Патенты с меткой «полупроводникового»

Номер патента: 1758511

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Драгомерецкий, Кива, Ковалюк, Середюк

МПК: G01N 11/00

Метки: деформации, индия, исследовании, качестве, кристалла, полупроводникового, применение, селенида, слоистого, смеси, твердеющей, тензодатчика

...бетонной смеси в процессе непрерывного и неразрушающего контроля путем применения слоистого полупроводникового кристалла 1 пЯе. В ходе исследований получена временная зависимость сопротивления электрическому току моноселенида индия помещенного в бетонную массу, При этом высокая чувствительность при разделении фаэ замерзания и схватывания твердеющих смесей достигается за счет использования эффекта, возникающего в результате объемных деформаций ЧЭ, Поскольку, а отличие от прототипа, где сущность способа контроля заключалась в использовании классического тензоэффектг. для моноселенида индия,погруженного в твердеющую массу. существенным является всестороннее сжатие, чувствительность к которому в псе достигаег значений -10 Па что на...

Номер патента: 1758744

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Веремчук, Власюк, Крупкин, Литвин, Смелянский

МПК: H01S 3/18

Метки: излучения, лазера, мощности, полупроводникового, стабилизатор

...состоянии. Регулирующий элемент 1 находится в закрытом состоянии, При подаче высокого уровня напряжения (логической единицы) на управляющий вход происходит открывание транзистора 19 и переход его в режим насыщения. Уровень напряжения на аноде диода 8 устанавливается значительно ниже уровня напряжения на его катоде и диод 8 переходит в закрытое состояние, Одновременно с открыванием транзистора 19 происходит открывание транзистора 18 и протекание его базового тока по. цепи резистор 14 - конденсатор 9 - транзистор 19. Регулирующий элемент 1 продолжает находиться в закрытом состоянии, По мере заряда конденсатора 9 через резистор 14 происходит плавный переход работы транзистора 18 из режима насыщения в режим отсечки. Открывание...

Номер патента: 1764116

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Иванов, Устинов

МПК: H01S 3/133, H03K 3/53

Метки: лазера, питания, полупроводникового

...Конденсатор ВС-цепи 9 заряжается через резистор до порога срабатывания порогового элемента 12, с коммуференциального усилителя 6 его выходное напряжение через ВС-цепь 10 поступает на вход усилителя 1 мощности. Наличие ВС-цепи 10, состоящей из резистора и конденсатора, обеспечивает плавное увеличение 5 10 15 20 25 тока накачки лазера, что необходимо по условиям эксплуатации лазерного 2 диода.При прохождении тока накачки часть излучения лазерного 2 диода поступает на оптически связанный с ним фотодиод 3, с анода которого напряжение поступает на дифференциальный усилитель 6, Источником 7 устанавливается требуемый уровень мощности лазера 2 с выхода дифференциального 6 усилителя, через интегрирующую ВС-цепь 10 сигнал поступает на вход...

Номер патента: 1767656

Опубликовано: 07.10.1992

Автор: Клепка

МПК: H02M 7/12

Метки: плечами, полупроводникового, преобразователя, фазного

...цель достигается тем, что устройство для управления плечами преобразователя построено на преобразовании исходного периодического однофазного сигнала.Новым является то, что каждый канал управления состоит из формирователя однополярного прямоугольного сигнала, инвертора, двух преобразователей импульсов и вычитателя, при этом вход формирователя служит входом канала управления, а выход формирователя подключен к одному преобразователю импульсов непосредственно, а к другому - через инвертор, выходы обеих преобразователей импульсов подключены к вычитателю, выход которого через формирователь выходных импульсов предназначен для подключения к управляющим входам в-фазного полупроводникового преобразователя.Сравнение заявленного...

Номер патента: 1772897

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Буянов, Качан, Киселев, Крылов, Моргун, Пушкарев, Степанов

МПК: H05K 7/20

Метки: водяного, охлаждения, полупроводникового, преобразователя, силового

...1), выполненные из меди или алюминия и прижатые кохлаждаемым полупроводниковым приборам 2, например, таблеточной конструкции(фиг, 2), Теплоотводы 1 имеют сквозные параллельные каналы 3 (фиг. 1) беэ штуцеров,в которые уложена трубка 4 из гибкого диэлектрического материала, например из полихлорвинила, соединяющая все теплоотводы 1 в единую систему охлаждения (фиг.2), В местах 5 установки полупроводниковых приборов 2 каналы 3 выполнены вскрытыми, например, с помощью проточкиуглубления на токарном станке, Это обеспечивает непосредственный тепловой контактполупроводникового прибора 2 с трубкой 4.Трубка 4 проходит насквозь через несколько теплоотводов 1 первого ряда параллельных сборок (фаз, ветвей или плечпреобразователя), затем после...

Номер патента: 1774428

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Новик

МПК: H02H 7/12

Метки: высоковольтного, защиты, полупроводникового, преобразователя

...прибора или его охладителя, или его хладагента и в случае превышения этой температуры заданного значения имитируют проводимость силовых полупроводниковых приборов в непроводящий интервал времени, упомянутое защитное воздействие направляют на снижение температуры силовых полупроводниковых приборов. По истечении времени, достаточноо для снижения контролируемой температуры меньше заданного значения и при отсутствии проводимости силовых полупроводниковых приборов в не- проводящий интервал времени, прекращают защитное воздействие и формируют сигнал перегрева.На фиг.1-3 приведены примеры устройств, поясняющих предлагаемый способ защиты,На фиг,1 приведен фрагмент плеча высоковольтного полупроводникового преобразователя с устройством...

Номер патента: 1781731

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Полков, Юсупова

МПК: H01L 21/50

Метки: имплазионного, полупроводникового, прибора

...нецелесообразно по экономическимсоображениям, так как это приведет к снижению производительности оборудования,Процесс изготовления диода по предлагаемому способу включает в себя следующие этапы.Известными способами изготавливаютимплазионные диоды в стеклокапиллярномпрозрачном корпусе. Затем диоды помещают на кварцевые или графитовые подставки,Загружают в водородную печь и отжигают впотоке водорода с расходом (90 10) л/часпри температуре (530+10) С в течение(1015) мин с последующим охлаждением соскоростью не более 5 С/мин, После отжигаповерхность стеклянного корпуса приобретает черный цвет и полностью теряет прозрачность. В "результате. отпадаетнеобходимость в окрашивании диодов лакокрасочными материалами,На фиг.1 показан общий вид...

Номер патента: 1781732

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Барановский, Лискин, Розинов, Фишель

МПК: H01L 21/58

Метки: корпусу, крепления, кристалла, полупроводникового

...с выступающими из фольги острыми вершинами алмазных зерен, При приложении к кристаллу давления вершины алмазных зерен ввиду своей высокой твердости внедряются в слой естественного окисла на обратной поверхности кристалла,и прикалывают ее с образованием трещин в слое, При колебательном движении кристалла пленка окисла разрушается на мелкие кусочки. В результате этого поверхность кристалла полностью очищается от окисла,э между посадочной площадкой корпуса и обратной поверхностью кристалла образуется равномерный по толщине и не имеющий разрывов и пустот слой эвтектики золото/кремний, Равномерность толщины эвтектичного слоя обеспечивается за счет кэлибрующего эффекта э 41 эзных зерен, В результате применение заявляемого способа...

Номер патента: 1782936

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Бочкарев, Иванов, Ровенский

МПК: C01B 33/02

Метки: кремния, осаждения, полупроводникового

...кремния не удаатся получить достаточна ньсокой из-завыпадения аморфного кремния н объеме реактора ицд аго станках, Для уменьшения влияния этого нежелательного эффекта приходится разбавлять моносилдн водородом, умегьшдть его расход, снижать тампердтуру поверхности кремниевых стержней.Использование тетрахлорсилдцд вместо трлхпорсилана или совместно с трихлорсипаном но всехслучаях снижает скорость осаждения и извлечения кремния, д также дал:а трихлорсилана и дихлорсилана в смеси хлорсипдОв нд выхода реактора по срдннанио с использованием только смеси водорода с трихларсиланом,При подаце на вход реактора в качестве кремнийсодаржащих компонентов хлорсилацон и моносилана образуащийся в результдте химических реакций хлористый водород...

Номер патента: 1786540

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Елисеев, Иевлев, Рябцев

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводникового, прибора

...30 секунд. После контроля блокирующих напряжений наблюдалась следующая картина. У одной группы приборов характеристики улучшились настолько, что стали соответствовать расчетным значениям, поэтому их сразу покрывали КЛТ.У другой группы приборов характеристики практически не изменились и их окончательно браковали,У третьей группы характеристики улучшились, но не достигли расчетных. Эти приборы снова кратковременно травили в течение 10 сек. 10 15 Экспериментальные исследования показали, что данный способ позволяет достичь расчетных характеристик у 50-600приборов, забракованных после изготовле 20 ния с применением способа прототипа Формула изобретения Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий изготовление мирование...

Номер патента: 1786541

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Епифанцева, Зеленский, Кем, Кривоносов, Смирнов

МПК: H01L 21/56

Метки: корпусом, полупроводникового, прибора, стеклянным

...2-2,1 мм и радиусами наружного скругления 0,12 мм.1786541 4 таблице данных оптимальный радиус наружного скругления составляет 0,1-0,2 мм, при этих значениях достигается требуемое рабочее напряжение пробоя (не менее 1500 В).Кроме того, использование электрододержателей, полученных прессованием порошка молибдена исключает возможность возникновения областей с напряжениями в стекле, вследствие сохранения остаточной пористости (не более 5) играющей роль демпфера, что повышает величину рабочего напряжения пробоя. Остаточнаяпористость,Величина радиуса наружногоскругления,мм Напряжение пробоя, В Примечания Плохое эатекание шликера, Повышенный брак на операции герметизации Удовлетворительноезатекание шликера 4,5 0,05 1200 1530 0,1 4,5 4,0 6,3...

Номер патента: 1798835

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Воеводин, Дохман, Думбров, Запорожский, Касимов, Ковыкин, Шишкин, Шкундин, Юкин

МПК: H01L 23/28

Метки: полупроводникового, прибора

...премикс, а толщину б стенок заготовки выбирают из выражения 0,03-максб0,351 мин, где 1 макс - наибольший линейный размер заготовки стенок корпуса;мин - наименьший линейный размер заготовки стенок корпуса, Полость заготовки заполняют распла влен н ым компаундом и охлаждают. 5 ил 1 табл,1798835 35 Результаты реализации способа изготовления прибора приведены в таблицеПриведенные зависимости установленыэкспериментальным способом.На фиг.1-5 изображена последовательность изготовления полупроводникового .прибора по предлагаемому способу, где 1 - 5плоский элемент основания корпуса, 2 -внутренняя арматура, 3 - выводная рамка,4 - полимерная заготовка стенок корпуса, 5- таблетированный компаунд, 6 - нагреватель 7 - пластмассовый корпус....

Номер патента: 1814109

Опубликовано: 07.05.1993

Автор: Суворов

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводникового, прибора, сборки

...следующуюобработку: обезжиривание в трихлорэтилене, химическое травление в 500-ной соляной кислоте, промывку в деионизированнойводе, 40Процесс напыления производится наустановке УВН 2 М - 2 в вакууме(2-5) 10 ммрт.ст. при температуре подложки 170 С, Одновременно при защищенных стеклоизоляторах А 1 бйл напылен на поверхностьтраверс ножек для осуществления термокомпрессионной приварки выводов. Толщина напыленного А 1 допускалась 1,6 - 2,6 мкм.Приборы изготавливались по маршруту: обработка ножек перед напылением, напыление А 1, промывка ножек перед сборкой,.пайка кристаллов на эвтектику Ое-А 1 с помощью подвески контактно-реакционнымметодом, присоединение внутренних выводов к внешним А 1 проволокой. 55П р и м е р 1, На кристалл...

Номер патента: 1823037

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Воронин, Коган, Комаленков, Никитин, Тепман, Феоктистов, Чибиркин

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводникового, прибора

...свинца или пластичного материала. Работа охладителя фиг.5 аналогична работе охладителя, изображенного на фиг, 2 и 3. Применение таких конструкций упрощает решение проблемы коррозионной стойкости и совместимости материалов внутри охладителя при одновременном снижении материалоемкости и трудоемкости его изготовления. Изображенный нэ фиг. 6 охладитель полуп роводникового прибора содержит корпус 1, связанные с ним гибкие теплопередающие диафрагмы 2 с возможностью контакта их внутренних поверхностей с теплоносителем 3, а на их внешних поверхностях размещены полупроводниковые приборы 4. Между внутренними поверхностями гибких тепло- передающих диафрагм 2, примыкая к ним, размещена составная эластичная опора 11, состоящая из 2-х дисков...

Номер патента: 1827697

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Васильев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводникового, прибора, радиатор, силового

...недостатком радиатора является значительное увеличение габаритных размеров и массы при увеличении количества пластин в наборе.Целью изобретения является повышение эффективности охлаждения при одновременном уменьшении габаритных размеров и массы.Поставленная цель достигается тем, что в известном радиаторе, содержащем основание в виде соединенных между собой пластин, ребра в виде отогнутых концов пластин и опорную площадку для полупроводникового прибора, пластины основания соединены между собой одними концами внахлестку с минимальным перекрытием, равным диаметру б опорной площадки по-, лупроводникового прибора и максимальным перекрытием; равным толщине Я набора пластин в основании, т.е, БЬ б,Таким образом, отличительным от прототипа...

Номер патента: 1830017

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Никольский

МПК: B65B 1/42

Метки: подачи, полупроводникового, порошкообразного

...в вертикальном положении и укрепляется на держателе 4. Поршень со штоком 5 с помощью шатунного механизма 6 перемещается вверх, производя высыпа ние порошка через край стакана, Затем, при дальнейшем движении поршень зани- Ф Ьмаеткрайнее нижнее положение, опять засыпЖМяф г 1 орошок и повторяется новый цикл. ф 4 15- Шатунный механизм проводится в движение валом 7, укрепленном на держателе 8. Вращение обеспечивается перемещением шкива 9 через вал 10, имеющий каскад различных диаметров, электродвигателем 20 СД11, который вмонтирован в вакуумную плиту, Шток 12 электродвигателя, на котором находится вал 10, фиксируется подшипником 13, укрепленном на держателе 8.Регулировку скорости движения поршня, а, следовательно, и скорости...

Номер патента: 1050473

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Арбузова, Воеводин, Грибенюков, Максимова, Якубеня

МПК: H01L 21/66

Метки: однородности, полупроводникового

...образуются йа кристаллографическйх15 гранях, например (110), .ориентированныхперпендикулярно оси роста кристалла. Наобразцах, вырезанйых параллельно оси роста, наблюдаются протяженные ограненные области.: вытянутые вдоль оси роста20 кристаллов. Рентгенотопографическим методом показано; что указанные ямки появляются в местах выхода на поверхностьвключений посторонних фаэ.Исследуют зависимость скорости трав 25 ления и состоянйеповерхности от концентрации кислоты в растворе травителя.Результаты экспериментов приведены. втабл. 1,На основании проведенных исследоваф30 ний сделан вывод об оптимальном соотношении компонентов тра вителя:НЙОз:Н 2 О 3 2Исследуют: влияние температуры обра-,ботки на результаты травления в интервале35 30-110 С....

Номер патента: 676121

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер

МПК: H01L 21/02, H01L 41/22

Метки: полупроводникового, пьезопреобразователя

...при одновременном воздействии температуры приводит увеличению скорости диффузии компенсирующей примеси на освещенных частях кристалла по сравнению с его затемненными частями. Образующиеся при этом диффузионные слои на затемненных и освещенных частях кристалла отличаются толщиной и профилем высокоомного рабочего слоя, что обеспечивает возможность изготовления многоканального пьеэопреобразовэтеля с различными резонансными частотами отдельных каналов,П р и м е р. На пластину низкоомного сульфида кадмия Е-среза размером 5 х 5 х 10 мм напылением в вакууме (5 10 мм рт,ст.) наносили слой меди толщиной - 5 мкм, Для отжига пластину помещали в муфельную печь типа СУОЛ,25, 1/12-М с температурой 300 С, Одновременно на пластину направляли световой...

Номер патента: 1519453

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Дерменжи, Приходько, Шмелев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводникового, прибора, силового

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий создание в полупроводнике базовой области, формирование окруженных базовой областью локальных эмиттерных участков, нанесение контактной металлизации на эмиттерные участки и базовую область, выявление непригодных эмиттерных участков, нанесение на полупроводник общего электрода, контактирующего с металлизацией пригодных эмиттерных участков, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления и повышения процента выхода годных приборов, перед нанесением на полупроводник общего электрода в последнем создают отверстия в тех его местах, которые при контактировании электрода с полупроводником располагаются над выявленными непригодными эмиттерными участками, с...

Номер патента: 708891

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Ваганов, Носкин

МПК: H01J 27/20, H01J 41/10

Метки: интегрального, полупроводникового, преобразователя, чувствительный, элемент

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, состоящий из монокристалла кремния, в котором сформированы тензочувствительные компоненты, соединенные лежащими на одной поверхности кристалла токоведущими дорожками между собой и с контактными площадками, к которым присоединены внешние проволочные выводы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения геометрических размеров, на указанной поверхности кристалла выполнены канавки, дно и боковые стенки которых покрыты слоем диэлектрика и в которых расположены контактные площадки, причем глубина канавок превышает диаметр выводов.

Номер патента: 1556422

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воробьева, Елютин, Зверик, Ковалев, Патрикеев, Пшеницын, Ринас, Розанов, Скоморохов, Цыплакова

МПК: H01G 9/05, H01G 9/24

Метки: анода, конденсатора, объемно-пористого, оксидно, полупроводникового

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТОГО АНОДА ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий приготовление порошка из материала, содержащего ниобий или тантал, или их сплав, или сплав ниобия или тантала, с молибденом или вольфрамом, прессование анодов из порошка, спекание и оксидирование, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного заряда, снижения токов утечки и снижения материалоемкости, для приготовления порошка используют материал, дополнительно содержащий водород в количестве 0,05 - 1 мас. % , а перед спеканием проводят выдержку анодов при 600 - 850oС в течение 15 - 30 мин, причем спекание проводят при 1000 - 1600oС.

Номер патента: 1407325

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Кожинова, Романова

МПК: H01L 21/34

Метки: полупроводникового, прибора, размерами, субмикронными, управляющего, электрода

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С СУБМИКРОННЫМИ РАЗМЕРАМИ УПРАВЛЯЮЩЕГО ЭЛЕКТРОДА, включающий создание омических контактов, формирование первого и второго маскирующих слоев, один из которых является металлом, с субмикронным зазором между ними, электрохимическое осаждение дорожки управляющего электрода, удаление маскирующих слоев, выделение на полуизолирующей подложке активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлических дорожек управляющего электрода, выделение на полуизолирующей подложке активной области проводят перед созданием омических контактов, электрохимическое осаждение металлической дорожки управляющего электрода проводят одновременно на активную область прибора и на...

Номер патента: 803323

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Дубицкий, Семенова, Слесарев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, полупроводникового

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО АЛМАЗА, включающий приготовление шихты, состоящей из углеродсодержащего материала, металла-катализатора и легирующей добавки, и последующее воздействие на шихту высоких давлений при высоких температурах, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии активации проводимости алмаза n - типа, в качестве легирующей добавки используют политетрафторэтилен, фторид никеля, селен и/или селенид железа.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют политетрафторэтилен или фторид никеля в количестве 0,5 - 15% от веса углеродсодержащего материала в пересчете на фтор, селен или селенид железа в количестве 0,5 - 25% от веса углеродсодержащего материала в пересчете на селен.

Номер патента: 1738039

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брицис, Казачонок, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий формирование на посадочной поверхности кристалла слоистой структуры, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, слоистую структуру выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30 - 150 нм, а пайку осуществляют при 400 - 480oС в течение 1,5 - 5 с.

Номер патента: 1533135

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Брицис, Стасюк, Фридлендер, Шевцов

МПК: B23K 1/20

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий нанесение на посадочную поверхность кристалла слоев алюминия и германия, на поверхность кристаллодержателя - слоя алюминя и последующую пайку кристалла к держателю, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности паяного соединения, металлизированную посадочную поверхность кремниевого кристалла покрывают пленкой припоя на основе алюминия и германия, полученной с помощью их одновременного осаждения из паровой фазы.

Номер патента: 1664079

Опубликовано: 10.09.1995

Автор: Фильцов

МПК: H01L 21/52, H01L 21/58

Метки: герметизации, корпуса, полупроводникового, прибора

...да затвердевания шва,Экспериментально установлено, что при поверхностной плотности энергии менее 70 Дж/см значительно возрастает время разогрева герметика, соединяемых деталей и вследствие этого снижается нада;кность полупроводникового кристалла и ега соединение с основанием пробора.При увеличении значений поверхностной плотности энергии излучения более 300 Дж/см происходит образование эвтектиче 2ских соединений материалов выводов и корпуса палупрооодникооого прибора с их покрытием, что приводит к ухудшению качества прибора. Кроме того, наблюдается оыФормула изобретения СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, оклочающий помещение герметика на основание или на крышку па контуру соединения крышки с основанием, установку...

Номер патента: 1454169

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Евтеев, Козлов, Колычев, Логоватовский, Снесаревский, Татаринов, Хозиков, Чернов, Эгнер, Яковлев

МПК: H01L 23/00

Метки: корпуса, основание, полупроводникового, прибора

ОСНОВАНИЕ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, содержащее подложку для монтажа кристалла и вывода с нанесенными на его металлические части покрытием на основе никеля бора, отличающееся тем, что, с целью снижения стоимости приборов за счет исключения применения золота при увеличении их надежности, в зону пайки кристаллов на подложку нанесено дополнительное покрытие из сплава цинк алюминий германий с содержанием алюминия 1 30 мас. германия 1 6 мас. остальное цинк, причем суммарное содержание алюминия и германия 7 31 мас.

Номер патента: 1204101

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Алавердян, Жуков, Конников, Миронов, Филипченко

МПК: H01S 3/18

Метки: инжекционного, лазера, полупроводникового

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИНЖЕКЦИОННОГО ЛАЗЕРА полосковой геометрии, включающий в себя осаждение на плоскость (001) лазерной структуры слоя диэлектрика, вытравливание в слое диэлектрика полоскового окна, нанесение на структуру омического контакта, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и процента выхода годных приборов, вытравливание полоскового окна проводят по направлению кристаллографической оси определяемой пересечением плоскостей (001) и где W ширина полоскового окна, L длина лазерного кристалла.

Номер патента: 1105078

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Зеленцов, Козин

МПК: H01L 21/223

Метки: диффузии, изготовлении, полупроводникового, тензочувствительного, элемента

СПОСОБ ДИФФУЗИИ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА, включающий размещение в лодочке партии полупроводниковых пластин и твердых источников диффузанта, окружающих пластины и расположенных рядом с ними, введение лодочки в реактор, нагревание полупроводниковых пластин и твердых источников диффузанта до температуры диффузии, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления элемента путем уменьшения разброса поверхностного сопротивления диффузионных слоев в пределах партии пластин и повышения воспроизводимости сопротивлений слоев, предварительно в лодочке вдоль ее продольной оси между твердыми источниками диффузанта располагают вспомогательные полупроводниковые пластины, при этом в начале лодочки...

Номер патента: 1373084

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Игнатьев, Ильина, Насыров, Шишенин

МПК: G01B 15/02

Метки: детектора, кремниевого, области, полупроводникового, толщины, чувствительной

...то более удобным являетсяопределение суммарного числа отсчетов впике а,2:и за один отсчет монитораисточникд, что дополнительно у.прощаетизмерения и не треоует проведения специальной-градуировки нейтронного источникапо флюенсу. По полученным значениям Хи известным для каждого детектора значению% строится градуировочный график Х%) (фиг. 3), который используется вдальнейшем для всех измеряемых детекторов. Измеряемый кремниевый детектороолу.чается флюенсом нейтрон в с той жеэнергией. Регистрируется число отсчетовимпульсов а, Определяют значение хс;,15 . 5характерное реакции81(п,а.) М., и поЕаоХ =формуле определяют величину Х,Значение Б берут из паспортных данных наППД 1. По известному Х и градуировочномуграфику определяют толщину %...