Зверик
Способ изготовления объемно-пористого анода оксидно полупроводникового конденсатора
Номер патента: 1556422
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Воробьева, Елютин, Зверик, Ковалев, Патрикеев, Пшеницын, Ринас, Розанов, Скоморохов, Цыплакова
Метки: анода, конденсатора, объемно-пористого, оксидно, полупроводникового
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТОГО АНОДА ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий приготовление порошка из материала, содержащего ниобий или тантал, или их сплав, или сплав ниобия или тантала, с молибденом или вольфрамом, прессование анодов из порошка, спекание и оксидирование, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного заряда, снижения токов утечки и снижения материалоемкости, для приготовления порошка используют материал, дополнительно содержащий водород в количестве 0,05 - 1 мас. % , а перед спеканием проводят выдержку анодов при 600 - 850oС в течение 15 - 30 мин, причем спекание проводят при 1000 - 1600oС.