Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре

Номер патента: 1598813

Автор: Камышный

Описание

Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре, например для генерирования электрических колебаний, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности активного элемента, через полупроводниковую структуру диодного типа пропускают в прямом и обратном направлении электрический импульс для инициирования в ней необратимого электрического или термоэлектрического пробоя с последующей подачей на образованный нелинейный элемент рабочего тока и напряжения.

Заявка

986169/09, 08.08.1967

Камышный А. Н

МПК / Метки

МПК: H03B 1/02

Метки: активного, аппаратуре, использования, кратковременного, образования, одноразового, основе, полупроводниковой, радиоэлектронной, структуры, элемента

Опубликовано: 27.04.2002

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1598813-sposob-obrazovaniya-aktivnogo-ehlementa-na-osnove-poluprovodnikovojj-struktury-dlya-kratkovremennogo-odnorazovogo-ispolzovaniya-v-radioehlektronnojj-apparature.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре</a>

Похожие патенты