Способ определения параметров магнитной структуры образцов материалов

Номер патента: 1669275

Описание

Способ определения параметров магнитной структуры образцов материалов, включающий воздействие на образец насыщающим переменным магнитным полем в выбранном направлении и осуществление первого измерительного цикла, включающего намагничивание образца путем одновременного воздействия затухающим переменным и постоянным магнитными полями в выбранном направлении, измерение остаточной намагниченности образца, частичное размагничивание образца в направлении, перпендикулярном выбранному, и повторное измерение остаточной намагниченности, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа за счет дополнительного определения степени магнитной многоосности частиц образца в первом измерительном цикле, после повторного измерения остаточной намагниченности вновь осуществляют намагничивание образца в выбранном направлении и измерение остаточной намагниченности образца, после чего воздействуют на образец материала насыщающим переменным магнитным полем в направлении, перпендикулярном выбранному, и проводят второй измерительный цикл, а степень магнитной многоосности частиц образца и величины намагниченностей определяют из соотношений

a = h₂/h₁,
где n_мд и n_од - степень магнитной многоосности многодоменных и однодоменных частиц соответственно;
I^м_r^д и I^o_r^д - - величины остаточных намагниченностей многодоменных и однодоменных частиц соответственно;

- значения остаточных намагниченностей, полученные в первом измерительном цикле после намагничивания образца полем h₁ в выбранном и перпендикулярном ему направлениях;

- значения остаточных намагниченностей, полученные во втором измерительном цикле после намагничивания образца полем h₁ в выбранном и перпендикулярном ему направлениях;

- значения остаточных намагниченностей, полученные в первом и втором циклах после частичного размагничивания образца полем h₂ соответственно.

Заявка

4683889/21, 25.04.1989

Всесоюзный научно-исследовательский геологический институт

Герник В. В

МПК / Метки

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитной, образцов, параметров, структуры

Опубликовано: 20.05.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1669275-sposob-opredeleniya-parametrov-magnitnojj-struktury-obrazcov-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров магнитной структуры образцов материалов</a>

Похожие патенты

Способ определения остаточной намагниченности ферромагнитных материалов в разомкнутой магнитной цепи

Номер патента: 1746338

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Кулагин, Трусов

МПК: G01R 33/00

Метки: магнитной, намагниченности, остаточной, разомкнутой, ферромагнитных, цепи

...в (2) подставить известное соотношение (1)1746338 Ме Нсм2МгК +Ме Нем Здесь Су - баллистическая постоянная установки, Вб/дел;аер - среднее арифметическое получен ных отклонений гальванометра, дел; ро =-1,257 е 10 В с/(А м) - магнитная постоянная; аиэ .к - число витков измерительной катушки; Зодер, - площадь поперечного сечения образца, м 2. При этом Яобр1/2 Зь "5, Это условие необходимо для точного определения намагниченности, чтобы погрешность определения намагниченности не превышала 1 е из-за неопределенности величины коэффициента размагниченности испытуемого образца. Далее по методике определения петли магнитного гистерезиса, изложенной в инструкции по эксплуатации установки БУ-З, определяют Н ЗНаЧЕНИй НаМаГНИЧЕННОСтИ М 1, М 2 Мг...

Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок

Номер патента: 205372

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Август

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких

...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...

Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок с одноосной анизотропией

Номер патента: 207261

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Торотенков

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких

...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...

Устройство для измерения напряженности поля анизотропии тонких магнитных пленок

Номер патента: 746362

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Мельников, Смаль

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, напряженности, пленок, поля, тонких

...Гельмгольца," З 5подключено к выходу генератора 12 прямоугольных импульсов, связанного также со вторым входом блока 7 переключения и через интегрирующий блок 13 свычислительным блоком 9. 4 ОРаботает устройство следующим образом.Тонкую ферромагнитную пленку 14 перемагничивают полем проводника 2 с то.ком от звукового генератора 3. Величи "йу тока звукового генератора выбираюттакай, чтобы магнитное поле, создаваемое этим током, было достаточно для ,поворота вектора намагниченности наугол до ЗОО . Сигнал потока переключе Ония с выхода датчика 4 поступает визбирательный усилитель 5 и детекторб, с выхода которого снимается йостоянное напряжение, пропорциональное амплитуде второй гармойикМсйгналапотока переключения пленки.Общее...