Патенты с меткой «структуры»

Номер патента: 920837

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, магнитной, образования, пленке, структуры, тонкой

...стеклянную пластинку, прикладыва 15 емую к пленке, подаются прямоугольные . импульсы тока. Если необходимо создать доменную структуру в области 3, находящейся на .расстоянии ы от проводника 2, то полярность импульсов должна быть такой, чтобы 2 О импульсное магнитное поле Ним, создаваемое проводником 2 в области 3, было анти- параллельно полю смещения Н, Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Нимп ) Ню25 где Н- поле зародышеобразования данной пленки. Затем поле смещения снижается до величины НюНН, гдеНк - поле коллапса ЦМД в данной пленке. зоПри этом в области 3 формируется регулярная решетка ЦМД. После этого поле смещения и амплитуда импульсного магнитного...

Номер патента: 923588

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Бундже, Бурмистров, Дунаев, Морозова, Пленкова, Попова, Сокольский

МПК: B01J 23/72, B01J 23/755, B01J 35/04 ...

Метки: жесткой, катализатора, носителя, окиси, окисления, приготовления, сотовой, структуры, углерода

...позволяет получить носитель с повышенной прочностью по сравнению с известным решением. Так, разрушение конструкции, полученной по предлагаемому способу, наступает 88при давлении (кг/см ) перпендикулярно торцу 67,7; параллельно торцу 18,.Согласно изобретению на алюминиевую ленту гальванически наносят металл - никель или медь, образующий с алюминием эвтектику, имеющую температуру плавления ниже, чем у обоих компонентов сплава. Прямую и гофрированную ленты с гальваническим покрытием плотно сворачивают в спираль и помещают в расплав смеси солей с флюсующими свойствами при температуре плавления эвтектики. В результате места соприкосновения прямой и гофрированной лент спаиваются, а при дальнейшем нагревании при той же температуре происходит...

Номер патента: 924549

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Белянин, Буленков

МПК: G01N 1/32

Метки: изучения, кристаллической, образцов, подготовки, структуры, электронномикроскопического

...тель, обеспечивающий плоскопараллельность стравливания, и соответствующие зональные зависимости скорос тей травления для этого травителя, задача сводится .к графическим построениям, последующей резке кристал" ла, его механической обработки и травлению, Д)1 я кристаллов германия 55 известен травитель состава 1 ч. НО 1+ + 1 ч.НР + 4 ч.Н 90. Для этого трави" теля зависимость скорости травления (Ч,Р ) при комнатной температуре от ориентации (Ф) вдоль зоны 11103 представлена на чертеже, Плоскость среза, обеспечивающая равенство скоростей травления смежных зерен,определяют путем наложения диаграмм Чр ( Ь ); сдвинутых относительно друг 65 друга на угол, соответствующий углудвойникования 11-го порядка (38 57 )вокруг оси 1103, лежащей в...

Номер патента: 930677

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Губарев, Малахов, Струков, Хатунцев

МПК: H03K 19/00

Метки: вычислительной, однородной, структуры, элементы

...структуре, когда на один из прямых входов выходов)5 поступает зо сигнал, а выходной сигнал снимается с другого прямого выхода;- логическую операцию НЕ, когда на один из выходов 5 поступает сигнал, а выходной сигнал снимается с одного из инверсных выходов 6, или когда входной сигнал поступает на инверсный вход параметрона, а снимается с прямого;- мажоритарную функцию, когда на его сигнальные входы выходы 15 поступает нечетное количество сигналов, а выходной сигнал снимается с одного из прямых выходов;- мажоритарную Фуйкцию с инвер 45 сией, если на входы 5 поступает нечетное количество сигналов, а выходной сигнал снимается с одного из инверсных выходов 6.Для обеспечения выполнения эле 50 ментом однородной вычислительной...

Номер патента: 932387

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Кричевец, Рыбачук, Тетерко, Учанин

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретокового, структуры

...сумматор 8, выход последнего подклюцен ко второму входу умножителя 3, Ко второму входу сумматора 8 подключен источник 9 стабильного напряжения.Способ осуществляется следующим образом. фВихретоковый преобразователь 1 и датчик 5 температуры располагают в контролируемой зоне исследуемого материала. Выходной сигнал вихретокового преобразователя преобразуют измерительной схемой 2, на выходе которой получают электрический сиг- нал Ц, = К,где К - коэффициент преобразованиявихретокового датчика 1и измерительной схемы 2.Одновременно датчиктемпературы 15 измеряет температуру материала вконтролируемой зоне. Он включен визмерительную схему 6, которую настраивают так, что при температурематериала, равной номинальному знащ чению.Тн, сигнал на ее...

Номер патента: 933667

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Гусева, Оносова, Сорокин, Шодэ

МПК: C08G 18/83

Метки: дереву, изоциануратной, качестве, композиции, композиция, лаковая, лаковой, олигоуретанакрилат, связующего, структуры

...реакцию до полного исчезновения изоцианатных групп. К полученному раствору добавляют 868 г диметакрилового эфира триэтиленгликоля 1 з и перемешивают. В композицию, приготовленную таким образом, добавляют 14 (42 г) гидроперекиси кумола и отверждают при 50 оС,Состав композиции 1, вес.3:лоОлигоуретанакрилатизоциануратнойструктурыБутилметакрилатДиметакриловый эфир 25триэтиленгликоля 35Инициатор 1П р и м е р 2. Циклосотримеризацию 522 г (3 молл) толуилендиизоцианата с 173 г (1 моль) гексаметилен- зо диизоцианата проводят в 50-ном растворе бутилметакрилата в присутствии 3 вес,1 той же каталитической системы при 90 ОС, По достижении 453- ной степени превращения изоцианатных групп массу охлаждают, добавляют 5,5 г хлористого ацетила и прикапывают...

Номер патента: 938113

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Андреева, Хапачев

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, дифракционного, монокристаллов, структуры

...состоящем втом, что направляют на поверхность крис талла рентгеновский луч, измеряют интенсивность луча, дифрагированного через грань кристалла, непараллельную его поверхности, глубину исследуемого слоя изменяют при постоянном угле дифракции путем поворота кристалла вокруг двух взаимно перпендикулярных пересекающихся друг с другом и с подающим лучом 13 4осей, лежащих в плоскости поверхности кристалла, одна из которых лежит в плоскости, проходящей через падавший луч и нормаль к поверхности кристалла.Кроме того, при изменении угла падения излучения в плоскости, параллельной поверхности кристалла, в условиях некомнланарной геометрии эксперимента фиксируются различные порядки отражения. Регистрация дифрапгрованной волны осуществляется...

Номер патента: 938170

Опубликовано: 23.06.1982

Автор: Чеснис

МПК: G01R 17/10

Метки: диодной, измеритель, структуры, характеристик

...12 Формируется напряжение уравновешивания, представляющее собой прямоугольный импульс напряжения с вершиной, модулированной переменным сигналом. Это напряжение при помощи сумматора 11 суммируется с импульсомЪнапряжения смещеЬия, поступающим от генеоатооа 7, Залеожка между импульсами запуска на выходе блока 13 и тем самым моменты запуска генераторов 7 и 8 подбираются таким образом, что на выходе сумматора 1 1 импульс уравновешивания, наложенный на импульсе смещения, был бы сдвинут по отношению начала последнего на интервал времени не меньше продолжительности переходных процессов уравновешенного . моста, Длительности уравновешивания и смещения при этом подбираются такими, что первая иэ них была бы не меньше продолжительности указанных...

Номер патента: 939631

Опубликовано: 30.06.1982

Автор: Жулаева

МПК: E02B 8/06

Метки: потока, скоростной, структуры

...в шахматн 9 м порядк . Двумярядами, зубцы второго ряда имеютменьшую высоту, чем первого. ЗО На Фиг. 1 изображен преобразователь скоростной структуры потока, продольный разрез; на Фиг.2 - то же, вид сверху.Преобразователь скоростной струк" туры потока содержит два ряда зубцов 1 и 2, расположенных в начале рисбермы 3 в шахматном порядке, с примыкающей искусственной шероховатостью 4.Преобразователь скоростной структуры потока работает следующим образом.Поток воды, ударяясь о наклонные грани зубцов 1 первого ряда, частично переводится вверх по вертикали, частично проходит между ними и делится на отдельные струи, Установленный в месте смыкания струй ряд зубцов 2 аналогичным образом воздействует на придонную область потока с...

Номер патента: 941994

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Берштейн, Канаев, Мелихов

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, ячейка

...Н (А,В) О, при АВ 1, при А) В Н (А,В)О, при А( ВСхема построена как классическая схема сравнения на комбинационных элементах. На входные шины А и В схемы сравнения поступают коды чисел, на выходе имеем признаки Н , Н 1 или Й , Й, которые выдаят соответствующие триггера. Работу схемы не сложно проследить, задавая раз"личные коды чисел. Схема сравненияимеет две восьмиразрядных входных шины и четыре выходных шиныпризнаков,Сдвиговый регистр 9 предназначендля формирования серии последовательных управляющих сигналов, необходимыхдля функционирования ячейки.Дешифратор 10 предназначен для дешифрации кода выполняемой операции.Первая группа элементов И 11 пред назначена для формирования сигналовуправления для коммутаторов 2 и 4в зависимости от кода...

Номер патента: 941996

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Дербунович, Мызь

МПК: G06F 7/00

Метки: однородной, структуры, ячейка

...элементыИ 5 и 6, элемент 7 ИЛИ, входы 8 и 9настройки, вход 10 переменной ячейки,вход 11 сброса, вход 12 управления,информационные входы 13 и 14, выходы15 и 16.Входы триггеров 1 и 2 подключенысоответственно к входам 8 и 9 настройки ячейки, вход триггера 3 - квходу 10 переменной ячейки, входыустановки в ноль триггеров 1,2 и 3 к входу 11 сброса, а другие их входысоединены с входом 12 управленияячейки, причем выход триггера 1 соединен с одним из входов элемента5 9419 4 "Неравнозначность", другой вход которого подключен к выходу триггера 3, а выход соединен с входом элемента И 5, другой вход которого подключен к информационному входу 13 ячейки, а 5 выход - к входу элемента ИЛИ 7, другой вход которого подключен к информационному...

Номер патента: 945441

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Полянков, Слыш, Щербо

МПК: E21C 49/00

Метки: кусков, нарезания, ненарушенной, структуры, торфа

...второго блока; на фиг.5 - положение горизонтальных дисковых пил.Устройство содержит дисковые пилы 1 и 2, образующие первый блок пил и соединенные между собой цепной передачей 3, дисковые пилы 4 и 5, обра20 3 9 Й 44 зующие второй блок пил и соединенные между собой цепной передачей 6 горизонтальные дисковые пилы 7, закрепленные на вертикальных валах 8 и соединенные между собой также цепной передачей 9, раму 10, на которой закреплены гидромоторы (или редукторы) 11,12,13Ломатель кусков условно не показан, оУстройство для нарезания кусков торфа может быть выполнено навесным к трактору или в виде самоходной машины.Для нарезания кусков пыли заглуб ляются в залежь с стороны карьера или картового канала на высоту куска и поступательно...

Номер патента: 946989

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Бактенков, Токсанбаев

МПК: B32B 5/12

Метки: лента, перекрестной, структуры

...через ось ленты перпендикулярно ее плоскости, недеформируются, т. е, находятся в плоскости нулевых деформаций (эпюра распределения деформаций в перекрестнойленте при намотке),Таким образом, продольные нити 3 непрепятствуют укладке перекрестнойленты ребром по радиусу оправки и,в то же время, воспринимают усилиятехнологического натяжения, т, е. позвспяют сохранить постоянную ширинуленты,Б табл, 1 представлены технологические возможности перекрестных лентс различным расположением продольныхнитей КН.Способ получения ленты по примеру Ориентацияволокна кусиливающимнитям 70-8090-10080-90 40-50 60-70 40-50 30 45 60 35-45 50-60 30-40 50-60 70-80 55-60 30 45 60 2 а 60-70 30-40 2 б 70-80 100-110 5 94698Содержание связующего в ленте 40453, угол...

Номер патента: 947733

Опубликовано: 30.07.1982

Автор: Лаврентьев

МПК: G01N 27/02

Метки: дефектности, полимерных, структуры

...2,. подключенные к источнику 3 напряжения постоянного тока, неподвижную обкладку 4 динамического конденсатора и подвижную обкладку 5 конденсатора, совершающую колебания относи- тельно образца 1 и обкладки 4 при помощи вибровозбудителя б (в качестве . которого используют громкоговоритель 1 ГД 28, подключенный к генератору 65 ЭГ-ЗЗ), .напряжение с динамического конденсатора подается на регистрирующий прибор 7 (используют милливольтметр В 3-38).П р и м е р 1 . Для доказательства наличия прямой корреляционной взаимосвязи между способностью воспринимать заряды и качеством поверхности полимеров используют измерение электрической прочности. Как известно, возникновение любых дефектов (микропоры, микротрещины, неоднородности структуры)...

Номер патента: 952377

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Рогачев

МПК: B05D 7/04

Метки: декорирования, изучения, пленок, полиолефиновых, структуры

...исследования показали, что декорирование поверхности полимерной пленки без ее растяжения не позволяет достаточВлияние режима декорирования но точно выявить сточктуру поверхности. В этом. случае частицы металлической фазы расположеныпо поверхности довольно равномерно. При низких температурах (Т=100 К) структурные неоднородности также не сказываются на поверхностном распределении частиц металлической фазы. Только вакуумное нанесение частиц свинца на поверхность механически напряженных пленок при 300 К иэ-за имеющей место при этих условиях селективности осаждения позволяет оценить характер и геометрические размеры кристаллических областей. При этом механические напряжения 3-5 МН/м дают воэможность достаточно четко...

Номер патента: 956651

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Коломиец, Кухаренко, Мартыновский, Матвеенко, Сидоров, Степин

МПК: D03D 35/00

Метки: застежки, крючковой, лентоткацком, ленты, стабилизации, станке, структуры, текстильной

...Нагревательные . З 5 плиты 5, между которыми расположена лента 1, .а помощью фиксатора б и кронштейна 7 смонтированы на ползуне 8, установленном в направляющих роликах 9. Вверхней части 40 трубы 4 имеются продолговатые отверстия 10, которые могут перекрываться заслонкой 11. Меняя положение заслонки относительно отверстия, можно в значительной .Степени регули ровать площадь сечения, образовавшего окна и тем самщ регулировать интенсивность отсоса воздуха. Окна, распОложенные ближе к вакуумному насосу,имеют меньшую площадь сечения, а окна, расположенные дальше от вакуумного насоса, имеют большую площадь сечения. Аналогичные окна, только не регулируемые по сечению, имеет также и:,короб Э. Эти окна предназначены для)ввода ленты в...

Номер патента: 959763

Опубликовано: 23.09.1982

Автор: Приалгаускас

МПК: A61B 10/00

Метки: исследования, полостей, сканирующее, структуры, ультразвуковое

...шланг 13, соединенный с резервуаром 14 для акустически прозрачной жидкости, объем которой, подаваемай в пространство под протектор 12, регулируется винтом 15 дебета. Телескопическая система механического сканирования собирается таким образом, чтобы продольные оси симметрии наконечников 9 и 10 и телескопической трубки 8 ложились на одной прямой. В таком виде она вводится в исследуемую полость.. Линейные рЕшетки 1.монтируются одна за другой по кругу, образуя правильный многоугольник с внутренним углом, равным 180-360 ф/и, где и - число линейных решеток.Телескопическая трубка 8 может вращаться в кольцевой оправе 16.Ультразвуковое сканирующее устройство для исследования структуры полостей работает следующим образом.С синхронизирующего...

Номер патента: 961039

Опубликовано: 23.09.1982

Автор: Колонский

МПК: H02J 3/24

Метки: перегрузки, сети, статической, структуры, схеме, фиксации, цепочечной

...на суммарныйугол двух ветвей 1 - 2 и 2 - 3. К входам перво.го дополнительного элемента 46 сложения подключены выход первого элемента 35 вычитанияи выход блока 12, Выход элемента 46 подключен к входу первого дополнительного элемента49 умножения на реактивное сопротивлениедругой ветви 2 - 3, Выход элемента 49 подклю.чен к входу числителя первого дополнительногоэлемента 52 деления, к входу знаменателя которого подключен выход второго дополнительного элемента 50 умножения, к входам которогоподключены выходы элементов 9 и 10 фиксации модулей напряжения в узлах этой же вет96039 9ви 2 - 3. Выход элемента 52 подключен к входу первого дополнительного элемента агс яп 56, выход которого подключен к входу второгодополнительного элемента 47...

Номер патента: 963885

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Жуликов, Мучулаев

МПК: B31D 5/04

Метки: сотовой, структуры

...что в способе изготовления сотовой стуруктуры, включающем нан"сение клеевых полос на обе стороны полотна с заданным смещением гофрирова 2ние полотна, склейку пакета, удаление участков сгибов заготовки с последующей растяжкой сотопакета, клеевые полосы наносят вдол ь полотна, а гофрирование полотна производят путем образования на полотне поперечных гофров.Сущность сгоссба поясняется черте 1 ком.б рулона 1 сматывают полотно 2, с обеих сторон на него наносят клеевые полосы 3 с заданным смещением, после чего полотно сгибают в гармошку 4 с шагом персгибов, равным высоте сотовых ячеек 6 с двухСторонним припуском на обработку а. Далее гармошку сжимают в пакет 5, отверждают клеевые швы и снимают припуски с помощью фрез 6, после...

Номер патента: 966481

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Баранцевич, Веретенников, Опрышко, Солодов, Яценко

МПК: F28D 15/04

Метки: алюминиевой, капиллярно-пористой, структуры, тепловой, трубы

...капилляряо-пористая структура обладает недостаточной механической прочностью и осыпается. Точное значение температуры спекания зависит от состава алюминиевых волокон, оно максимально для чистого алюминия и снижается по мере увеличения содержания присадок. Волокна с содержанием присадок, близким к нулю, образуют лучшие по качеству структуры, но они дороги и не годятся для массового применения, Сорта алюминия с содержанием присадок несколько процентов (АМг., АМг 4 и т,д.) при спекании склонны к изменению состава изэа преимущественного испарения от- дельных компонентов с нарушением геометрической однородности волокон и не образуют удовлетворительной пористой структуры. Наиболее оптималь ны сорта алюминия с содержанием присадок...

Номер патента: 966546

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Крывда, Шаповалов, Шаповалова, Шашло, Шевченко

МПК: G01N 1/32

Метки: исследования, легкопассивирующихся, металлов, поверхности, подготовки, сплавов, структуры

...пленки.В табл.1 приведены данные о влиянии времени выдержки на характер выявленной структуры по предлагаемому способу. Характер выявленной струк- туры Выявляется не полностью,необходимо многократное циклирование (30 циклов) Выявляется четко при многократном циклировании (7-20циклов) Выявляется четко при многократном циклировании(5-15 циклов) Выявляется при циклировании) элементов структуры и предлагаемого способов с различным соотношением кислот в смеси.966546 таблица 2 Способ Известный Предлагаемый Характер выявленнойструктуры Дисперсностьэлементов выявленноструктуры, мкм Характер выяв,енной структуры Составсмесингнио,(концентрированной) температура ортофос форной кон центрированной ки" слоты, С дисперсность элементов...

Номер патента: 968098

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Казанцев, Калинина

МПК: C23F 1/00

Метки: алюминий, раствор, структуры, титан, тонкопленочной, травления

...травления по примеру 2 для граничных и средних значений концентраций компонентов, входящих в раствор, сведены в таблицу (изменение скорости и состояние качества травления структуры титан- алюминий от содержания компонентов в растворе). 35 Скорость травления, НАВОЗ (МН) 5 Ге мкм/мин Содержание компонентов Рас тПримечание вор 0,22 50 300 3,0 0,36 4,0 0,4 80 400 5,0 0,41 405 0,41 410 90 5,5 0,41 415 95 0,41 420 100 6,0 0,38 ч 80 120 7,0 0,38 140 8,0 500 0,36 160600 10,0 10 алюминий на топологическом рисунке микросхем наблюдаются перетравы, неровности края элементов составляют более 5 мкм,Вследствие большого содержания хромового ангидрида раствор имеет интенсивную окраску, что значительно затрудняет визуальный контроль за процессом...

Номер патента: 849880

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Сонин, Сухенко, Шибаев

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, слоев, степени, структуры, упорядоченности, холестерических

...абсцисс, пересекающий ее в точке С, а вторую спектрограмму 11, являющуюся опорной кривой, в точке О. Полученный отрезок ОС делят пополам и из его середины в точке Д проводят кривую, аналогичную и параллельнуЮ опорной кривой 11, до пересечения ее с реальной и восстановленной спектрограммами 1 и 111 соответственно в точках В, А, и Е. Из этих точек опускают перпендикуляры на ось абсцисс соответственно в точках В, А и Е. Определяют величину полуширин реальной и восстановленной полос пропускания - отрезков ЕВ и ЕА. Находят искомую степень упорядоченности структуры или иначе параметр порядка Я, по формуле (1), как отношение найденных полуширин полос пропускания:Ю,: :" . (1)ЬХрал, ЕвПри идеально упорядоченной структуре жидкого кристалла, когда...

Номер патента: 973557

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Дегтярев, Ковров, Конников, Макарова, Плотникова

МПК: C08J 7/14

Метки: надмолекулярной, резины, структуры

...горячей водой, а затем ледяной уксусной кислотой.П р и м е р 1. Выявление глобу"лярной структуры резины, не прошедшей термообработку. В концентрированную азотную кислоту на 24 ч при20 С погружают образец из резинымарки ИРП, содержащей синтетический нитрильный каучук, неозон,канифоль, альтакс, сажу, масло,серу, каптакс, мазут. При травлениикислота с резиной не реагируют бурно, поэтому травление можно вестив закрытой емкости. Через 24 ч образец вынимают из раствора и помещают в этиловый спирт на 30 мин,периодически встряхивая образец вспирте. Так как травление объемное,необходимо тридцатиминутное пребыЗ 0 .вание образца, чтобы азотная кисло973557 менты структуры отчетливо видны про должительное время, что обеспечивает воэможность...

Номер патента: 977990

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Белянин, Буленков, Добрусин, Масин, Симеонова

МПК: G01N 1/28

Метки: исследования, кристаллической, образцов, подготовки, структуры

...параллельно плоскости реза.Подводят под микроскоп плоскостьреза, так, чтобы в вырезаемый образец вошло исследуемое несовершенствокристаллической структуры, устанавливают фиксатор на регулировочномсуппорте станка для резки на ранеезафиксированном расстоянии от плос977 кости реза и осуществляют переноснасадки и гониометра с закрепленнымна нем прозрачным кристаллом на станокдля резки. Далее производят резкупрозрачного кристалла в требуемом месте вдоль выбранного направления.П р и м е р. Для осуществленияпредлагаемого способа используют осна-,.стку, состоящую из микроскопа 1, установленного на предметном столике 2, 1 Она котором с помощью насадки 3 укреплен также гониометр 4. На конце гониометра смонтирована площадка 5 из тетекстолита с...

Номер патента: 979830

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Лященко, Маркелов, Опрышко

МПК: F28D 15/04

Метки: капиллярной, структуры, тепловой, трубы

...перемычками между пазамидо нужного диаметра самой трубы засчет уменьшения ширины пазов, Приэтом появляется воэможность формировать капиллярную структуру с требуемой (наперед заданной) геометриейи, таким образом, улучшить теплопередающую способность тепловой трубы.Пластичность льда объясняется существованием в его структуре слоев из молекул воды. Каждая молекула связана тремя связями с молекулами, принадлежащими тому же слою, и только одной связью с молекулой другого слоя, Скольжение вдоль таких слоев осуществляется сравнительно легко. Под влиянием даже небольшой постояйной нагрузки лед течет. Особенно лед пластичен при температуре, близкой к 0 С, но сохраняет свои пластические свойства до минус 50 С. В завиосимости от длины...

Номер патента: 982071

Опубликовано: 15.12.1982

Автор: Тишин

МПК: G09B 23/10

Метки: двухмерной, модели, структуры, твердого, тела

...достаточного дляпреодоления сил сцепления капиллярных сил) молекул воды с поверхностьюотдельного канала по всему сечению 20гранулы. При определенных размерахгранулы выброс газа происходит черезодин канал, в котором минимальнысилы сцепления. Количество выброшенного газа зависит от Размера гранулы, 25ее сорбционной способности по газу,а диаметр образующихся в жидкости пузырьков газа определяется типом используемого микропористого материала,свойствами газа и условиями проведения процесса.П р и м е р. Для получения моделиструктуры твердого тела в мыльныйраствор воды при комнатной температуре погружается гранула цеолитаСаА в емкость на глубину 20 мм, Гранула предварительно заполняется воздухом. Диаметр гранулы составляет3 мм, вес 0,1 г....

Номер патента: 985974

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Гурылев, Лабутин, Лебедев, Лопухин, Шелест, Шумилин, Щеголев

МПК: H04N 7/18

Метки: оптико-телевизионное, периодической, планарной, структуры

...т.е. произведена фокусировка, отрегулирована, освещенность, кон страстность и т.д. Синхронизатор 2 включен с первого выхода блока,1 управления. По иэображению на ВКУ блока 11представления Результирующей информацииоператором с пульта блока 1 управления 9 9859между строчными задающими импульсамиразвертки (С) и по оси У вертикально(за период между кадровыми задающимиимпульсам развертки). Если в каждойстроке (С) подсчитывать сколько рваконтур (К) в нее попадает (путел подсчта совпадений в каждой строке электрического сигнала (К) с тактовыми импульсами в период .между началом и концомстроки), то можно получить распределение 10чисел совпадений (фиг. 26, в, г) по определенному количеству строк разверткиблока 5 преобразования оптического...

Номер патента: 987323

Опубликовано: 07.01.1983

Автор: Большаков

МПК: F24J 3/02

Метки: структуры, ячеистой

...структура, нзготовленная предлагаемым способом; нафиг. 2 - возможный вариант солнечногоколлектора с локрытией в виде ячеистойструктурыв2 о Основание 1 изготовлено заодно п расположенными на нем листами 2. Листы 2надрезаны у.основания на части длины,причем надрезанные и ненадрезанные. участ23 Фаад НИИПИ Заказ 10268/22 Тираж 781 ПодписиПП фПатентф, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 филиал 3 9873 ки 3 и 4 чередуются между собой, а их длины равны 2 Р и 8 соответственно.Надрезанные участки 3 каждого листа деформированы и соединены с недеформиСрованными участками 4 соседнего листа 5 2. При этом образовались шестигранные ячейки б с длиной грани 0, каждая из которых контактирует с основанием по 1/66 части периметра.Коллектор, изображенный на фиг. 2,...

Номер патента: 989392

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Еремина, Степанова, Школьный

МПК: G01N 15/08

Метки: металлизационного, металлокерамического, слоя, спая, структуры

...измеренных зеренбыло, примерно, 1000 шт. Исследования показывают, что в среднем на одном отрезке длиной 100 мкм находится около 50 зерен, Проведение подсчета зерен на 10 отрезках длиной200 мкм каждый или на 20 отрезках",длиной 100 мкм каждый обеспечиваетколичество зерен, равное1000 шт,Выбор длины отрезков зависит отвеличины поля зрения микроскопа, которое у металлографического микроскопа, например МИМ, при увеличении 340-380 Х, необходимом для изучения зерен размером 1-10 мкм, имеетдиаметр 300 мкм, Выбор отрезковдлиной менее,100 мкм не дает достаточного количества зерен для обеспечения нужной точности измерений.Отрезки длиной более 200 мкм неудобны в работе: для удобства измерения и подсчета зерен следует выбирать отрезки, имеющие...