Патенты с меткой «полупроводникового»

Номер патента: 1628116

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Карих, Коростик

МПК: H01S 3/133

Метки: излучения, импульсов, лазера, параметров, полупроводникового, стабилизации

...корректировка усиления в уси)п 1(5 тте 1 импульсов тока, т.е, осуществляетсь стабилизация амплитудных световыхП 1 У)1.СОВ.Стабилизация времеиОго положенияимпульса происходит следующим образом.11 чтч 152 ь 21 код на )зыходе ЦАП задат величну тока постоянного смещения Т . Если времена прихода импуль 2сов цл первьт и второй входы приоритт0 дискриЛГцлтсра 7 (после приход;2;миульса ца вход "Сброс" прио. ри Г, тцс)1 о 2 тск 1.тйлторл) разлтчаютс я то тр 021(,"лоит ( 1);1 б;1 тывацие при 5и Г т) гс) 2 искртт 22 лторл и изменя.тг я ц(1 дицпу код ца входе 11 Л 11 9, т . Гзмсцяся постоянное смещение 1 .;, Лра цл ветичпу Ь 1 . результ,(т 121,ржка генерации в лазере измляется сог)лспо формуле (1) и рл )и)стт времц прихода импульсоверыи и...

Номер патента: 1628128

Опубликовано: 15.02.1991

Автор: Кравцев

МПК: H02H 7/12

Метки: защиты, полупроводникового, преобразователя

...4,Последовтльно в цепь нагрузкивключена цепь из вспомогательногл диода 11 и дифференцирующегокондснстора 12 и резистора 13. Вывод14 нагру,ки 2 представляет собой место возможного возникновения пробоян землю,35Устройство работает следующим образом,При возникновении пробоя в точке 14 н об,ую шину конденсатор 6 начинает раэряжатьс по цепи общая ши/на - точка пробоя 14 - параллельносоединенные резистор 13 и конденсатор 1 2 - анод диода 5 - конденсатор3 - резистгр 8 - конденсатор 6. Энергия конденсатора 6 распределяется на 45конденсаторах 6, 12 прямо пропорционально их емкостям, причем емкостьконденсатора 12 ныбирается из условия обеспечения требуемых времен нарастания Фронта и спада импульсного 50напряжения на нагрузке и...

Номер патента: 1636753

Опубликовано: 23.03.1991

Автор: Грядунов

МПК: G01N 25/18

Метки: коэффициента, образца, полупроводникового, теплопроводности

..." температура свободнойграни образца, параллельной теплоконтактной;т " температура внешней средыО и О - измеряете величины разноствих электрическихсигнапов, определякщиеразности температур между внешней средой и, соответственно, теппокон"тактной и свободной гранямиК и К" коэффициенты, определяющие преобразование величин измеряемых раэностных электрических сигналов в информации о разностях температур междувнешней средой и, соответственно, теппоконтактной и свободной гранями.Для снижения погрешности измерения коэффициента теплопроводности путем повышения точности определения отношениявеличину последнего определяют по отношению величины переменного сопротивления Рк величине эталонного Р, при балансе резистивного моста 7 в соответствии с...

Номер патента: 1636879

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Гарбер, Квурт, Наибов, Файнбойм

МПК: H01L 21/50

Метки: выводом, кристалла, полупроводникового, прибора, соединения

...на металлическом облуженном выводе и на полупроводниковый кристалл подают серию импульсов от генераторов измерительного и разогревающего токов. Первый импульс измерительного тока фиксирует в амплитудном детекторе с памятью величину прямого падения напряжения на разогретом кристалле. Измеритель амплитуды огибащей импульсов измерительного тока (детектор) отслеживает изменение прямого падения напряжения на кристалле при протекании через него импульсов от генера 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 тора измерительного тока. Вычитающее устройство вычисляет разность между напряжением с детектора с памятью и напряжением с измерителя амплитуды огибающей. Эта разность является изменением падения напряжения на кристалле в процессе разогрева. Она...

Номер патента: 1640663

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Гнатовский, Логинов, Медведь, Плевако

МПК: G02B 27/30, G02B 27/42

Метки: излучения, коллимации, коррекции, лазера, полупроводникового, пучка

...равную диаметру спекл-неоднородностей, при этом, если50 55 5 10 20 25 30 35 40 45 спекл-неоднородности круглые, то форма дифракционной картины не искажается,При дифракции светового пучка с несимметричным сечением, каким обладает . полупроводниковый лазер, дифракционная картина искажается, Это искажение вызва. но изменением формы спекл-неоднородностей, которая соответствует форме тела свечения полупроводникового лазера 1; размеры спекл-неоднородностей ай и а в плоскости р - и-перехода и ортогональной ей плоскости, соответственно, связаны с размерами тела свечения аи и а следующими соотношениями;а й= 2 аи/1 ьа = 2 аЛь (3) С учетом размеров спеха-неоднородностей (3) выражение для сечения дифракционной картины (2) переходит вОи = Л 2/би+ аи...

Номер патента: 1644016

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Воробьева, Леушина, Суворова

МПК: G01N 27/416

Метки: заданного, медьсодержащего, полупроводникового, соединения, состава, электрохимическая, ячейка

...для анализа медьсодержащих соединений. Целью изобретения является повышение точности дозирования меди в исходном материале. Для этого в ячейке с медным электродом сравнения в качестве ионселективной твердоэлектролнтной мембраны использованы сплавы в.системе СцС 1- СЙС 1при следующем соотношении компонентов, мол.7,: СцС 1 65-69,5; СЙС 1 30, 5-35; СцС 1 70, 5-80; СаС 1 20-29, 5, Это повышает точность легиронания меполупроводниковых материалов,отношении компонентов, 5;. СИС 1 15.ва в смеси таблетируются, онтакте друг с другом токоподводами, Электектинная мембрана в витжигаются при =150 С,а т и атмосфере арГона. подбирают экспериментоянства сопротивлеванного образца. После ют ячейку указанного сос"я таблетки друг к дру- т ЭДС...

Номер патента: 1644281

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Гольмаков, Катунин, Шелепов

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, полупроводникового, преобразователя

...Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О 1Изобретение относится к электротехнике и может быть применено в устройствах защиты вентильных преобразователей.Цель изобретения - повышение надежности защиты,На чертеже представлена структурная схема устройства для защиты полупроводникового преобразователя.Устройство содержит датчиктока, установленный на входе преобразователя 2, к выходу которого подключен датчик 3 напряжения, первый 4 и второй 5 пороговые элементы, одни входы которых объединены и подключены к выходу датчика 1 тока, а другой вход второго порогового элемента 5 подключен к выходу датчика 3 напряжения. Выходы первого 4 и второго 5 порото;, х. элементов подкл 1 очены к -:сполннте;1 ьномэлементу 6,Устройство работает следующим образом,В...

Номер патента: 1644282

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Глухов, Царев

МПК: H02H 7/10

Метки: вентиля, высоковольтного, индикации, полупроводникового, состояния

...входов блоков 8 деления, а другой - через датчик косинуса угла управления 9 - к соответствующему выходу системы управления 3, выход блока деления 8 через реле 10 напряжения подключен к входу исполнительного элемента 11, Высоковольтный полупроводниковый вентиль включен последовательно с реактором 12.Устройство для индикации состояния в соковольтного полупроводникового вент ля работает следующим образом,При исправном состоянии всех тириных ячеек 2, высоковольтного полуодникового вентиля 1, напряжение на1644282 Составитель О. МещерякоТехред М,Моргентал Редактор Т, Куркова Корректор А. Осаулен аз 1464 Тираж 388 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5...

Номер патента: 1649473

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Долгов, Моторин, Рабодзей, Сычев

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, корпусу, кристалла, неразрушающего, полупроводникового, присоединения

...протекающего через р-и переход тока, процессор дает команду блоку 6 выборки-хранения запомнить мгновенное па деиие напряжения на р-и переходе, а аналого-цифровому преобразователю 5 - измерить его величину, Благодаря малому изменению падения напряжения на р-и переходе б,Н из-за нагрева последнего,(см. Фиг. 2 б), а также соответствующего выбора смещения разностного усилителя 7 и его коэффициента усиления напряжения на выходе блока 6 выборки-хранения находится в динамическом диапазоне второго аналогоцифрового преобразователя 5, чем и обеспечивается нормальная работа последнего (на фиг. 2 а представлена эпюра тока на р-и переходе), Измеренное значение падения напряжения на нагретом р-и переходе запоминается микроЭВМ 9. По измеренным...

Номер патента: 1653067

Опубликовано: 30.05.1991

Автор: Аксенов

МПК: H02H 7/125

Метки: защиты, перенапряжений, полупроводникового, преобразователя

...1 Рассмотрим процесс запирания тиристора 4, 5 после снятия перенапряжения более подробно.Если перенапряжение снялось в момент, когда наиболее положительным является напряжение фазы С, то ток фазы С проходит не через диод катодной группы фазы С выпрямителя 1 и тиристор 4, так как они шунтированы перемычкой, соединяющей фазу С с катодом тиристора 4, а через указанную перемычку и тиристор 5, При этом в этот момент диоды фаз А и В катодной группы выпрямителя 1 либо уже скоммутировали, либо скоммутируют через тиристор 4, который в любом случае закроется, так как в первом случае ток через него отсутствует, а во втором случае он закрывается током коммутации диодов катодной группы выпрямителя 1, поскольку ток коммутации вначале доходит...

Номер патента: 1674293

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Суворов

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, кристаллодержателем, полупроводникового, соединения

...Цель изобретения - повышение надежности соединения. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2,7 мкм,а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1,75 мкм, Температуру нэ рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристэллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают, наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из звтектики магний - алюминий и присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде, при этом повышается устойчивость полупроводниковых приборов к механическим и климатическим воздействиям. ной 1,75 мкм, Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают до заданной температуры. С помощью пинцета наносят на поверхность...

Номер патента: 314460

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Берлин, Коломиец, Лиогонький, Шамраев, Юрлова

МПК: H01L 45/00

Метки: оксидного, основе, переключатель, полупроводникового, стекла, халькогенидного

...выполнении илипереключатели системы металл-халькогенидное или оксидное стекло - металл Однако графитовые оми такты нестойки к ударнымри металлических электр з пленки частично диффу бъем халькогенидной или обретения - создание п 803144 б(54)(57) ПЕРЕКЛ 10 ЧАТЕЛЬ НА ОСНОВГПОЛУЛРОВОДНИКОВОГО ХАЛЪКОГЕНИД 11 ОГОИЛИ ОКСИДНОГО СТЕКЛА с двумя электродами, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью увеличения стабильности параметров прибора, электродывыполнены на основе электропроводящих химических инертных полимеров,например полиазофенилена,ыполнены из химически инертно Каждый матричный переключающий элемент представляет собой два прямоугольных омических контакта из по- Св лимерной пленки с зазором между ними от 2 до 40 мкм в зависимости...

Номер патента: 1691910

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Демченко, Савченко, Тиханков, Федонин

МПК: H01L 21/607

Метки: полупроводникового, прибора

...сопротивления деионизованной воды ниже 18 МОм см приводит к снижению повторяемости результатов,Пробивные напряжения при обработке приборов в холодной воде при температуре1891" 10 воде, помещают их в нагретую до 1005"С сушильную камеру для удаления влаги и выдерживают в ней в течение 15-20 мин,В результате такой обработки на поверхности алюминиевых контактных площадок и на алюминиевом покрытии вьшодов основания в зоне их соединения с проволокой образуется плотная пленка оксида алюминия толщиной 0,4-0,6 мкм, обладающая влагостойкостью и обеспечивающая защиту от проникновения влаги и коррозии в месте соединения. Формула изобретения Составитель Е, ПановРедактор А, Маковская Техред (Л.Моргентал Корректор М.Максимишенец Заказ 3932 Тираж...

Номер патента: 1697991

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Беляев, Кужель, Петровский, Савичев

МПК: B23K 1/005

Метки: вывода, диэлектрическому, лазерной, металлизированному, основанию, пайки, полупроводникового, прибора

...медного слоя от окисления и коррозии. Последним слоем был припой толщиной 12 мкм. Этот слой обеспечивает получение паяного соединения. В качестве припоя был выбран сплав ОЛОВО - Висмут.Медный вывод был предварительно отформован и имел следующие конструктивные размеры:ширина паза (Ь) 0,5 мм; толщина дна паза вывода ( д 1) 100 мкм, толщина слоя- припоя из сплава олово-висмут (д 2) 12 мкм; угол скоса кромок паза вывода ( а 1 ) 60 О; длина паяного шва1,5 мм; диаметр медного вывода(бв) 0,4 мм, коэффициент шага паяного соединения (К) 1,0. Число точек для образования паяногосоединения определяли по формуле:1,5и =К -- 1 =1,0- 1 =2 точкис.0,5Для получения сравнительных данных проводилась пайка лучом лазера медного вывода к металлизации...

Номер патента: 1698918

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Куровский, Павленко, Пельтек

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводникового, прибора, прокладка

...резины на основе синтетического каучука и высокодисцерсного порошканитрида алюминия с размером частиц50-80 мкм, при слецуюцтем соотношении компонентов, маг.Е: высокодисперсный нитрид алюмтеия 55-60, крупнозернистый нитрид.алюминия 20-25;резина на основе синтетического каучукаостальное. 1 цл,Высокодисперсньтй тттцнцалюминия 55-60КРУПНОЗЕРНЕтСтЬЕтнитр."д алюеештя 20-25Резина на основе синтетического каучука ОстальноеПрокладка работает следующим образом.Прокладку устанавливают на металлический теплоотвод, а ета нее устаеавливают,полуттравоцттквый прибор. Тепло ог полупроиоцннкоцого прибора через прокладку еред;.тся теплоотводу, а электроизоляццтттные свойства прокладки обеспечивюг изоляцию корпу са полупроводнцковог:;рттбора от меЕСКОГО...

Номер патента: 1704196

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Буянов, Киселев, Кундышев, Соколов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: закрепления, полупроводникового, прибора

...центрирующий упор 17.При сборке устройства закрепляют на болтах 4 с помощью гаек 6 нижнюю траверсу 3. на которой последовательно устанавливают нижнИй упор 9, охладитель 2, прибор 1, емкость 11, верхний упор 9 и вер% хнюю траверсу 3, После э ы о заводят профилированный конец ключа 7 под сферическую поверхность головки 5 одного иэ болтов 4, поворачивают ключ 7 в сторону траверсы 3 и закрепляют его с помощью шплинта 8, создавая при этом усилие сжатия всех элементом, размещенных между траверсами З,достаточное для транспортировки всего устройства к объекту его установки и закрепления на этом объекте.8 процессе эксплуатации прибора 1 он выделяет тепло, значительная часть которого отводится охладителем 2, а некоторая часть через шину 1 О и...

Номер патента: 1704207

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Карих, Коростик, Малевич

МПК: H01S 3/18

Метки: лазера, мощности, полупроводникового, стабилизации

...зоьДЕТ ИЗМЕНЕНИЕ иэт уча)сльных характарцстик его, то время ПРЬ 1 ОД(Э С;СПУЛЬСа На ГтСРОЙ ОХОДДИСКРИМИ. натора 10 по отногве)НСК) к импульсу на первогм входе сзмеСится, а на о)лходе дискриьнатора 10 устанос ится н,)пряжение 1 Л Л с.о, де Л.4с)рираСС(ен)е оьтхсднсго )Сац)яжесгсДискрикн н:)тора, 3,".Ень)СГ)ОСЕ(1 ПО.ТО 1)ССОВ Г 1 ССЦЕ)ГС 10ИЗ Лу:)ТЕЛЛ На СЕЛИ(О)ну Лс). В роэуЛьтатЕ, За (грЖК( ГЕССЕ" а(ьц 1 В( Излг)С(СТСЛО 113)1 ЕН С)ется согласно (1) и разность времен прихода импульсов на входы дискриминатора 10 т -(ь+ Л т) уменьшится, Исходное состояние дискриглинатора 10 восстанавливается следующим импульсом на входе "Сброс", а напряжение на выходе дискриминатора 10 сохраняет значение 0+ ЛОо. Описанный процесс продолжается до тех...

Номер патента: 1712986

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Белозубов, Козин, Ульянов, Чистякова

МПК: H01L 21/34

Метки: механических, перемещений, полупроводникового, преобразователя

...равную величине О зазора. Вторым окислением создают пленку Я 02 толщиной 0,4 - 0,5 мкм, вытравливают окна под щели собоих сторон пластины и травят в них кремний на глубину 1252 мкм.После третьего окисления нэ глубину 0,2 - 0,3 мкм формируют в щелях участки ЯО 2, соотетствующие перемьчкам, и травят кремний с двух сторон пластины до образования сквозных щелей и утоньшенных перемычек толщиной 20+2 мкм. Напылением и1712986 Составитель Е.ПановРедактор А.Долинич Техред М.Моргентал Корректор Э.Лончаковэ Заказ 538 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 фотолитографией формируют...

Номер патента: 1714558

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Берикашвили, Кузюшкина, Щербакова

МПК: G02B 6/38

Метки: ввода, волокно, излучения, лазера, одномодовое, оптическое, полупроводникового

...площадкой 2, кварцевый внешний слой микролинзы 3, промежуточный легированный слой микролинзы 4, кварцевый внутренний слой 5, кварцевая оболочка одномодового волокна 6, сердцевина одномодового волокна 7, направляющий капилляр 8, металлическая втулка 9, герметизирующий узел 10, одномодовое волокно 11.Устройство работает следующим образом.Излучение от площадки 2 полупроводникового лазера с различными углами расхождения в двух взаимно ортогональных плоскостях падает на границу внешнего кварцевого слоя, претерпевает преломление и направляется к оптической оси одномодового волокна, причем., чем больше угловое расхождение луча света, тем больше поворот луча света к оси. При прохождении легированного слоя лучи света искривляются в...

Номер патента: 1714724

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Вексин, Шестоперов

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводникового, прибора, радиатор, силового

...прибора образована торцевыми поверхностями соединенных между собой концов пластин, при этом ребра 1 образованы свободными концами пла-стин основания, которые расположены на одинаковом расстоянии один относительно другого. 2 ил,концами, а опорная площадка для полупроводникового прибора образована торцевыми поверхностями соединенных между собой концов пластин, причем ребра образованы свободными концами пластин основания, расположенными на одинаковом расстоянии один относительно другого,Авторы считают, что заявленное техническое решение соответствует критерию "существенные отличия", т.к. технические решения, имеющие признаки, сходные с признаками,. отличающими заявленное решение от прототипа, им неизвестны.На фиг,1 изображен общий,вид...

Номер патента: 1728901

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Дехтяр, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, кристалла, полупроводникового

...их становится больше, чем на уровнях вакансий, расположенных в запрещенной зоне, В этом случае ток из зоны проводимости, а не с уровней вакансий. В силу этого после достижения температуры Т ее поддерживают постоянной, и при этой температуре измеряют зависимость тока экзоэлектрон ной эмиссии от времени до тех пор, пока значение тока становится постоянным. Для того, чтобы отфильтровать вклад эмиссии электронов с глубоких локальных уровней разных дефектов (кроме вакансий), облучение ведут све 25 30 35 40 45 50 55 том с энергией фотона, необходимой для эмиссии электронов с вакансионных уровней.О концентрации вакансий судят по площади под кривой зависимости тока экзоэлектронной эмиссии от времени, ограниченной осями координат и...

Номер патента: 1732401

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Угрюмов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: монтажный, полупроводникового, преимущественно, прибора, силового, узел

...отверстия перфорации заполняют, а поверхности промазывают теплопроводной электроизоляцион ной средой 16, например пастой КПТ - 8, для заполнения технологических зазоров 17 вокруг прибора 1, обусловленных большим диапазоном отклонений размеров полупроводникового прибора 1.Узел работает следующим образом.При подаче питания на изделие полупроводниковый прибор 1 отдает выделяемое им тепло непосредственно через 5 10 15 20 25 30 35 40 ные стакан 9 и подложка 4 выполнены из электроизоляционного теплопроводного материала, Цель также достигается тем, что средства электрической изоляции прибора 1 выполнены в виде теплопроводной электро- изоляционной пасты, размещенной в перфорациях подложки и в технологических зазорах 17 вокруг прибора 1, 1 з.п....

Номер патента: 1734136

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Лизин, Нардышев, Соколовский, Стучебников

МПК: H01L 21/98

Метки: датчика, держателем, полупроводникового, соединения, стеклянным, чувствительного, элемента

...осуществления процесса спекания (вместо процесса оплавления) и снижение на 50 - 120 С за счет уменьшения размера стеклочастиц, последнее определяют по отношению 4 Ь" М 1+273 - лг - где о- поверхностная энергия, эрг см;г, М - мол, масса, г; т - температура плавления вещества в макрообьеме, ОС; 0 - диаметр частиц, см; с 1 - плотность, г см з;- скрытая теплота плавления, кал мольПринимая, что все параметры, кроме О, сохраняют свои значения, запишем это соотношение для снижения на 50 - 120 ОС и для снижения на 10 С, а затем, разделив второе соотношение на первое, получаем 050-120 = (0-08 0,2) 010. Снижение на 10 С можно получить при дисперсности около 200 нм, Следовательно, дисперсность (16 40) нм обеспечит снижение на 50 - 120 С.Нижняя...

Номер патента: 1734137

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Горохов, Русакович, Якунин

МПК: H01L 23/14

Метки: основание, полупроводникового, прибора

...2 в форме катушки, кото рый имеет одно основание 3 для размещения полупроводникового кристалла, и другое основание 4, которое размещено в кольцевой проточке 5. Кольцевая проточка 5 выполнена в отверстии фланца 30 1.При работе прибора выделяющееся тепло с использованием "катушки" отводится через большую площадь соприкосновения с фланцем, так как увеличен диаметр 35 рабочей части кристаллодержателя.Основание полупроводникового прибора выполнено из стального фланца 1 с ТКР 11,8 10 1/ОС (например, КПО 8), толщина которого Ьг =1,5 - 2 мм, а кристаллодержатель 40 2 изготовлен из меди с ТКР 19,7 10 1/ОС. Глубина кольцевой проточки Ь 1 = 0,25 - 0,3 мм. При этом получаем соотношение размеров 61/12 = 0,125 - 0,15, Диаметр кольцевой...

Номер патента: 1737399

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Голуб, Карпеев, Сисакян, Сойфер

МПК: G02B 27/44, G02B 27/48

Метки: излучения, лазера, оптическая, полупроводникового, преобразования

...а также низкая 35эффективность преобразования световойэнергии, обусловленная бинарной функцией фазового пропускания элемента,Целью изобретения является коллимация излучения полупроводникового лазера 40и повышение эффективности преобразования световой энергии.Изобретение обладает "с,лее широкимифункциональными возможностями по сравнению с известными оптическими системамй за счет симметричной .формысколлимированного пучка, Оптическая силакиноформного элемента меньше, чем у прототипа, что позволяет увеличить число уровней квантования и, следовательно,повысить эффективность с 20 - 30% у прототипа до 70 - 80.Цель достигается тем, что в оптическуюсистему, содержащую последовательно установленные полупроводниковый лазер и, киноформный...

Номер патента: 1737567

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Альтман, Горлова, Кандов, Каплан, Лившиц, Митин

МПК: H01L 21/26

Метки: мощного, полупроводникового, прибора, сборки

...потоком электроновМэВ и дозой (2-20),10 ф 4 см ,устанавливают и закрепляют кольцо нторце основания, заливают в цилиндрдо верхнего торца кольца эпоксидныйкомпаунд и осуществляют термообработку, Использование способа позволяет изготавливать приборы без аномальных характеристик,него торца кольца эпоксидныи компаунд и осуществляют термообработку.Экспериментально установлено, цто при облучении кольца потоком электронов с энергией 4-6 МэВ и дозой (2-20)10 ф см снимается или значительно уменьшается электрострикционный эФФект.П р и м е рСпособ опробовали при сборке полупроводникового диода КД 213, представляющего собой мощную сковородку толщиной 1,0 мм и диаметром 14 мм, стенка которой имела толщину 1,8 мм и высоту 2,0 мм. В нее вставляли и...

Номер патента: 1739401

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Головнин, Дрозд, Рифтин, Христич, Церфас

МПК: H01L 21/50

Метки: пайки, полупроводникового, прибора, элементов

...к кристаллодержателю. Поэтому было проведено исследование влияния различных факторов, влияющих на этот режим.10 15 Яэфф=КЯ,50 55 20 25 30 35 40 45 В текущем производстве для получения воспроизводимых результатов пайку кристаллов припоем ПОСведут при 240- 260 оС, что на 60-80 С превышает температуру плавления этого припоя. Следовательно и при пайке кристаллов с помощью нагретого азота должна поддерживаться такая температура. При исследовании условий поддержания температуры пайки в диапазоне 240 - 260 С применяют припои ПОСи ПОС, имеющие соответствующие температуры плавления 260 и 240 оС,Опыт проводят в следующем порядке, Кристаллодержатели на гребенке облуживают одним из указанных припоев, При этом толщина припоя Л поддерживалась в...

Номер патента: 1746436

Опубликовано: 07.07.1992

Автор: Тепман

МПК: H01L 23/36

Метки: охладитель, полупроводникового, прибора

...для установки на нем полупроводникового прибора. В конденсатор 25 ной части рабочей трубы в плотномтепловом контакте с ее внешней поверхностью расположены ребра 6, предназначенные.для отвода тепла во внешнюю среду.На фиг.З изображен охладитель полу 30 проводникового прибора. конструкция которого аналогична охладителю,изображенному на фиг.1. Отличие заключается в том, что в средней рабочей трубе 1замерзающий теплоноситель 2 заменен на35 незамерзающий теплоноситель 4,Работа охладителя, изображенного нафиг.1, заключается в том, что выделяемое.полупроводниковым прибором тепло черезего основание (изображенное пунктиром)40, передается основанию 5 охладителя и черезкорпус тепловых труб 1 и 3 отдается теплоносителям 2 и 4, Незамерзающий...

Номер патента: 1746437

Опубликовано: 07.07.1992

Автор: Тепман

МПК: H01L 23/46

Метки: охладитель, полупроводникового, прибора, силового

...к диаметруоснования тепловыде-лг.ющего тела,Минимальная толщина пластичной массы (прокладки) должна быть такой, чтобы при сжатии обеспечивать выборку макрозазоров, вследствие неплоскостности тепло- выделяющего тепла и охладителей, суммарная величина которых по ТУ может составлять 40 микрометров.Максимальная толщина прокладки выбирается при использовании групповых охладителей для 2-стороннего теплоотвода от 2 или 3 СПП такой толщины, чтобы обеспечить плотное прилегание всех оснований таблеточных СПП к охладителям, учитывая возможную разницу высот используемых полупроводниковых приборов, Так, при диаметре оснований СПП 40 мм, максимальной разности их толщин 2 мм и расстоянии между. осями СПП 400 мм толщина прокладки должна быть не менее...

Номер патента: 1751829

Опубликовано: 30.07.1992

Автор: Пилюгин

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводникового, прибора

...прибора, а элемент крепления расположен на продольной геометрической оси верхней полки корпуса,На фиг,1 представлена конструкция устройства; на фиг.2 - то же, вид сбоку: на фиг.3 - то же, вид сверху: на фиг 4 - Г -образный корпус, поперечное сечение; на фиг.5 - вариант использования устройства для охлаждения группы приборов; на фиг,б - устройство для охлаждения с буквенными обозначениями,устройство для охлаждения содержит оребренный корпус 1, выполненный Г-образным в поперечном сечении, между полками 2 и 3 которого размещены теплоотводящая пластина 4 и элемент крепления 5,расположенный на продольной геометрической оси верхней полки 2 корпуса 1, Тепло- проводящая пластина 4 имеет ребра б и вырез 7 и служит для фиксации охлаждаемого...