Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1598813
Автор: Камышный
Описание
Заявка
986169/09, 08.08.1967
Камышный А. Н
МПК / Метки
МПК: H03B 1/02
Метки: активного, аппаратуре, использования, кратковременного, образования, одноразового, основе, полупроводниковой, радиоэлектронной, структуры, элемента
Опубликовано: 27.04.2002
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1598813-sposob-obrazovaniya-aktivnogo-ehlementa-na-osnove-poluprovodnikovojj-struktury-dlya-kratkovremennogo-odnorazovogo-ispolzovaniya-v-radioehlektronnojj-apparature.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре</a>
Предыдущий патент: Автономный инвертор тока
Следующий патент: Пьезоэлектрический генератор
Случайный патент: Устройство для устранения перекоса опор крана