H01J 27/20 — с использованием бомбардировки частицами, например ионизаторы

Катодный узел ионного источника

Загрузка...

Номер патента: 238672

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Дмитриев, Калмыков, Ковальский

МПК: H01J 1/20, H01J 27/20

Метки: ионного, источника, катодный, узел

...плоскости эмиттера обеспечивают такое распределение температуры по радиусу эмиттера, при котором плотность тока эмиссии на внешнем диаметре превышает плотность тока в центре в 6 - 8 раз.Подогреватель д - дополнительный, Его назначение - изменять в процессе работы соотношение плотностей тока эмиссии на внешнем диаметре эмиттера и в центре. Характер распределения плотности тока по радиусу при этом не меняется.Катод собран в корпусе 5, Токоподводы 6 основного подогревателя - трубчатые, их расположение обеспечивает наииеньшее собственное магнитное поле катода в рабочей области.Диафрагма 7 препятствует попаданию газа из разрядной камеры в область подогревателей, которая открыта в сторону вакуумной откачки. Такая конструкция обеспечивает...

178917

Загрузка...

Номер патента: 178917

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Ехичев, Карнаухов, Слабоспицкий

МПК: H01J 27/20, H01J 3/02

Метки: 178917

...электронов, движущийся соосно с атомарным пучком. Управляющий электрод 3 соединен как единое целое с экраном 4. Коллектор 5 также соединен с экраном 4 Источник ионов укреплен при помощи флянца 6. Все электроды выполнены из меди и крепятся на молибденовых стержнях, поверх которых надеты изолирующие трубкииз кварца. Электроны ускоряются до 1000 - 1500 в и,проходя через отверстие в аноде, попадают в тормозящее поле, Через отверстие в управляющем электроде, расположенном на расстоянии 3 - 5 мм от анода, электроны выходяг с энергией в 200 эв и снова попадают в тормозящее поле между управляющим электродом и коллектором электронов, расстояние между которыми равно 60 - 80 см. Положительные 10 ионы, образованные в этом пространстве, врезультате...

Чувствительный элемент интегрального полупроводникового преобразователя

Номер патента: 708891

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Ваганов, Носкин

МПК: H01J 27/20, H01J 41/10

Метки: интегрального, полупроводникового, преобразователя, чувствительный, элемент

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, состоящий из монокристалла кремния, в котором сформированы тензочувствительные компоненты, соединенные лежащими на одной поверхности кристалла токоведущими дорожками между собой и с контактными площадками, к которым присоединены внешние проволочные выводы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения геометрических размеров, на указанной поверхности кристалла выполнены канавки, дно и боковые стенки которых покрыты слоем диэлектрика и в которых расположены контактные площадки, причем глубина канавок превышает диаметр выводов.

Ионный источник

Номер патента: 1611148

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Коновалов, Никонов, Царев

МПК: H01J 27/20

Метки: ионный, источник

1. ИОННЫЙ ИСТОЧНИК, содержащий разрядную камеру, систему формирования ионного пучка, входной и выходной электроды которой электрически связаны, а также камеру нейтрализации с входом и выходом для ионного пучка и с отверстиями для ввода нейтрализующего газа, отличающийся тем, что, с целью снижения расходимости пучка, в источник введены дополнительный кольцевой электрод, установленный на выходе камеры нейтрализации, и дополнительный источник электропитания, отрицательный полюс которого соединен с камерой нейтрализации, а положительный заземленный полюс с дополнительным электродом.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что в него введен второй дополнительный источник электропитания, отрицательный полюс которого соединен с входным и...