Способ изготовления p-n-p-n структуры

Номер патента: 1756827

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Изидинов, Назаров, Разяпов

МПК: G01R 1/00

Метки: анализа, вторично, ионного, количественного, кремния, лазерного, масс-спектрометрического, образцов, основе, поверхности, примесей, создания, сравнения, структур

...и (2)величинами концентрации примеси в интервале 10-10 5 мас.0 в исходном расгворе.Предлагаемый способ характеризуютследующие свойства:простота операций, общедоступностьлабораторного оборудования и оснасткидля создания ОС;простота и точность регулирования впределах не менее 4 порядков содержайиястандартизируемого элемента-примеси;возможность высокой точности прогнозирования содержания примеси и направлейного его изменения на основе простогосоотношения, параметры которого мотутбыть найдены путем простых расчетоввследствие высокой восп роизводймостисвойств матрицы из СПК;тонкая структура и равномерное распределение микропор (обусловливает равномерное распределение примеси пообъему СПК);большая толщина СПК (100 - 200 мкм);что позволяет...

Номер патента: 1531753

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий формирование на поверхности монокристаллического кремния двух соприкасающихся областей путем диффузионного легирования примесями одинакового типа проводимости, при этом первую область легируют примесью глубокого уровня, а вторую область - примесью мелкого уровня до концентрации примеси мелкого уровня, значительно большей концентрации примеси глубокого уровня, и глубины p - n-перехода примеси мелкого уровня, значительно меньшей глубины p - n-перехода примеси глубокого уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа и упрощения технологии...

Номер патента: 1635817

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

...формирование контактных площадок и межсоединений и получение омического контакта посредством вжигания алюминия,П р и м е р 3. На кремниевой пластине, марка КЭФ, плоскость кристаллографической ориентации 110), методом термического окисления создается маскирующий слой двуокиси кремния толщиной 0,5-0,8 мм, затем групповым методом фотолитографии вскрывают окно первой области, Затем на пластину методом центрифугирования наносят гидролиэно-поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 20 мас. 7 ь ангидрида - диффуэанта донора глубокого уровня - железа, Проводят термодеструкцию пленки при 600 С в течение 3 мин в потоке инертного газа (аргона) и удаляют с поверхности маскирующего слоя ЯЮг легированную железом пленку, Затем...

Номер патента: 175142

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Новиков, Русаков

МПК: C25D 11/32, H01L 21/473

Метки: анодного, многослойных, оксидирования, поверхности, полупроводниковых, структур

...оописная группа97 Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р - и- переход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р - и-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы...

Номер патента: 575550

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Демидов, Михо, Федчук

МПК: G01N 25/00

Метки: активных, зарядов, знака, катализатора, концентрации, поверхности, центров

...позвопяет сократить время анализадо 5-10 мин при той же точности опредепения. 50 На;чертеже показана блок-схема для определенияконцентрации активных центров на поверхности катализатора, содержашая печь 1 с устройством, обеспечивающим пос 55 тоянную скорость нагрева, источник 2 питания печи, фотоэпектронный умножитепь 3 с источником 4 его питания, гапьванометр 5, Исследуемый катализатор 6 устанавпивают между печью 1 и фЭУ 3,П р и м е р. Берут исследуемый катапизатор, например ппенку окиси алюминия размером 1 х 2 см, и отжигают при темлературе500 С. Затем катализатор депят. на две равОные по площади части, одну из которых обрабывают в 1 н растворе ацетата натрия, адругую оставпяют необработанной. Образецдепят на две части с целью...