Патенты с меткой «структуры»
Процессорный модуль однородной вычислительной структуры
Номер патента: 1345207
Опубликовано: 15.10.1987
Авторы: Золотовский, Карпенко, Коробков, Степанян
МПК: G06F 15/00
Метки: вычислительной, модуль, однородной, процессорный, структуры
...па сигналу 14 происходит увеличение адреса на единиЕуВ четвертом такте включается коммутатор 4, подаются сигналы 5 и б и сигнал приема на один из операционных узлов. Считывание из памяти данных операнды заносятся в регистрыоперационного узла. Запуск операциипроизводится па заднему фронту сигнала приема данньгх,В пятом такте адрес из регистра 2 Б 13 переписывается в регистр 12.В шестом такте результат из апера -ционного узла записывается в память данных, причем коммутатор настраивается так, что одна из шин, первая или вторая, подключается одновременна к входам блоков 5 и б. Подачей сигналов 5, и 6. результат по адресу А 2 записывается как в блок 5, так и в блок 6. Одновременно с записью результата считьвается новая команда и...
Способ получения фельдшпатоида структуры типа калиофилита
Номер патента: 1347864
Опубликовано: 23.10.1987
Автор: Жозеф
МПК: C01B 33/26
Метки: калиофилита, структуры, типа, фельдшпатоида
...тета излуупри вибрациации в .орму и затем в течечение линии кобальта при 1 79 А). ние 1 30ние ч мин выдерживается гриКроме очень интенсивных линий кордие С. П осле сушки полученный продуктрита и довольно интенсивных линий 20 имеет плотность 3 0 г/мл Пм ллитать , г мл. Родукту различают линии слабой ин- блестящий егоего твердость 6 по шкале;тенсивности 4,49/4,28/3,53/2,59/2,28/ Моса,2 16 А ,а т акже зону между 10,00 П р и м е р 5, Готовят реакциони 11 8 А Эт а рентгенограмма являет- ную смесь по примеру 1 с молярнымися рентгенограммой К)-РЯ, указанной 25 соотношениями КО/810 0,38 у.810 /в таблице, однако зона между 3,38 и А 10 а 4,0, НО/А 1 О 20, К О/Л 102,80 А пе ек ытаР Р интенсивными ли,52. После выдержки образованная таниями ко...
Способ контроля состояния и структуры горного массива в очистных забоях
Номер патента: 1352080
Опубликовано: 15.11.1987
Авторы: Аюров, Дородников, Хименко
МПК: E21C 39/00, E21F 5/00
Метки: горного, забоях, массива, очистных, состояния, структуры
...ы сон рОтиВлсция Гор НОГО массиВа О сга.циоцарцого л ровня, кН.Ори,5 ер. Угольный пласт 1 ч сложного строеция хоццостью 0,9 м состоит из двух цацек угля, разделенных прослоем глинистого с;ацца. Уголь обеих пачек блестящий, средцей крепости, сложный, хрупкий. разбит четко выраженными трещинами кливажа с вклюцением мелких линз серного колцедана.Непосредственная кровля пласта представлена песчаным сланцем, темно-серым, трещиноватым, с прослойками блестящего угля толщиной 1 -см церез о,1 - 0,7 м, не имеюео щим на контактах связи. Сланец разбит трещинами кливажа, склонен к обрушению, це Выдержан по моццости и ко,чеблется от 0,2 до 0,9 м, его крепость= 4 - 6.Прибором КГ 1 - -через каждые О м 15 по ч,чине лавы измеряли приведенную крепость...
Устройство для измерения тонкой структуры скорости течения жидкости
Номер патента: 1352375
Опубликовано: 15.11.1987
Авторы: Муякшин, Сандлер, Селивановский, Шерешевский
МПК: G01P 5/24
Метки: жидкости, скорости, структуры, течения, тонкой
...в себя генератор частоты 1 заполнения, стабилизированный -кварцем, Формирователь радиоимпульса длительностью с и усилитель мощности (не покаэанй). Выход усилителя 10 подключен к входу частотомера 11. Выходы частотомеров 8 и 11 подклю" чены к входам арифметического устройства 12, выход которого соединен с регистратором 13,Устройство работает следующим образом.Преобразователь 1 излучает в жидкость последовательность ультразвуковых импульсов длительностью Я с частотой заполнения Ги одновременно преобразователь 2 излучает ультразвуковой импульс длительностью В с частотой заполнения , Поскольку преобразователи коаксиальны и расположены в одной плоскости, излучение производится в одном направлении и из одной точки, Прием сигналов обратного...
Способ контроля генетической структуры колоний неинбредных мышей
Номер патента: 1353380
Опубликовано: 23.11.1987
Авторы: Бландова, Ведерников, Чиркова
МПК: A01K 67/02, G09B 23/28
Метки: генетической, колоний, мышей, неинбредных, структуры
...только одной КР-линии,Гетероэиготами по Нсчитают мышей,если у одной части потомков Р прижился трансплантат одной КР-линии,у другой части гибридов Р- трансплантат другой КР-линии или трансплантат не прижился,По результатам приживления кожиу мышей Р определяют частоту гап 55лотипов и генотипов. В случае выявления мьппей с неизвестными гаппотипами по Нзакладывают новую линиюмьппей и изучают ее гаплотип с по" мощью других иммуногенетических методов.Установленная таким образом генетическая структура популяции неинбредных мышей по Ндает воэможность контролировать стабильностьструктуры популяции неинбредных мышей по первоначально установленнымчастотам генотипов Н, используяобщепринятый метод...
Устройство для контроля структуры бумаги
Номер патента: 1354112
Опубликовано: 23.11.1987
Авторы: Ведин, Митрофанов, Новиков
МПК: G01N 33/34
Метки: бумаги, структуры
...движения образца 4. Объектив 9 оптически связан с экраном 19, На экране 19 нанесена измерительная сетка.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии, когда образец 4 на измерительном столике 1 отсутствует, пружинные элементы 2 4112 2через ролики 3 замкнуты на металлическую поверхность столика 1, и навходы схемы И 15 подан логический"О", Следовательно, на ее выходе и сна первом входе триггера 16 такжелогический О, а на выходе инвертора 17 и на втором входе триггера 16логическая "1".При вводе образца 4 под ролики 3контакт пружин 2 со столиком 1 нарушается, и потенциал на входах схемыИ 15 и на ее выходе становится равнымлогической "1", а на выходе инвертора 17 - логическому "О". Триггер 16перебрасывается, и с его выхода...
Модуль однородной вычислительной структуры
Номер патента: 1359782
Опубликовано: 15.12.1987
Авторы: Богачев, Вольперт, Дычаковский, Михайлов, Мухин, Осокин
МПК: G06F 15/00
Метки: вычислительной, модуль, однородной, структуры
...однородной вычислительнойструктуры, содержащий арифметико-ло26команд, вторые управляющие входы с первого по четвертый выходных блоков коммутации подключены соответственно к группам выходов с третьей по шестую поля выходного адреса сдвигового регистра команд, управляющий вход третьего входного блока коммутации под- ключен к пятой группе выходов поля входного адреса сдвигового регистра команды, о .т л и ч а и щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены блок формирования константы, четвертый элемент задержки, блок управления дополнительной задержкой, блок управления транзитом, блок расширенного транзита, первая группа выходов поля задержки регистра команд подключена к первому управляющему входу блока формирования...
Способ подготовки образцов для исследования структуры углеродных волокон
Номер патента: 1361468
Опубликовано: 23.12.1987
Автор: Куроленкин
МПК: G01N 1/00
Метки: волокон, исследования, образцов, подготовки, структуры, углеродных
...исключает межволоконное электродуговое диспергиронание УВ, Это дает возможность стравб 8 2ливать поверхность УВ до тех пор, пока не произойдет фрагментированиепротравленной части УВ на отдельныесоставляющие его по высоте части (филаменты), При таком спокойном процесве травления, исключающем электродугоное диспергирование УВ, нсе последовательно стравленные с поверхности до середины УВ структурные зоныв виде мелкодисперсных частиц переходят в раствор электролита, находясьтам во взвешенном и частично осажденцом (для филамецтов) состоянии.Так как фрагментированные при травлении структурные области УВ в силуособенности своего. строения имеютразные форму и размеры, это дает воз"можцость их разделения последователь"ным Фильтрованием...
Ячейка однородной трассирующей структуры
Номер патента: 1361537
Опубликовано: 23.12.1987
Авторы: Капустян, Кильметов, Краснопольский, Лашевский, Мишкинюк, Носков
МПК: G06F 7/00
Метки: однородной, структуры, трассирующей, ячейка
...кратчайшейтраектории движения при управленииавтономным транспортным средством илиманипуляционным роботом,Целью изобретения является расширение функциональных возможностейячейки за счет реализации координатной выборки, самоблокировки и хранения информации.На чертеже приведена функциональная схема ячейки.Ячейка содержит элемент ИЛИ 1,элемент И 2, элемент ИЛИ 3, Б-триггер 4, элементы И 5 и 6, КЯ-триггер 7, элемент НЕ 8, элемент И 9,элемент ИЛИ 10, настроечные входы11 и 12, вход 13 сброса, входы 14 20координатной выборки, информационныевходы 15, тактовый вход 16 и выход17.Каждая ячейка однородной структуры соответствует либо определенномуучастку местности, по которой должендвигаться управляемый объект, либоопределенному положению...
Ячейка однородной структуры
Номер патента: 1363180
Опубликовано: 30.12.1987
Авторы: Варшавский, Маевский, Мараховский, Цирлин
МПК: G06F 7/00
Метки: однородной, структуры, ячейка
...32,2 этого блока.В результате на выходе элемента ИНЕ 40 появляется потенциал "0", который переводит КБ-триггер 39 блоканастройки 31 в единичное состояние.0-триггер 35 этого блока сохраняетпри этом нулевое состояние, так какна его информационном входе имеетсяпотенциал 0 с выхода элементаНЕ 36.Если счетчик 33 был установлен врезультате настройки в такое состояние, что на одном (или обоих) изего выходов имеется потенциалто в результате переключения 3.8 триггера 39 в единичное состояниепроизойдет срабатывание одного (илиобоих) из прожигаемых элементов И-НЕ41 или 42, в результате чего на выходе этого элемента появится потенциал11 10 , который из -з а необратимых изменений в структуре прожигаемо го элемента з афик сируется на нем независимо...
Устройство для определения структуры, величины и неоднородности внутреннего магнитного поля магнитоупорядоченных кристаллов
Номер патента: 1370537
Опубликовано: 30.01.1988
МПК: G01N 27/82
Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры
...для электронов,35 50 спины начинают прецессировать резонансным образом. Это резонансное условие соответствует условию отклонения вектора внутреннего магнитного поля относительно вектора внешнего поля на угол ., величина которогоудовлетворяет условию я 1 п- НрЭта величина, особенно в условиях низкочастотного магнитоакустического резонанса, мала, и векторы Й, и О, с хорошей степенью точности можно считать коллинеарными, а с точностью. до малого резонансного поля "/ - равными по величине. Резонансная прецессия спинов вызывает увеличение поглощения звука в этой области и, следовательно, уменьшение амплитуды звука, прошедшего через образец. Размер резонансной области В 2 определяется постоянством полного поля в этой области с точностью до...
Способ определения структуры материала и устройство для его осуществления
Номер патента: 1385058
Опубликовано: 30.03.1988
Авторы: Антонов, Беляков, Захаров, Сергеев, Тимошенков
МПК: G01N 29/00
Метки: структуры
...временного селектора 10 донный сигнал в контролируемом изделии поступает на блок11 Формирования прямоугольных импульсов и измерения их длительностей, в котором формируется передний Фронт прямоугольного импульса.Когерентно с донным сигналом в контролируемом изделии отраженные от донной поверхности в эталонном образце ультразвуковые сигналы принимает совмещенный ультразвуковой преобразователь 5 и трансформирует их в электрические импульсы, которые поступают.на вход широкополосного усилителя 7, с выхода которого донный сигнал в эталонном образце поступает на временной селектор 8 и селектируется от других мешающих сигналов, С выхода временного селектора 8 отселектированный донный сигнал в эталонном образце поступает на блок11...
Пробоотборник для взятия проб почвогрунта ненарушенной структуры
Номер патента: 1386866
Опубликовано: 07.04.1988
Автор: Каршибаев
МПК: G01N 1/04
Метки: взятия, ненарушенной, почвогрунта, проб, пробоотборник, структуры
...фиг. 3 - разрез А"А на фиг. 2.Пробоотборник состоит иэ корпуса 1,20 в котором расположен механический 9 инт 2, на конце винта имеется паз 3 для шарика 4 подшипника, они шарнирно соединены замком 5 с закрепляющими винтами 6, Невращающиеся,29 но вдавливающиеся неподвижная и подвижная плоскости 7 и 8 снабжены шипами 9 и фиксаторами 10 для трех пробоприемных цилиндров 11. Для переноса и установки устройства корпус снабжен ручкой 12. Дпя приведения механического винта в возвратно-поступательное движение он имеет сквозное отверстие 13 для съемной ручки 14.Пробоотборник работает следующим 35 образом.Механический винт 2 приводится иэ нулевого положения при помощи съем- ной ручки 14 в рабочее состояние. механическим винтом 2, установленнымв...
Устройство для оптимизации структуры двухполюсной кабельной сети связи
Номер патента: 1390615
Опубликовано: 23.04.1988
Автор: Крутаков
МПК: G06F 15/173
Метки: двухполюсной, кабельной, оптимизации, связи, сети, структуры
...которого и выход последнего являются соответствующими выходами: второго блока 18 ключей, выходы кото. рого являются вторыми входами ключей 27; . Ключ 27, служит для закорачивания потенциометра 25, в случае отсутствия д-й линии связи в текущем варианте сети.В случае присутствия поуенциала логического "0" на, управляющих входах ключи 24; находятся в разомкнутом, а ключи 27, в .в замкнутом состояниях, в противном случае - наоборот.В случае поступления импульса напряжения на второй (,управляющий)РС вход каждого ключа 26, первого бло- д 5 ка 17 ключей они переходят в замкнутое состояние, в случае поступления импульса напряжения на третий (управляющий) вход каждого ключа 26 перво,го блока 17 ключей они переходят в .разомкнутое...
Способ фотографического нанесения структуры экрана электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1391508
Опубликовано: 23.04.1988
Автор: Джордж
МПК: H01J 9/227
Метки: нанесения, структуры, трубки, фотографического, экрана, электронно-лучевой
...пропусканием около907. Благодаря этому фильтр 14 коррекции интенсивности можно применятьпри фотографическом экспонированиибез движения относительно изготовляемой структуры экрана.Этот момент важен при изготовленииточечных структур, например экрановс гексагональным набором люминофорныхэлементов. Однако время экспозицииздесь не укорачивается.На фиг. 4 представлен график 19желаемого светопропускания рабочегофильтра. Контурные линии 20 обозначают точки одинакового светопропускания в процентах. Изменение светопропускания является плавным и непрерывным, Профили пропускания вдоль разнесенных параллельных линий 21 с известным шагом в направлении х подаютсяПри использовании дискретно-элементного полутонового фильтра коррекции интенсивности...
Способ измерения температуры структуры тиристоров
Номер патента: 1392521
Опубликовано: 30.04.1988
Авторы: Гуревич, Долгих, Синявский
МПК: G01R 31/26
Метки: структуры, температуры, тиристоров
...способам измерения температуры тиристоров, используемым цри производстве и эксплуатации мощных тиристоров, а также при испытаниях тиристорных преобразователей, и является усовершенствованием изобретения по авт.св. М 600483, 10Цель изобретения - повышение точности и достоверности измерений.На фиг.1 представлена типичная зависимость термочувствительного параметра, в качестве которого используется напряжение Ц , от тока управления 1 (выделена область значеций тока управления, при которых достигается повышение точцости и достоверности измерений); на фиг.2 в ,схема 2 О устройства для осуществления предлагаемого способа.Между управляющим электродом и катодом испытуемого тиристора 1 подключают стабилизированный источник 2 25 напряжения и с...
Способ определения структуры слоя сыпучих материалов
Номер патента: 1394223
Опубликовано: 07.05.1988
Авторы: Альжанов, Капбасов, Койлыбаев, Максимов, Талжанов, Турсыпбаев
МПК: G09B 23/24
Метки: слоя, структуры, сыпучих
...критериал стру оизв т- б -мвх ср. ч ч м/ 3; 9; 1 О; 1 К м ч в х.ср ру с с ч- скоросслой;ч - скоро сЧБ - илощадсгаза,илощад ть газа цл м 2 -с. 5"ся ь сечения счоя ь рвцлерцост 1 рл и еделецццл ьх ле в слои;степеньиределецв )2 Вср1 вцомерцос рсиз сии 11 бретение отнОсится к мделироив 1 роцессл, в частности к моделирвцию сыпучих материлв в газовомиотке,ель изобретения - расширецие липзон, сисобл иреиелеция структуры слоя.И р и м е р, ля проведения опытв использовался аппарат с ирозрачцыми боковыми стенками размером 400 ххб 0 х 20 м . Днище липрата выполненовв двух вриантах: газорлсиределительця решетка с живым сечением 0,05О,5 и сплошная диафрагма с централь -иым отверстием 2 - 30 мм. В качествесыучего материал использовалсяилнестцяк...
Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев
Номер патента: 1396023
Опубликовано: 15.05.1988
Авторы: Денисов, Зельцер, Коряков, Сеничкина
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллических, слоев, совершенства, структуры
...совместно с таймером 51 преобразует последовательность поступающих импульсов в двоичный код, пропорциональный скоростисчета и через интерфейс 48 выдаетэтот код на ЭВМ 47, которая через интерфейс 48 осуществляет управление иобмен информацией с устройствамиблока 46. Управляощие сигналы и информационные коды, поступающие от ЭВМ47 через интерфейс 48 в устройство49 управления, преобразуются в нем внапряжения, необходимые для управления гониометром 10, на котором установлен кристалл-монохроматор 8.ЭВМ 47 сравнивает текущее значение интенсивности рентгеновского от -ражения от кристалла-монохроматора 8(1 ) со значением интенсивности от 1ражения лри точном брэгговском положении кристалла-монохроматора 8 (18 ),(лри О значение интенсивности...
Способ получения изображения внутренней структуры объекта с помощью ядерного магнитного резонанса
Номер патента: 1396026
Опубликовано: 15.05.1988
Авторы: Данилов, Майоров, Фролов
МПК: G01N 24/08
Метки: внутренней, изображения, магнитного, объекта, помощью, резонанса, структуры, ядерного
...изобретения является увели чение точности измерения локальных параметров сигнала ЯМР за счет повышения пространственной разрешающей способности.Теоретическое обоснование способа 20 следуе т иэ решения из ве стных в теориимагнитного резонанса уравнений Блохадля случая, когда спиновая система,возбуждаемая периодической последовательностью высокочастотных импульсов,25находится в неоднородных постоянном иизменяющемся во времени (переменном)магнитных полях. В результате создания дополнитель- ЗО ного постоянного градиента магнитного поля в направлении, совпадающем с градиентом, изменяющимся во времени, вклад в постоянную составляющую сигнала будет давать не весь объем 35 объекта, а лишь плоские его области, в которых расстройка средней...
Установка для дифрактометрического исследования реальной структуры кристаллов с использованием синхротронного излучения
Номер патента: 1334924
Опубликовано: 23.05.1988
Авторы: Алешко-Ожевский, Головинов, Коряшкин, Шишков
МПК: G01N 23/207
Метки: дифрактометрического, излучения, использованием, исследования, кристаллов, реальной, синхротронного, структуры
...(фиг.6)и высшие гармоники через такую систеВ данной установке регулировкавторой пластины 18 первого кристалла"монохроматора 1 используется также вцелях уменьшения потерь интенсивности в результате разогрева первичным пучком места попадания. Функцию исполняющего элемента несет миниатюрный электромагнит 1, который перемещает конец второй пластины на расстояние 0-20 мкм, притягивая через пружинящую прокладку 20 приклеенный к монохроматору ферритовый диск 21. При этом отклонение Ь 8 имеет значеУстановка работает следующим образом.Полихроматический (первичный) йучок синхротронного излучения, пройдя входную диафрагму Ор и коснувшись краем входного мониторного детектора 5, попадает на первый канально-прорезанный кристалл 1. После двух (или...
Способ получения теневых картин внутренней структуры объекта с помощью проникающего излучения
Номер патента: 1402871
Опубликовано: 15.06.1988
Авторы: Митрофанов, Подурец, Соменков, Тюгин, Чистяков, Шильштейн
МПК: G01N 23/08
Метки: внутренней, излучения, картин, объекта, помощью, проникающего, структуры, теневых
...2, отражается от него под бреггавским углом и направляется на объект 3. Часть излучения проходит через объект 3 без преломления (показана сплошной линией на Фиг, 1), другая часть излучения преломляется на внутренних поверхностях раздела и падает на второй монокристалл 5 под углами, отличными от брегс говского (показаны штриховой линией на фиг. 1), Если это угловое отклонение больше эффективного угла коллимации, обеспечиваемой парой моно- кристаллов 2 и 5, то преломленное излучение не отражается вторым моно- кристаллом 5 в отличие от излучения, прошедшего через объект 3 без преломления, которое отражается монокристаллом 5 под углом Брегга и направляется в детектор 6, откуда информация передается в. блок 7 обработки (например, на...
Микрофонный сейсмоприемник непрерывной структуры
Номер патента: 1402985
Опубликовано: 15.06.1988
Авторы: Кмицикевич, Терпиляк
МПК: G01V 1/16
Метки: микрофонный, непрерывной, сейсмоприемник, структуры
...Источник 5 напряжения связан с сейсмоприемником черезподводящий кабель и вход сейсмостанции 6 (Фиг.2). Сейсмические волны, 45вызванные источником возбуждения,приводят к сжатию или разжиму материала 2 сопротивления, в результатеизменяется его электрическое сопротивление. Изменения сопротивленияможно измерять обычным способом, например путем наблюдений за изменениями тока или напряжения. Для их реализации может быть использована стандартная сейсмостанция 6.С целью облегчения работы присмотке, размотке и транспортированиимикрофонных сейсмоприемников (МСП) последние могут быть выполкены в виде отдельных секций длиной 50-100 м каждая. Такая секция представляет собой шланг 1 (фиг,2), связанный с жестким переходником 7, имеющим изолированный...
Устройство для определения пространственных изменений объектов решетчатой структуры
Номер патента: 1408372
Опубликовано: 07.07.1988
Авторы: Горохов, Живетин, Рожков, Суровягин, Тимашов, Тимашова
МПК: G01J 1/04, G01N 21/88
Метки: изменений, объектов, пространственных, решетчатой, структуры
...(кроме Ч = О) имеется набор изображений источника, образованных излучениями в диапазоне ЬЬ, выделяемом цветным светофильтром измерительного канала.Положение центров дифракционных изображений источника света относительно оптической оси при немонохроматическом излучении определяется выражением1= ср( +) о а/2,где Ь и Ь - верхняя и нижняя границыспектрального диапазона излучения источника.Размеры дифракционных изображений источников определяются следующим образом: продольный размерЬ, = Ч(Ь - Ь)о а+ д,.ф,поперечный размерд=д,При наличии в структуре измеряемогообъекта дополнительных включений, например, в виде элементов круглой формы илив виде произвольно ориентированных линий,в частотной плоскости дополнительно формируется фурье-спектр этих...
Способ исследования внутренней структуры объектов в трансэмиссионном акустическом микроскопе
Номер патента: 1409915
Опубликовано: 15.07.1988
Авторы: Колосов, Лагутенкова, Маев, Мациев, Пышный, Сенюшкина
МПК: G01N 29/06
Метки: акустическом, внутренней, исследования, микроскопе, объектов, структуры, трансэмиссионном
...сканирования, помещают крылышко мухи.Держатель 1 с крылышком мухи устанавливают между линзами 2 и 3 акустического микроСкопа таким образом, чтобы объект оказался вне предполагаемой области прохождения ультразвука. Между линзами 2 и 3 помещают каплю воды для создания акустическогб контакта. Через получившийся акустический тракт пропускают ультразвук с частотой 450 ИГц и регистрируют амплитуды сигнала преобразователя 4 приемной линзы 3. По максимальному значению этого сигнала производят юстировку линзовой системы.Регистрируют амплитуду и фазу сигнала преобразователя 4 приемной линзы 3, выполняют их аналого-цифровое преобразование и заносят в память блока 8. Получают изображение объекта на электронно-лучевом дисплее. Рассматривая...
Ячейка однородной структуры
Номер патента: 1411732
Опубликовано: 23.07.1988
МПК: G06F 7/00
Метки: однородной, структуры, ячейка
...относится к автоматике и вычислительной технике и предназначено для построения плоскостных однороднъм структур, реализующих про извольные логические функции при условии равной доступности прямых и инверсных выходов источников информации еЦель изобретения - упрощение ячей О ки.На фиг.1 приведена функциональная схема ячейки; на фиг.2. - логические и коммутационные схемы, реализуемые ячейкой путем настройки. 15Ячейка содержит первый 1 и второй 2 информационные входы, первый 3 и второй 4 настроечные входы, мультиплексор 5, элемент ЗАПРЕТ 6, элемент И 7, мажоритарный элемент 8, первый 20 9 и второй 10 выходы.Путем подачи настроечных сигналов 2 и 2соответственно на первый 3 и второй 4 настроечные входы ячейка настраивается на...
Ячейка однородной структуры
Номер патента: 1418695
Опубликовано: 23.08.1988
Авторы: Волченская, Егоров, Князьков, Тепляков
МПК: G06F 7/00
Метки: однородной, структуры, ячейка
...связи с последним элементом каждого каскада, за исключением каскада, соединенного с выходом схемы, - системы (7) функций,остальные ячейки настраиваются на ре-ализацию системы (6) функций. В результате в однородной структуре бу:дет сформирована комбинационная схемадля вычисления заданной булевой функции от К переменных, в которой информационные каналы сформированы изпоследовательностей ячеек, настроенных на выполнение коммутационныхфункций, а узлы преобразования информации - из ячеек, реализующихоперации логического умножения и сложения двух переменных,Установка триггеров 17 и 18 ячеек однородной структуры в устройствевыполняется следующим образом, Нагруппу входов 232323однородной структуры (фиг,2) подается управляющий вектор и = 1, 1, 1...
Способ определения структуры угля угленосного пласта, содержащего газ
Номер патента: 1420149
Опубликовано: 30.08.1988
Автор: Аюрова
МПК: E21B 49/00
Метки: газ, пласта, содержащего, структуры, угленосного, угля
...и, с другой стороны, требованием соблюдения постоянства условий газовыделения из угля в разных пробах. Вес пробы должен быть достаточно большим, чтобы отражать нарушенность угля в области, соизмеримой с размерами З 0 мошности контролируемой угольной пачки,а не в отдельной точке этой пачки. Однако увеличение веса пробы угля ведет к тому, что интенсивность газовыделения из частиц угля начинает зависеть от диффузионных процессов внешнего массопереноса: частицы 35 угля, находящиеся в метановой среде,начинают десорбироваться с внешней скоростью и это ведет к изменению закономерности кинетики газовыделения из газа, которая предполагается неизменной в предлагаемом способе. Формула для определения показателя структуры угля получена...
Устройство для контроля полупроводниковой структуры
Номер патента: 1422001
Опубликовано: 07.09.1988
МПК: G01B 21/00
Метки: полупроводниковой, структуры
...БосыИ им их л ьсов ФЗ триггер Д 7.1 сбрдсыв 1 ется. При эгом сраба.5тывает одновибратор Д 6,2, сбрасывая по цепи й счетчик ДЗ, Д 4, Д 5, это приводит к выключению из видеосигнала первых восьми битов, не несущих информации об изображении.Одновременно при наличии сигнала Запись маски 3 м (третий выход блока 1) на входе 2 блока 10 происходит установка триггера Д 2, сигналом которого (с шестого выхода блока 10) управляется режим работы аналого-цифрового преобразователя блока 11 (выдача выходной инфорМации в прямом или инверсном коде). Далее счетчик ДЗ, Д 4, Д 5 продолжает считать с нуля. Таким образом, каждому считанному зарядовому пакету с ПЗС линейки соответствует координата (номер) на вь 1 ходах счетчика. После прохождения еще 1024...
Способ анализа структуры целлюлозы
Номер патента: 1427244
Опубликовано: 30.09.1988
Авторы: Бободжанов, Бободжанова, Марупов, Нуманов
МПК: G01N 21/00
Метки: анализа, структуры, целлюлозы
...анализа при кислотном гидролизе целлюлозы.Способ осуществляют следующим об,; 10 разом.П р и м е р 1. 50 мг хлопковой целлюлозы помещают в 5 мл хлороформа, содержащего 1 мг ванадилпорфиринового комплекса (70 ПК). Смесь ин кубируют 3 ч при комнатной температуре. Затеи хлороформ удаляют под вакуумом, образец целлюлозы высушивают при комнатной температуре и снимают спектр ЭПР, Находят центральную 20 (1,) и низкопольную (1) компоненты спектра и вычисляют отношение А, =1,/1 +1 = 3,84 (интенсивность для исходного образца).50 мг хлопковой целлюлозы помеща ют в 5 мл хлороформа, содержащегомг 70 ПК. В полученную смесь вводят 983-ную серную кислоту в объеме10 мл. Происходящий гидролиз целлюлозы осуществляют в течение 2 мин. За тем целлюлозу...
Способ кондуктометрического контроля структуры железоуглеродистых сплавов
Номер патента: 1430856
Опубликовано: 15.10.1988
Авторы: Гудыря, Дубров, Рудюк, Скобло, Шапаренко, Шаповалова
МПК: G01N 27/04
Метки: железоуглеродистых, кондуктометрического, сплавов, структуры
...точности анализа.Указанный эффект имеет место, если диаметр контактной площади элек трода превышает межкарбидное расстояние в гетерофазных структурных составляющих. Поэтому определяют величину межкарбидного расстояния и выбирают электрод с диаметром контактной площади, превышающим найденное значение межкарбидного расстояния. При выполнении этого условия измерения в контактную площадь попадают границы раздела феррит-карбид, которые имеют низкое электросопротивление, Значение сопротивления границ раздела Феррит-карбид зависит от степени обособленности карбидов, которая различна для разных гетерофазных структурных составляющих: перлит, бейнит, отпущенный мартенсит. Вследствие этого появляется возможность различать эти структур-ные...