Патенты с меткой «полупроводникового»

Номер патента: 1817559

Опубликовано: 10.06.1996

Автор: Питанов

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-фарадной, диода, параметров, полупроводникового, характеристики

...и Ч;,1, и 1 - эффективные значения первой и второй гармоник тока через диод;Ч, - эффективное значение первой гармоники напряжения на диоде;у- показатель степени вольт-фарадной характеристики;Ч, -диффузионный потенциал выпрямляющего контакта диода.Осуществление предлагаемого способа поясняется с помощью устройства, показанного на чертеже и представляющего собой емкостно-омический делитель. Способ определения параметров вольтфарадной характеристики полупроводникового диода, включающий подачу на диод регулируемого обратного смещения и гармонического сигнала и измерение эффективного значения первой гармоники тока через диод, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном повышении его информативности,...

Номер патента: 1828721

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Загрядский, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: высоким, напряжением, полупроводникового, прибора, пробоя

1. Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, включающий последовательное формирование на поверхности полупроводниковой подложки аморфного или поликристаллического слоя толщиной Н, в котором коэффициент диффузии примеси, создающей базовую область полупроводникового прибора и формирующей его p n-переход коллектор база, превышает ее коэффициент диффузии в полупроводниковой подложке, формирование изолирующего слоя, вскрытие в изолирующем слое окна под диффузию примеси, создающей базовую область, диффузию указанной примеси в полупроводниковую подложку через окно в изолирующем слое с формированием базовой области, состоящей из центральной области глубиной Y

Номер патента: 1829751

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Винке, Мокроусов, Палашов, Чистяков

МПК: H01L 21/02

Метки: газового, полупроводникового, сенсора, чувствительного, элемента

...пластину разделяют на чипы размеров 2 х 3 мм, монтируют в металлостеклянные Способ изготовления чувствительногоэлемента полупроводникового газового сенкорпуса 5 и методом ультразвуковой сварки подсоединяют внешние выводы 6 из алюминиевой проволоки диаметром 40 мкм,Апробацию чувствительных элементов к адсорбции паров воды осуществляют на вакуумной установке, в измерительную ячейку которой вмонтируют образец. После откачки системы до давления остаточных-4газов до 10 Торр осуществляют напуск паров воды до давления 1 Торр и измерение относительного изменения сопротивления. Относительное изменение сопротивления на постоянном токе при 20 С составляет 210 У 0.Оценку чувствительности элемента к парам аммиака осуществляют на гостированном...

Номер патента: 1708097

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Дудуева, Кальнова, Лобков, Митрофанов, Неелова, Сальников, Сергиенко, Шубин

МПК: H01J 21/36

Метки: p-n-переходов, высоковольтного, защиты, композиция, полупроводникового, прибора

Композиция для защиты р n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора, содержащая низкомолекулярный кремнийорганический каучук, кремнийорганическое этоксисоединение и гетеросилоксан, отличающаяся тем, что, с целью создания однокомпонентного состава, повышения электрической прочности и снижения тангенса угла диэлектрических потерь, в качестве кремнийорганического этоксисоединения вводят триэтоксисилан, а в качестве гетеросилоксана продукт взаимодействия линейного , - - дигидроксиполидиметилсилоксана с борной кислотой и ацетилацетонатом циркония, взятых в соотношении, мас.ч. 100 16,8 0,65 при следующем...

Номер патента: 758972

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Митин, Онуприенко, Поспелов, Сидоров, Шалимович

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

Корпус полупроводникового прибора, содержащий керамическое основание с последовательно размещенными на нем слоями из тугоплавкого материала и молибдена, отличающийся тем, что, с целью снижения теплового сопротивления и повышения надежности, в качестве тугоплавкого материала используют твердый раствор молибдена в титане со следующим соотношением компонентов, мас.Mo 12,5 16,6Ti 83,4 87,5

Номер патента: 1820806

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Горелик, Доев, Ибаев, Коледов, Куклин, Разумов

МПК: H01S 3/096

Метки: излучением, лазера, полупроводникового

...резонатором, Ширина линии генерации отдельной моды в случае одного внешнего резонатора определяется следующей формулой:Ьо г / го (1-К )ч 1+а ) гЬо В то где Лво - ширинаизолированного лазера;Лв - ширина отдельной моды излучениялазера с внешним резонатором;то 2 п 1/с - пролетное время внутреннегодиодного резонатора;т=21./с - пролетное время внешнегорезонатора;а - коэффициент амплитудно-фазовойсвязи.В случае многозеркального внешнегорезонатораЬоо ( 1-В ) Ч 1+аг Г гЬо Вф тохг т соз(то)(7)где т - пролетное время 1-го резонатора;г - коэффициент отражения по амплитуде1-го внешнего отражательного элемента,Сравнивая формулы (6) и (7), видим,что в случае с многозеркальным внешнимрезонатором сужение линии происходит неаддитивно, а значительно...

Номер патента: 1639335

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Баранов, Волкова

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, прибора

...корпусах,Целью изобретения является повьппение электрической прочности корпуса при повышенной влажности и выхода годных за счет снижения уровня тока утечки керамического материала.Изготавливают металлокерамический корпус, наносят на его металлические части антикоррозионное покрытие, осуществляют электрохимическую очистку корпуса в слабом растворе кислоты при приложении к его металлическим частям положительного потенциала, при этом в качестве слабого раствора кислоты используют раствор кислоты из ряда соляная, серна, фосфорная, а концентрацию раствора выбирают равной 0,05 - 1,5 М.При концентрации менее 0,05 м не создаются условия для электрохимического процесса, а при концентрации более 1,5 М 1, Способ изготовления полупроводникового...

Номер патента: 1614465

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Майзлиш, Маслеников, Смирнов, Федоров, Шапошников, Шорин

МПК: C09B 47/04, H01L 27/12

Метки: 3-тетрахлор)-фталоцианин, качестве, основы, полупроводникового, преобразователей, фотоэлектрических, хлоралюминий-(3

Хлоралюминий-3,3',3'',3'''-тетрахлор)-фталоцианин формулыв качестве основы полупроводникового материала для фотоэлектрических преобразователей.

Номер патента: 1512105

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Майзлиш, Смирнов, Сорокина, Федоров, Шапошников, Шорин

МПК: C09B 47/04, H01L 51/30

Метки: 4-тетрахлор)-фталоцианин, качестве, полупроводникового, терморезисторов, хлоргаллий-(4

Хлоргаллий-(4', 4'', 4''', 4''''-тетрахлор)-фталоцианин формулыв качестве полупроводникового материала для изготовления терморезисторов.

Номер патента: 1642739

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Кулинич, Маслеников, Смирнов, Федоров, Шапошников, Шорин

МПК: C09B 47/04, H01J 29/28

Метки: качестве, органического, полупроводникового, преобразователя, селективного, фотоэлектрического, хлориндийтетрабензодиазапорфин

Хлориндийтетрабензодиазапорфин формулыв качестве органического полупроводникового материала для селективного фотоэлектрического преобразователя.

Номер патента: 1137860

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Волынский, Гуржий, Дюнов, Елункина, Зотов, Иванов, Казакевич, Красовицкий, Лобов, Резниченко, Синчук, Татаринов

МПК: F25J 3/08, G05D 27/00

Метки: водорода, водородного, восстановления, кремния, непрерывной, отходящей, парогазовой, печей, полупроводникового, производстве, процессом, регенерации, смеси

Способ управления процессом непрерывной регенерации водорода из парогазовой смеси, отходящей от печей водородного восстановления в производстве полупроводникового кремния, заключающийся в ступенчатом низкотемпературном охлаждении парогазовой смеси и регулировании расхода исходного хладагента, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода регенерированного водорода, увеличения извлечения трихлорсилана в основной конденсируемый продукт и уменьшения энергозатрат, испаренный азот, выходящий из теплообменника-вымораживателя и направляемый последовательно по теплообменникам процесса регенерации навстречу парогазовой смеси, перед вводом его в очередной теплообменник распределяют в зависимости...

Номер патента: 1393248

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Зоболотный, Левашов, Приймак, Яковлев

МПК: H01L 21/52

Метки: кристалла, монтажа, пайкой, полупроводникового

Способ монтажа полупроводникового кристалла пайкой, включающий нанесение на паяемую поверхность слоя металла, смачиваемого припоем, и последующую пайку кристалла на основание, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности полупроводникового прибора за счет увеличения его циклостойкости, предварительно на паяемую поверхность кристалла наносят сетку взаимно пересекающихся или концентрических относительно центра кристалла V-образных канавок глубиной 0,003-0,05 мм.

Номер патента: 1484197

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Евсеев, Лягущенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: выпрямительного, материал, полупроводникового, термокомпенсатора, элемента

Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента, содержащий поликристаллический кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента и улучшения прочностных свойств термокомпенсатора, материал дополнительно содержит вольфрам или молибден при следующем соотношении компонентов, мас.%:Вольфрам или - 0,1 - 6Молибден - 0,1 - 9Кремний - Остальное

Номер патента: 1268013

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/66

Метки: дна, долины, зоны, нижней, обманки, положения, полупроводникового, проводимости, структурой, точки, цинковой, энергетического

Способ определения энергетического положения точки Lic - дна долины L нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки путем измерения физических величин, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и удешевления применяемой аппаратуры, изготавливают образцы из анализируемого материала с различной концентрацией электронов, превышающей концентрацию вырождения при температуре измерений, включая максимально возможную величину, затем на каждом из упомянутых образцов измеряют величину эффективной массы электронов и концентрацию электронов, после чего проводят сравнение экспериментальной зависимости эффективной массы электронов от их концентрации с...

Номер патента: 932891

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/17

Метки: полупроводникового, проводимости, типа

Способ определения типа проводимости полупроводникового материала, отличающийся тем, что, с целью его упрощения путем проведения бесконтактных измерений при исследовании вырожденных полупроводниковых материалов, измеряют спектральные зависимости эллипсометрических параметров анализируемого материала и эталонного невырожденного полупроводникового материала при длинах волн света, меньших длины волны, соответствующей красной границе полосы собственного поглощения эталонного материала, а о типе проводимости анализируемого материала судят по величине параметров при...

Номер патента: 1825125

Опубликовано: 27.12.2005

Авторы: Гутман, Казаков, Менжук, Мясников, Руженцев

МПК: G01N 27/02

Метки: атмосфере, калибровки, компонента, концентрации, металла, микропримеси, неизмеряемого, оксида, основе, полупроводникового, предназначенного, чувствительного, элемента

Способ калибровки полупроводникового чувствительного элемента на основе оксида металла, предназначенного для определения концентрации микропримеси в атмосфере неизмеряемого компонента, заключающийся в подаче на чувствительный элемент эталонной газовой смеси с последующим измерением электрофизического параметра и определением калибровочных постоянных чувствительного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения калибровочных характеристик, находят стационарное значение электрофизического параметра чувствительного элемента в атмосфере газа с постоянной концентрацией микропримеси, после чего заменяют среду на калибровочную газовую смесь с другим содержанием...