Патенты с меткой «структуры»

Номер патента: 711563

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Асатиани, Давидов, Игнатущенко, Панцхава, Чачанидзе

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, ячейка

...от одной до четырехпеременных: И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ,равнозначности и неравнозначности,При выборе блока 5 арифметическихФункций ячейка реализует либо последовательный полный сумматор для любых двух информационных входов ячейки, либо одну из перечисленных функций от одной до четырех переменныхс задержкой на один такт: И, И-НЕ,,ИЛИ, ИЛИ-НЕ, равнозначности и неравнозначности. В этом случае к схемеячейки подключается тактирующий вход.При реализации ячейкой четырехразрядного сдвигового регистра используются блок 6 регистров, регистр 10,элементы ИЛИ-НЕ .12 и 13 и элементы И15 и 16, а также тактирующий входячейки. Пусть ячейка реализует четырехразрядный сдниговый регистр с управлением, В этом случае блок 6 подключает к регистру 10 от одного...

Номер патента: 711564

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Асатиани, Гунцадзе, Жуков, Игнатущенко, Чачанидзе

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, ячейка

...саны номера информационных входо 0 выходов блока ускоренной коммутаДля примера рассмотрим реалия блоком ускоренной коммутации б к27 комблоичении столбцаН обозначено,ером,х являети при реализа- то, что триучаствует втаблице У оического уровах тригге вутаций б В у, и строчто тригя триггеии функции гер 22 с реализации означены я на еди 2 блока усрафе фФунк На пересеки р буквой22 с номром настройк53 буквой Пномером с нефункциир, Взначения логничных выходкоренной комм гер ции б, пию ммутационнуюб цию т роа коренной коммутации б и нулевым выходом 46 шестого триггера настройки 22Третий вход элемента И-НЕ 14соединен с выходом элемента И-НЕ 16,входы которого соединены с выходом32 блока выходных логических элементов 4 и нулевым выходом 47...

Номер патента: 711565

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Асатиани, Гунцадзе, Игнатущенко, Чачанидзе

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, ячейка

...вход элемента ИЛИНЕ бб соединен с единичным выходом 68 четырнадцатого триггера 32, а выход светодиода 67 образует оптический информационный выход ячейки.Блок 10 триггеров содержит элементы И-НЕ 69-84; управляющие входы элейентов И-НЕ 69 и 70 соединены с нулевым выходом 54 восьмого триггера 32; управляющие входы элементов И-НЕ 71, 72 подключены к нулевому выходу 57 шестого и единичному выходу 60 восьмого триггеров 32; управляющие входы элементов И-НЕ 73 - 82 соединены, соответственно, с единичным выходом 56 девятого триггера 32, с нулевым выходом 85 девятого триггера 32, с еди" ничным выходом 86 десятого триггера711565 и Н г Н О Н Т-триг суммато задержк О 1 О П Н О П 1 П взаимопроникновение неравнознач- ность Н Н 32, с нулевым...

Номер патента: 712747

Опубликовано: 30.01.1980

Автор: Цимерманис

МПК: G01N 25/56

Метки: влажностного, изотермы, капиллярнопористой, керамических, необожженных, состояния, структуры, типичной

...пр. Сапунова, 2 цов, не доводя до влажностного равновесия со средой, по изменению активности оводнения устанавливают момент соответствия полученной зависимости влагосодержания от относительного давления водяного пара типичной капиллярно-пористой структуры.Отличительной особенностью способа является то, что он дополнительно содержит операцию определения влагосодержания параллельных образцов с частотой 30 в 10 60 мин, предусматривает определение момента соответствия полученной зависимости влагосодержания от относительного давления водяного пара типичной капиллярнопористой структуры по изменению актив ности оводнения и что образцы не доводят до влажностного равновесия с эталонной средой, а термостатирование производят сразу же...

Номер патента: 721709

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Марморштейн, Юргенсон

МПК: G01N 15/08

Метки: исследования, пористых, структуры

...со штуцером с вентилем 16. В крышке 17 корпуса 1 есть также эксцентричный патрубок 8 для подачи масла под давлением в пределах 1000 атм. для имитации горного давления. Для имитации пластовой температуры имеется электрический нагреватель (на чертеже не показан).Устройство работает следующим образом.Через внутреннюю часть манжеты 4 чистым октаном заголняют канал для отвода вытесняемой среды в виде пучка капилляров 5 и полость измерительного блока 7. Избыток октана отводят через отверстие 13 для стока среды в нижней крышке 12 измерительного блока 7 так, чтобы в капиллярах 5 не оставалось пузырьков воздуха, а уровень октана в манжете 4 незначительно выше перфорированной пластины 14. Затем отверстие 13 закрывают, После этого пропитанный...

Номер патента: 728056

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Миркин, Осипов, Соколов, Толкачев

МПК: G01N 15/08

Метки: величины, количественной, оценки, пористости, порового, пространства, структуры, твердых, тел

...порового пространства тел. Оносостоит из сканирующего электронного микро.скопа 1 с телемонитором 2, блока 3 видеозаписи изображения, дополнительного. телемонитора 4 с контролем уровня яркости изображения светового пера 5, блока 6 оперативной,памяти с преобразователем масштабного изоб.ражения, блока 7 поиска и согласованияизображений, блока 8 сложения изображений ианализатора 9 изображения,Устройство работает следующим образом.1На экране телемонитора 2 сканирующегоэлектронного микроскопа 1 получают мелкомасштабное изображение Е одной из сопряженных поверхностей разъема образца, С по.мощью светового пера 5, на это изображениенаносят первичные метки М и получают изображение Е , которое направляется в блок3 видеозаййси и на экран...

Номер патента: 729478

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Бабушкина, Водзинский, Генкина

МПК: G01N 1/44

Метки: исследований, образцов, пленок, приготовления, состава, структуры

...изготовлены тонкие пленки ЯОг нЯзй для электронографических исследоватпй.П р и м е р 1. В качестве подложек ис.пользуют пластины пирографита толщиной2 - 5 мм н площадью 10 х 10 мм. Пластинывырезают из куска пирографита ножовочнымполотном н затем полируют шлифовальной бу729478 Составитель Е. НечипоренкоРедактор Л, Гребенникова Техред С. Мигай Корректор Г. Решетник Заказ 1253/37 Тираж 1019ЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 3магой нулевого номера. После шлифовки пластины промывают этиловым спиртом, просушивают в сушильном шкафу при 120+20 С в те. чение 1 ч. На очищенные пластины плазмохимическим способом...

Номер патента: 731358

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Бободжанов, Жбанков, Иванова, Марупов, Шишко, Юсупов

МПК: G01N 21/00

Метки: анализа, структуры, целлюлозы

...ЭПР и определяют изменение относительного содержания неупорядоченных областей целлюлозы в зависимости от условий гидролиза. Оценку изменения относительного содержания неупорядоченных областей проводят по соотношению приведенных интенсивностей компонент ЭПР-спектров (1 е/1+4) анализируемого образца по отношению к исходному образцу (см. фиг. 1).Расчет проводят по формулеК -100 О:.А4 исхВ таблице приведены данные о значениях относительной интенсивности центральной и низкопольной компоненты изученных образцов.На фиг. 1 приведены спектры ЭПР гидролизованной при различных температурах целлюлозы с эталоном марганца.Значения параметров относительной интенсивности центральной компоненты к левой компоненте ЭПР-спектра (1 о/1+) и показатель...

Номер патента: 733107

Опубликовано: 05.05.1980

Автор: Баранцева

МПК: H03K 19/162

Метки: вычислительной, однородной, структуры, элемент

...схемы низшего разряда,составленной как одноразрядный сумматориэ двух ячеек элемента однородной вычислительной структуры, описанной выше,Рабочие напряжения смещения на отражагелях - Еотр минитронов 1, 3 (фиг, 2)выбрано таким образом, чтобы эти минитроны возбуждались при наличии одного, отличного от нуля, сигнала на входе, а рабочиенапряжения смещения на отражателях - Еотр6минитронов 2 и 4 подобраны так, что этиминитроны возбуждаются только при наличиядвух входных сигналов, отличных от нуля,Коды разрядов суммы двух многоразрядных чисел с параллельным поступлением кодов разрядов на входы сумматора появляются на выходе 25 о элементов, эа исключениемкода ниэщего разряда, появляющегося навыходе 23 о, Каждый следующий код разряда появляется на...

Номер патента: 734878

Опубликовано: 15.05.1980

Автор: Баранцева

МПК: H03K 19/10

Метки: вычислительной, однородной, структуры, элемент

...1 не возбуж - ден.В этом состоянии элемент однородной вычислительной структуры выполняет функции разрыва цепи передачи сигналов в однородной вычислительной 5структуре.В рабочем состоянии на элемент однородной вычислительной структуры подается рабочее напряжЕние смещенияна отРажателе -Ертр 6 через шины цепи рабочего напряжения смещения 21нотр раб )Еотр.раба )2 отр.раба24 (Еотррач ) и радиоимпульсноенар-пряжение сигнала через однотактныесигнальные входные шины 3-10. В этом 25случае, если шины подвода модулиру.ющего напряжения тактовой частоты 25Пмод )26 )мйу ), 27 (Умодз(П) отключенй и модулирующее напряжение тактовой частоты не поступает на клистрон 1, то клистрон возбуждается, при этом модулируюЮее"напряжение тактовой частоты не...

Номер патента: 735228

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Метра, Можейко, Рекнер, Шульга

МПК: C09K 17/32, E01C 7/36, E02B 3/16 ...

Метки: почвы, структуры, улучшения

...и затем вносят таким же образом раствор лигносульфонатов илиих производных. После этого почвуперемешивают, например, с помощью,культиватора,.Ддя, закрепления бесструктуряЫх почв и почв, подвержен-ных дефляции, с целью борьбы с водной и ветровой эрозией, достаточнопоследовательного нанесения растворов. В результате такой обработкиобразуется влаго- и воздухопроницаемая пленка, через которую без затрудненийпрорастают семена.Ниже приведены результаты лабора-" торяйх испытаний способа. В качЕстве логносульфоната используют сульфитно-спиртовую барду (ССБ). Почвенныеагрегаты получают перемешиваниемрастертой и пропущенной через сито0,25 мм воздушно-сухой почвы срастворами сульфитно-спиртовой барды+ полиэтиленимин + ГеС 1 з пря...

Номер патента: 738570

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Карелис, Метра, Можейко, Пилсетниеце, Рекнер, Шульга

МПК: C09K 17/50, E01C 7/36, E02B 3/16 ...

Метки: легкого, почвы, состава, структуры, улучшения

...вцесеции растворов сульфитцо-спир. товой барды ЕеСполиэтилецимица лри влаж. ности оптимального структурообразовацця (23% от веса почвы), Водопрочцость.определяли методом мокрого просеивация и характеризовалк процентом содержа ния водо про чц ых агрегатов.При определении изменения кисло 1 ности поч. вы как результата внесения различных по содержанию сухих вешеств щелочных растворов препарата пользовались, лабораторным рН метром типа ЛП - 58.Механическая прочность почвецных агрега. тов определалась по цестацдартцой методике: ца весах, у которых одна весовая чаша замеця. лась специальным приспособлением, состоящим из двух круглых металлических пластинок, прикрепленных к металлическим серьгам.Нижняя серьга была цеподвижцой ц могла только...

Номер патента: 668506

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Баранов, Бессолов, Лидейкис, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковой, структуры

...расплаве увеличивают от 0,5%до 2,8% в процессе роста слоя, что приводитк возрастанию пересыщения основного распла.ва и уменьшению градиента ширины запретной 25 зоны,Таким образом, данным способоммогутбыть получены полупроводниковые структурыс заданным грациепом ширины запретнойзоны. 30 1. Способ получения полулроводниковойструктуры на основе твердых растворов соединений типа А В, преимущественноба 1 х АРЯЬ, иэотермическим смешиваниемосновного расплава, преимущественно баЯЬнаходящегося в контакте с монокрнсталлической подложкой, преимущественно баЯЬ, срасплавом для пересьпцения, содержащим преимущественно ба, Аг ЯЬ, о т л и ч а ю щ и й.с я тем, по, с целью создания варизонныхструктур с заданным значением градиента шири ны запрещенной...

Номер патента: 742793

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Непеин, Самарин, Симонов, Шафиков

МПК: G01N 33/34

Метки: величины, волокнистого, неоднородности, распределения, структуры, удельной, энергии

...зависимости "электросопротивлениедйформация" по точкам электросопротивления, соответствующим необратимой деформации, равной четвертой .части средней длины волокон, определяют электросопротивление образца после деформирования гк , гк 2 а по началу отсчета - гн 1 , Гн 2, 60 По кривым определяют усилие разряда, а усилие разрыва при нулевом расстоянии между зажимами определяют известными способами. Таким образом, по полученным величинам г, 65 ГК 2 ГН гнг, Тр, 2 р раССЧИтЫВаЮтотносительную связанную поверхностьволокон на нижней и верхней сторонах листа бумаги,По достаточному числу параллельных опытов, используя известные статистические зависимости, рассчитываюткоэффициенты вариации относительнойсвязанной поверхности с обеих сторон образца, по...

Номер патента: 742925

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Немшилов, Петров

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, ячейка

...и первойкоординатной шиной 16. Г"ыход элемента12 ИЛИ связан также с одним из входовдвухвходового элемента 14 ИЛИ, второй.вход которого совдеп;ен с инФормационнымвходом 2 Х, а выход псдссединен к первому входу двухвходовсгс элемента 10 И,второй вход которого подключен к информационному входу 29 ячейки, а выходявляется четверть:м информационным выходом 25 ячейки,Ячейка работает следующим образом,На информационные входы 18-21 под":-;ь. Ооответ;: ванно сигналы Ю, , У,Иссстсякия координатных щин 16 и74295 у(ЯК) од 5триггера - О и Ж, Выход элементов 1,5, 10, 13соответственно -Ф, 7,У, lния настройки можно разбить н ьг. (Вц), (В В В ), (А А,Состоя а три групп1 Аз)Работа ячейки в соответствии с указанным распределением состояний настройки, При...

Номер патента: 746264

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Козма, Маслов, Михайлов, Палатник, Фукс

МПК: G01N 23/207

Метки: кристаллов, неоднородностью, периодической, структуры

...Вгю) +аз + Рзсателлиты2- (8 з - 8 з) (Вз 1+В 1 з+Ви Аг 1) (Ви Вгг - Аи А 1 г)+(А 1 г Ви+Аи В 1 г) (Аз - Аэ 1+Аи Ви)14 Третьи Л;(а ) Зо (ак) З;Ог ) оф е8 и 8 - интенсивность 1-тых сателлитов, распоЛоженных со стороны меньших и большихуглов относительно основного рефлекса,Здесь а Ь, и ак, Р, коэффициенты Фурьеразложения периода решетки и структурной амплитуды соответственно, а 1; иЭо - фукнцииБесселя 1-го и нулевого порядка,Из решения системы уравнений находят коэффициенты Фурье-разложения структурной амплитуды а, 1 Зи периода решетки о Ь и,зная концентрационную зависимость структурной50амплитуды и периода решетки, независимо определяют профиль изменения концентрации какпо коэффициентам а, ф, так и по коэффициентам Ь.При упругой...

Номер патента: 751810

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Оносова, Сорокин, Шодэ

МПК: C08G 18/18

Метки: изоциануратной, полиизоцианатов, структуры

...превышает молекулярную полициклотримеризации в присутствии этих массу олигомеров, полученных в присутст- катализаторов, ИК-спектры олигомеров повии известной каталитической системы три казывают ярко выраженные полосы поглоМ-Глицидилалкила мины синтезируют по известной методике из соответствующих первичных или вторичных аминов,и эпи хлоргидрина.Процесс полимеризации проводят в растворе органических растворителей, например циклогексаноне, бутилацетате прп 20 - 30 С в присутствии 1 - 3 мас, % катализатора. 50% степень превращения циа,натных групп в присутствии глицидилалкиламинов достигается за 50 - 100 мин, ч то время как в присутствии 1 - 3 мас, % двухкомпонентной каталитической системы: третичный амин - а-окись (1: 1) в тех же условиях...

Номер патента: 765734

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Новиченок, Овчинникова, Шульман

МПК: G01N 33/34

Метки: вытянутых, макромолекулярной, ориентации, пленок, полимерных, степени, структуры

...преимущественно по главным валентнымсвязям. Температурное поле в одноориентированной полимерной пленке от тос ,76573 Формула изобретения Составитель А.ВолковТехред Н. Граб Корректор Г.Назарова Редактор П.Горькова Заказ 6501/42 Тираж 1019 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул,Проектная, 4 чечного источника тепла зависит от теплопроводности в радиальном направлении, при этом изотермические поверхности имеют форму эллипса с Осями, совпадающими с главными осями тензора теплопроводности, причем в направлении вытяжки теплопроводность увеличивается с ориентацией, а в перпендикулярном направлении уменьшается. Рассмотрим...

Номер патента: 771576

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Дорошенко, Кернер, Минин, Перельман

МПК: G01R 31/26

Метки: локального, области, перегрева, структуры, температуры, транзисторной

...эмиттер-база.формула изобретения ОфмоН ВНИИПИ Заказ 6688 Фираж 1019 Подписно филиал ППП "Патент .Ужгород,ул.Проект 4 ус,: фрр3 с 771576 4фв у)Эта цель достигается.тем, что на структуры определяют, например, изчальную температуру устанавливают меряя температуру этих областей инпутем пропускания тока, величина ко- фракрасным радиометром на негерметиторого соответствует максимальному зированном транзисторе той же серии,напряжению эмиттер-база, а изменение что и испытуемый.напряжения эмиттер-база измеряют при Предложенный способ повышает точтоке, превышающем эту величину. ность измерения температуры областейРасчеты и эксперимент показывают, локалЬного перегрева транзисторнойчто коэффициент К в приведенной фор- структуры, что позволит....

Номер патента: 775204

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Арбитан, Евтушенко, Калинина, Новак, Смирнов, Степин, Федоренко

МПК: D04B 39/06

Метки: выработки, полотна, структуры, ткановязаной

...гребень 9 и бердо 10, входят в глазки 12 укладчиков 13 уточных нитей и крючки яэычковых игл 14 вязального механизма.Язычковые иглы 14 расположены с воэможностью перемещения в пазу отбойного бруса 15, размещенном между 1 ч вальяном 16 и батанным механизмом 8. При этом яэычковые иглы 14 связаны с кулачховым механиэмо;ЕФ.7. Стержень ,18 каждого из укладчиков 13 соединен одним концом с шестерней 19 зубчато Я реечного механизма 20 их поворота, размещенного между скалом 5 и зевообразующим механизмом 7 под нижней ветвью зева. Механизм обеспечивает поворот укладчиков на угол 170-180 от- ;щО носительно их оси. Другой конец стержня 18 свободно установлен на отбойном . брусе 15 под язычковыми иглами 14, Полотно 21 ткано-вязанной структуры огибает...

Номер патента: 779866

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Голицын, Скупов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, монокристаллов, структуры

...ось вращения 17 имеют такжела-монохроматара, эталонного кристалла рентгеновские трубки 2 и 1 1, Эта осьи кристалла-анализатора, прйчем источни О проходит через центры фокусов трубок.ки рентгеновского излучения и держатели Ось 17 является неподвижной, жесткокристаллов-анализаторов спектрометров, связанной с основаниями спектрометров,установленных с возможностью независи- а переход на другие порядки дифракциимьа поворотов вокруг общих осей, держа- осуществляется поворотом рентгеновскихтели кристалла-монохрохматора и исследу источников.емого кристалла первого спектрометра Гониометры кристаллов-анализаторови держатели кристалла-монохроматора и 5 и 14 также имеют общую ось враще-эталонного кристалла второго спектромет- ния 18, багодаря...

Номер патента: 780008

Опубликовано: 15.11.1980

Автор: Белозерский

МПК: G06F 17/18

Метки: анализа, двоичных, последовательностей, структуры

...данного набора значений. Эта информациязаписывается в счетчики 8 и 9 соот- Щ ветственяо, после чего сигнал теку"щего значеййя"последовательности,присутствующий на шине 13, поступаетна вход счетчика 8, а блок 6 управления вырабатывает синхронизирующий сигнал 17, поступающий на входсчетчика 9. В счетчиках 8 и 9 про. "изводится-суммирование, т.е. корректировка частоты появления значения"1" после данного набора. Затем блокб управления вырабатывает на шине 30 16 сигнал Запись, благодаря которому информация со счетчиков 8 и 9" зайисывается в соответствующую ячейку блока 7 памяти.Таким образом, производится форми рование распределения частот появления будущих значений, равных "1",, в зависимости от предыдущих значений предсказываемой...

Номер патента: 780086

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Рудяк, Фаерман

МПК: H01L 41/22

Метки: доменной, сегнетоэластике, структуры, формирования

...2 и 3, а в верхней частивинтом 4, подвижный стержень 5 с винтом б, пазы 7 и 8,Устройство функционирует следующимобразом,Сегнетоэластический (ферроэластиЧеский) кристалл 9 с гранями аб, бв,ег,га помещается в держатель 1, Дляформирования доменной структуры с зигзагообразной доменной стенкой, расположенной вдоль граней бв,аг крис- .талла 9, последний размещают междуопорными выступами 2 и 3 и винтом 4,Перемещая винт 4 в направлении, указанном стрелкой (фиг2), создают изгибное напряжение в кристалле, которое приводит к .Формированию доменнойструктуры с зигзагообразной доменнойстенкой 10, расположенной вдоль граней бв, аг кристалла 9.Для формирования доменной структуры с зйгзагообразной доменной Стенкой, расположенной вдоль граней аб,вг (Фиг,...

Номер патента: 781221

Опубликовано: 23.11.1980

Авторы: Абзалов, Антуганова, Буткарев, Горбачев, Кузнецов, Майзель, Чернышева, Шаврин

МПК: C22B 1/02

Метки: окатышей, структуры, формирования

...в таблице опытных данных показывает, что при окомковании высокоосновных окатышей с содержанием флюсующих добавок в количестве 1 0-14% упаковка частиц основного класса приближается к кубической. При понижении основности окатышей цобавка мелких фракций в шихту уменьшается, крупные частицы приближаются друг к другу и их упаковка приближается к октаэдрической.Из таблицы также видно, что при окомковании окатышей с содержанием 10-14% флюсующих и упрочняющих добавок крупность отдельных частиц добавок должна быть в 2,2-2,6 раза меньше крупности частиц железорудного концентрата. При большой крупности частиц добавок (менее чем в 2,2 раза от крупности железоруцных частиц) они отодвигают железорудные частицы друг от друга, число точек...

Номер патента: 783811

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Бабушкин, Хамухин

МПК: G06G 7/56

Метки: дифференциальных, однородной, производных, решения, структуры, уравнений, частных, ячейка

...однороДной структуры для решения дифференциальных уравнений в частных производных представлена на чертеже.Она содержит блок 1 масштабных интеграторов, сумматор 2 приращений, следящий интегратор 3, интегратор 4 и выходом ячейки является выход следящего интегратора 3.Ячейка однородной структуры работает следующим образом.На входы блока 1 масштабных интеграторов подаются приращения с выходов других ячеек согласно конфигурации цифровой однородной сетки (ЦОС).В блоке 1 производится умножение входных приращений на соответствующие масштабные коэффициенты. Масштабированные входные приращения с выходов блока 1 подаются на входы сумматора 2 приращений, в котором производится их суммирование. Сумма приращений с выхода сумматора 2 поступает на...

Номер патента: 789613

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бадьялов, Буткарев, Власихин, Дегодя, Дюльдин, Еремин, Кузнецов, Майзель, Худорожков, Шаврин

МПК: C22B 1/14

Метки: окатышей, слоя, структуры, формирования

...должно быть не менее 92- 98. Меньшее содержание окатышей данного класса обусловливает попадание значительного количества окатышей мелких Фракций в просветы между крупными и, как следствие. пороэность слоя уменьшается. Это приводит к увеличению выхода класса 1 мм при барабанном испытании готовой продукции на истирание до 9-10%, а также к увеличению аэродинамического сопротивления обжиговых тележек и поэтому является недопустимым. Получение ока тыщей класса 0,040-0,052 мм/мм высот слоя свыше 98 на современных окомко вателях невозможно.При высоте слоя до 0,3 м/м его поперечного сечения крупность 92-98 окатьыей должна быть не менее0,040 мм/мм высоты слоя, Повышение высоты слоя свьые 0,3 м/м.сопровох- дается существенным увеличением его...

Номер патента: 789993

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Гузик, Криворучко, Крюков, Пасичная

МПК: G06F 9/00

Метки: интегрирующей, структуры, цифровой

...И 12 блока 10, а так как всчетчик 11 блока 10 занесена величина (-а), отличная от нуля, а единичные выходы каждого разряда счетчика11 подключены ко входам элемента ИЛИ13 блока 10, то Сигнал с выхода этого элемента, пройдя через элемент ИЕ14 блока 10, запрещает прохождениесигналов через элемент И 17 блока 16,и одновременно сигнал с выхода элемента ИЛИ 13, задержавшись на полтактана линии 15 задержки, разрешает прохождение сигналов через элемент И 12Поэтому сигнал с выхода линии 24 задержки блока 16 проходит через элементИ 12 блока 10 и поступает на входсчетчика 11 и по выходу 31 - в вычислительные устройства ЦИС. В результате значение счетчика 1.1 блока 10изменяется на единицу, а и тех вычислительных устройства, вход переменной...

Номер патента: 798121

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Брусиловский, Краснокутский, Немтинова, Новожилов, Пекарский, Платонова, Туманский

МПК: C08G 18/10

Метки: полиизоцианатабиуретовой, структуры

...большее количество водыв единицу времени, что сокращает длительностьпроцесса, При этом отпадает необходимостьв применении перемешивающих устройств, таккак перемешивание обеспечивается газовымиструями,Полученный продукт (см. примеры) не содержит полимочевины и не требует фильтрации.Такой технологический прием позволяет легкоперейти на непрерывную схему производства,а вязкость целевого продукта ниже, чем ана.логичных отечественного и импортного полиизоцианат-биурета.45На чертеже изображен реакционный аппарат,реализующий предлагаемый способ.Технология проведения опытов заключаетсяв следующем,В реакционньгй аппарат, работающий по прин.ципу эрлифта, загружают 250 г 1,6-гексамети.ленднизоцианата и производят его нагрев. Через змеевик 1 и...

Номер патента: 798556

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Лагусева, Мальцева, Мирлас

МПК: G01N 15/08

Метки: структуры, целлюлоз-ного

...и 1 - интенсивность падающегои отраженного света, соответственно. 25 Как показали исследования, оптическая плотность отливки (О) является мерой количества сорбированного красителя и характеризует доступность З) .пористость и внутренюю поверхность .целлюлозы. Данный способ предназначен преимущественно для беленых целлюлозных материалов, поскольку бурыми цвет небеленой целлюлозы искажает рЪ- зультат анализа и в этом случае требуется вводить специальные поправки.П р и м е р. Навеску 1,40 г+0,01 г воздушно-сухой беленой целлюлозы(белизна 90-91 влажность 5) распускаЦеллюлоза, облагороженная8 раствором МАОН при30 Целлюлоза,облагороженна10 раствором МаОН при30 ют в воде при перемешивании. Полученную суспензию сгущают на воронке Бюхнера до...

Номер патента: 800836

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Лобанович, Миренский, Семиошкина, Смирнов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристалли-ческих, слоев, совер-шенства, структуры

...эмиссии в виде газонаполненной камеры 4 снаходящимся в ней держателем образца,установленной на гониометрической головке главного гониометра 5, и детектор 6 дифрагированного образцом излучения.Камера 4 представляет собой объем 7,внутри которого расположены держательс образцом 8, нитевые электроды 9 и10. Держатель с образцом с помощьюустройства 11 может перемещаться относительно электродов. Камера такжеимеет два штуцера 12, служащих цляввода и вывода газовой смеси, наполняющей объем, и два окна 13, прозрачныхдля рентгеновских лучей, Напряжениеподается на держатель с образцом и одиниз электродов 9 или 10, что соответствует исслецованию образца при брэгговской или лауэвской дифракции (на просвет). Предварительно коллимированное и...