H01G 9/24 — H01G 9/24

Номер патента: 364292

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Сильное, Слепокуров

МПК: H01G 9/24

Метки: культивационных, обогрева, почвы, сооружениях

...новареннои соли.г 1 а фиг.и 2 представлены схемы на)ревательных элеме)пов для ооогрева цчвы предлагаемым способом.г 1 агревателы)ые элементы могут состоять из полиэтиленовых труб , соедпнителыых труо 2 с приваре)шым к ним расширительным бачком . В концы труб 2 запрессованы пробки-электроды 4 из нержавеющей стали, Г 1 ри диаметре труб 27,5 соединительные трубы 2 берут диаметром 50,1,51, Через расширительный бачок 5 заливают электролит. Электроды подключают к сети напряжением 380 220 в. еска, торфа и дерновой земли в соотноше 1: 1: 1. Влакносгь смес:1 ь опыте оылаполее 100;о ог )олевой ьлагоемкости. Размеры стеллажа 100);,100 К 30 сл), на дно е)о насьша.ш слои песка толщинои 0 0.)1; на песоккладыва,1 и ИОсг 1 едовате 1 ь)10 соединенные )...

Номер патента: 2004025

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Болдырева, Бондеко

МПК: H01G 9/24

Метки: алюминиевой, анодного, оксидного, приготовления, раствора, слоя, фольге, формования, электрохимического

...способ приготовления раствора для электрохимического формования анодного окисного слоя на травленой алюминиевой фольге для анодов оксидноэлектролитических ал юминиевых конденсаторов поясняется примером конкретного выполнения,Приготавливают раствор однозамещенного фосфата аммония оптимальной концентрации 1,1 мас. ф и проводят электролиз данного раствора в оптимальном режиме; напряжение электролиза 55 В, плотность тока 0,8 А/дм, температура оаствора 38 С, время электролиза 80 мин.На основе полученного электролита изготавливают формовочный раствор следующего оптимального состава, мас4:Гидроокись аммония 0,3Фосфорная кислота 0,8Электролит Остальное Для сравнения с прототипом готовят раствор по патенту Великобритании М...

Номер патента: 1757367

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Кулаков

МПК: H01G 9/24

Метки: диэлектриком, конденсаторов, оксидным, отбраковки

...конденсаторов основан на следующем.35Через две секунды после начала зарядаконденсатора 2 ток заряда как минимум на3 порядка меньше величины, нормированной для тока утечки любого иэ йзвестныхоксидных конденсаторов. Величина тока 40утечки конденсатора со скрытыми дефектами отличается от тока утечки конденсаторав несколько рэз (этот ток регламентируется. в ТУ, а методика измерения тока оговоренав ГОСТ 21315.3-75). 45 Таким образом, устанавливая зарядный ток конденсатора 2 близким к предельно допустимому (постоянная времени цепи заряда 0,01-0,1 с), диагностическим признаком выбирают величину тока утечки, которая у дефективного конденсатора на 1- 2 порядка больше, чем у бездефектного.В таблице приведены определенные экспериментально на...

Номер патента: 1556422

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воробьева, Елютин, Зверик, Ковалев, Патрикеев, Пшеницын, Ринас, Розанов, Скоморохов, Цыплакова

МПК: H01G 9/05, H01G 9/24

Метки: анода, конденсатора, объемно-пористого, оксидно, полупроводникового

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТОГО АНОДА ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий приготовление порошка из материала, содержащего ниобий или тантал, или их сплав, или сплав ниобия или тантала, с молибденом или вольфрамом, прессование анодов из порошка, спекание и оксидирование, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного заряда, снижения токов утечки и снижения материалоемкости, для приготовления порошка используют материал, дополнительно содержащий водород в количестве 0,05 - 1 мас. % , а перед спеканием проводят выдержку анодов при 600 - 850oС в течение 15 - 30 мин, причем спекание проводят при 1000 - 1600oС.