту,На чертеже приведена блок-схема устройства, с помощью которого реализован предложенный способ. Устройство содер- жит соединенные электрически последовательно: генератор электрических колебаний 8, повышающий трансформатор...

Номер патента: 1774223

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Дубовик, Ивченко, Непомнящий, Райхел

МПК: G01N 1/28

Метки: образцов, подготовки, ситаллов, структуры, электронно-микроскопического

...дефектами структуры,Облегчающими диффузию, В результате этага на указанных границах возникают сжимающие напряжения: у литийсадержащихситаллав напряжения обусловлены заменойионов Ы- ситалла на ионы Ка+ из расплава,а у магнийсадержащих ситаллав - набивкойсвободных атомов углерода, которые образуются па реакции Будуара при взаимодействии углекислсга газа, выделяющегося приразложении К 2 СОЗ, с УГлерадам смеси,С 02+С (из,превеснага угля)=-2 СО;2 СО=-СО 2+. (свободный атом),Последующая Обработка образцов ситаллав в Водном растворе НГ Обеспечиваетбольшуа скорость .Гаавления на границахкристаллов и увеличение глубины травления па сравнению с остальной поверхностью(эффект Ребиндера), Получаемая затемВ Вакуум 8 Глатина-угольная реплика бал...

Номер патента: 1778651

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Гелес, Мелех, Петрова

МПК: G01N 23/20

Метки: древесных, надмолекулярной, параметров, структуры, физических, целлюлозь

...Поставленная цель достигается тем, что в способе определения физических пара 40 метров надмолекулярной структуры древесных целлюлоз, включающем изготовление пластин образцов тангенциального среза исследуемого объекта, облучение их пучком рентгеновского излучения и регистрацию картин рассеяния дифрактометрическим методом, по которым определяют параметры надмолекулярной структуры, согласно изобретению образцы изготавливают отдельно для ранней и поздней древесины толщиной, равной ширине годового кольца, съемку каждого образца проводят в геометрии на просвет в двух положениях, отличных друг от друга поворотом на 90 О, располагая в одном случае волокна параллельно оси гониометра, а в другом перпендикулярно ей в плоскости среза.Анализ...

Номер патента: 1778757

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Гайда, Ковальчук, Мартынюк, Теренчук

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, ячейка

...входу триггера 4 и тактовому входу 17 ячейки, вход установки в нуль триггера 4 соединен с входом сброса 18 ячейки, выход признака "меньше нуля" счетчика 3 блока 2 настройки соединен с входом установки в нуль триггера 5 блока 2 настройки, вход установки в единицу которого подключен к входу обнуления счетчика 3 и входу начальной установки 19 ячейки. Выход триг-гера 5,блока 2 настройки соединен с вторым входом элемента И 7, выход которого подключен к входу установки в единицу триггера 4 блока 2 настройки, информационный вход которого подключен к выходу мультиплексора 1, управляющие входы которого соединены с настроечными входами 20.1, 20.2 ячейки,Однородная структура (фиг. 2) содержит матрицу ячеек 21.Ц, где - номер строки,- номер...

Номер патента: 1780105

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Бывалин, Длугач, Ормонт

МПК: G11B 9/10

Метки: воспроизведения, записи, информации, информационной, носителе, носитель, оптического, структуры, электронно-лучевой, этом

...электронно-лучевой записи и оптического воспроизведения информации, при котором на подложку наносят регистрирующуо среду. осуществляют экспонирОВание участков регистрирующей среды электронным лучом в соответствии с информационным сигналом при относительном перемещении носителя и записывающего луча, а затем производят жидкостное проявление записанной информации, Отличается тем, что В процессе нанесения регистрирующей среды на подложку последовательно наносят слой двуокиси олова и золота, при экспонировании воздействуют электронным лучом на границу раздела этих слоев. проявление записанной информации проводят В смеси 2-4 об,ч. соляной кислоты и 1 об,ч, азотной, а после проявления носитель промывают,Чувствительный слой изготавливают,...

Номер патента: 1784884

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Бродягин, Быховский, Губин, Петров, Рурукина, Фридлянд, Хавкин

МПК: G01N 21/89

Метки: дискретных, длинномерного, структуры, элементов

...2 (например, проволоки, металлических полос, синтетических нитей и т.д.), внутри которых вмонтированы торцы световодов 3, другие торцы которых связаны с соответствующими входами оптического коммутатора 4, выход которого оптически связан с фотоприемником 5. которые составляют многоканальный приемный элемент с устройством последовательного опроса каналов. Над гребенкой направителей установлен осветитель 6. Выход фотоприемника 5 связан с входом компаратора 7,выход которого соединен с входами включенных параллельно индикатора 8 и исполнительного механизма 9 останова машины. Пороговый вход компаратора 7 связан с выходом коммутатора 10, информационные входы которого соединены с набором задатчиков 11 уровня, а управляющие входы...

Номер патента: 1789977

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Абдрахманов, Артемьев, Карандин

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, ячейка

...и на схему 14 сравнения содержимого регистров 1 и 2 в прямом, инверсном, прямом и инверсном или инверсном и прямом кодах соответственно,Следующий такт сдвигового регистра 10 совместно с выходными Сигналами схемы 14 сравнения формирует управляющий сигнал, по которому осуществляется подключение выходов регистров 6 или 13 через коммутатор 7 к входам регистра 16 и запись содержимого регистров 6 или 13 соответственно в регистр 16.,Микропрограмма операции эквивалентность.1, Выдать на схему 5 сравнения содержимое регистра 1 в прямом коде и регистра 2 в инверсном коде и произвести выбор наибольшего значения..2. Если содержимое регистра 1 в прямом коде больше содержимого регистра 2 в инверсном коде произвести запись содержимого регистра 1 в...

Номер патента: 1797035

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Алешин, Волкова, Муллин

МПК: G01N 29/00

Метки: структуры

...ультразвуковых колебанИй и проведение спектрального анализа принятого сигнала, ультразвуковые колебания вводят на резонансной частоте преобразователя, 10 . измеряют частоту, соответствующую максимальной частоте принятого сигнала, определяют разность этой частоты и резонансной частоты преобразователя и по ней, с учетом тарированных зависимостей, судят о вели чие зерна контролируемого материала,Способ позволяет определять величину зерна в широком диапазоне от 300-1000 мкм.На чертеже приведена структурная схе ма устройства, реализующего предлагаемый способ.устройство содержит излучающий преобразователь 1, который является резонансным, приемный преобразователь 2 (широкополосный), усилитель 3, дефектоскоп 4 и анализатор 5 спектра....

Номер патента: 1798795

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Дычаковский, Кузьмин, Стрельченок, Шостак

МПК: G06F 15/00

Метки: вычислительной, однородной, структуры, ячейка

...импульса напрякения, 25поступающего через программный входУВП в режиме выполнения команд, Это приводит к тому, что управляющие. сигналы, поступающие из регистра команд 5 навыходные коммутаторы 21, 22, блокируются, а управление работой выходного комму. татора 23 осуществляется счетчиком 16.Содержимое счетчика 16 меняется под воздействием импульсов, поступающих по программному входу.5, В этом случае время 35взаимодействия абонентов через ВЯ ОВСопределяется промекутком между импульсами, поступающими по программному входу 5, Сброс этого режима осуществляетсяпервым тактовым импульсом по входу 7 в 40режиме программирования,Формула изобретенияЯчейка однородной вычислительнойструктуры, содержащая два входных коммутатора, коммутатор...