Патенты с меткой «инжекционного»

Номер патента: 85869

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Витенберг, Гурарий

МПК: B29C 45/00

Метки: инжекционного, литья, порошков, прессовочных, термореактивных

...в пределах 75 - 90, так как уже при этих температурах пресс-материал имеет хорошую текучесть и заполняет пресс-формы.При этом пресс-материал может находиться в инжекционном цилиндре более часа без потери текучести и опасности отвердения,Повышение текучести материала увеличивает скорость истечения его через сопло и литники в пресс-форму. Материал, проходя с увеличенной скоростью литниковые каналы, вследствие трения нагревается и попадает в пресс-форму в разогретом состоянии, что сокращает время выдержки материала в пресс-форме. Оба эти обстоятельства - скорость истечения материала через литники и сокращение времени нахождения его в пресс-форме, повышают скорость процесса литья в целом,Дополнительно введенная влага удаляется частично в...

Номер патента: 191106

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Борисов, Гурвич, Гусев, Иль, Каган

МПК: B29C 45/04, B29C 45/14

Метки: инжекционного, металлических, полуавтомат, термопластами, фасонных, футерования

...деталей, выемка стержней из футерованного изделия производится вне машины. Поэтому машина оборудована различными зажимными устройствами.Каждый зажимной механизм для вывода стержней на машине состоит из гидроцилиндра 10 для привода запирающего клина 11 и гидроцилиндра 12 для вывода стержней 9.В случае необходимости лишь стронуть стержни, не выводя их из отливки, применяется зажимной механизм, аналогичный описанному выше. Он отличается лишь величиной хода подвижных частей. Допустимо поль10 30 зоватьс 51 для этих случаев одним и тем же комплектом.Зажимные механизмы для извлечения стержней вне машипь 1 состоят лишь из клиновых запираюпцгх устройств, без 1 идроци линдров перемещения стержней.Подготовленный в нагревательном "цилиндре...

Номер патента: 361470

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01B 19/04

Метки: инжекционного, напьленйя, порошкообразных

...пр Известны устройства для инжекционного напыления порошкообразных материалов (смол, пластмасс и т, п.) на предварительно нагретую поверхность изделий (цапример, статоров или роторов электрических машин), 5Основными узлами известных устройств являются питающий бачок вихревого типа и инжекторы - распылители, соединенные с бачком при помощи шлангов. К распылителям - инжекторам подается также сухой очищенный 1 О сжатый воздух, который, проходя через инжектор, увлекает частицы порошка напыляемого материала, находящегося во взвешенном состоянии в питающем бачке вихревого типа,Недостатком известных устройств является 15 неравномерность получаемых с их помощью покрытий, обусловленная изменением концентрации воздушно-порошковой смеси,...

Номер патента: 581850

Опубликовано: 25.11.1977

Автор: Дональд

МПК: B29G 3/00

Метки: инжекционного, формования

...способ позволяет сократить времяцикла работы машины иыжекционного прессования, т. е. повысить производительность обо.рудования. Кроме этого, появляется возможность повторного использования пресс-материала (в случае брака), так как материал впресс-форме не отверждается, П ри осуществле.нии данного способа материал не затекает нижелинии разъема охлажденной матрицы, в результате чего изделия получаются чистыми иотпадает необходимость в удалении облоя, И,наконец, прн расчете размеров матрицы нет581850 формула изобретения Составитель Л. ДрузинТехред О, Луговая Корректор Д. Мельниченко Редактор В. Дибобес Заказ 3936/2 Тираж 850 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 890558

Опубликовано: 15.12.1981

Автор: Коноплянко

МПК: H03K 19/091

Метки: варианты, инжекционного, логический, многозначный, типа, универсальный, элемент

...принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства, на фиг. 2 - то же, второй вариант. Устройство содержит первый многоканальный блок 1 дискриминаторов с регулируемыми при помощи инжекторов 2-4 с порогами 0,5; 1,5; 2,5 срабатывания соответственно, пороговые многоколлекторные транзисторы 5-7, входящие в состав первого блока 1 0558адискриминаторов, многовходовые сумматоры 8-11 тока, дополнительныетранзисторы 12-11 с инжекторами 15тока с весами, равными единице, второй многоканальный блок 16 дискриминаторов с инжекторами 17-19, регулируемыми порогами срабатывания с весами 0,5; 1,5; 2,5 соответственно,сформированный на транзисторах 20-23,10 вход 24 второго многоканального блока 16 дискриминаторов,являющийсявторым входом...

Номер патента: 892730

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Вариченко, Раков

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционного, одноразрядный, полный, сумматор, типа

...коллектор открытого третьего выходного многоколлекторнаго транзистора 6 и первый коллектор открытого первого выходного многокаллекторного транзистора 4 соединены с базой второго выходного миогоколлекторного транзистора 5, то этот транзистор закрыт. Напряжение на клеммах 10 и 11 сумьаю и переноса соответствует логическому нулю.Если хотя бы на одном иэ входов появится значение сигнала, соответствующее логической единице, то закроется третий выходной многокаллекторный транзистор 6. На клемме 10 суммы будет логическая единица. Второй выходной многоколлекторный транзистор 5 поддерживается в закрытом состоянии с помощью первого выходного мнагоколлекторного транзистора 4Если на любых двух входах значение сигнала соответствует логической...

Номер патента: 894704

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Вариченко, Коноплянко, Раков

МПК: G06F 7/52

Метки: двоичных, двухразрядных, инжекционного, типа, умножитель, чисел

...отражателя тока работает в аналоговом режиме. Следовательно, в цепочкепоследовательно включенных отражателей тока имеет место накаплинание 50 погрешности. Если накопленная погрешность в конце цепочки, составленнойиз отражателей тока, не превышаетполовины интервала квантования, товключение последовательно И Л-тран 2 55 эистора по схеме порогового детектора .ликвидирует ее, т.е. происходитобрыв цепочки накопления погрешнос- т Т аблица 2 и У разоножитель работаеисходном положенраэрядон Х 4, Хтранзисторы 1их коллекторах следующим когда зн ур Уа рав заперты и равны нулю.токи в у транзистора 14 и с третьим коллектором многоколлекторного транзистора б, база многоколлекторного транзистора 5 соединена с первыми коллекторами входных...

Номер патента: 928651

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Вариченко, Коноплянко, Раков

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционного, типа, умножитель, четверичный

...открываются все предыдущиепервые, вторые, третьи и четвертыедополнительные транзисторы 20, 21,47, 48, так как в их базы втекаюттоки инжекторов 22 с весами, равными единице, отключая тем самым от 20 баз предыдущих групп транзистороввыходных сумматоров тока 9-11 инжекторы, Транзисторы, входящие в состав1-ой группы, открываются и на пятые,шестые и седьмые дополнительные транзисторы 32-34 поступают соответствующие сигналы от данной 1-ой группытранзисторов. К выходу устройстваподключен тот сигнал, для прохожде"ния которого открыт один из допол нительных транзисторов 32-34. От инжектора. тока 41 вычитается ток колч ч лектора, которыи ограничен величинои тока, задаваемой с группы выходныхсумматоров 9-11 тока, Остаток инвертируется...

Номер патента: 959280

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Кузнецова, Раков

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционного, сумматор, типа, четверичный

...2 с нормированным порогом "3,5" и тремя коллекторами. Второй коллектор двухколлекторного инвертора-мультипликатора тока1 соединен с выходом пороговоМ.о дет:ктора 2 с нормированным порогом"1" и выходом 9 сумматора. Первыйколлектор порогового детектора 2подсоединен к выходу четырехзначного И Л вентиля 4 с нормированнымуровнем инжектируемого тока "4",выход которого подключен к входудвухколлекторного инвертора-мультипликатора тока 1. Второй коллекторпорогового детектора 2 соединен синжектором 5 с нормированным уровнеминжектируемого тока "1" и с выходом10. Третий коллектор порогового детектора 2 подключен к входу порогового детектора 3 с нормированным порогом "1",С 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 1м На входы 6 и 7 подаются сигналыв виде...

Номер патента: 1021875

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Исмиев, Ридер, Шуркин

МПК: F23D 13/24

Метки: газоподающий, инжекционного, смесителя, узел

...тепловой нагрузки горелки газовым краном приводит к падению давления перед сопловым отверстием.Наиболее близким к изобретению техническим решением является газоподающий узел инжекцнонного смесителя, содержащий корпус с патрубком подачи газа и сопловым отверстием, по оси которого установлен регулирующий шток 2.Недостатком известного устройства является низкое качество смешения из-за падения скорости потока газа по длине сопла. Целью изобретения является повышение качества смешения путем обеспечения постоянства скорости потока.Для достижения цели в газоподающем узле инжекционного смесителя, содержащем корпус с патрубком подачи газа и сопловым отверстием, по оси которого установлен регулирующий шток, в корпусе установлена диафрагма...

Номер патента: 921419

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Косичкин, Перов, Поляков, Широков

МПК: H01S 5/00, H01S 5/06

Метки: излучения, инжекционного, лазера, полупроводникового, частотой

...тока накачки. в тот же момент, но и от предыстории его из -менения.Имеется, однако, ряд закономерностей, которые позволяют, целенаправленно выбирать закон изменениятока для достижения необходимогоизменения процесса сканирования.Эти закономерности иллюстрируютсячертежами, где на фиг. 1 изображена прямоугольная форма импульса тока накачки, на фиг, 2 - изменениетемпературы активной области лазера при подаче на него прямоугольногоимпульса тока накачки на фиг. 3 -изменение тока накачки по линейномузакону, на фиг. 4 - .изменение температуры активной области лазерапри изменении тока накачки по линейному закону, на фиг. 5 - экспоненциальная форма импульса тока накачки на фиг. 6 - изменение темпера 35туры активной области лазера при изменении...

Номер патента: 1150626

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Рогозов, Чернов

МПК: G06F 7/52

Метки: двоичный, двухразрядный, инжекционного, типа, умножитель

...коллектором девятого транзистора, второй коллектор которого соединен с вторым коллектором второготранзистора, второй коллектор пятого 5транзистора соединен с базой десятого транзистора, коллектор которого соединен с выходом второгостаршего разряда умножителя, входыстаршего и младшего разрядов первого операнда которого соединенысоответственно с базами первого идевятого транзисторов, а входы старшего и младшего разрядов второгооперанда - с базами второго и . 15третьего транзисторов соответственноэмиттеры всех п-р-и-транзисторовсоединены с шиной нулевого потенциала, первые коллекторы. второго,четвертого, пятого, шестого, седьмого, восьмого и одиннадцатого транзисторов, вторые коллекторы первогои третьего транзисторов и базы де,сятого...

Номер патента: 1335984

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Рогозов, Чернов

МПК: G06F 7/52

Метки: двоичный, двухразрядный, инжекционного, типа, умножитель

...будут рагны единице 1 , поэтому с баз пороговых детекторов 7 и 11 будет отбираться ток, равный единице 1 , а так как в базы этих транзисторов инжектируются токи 0,51 то они закроются. Следовательно, на выходных шинах 18 и 19 будем иметь сигнал высокого логического уровня: 5=8,=1, 8=хУ,=О (так как х,=О), а Б =х, х, лу у =0 (так как х =0).Поэтому результат умножения двух частей (10) =2 , и (11), =3, равен (848 8,5)=(0110), -6 .Ес.пи все входные сигналы равны нулю: х,=х =у,=у=1, то пороговые детекторы 8 и 12 и отражатели 5,6,9, 10 тока будут закрыты (их коллекторные токи равны нулю), следовательно с баз пороговых детекторов 7 и 11 ток отбираться не будет. Поэтому транзисторы 7 и 11 откроются: Я=8,=8 =5 =-О.Аналогичным образом можно...

Номер патента: 1361001

Опубликовано: 23.12.1987

Авторы: Басов, Егоров, Любартович, Ясонов

МПК: B29C 45/26

Метки: инжекционного, прессования, термореактивных, форма

...фиг. 3 - конфигурация формующей полости.Форма состоит из неподвижной 1 и подвижной пол уформ. Неподвижная полуформа 1 содержит литциковое отверстие 2.1 одвижцая полуформа крепится к обогреваемой плите 3, имеющей нагреватели 4, посредством гильзы 5, с другой стороны к обогреваемой плите жестко крепится гидроцривод 6. Гидропривод 6 состоит из плунжера 7, штока 8, на свободный конец которого цавицчивается формующий поршень 9. Формуюций поршень 9, навинченный на ,ильзу, и стакан 10 формуют изделие.Форма работает следуюцим образом.Подготовленная механизмом пластикации доза расплава реактопласта впрыскивается в разогретую нагревателями 4 форму через литциковый канал 2. При этом формующий поршень 9 отходит немного назад не давая давлению...

Номер патента: 1505389

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Мазур, Моршнев, Францессон

МПК: H01S 5/06

Метки: излучения, инжекционного, лазера, модуляции, одномодового, частотно-импульсной

...элемента 10, вновь проходи г волоконный световод 8 и волоконно-оптический аттенюатор 9 и через объектив 7 поступает обратно В лазерцмй резонатор, ограниченный отражательными торцамц 3 и 4.Долямощности излучения, возвращаемого обратно н лазерный резонатор, определяется выра)ециемРос1 л 55 50 где Рл мощно ть, снимаемая с торца ) )оа. гцого лазера 1; 3 15053 ки полки)чец Ъо)окоццый световод 11 лцццц связи. Физические данные злемецто следующие: 1 л длина лазерцого р .зоцатора 1 - длина эаэорл.5 между лазером 1 и согласуюяим объективом 7, 1) - длина объектива 7, 1 - ноздушцый зазор между объективом 7 и волоконным снетонодом 8, 1 - длина волоконного световода 8.Предлагаемый способ реализуется следующим образом;Одномодовый инжекционный...

Номер патента: 1805440

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Белов

МПК: G02F 1/29

Метки: внутренней, излучения, инжекционного, лазера, модуляции

...снижает перенос энергии и, благодаря пространственному совпадению в волноводе максимумов акустического давления и напряженности поля генерируемой световой волны, увеличивает экономичность модуляции излучения устройства,Под центром оптического волновода подразумевается область, где находится максимум напряжен ности электрического или магнитного поля световой волны (в зависимости от ее типа).Устройство обладает на 1,4 порядка выше экономичности модуляции излучения по сравнению с аналогичным устройством, конструкция которого позволяет реализовать режим модуляции бегущим акустическими волнами с той или иной степенью бегучести. При этом мерой экономичности являются затраты мощности, например, акустической волны, требуемые для достиженил...

Номер патента: 1831427

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Тадаеси, Татсудзи, Ясухико

МПК: B29C 45/04

Метки: инжекционного, прессованием, формования

...температуру и давление регулируют таким образом, чтобы охладить термопластичную смолу так, чтобы поддерживать динамическую жесткость смолы при нормальном давлении и температуре.На фиг.2 представлен поперечный разрез устройства для инжекционного формования с прессованием согласно одному из вариантов осуществления данного изобретения.Устройство для инжекционного формования согласно данному изобретению образуется рамой 1 в форме коробки, и рама 1 30 35 разделена на камеры 2, 3, 4 и 5 с помощьюразделительных стенок,40 Камера 2 представляет собой емкость для масла, которая наполнена маслом и в которой расположен масляный гидравлический насос 6,В камере 3 расположен мотор 7 для привода масляного гидравлического насоса 6, который...

Номер патента: 1204101

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Алавердян, Жуков, Конников, Миронов, Филипченко

МПК: H01S 3/18

Метки: инжекционного, лазера, полупроводникового

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИНЖЕКЦИОННОГО ЛАЗЕРА полосковой геометрии, включающий в себя осаждение на плоскость (001) лазерной структуры слоя диэлектрика, вытравливание в слое диэлектрика полоскового окна, нанесение на структуру омического контакта, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и процента выхода годных приборов, вытравливание полоскового окна проводят по направлению кристаллографической оси определяемой пересечением плоскостей (001) и где W ширина полоскового окна, L длина лазерного кристалла.

Номер патента: 1831213

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Давыдова, Лобинцов, Рыжов, Успенский, Шишкин

МПК: H01S 3/19

Метки: инжекционного, лазера

...возможно использование более простых контактов типа Т 1 Ац или баАи вместо пятислойного контакта в прототипе,Наконец, предложенное анодное окисление нарушенной ионно-химическим травлением рельефной поверхности с последующим сел ективным удалением окисной пленки мягким жидкостным травлением направлено на повышение долговечности лазера, Дело в том, что толщина удаляемой пленки (0,12 - 0,15 мкм) превышает толщину нарушенного ионной бомбардировкой слоя. Таким образом устраняется источник диффузии точечных дефектов в активную область из нарушенного слоя, которые и приводят к медленной деградации лазеров. Хотя операции, используемые в заявке на 50 / идентичны1831213 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ операциям прототипа, а вскрытие окон в изоляторе...