Способ изготовления объемно-пористого анода оксидно полупроводникового конденсатора
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТОГО АНОДА ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий приготовление порошка из материала, содержащего ниобий или тантал, или их сплав, или сплав ниобия или тантала, с молибденом или вольфрамом, прессование анодов из порошка, спекание и оксидирование, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного заряда, снижения токов утечки и снижения материалоемкости, для приготовления порошка используют материал, дополнительно содержащий водород в количестве 0,05 - 1 мас. % , а перед спеканием проводят выдержку анодов при 600 - 850oС в течение 15 - 30 мин, причем спекание проводят при 1000 - 1600oС.
Описание
Целью изобретения является повышение удельного заряда, уменьшение токов утечки и снижение материалоемкости анодов, изготавливаемых из дефицитных материалов - ниобия, тантала и их сплавов.
Впервые найден новый по своему химическому составу матерал, который в данных условиях спекания обеспечивает не только компактирование анодной таблетки, но и рафинирование ее от примесей внедрения с одновременным разрыхлением структуры. Этим новым свойством не обладает ни один из известных способов изготовления ОПК (оксидно-полупроводникового конденсатора).
Использование предлагаемого способа существенно меняет такие свойства ОПК, как удельный ток утечки (0,001 мкА/мкКл), удельный заряд (20000-25000 мкКл/г).
Операцию спекания ведут при температуре ниже традиционной на 400-500оС.
Другим очень важным фактором является снижение материалоемкости, что позволяет повысить технико-экономические показатели технологии изготовления ОПК, снизить расход ниобий (тантал) - содержащего порошка на один ОПК в 4-5 раз, что приводит к существенной экономии дефицитного и дорогостоящего материала. Повышенные емкостные характеристики достигаются при использовании данных исходных материалов осколочной формы, которая имеет хорошую текучесть и в 10 раз ниже себестоимость, чем алгомерированные порошки.
При содержании в металле водорода менее 0,05 мас. % не происходит эффективного рафинирования порошкового материала от углерода, азота, кислорода, которые атомарный водород, находящийся в металле и высвобождаемый при спекании анода, связывает в летучие соединения СНх, NHy, H2O. При этом токи утечки не снижаются, а остаются высокими, емкость конденсатора не увеличивается, усадка остается высокой.
При содержании водорода более 1,0 мас. % структура измельченного материала имеет пластинчатую форму вместо сферической, что приводит к переизмельчению материала. При изготовлении анодов из такого материала удельный заряд не достигает максимальных величин и равняется 14800 мкКл/г, а токи утечки - 55 мкА/г.
При температуре спекания ниже 1000оС анодная таблетка не имеет достаточной механической прочности, не происходит прочного спекания порошка и проволочного токоввода с порошком. Получаются бракованные аноды.
При температуре спекания выше 1600оС увеличивается усадка анода, емкость резко падает.
Промежуточная выдержка анодной таблетки при спекании при 600-850оС в течение 15-30 мин вызвана необходимостью выделить атомарный водород из материала. При выделении атомарного водорода должна произойти реакция взаимодействия его с примесями внедрения и разрыхление структуры анода. При температуре ниже 600оС и времени менее 15 мин данный эффект не наблюдается. При температуре выше 850оС и времени более 30 мин происходит резкое выделение водорода, что приводит к механическим поверждениям анода; появляются трещины, сколы, разлом таблетки.
П р и м е р 1. В порошковый материал, содержащий заявленное количество водорода, вводят связку (4% спиртовой раствор камфоры) и прессуют из него анодные таблетки массой 0,2+0,010 г высотой 8,2+0,01 мм при удельном давлении прессования 550 гкс/см2 (5,4

Спрессованные аноды спекают в электропечи типа СШВЛ по следующему режиму: нагревают их до 800оС и выдерживают при этой температуре в течение 30 мин, после чего температуру поднимают до 1350оС и осуществляют спекание в течение 30 мин. Разгружают печь при температуре не выше 100оС.
Спеченные аноды приваривают к танталовой планке или прутку диаметром 3 мм. В формовочную ванну заливают электролит - 1% -ный раствор ортофосфорной кислоты. Удельное электросопротивление электролита проверяют перед каждой формовкой. Оно должно находиться в пределах 100-130 Ом

По окончании формовки аноды тщательно промывают горячей (40-60оС) обессоленной водой в течение 15-30 мин, сушат 30-60 мин при 130оС и охлаждают на воздухе и проводят измерение электрических характеристик.
У сформованного анода определяли емкость, ток утечки и тангенс угла диэлектрических потерь и по ним вычисляли удельный массовый заряд по уравнению:
Qуд = CUф/m, где Qуд - удельный заряд анода, мкКл/г;
С - емкость анода, мкФ;
Uф - формовочное напряжение, В;
m - масса анода, г; и удельный ток утечки по уравнению:
Iуд = I/Qуд, где Iуд - удельный ток утечки, мкА/мкКл;
I - ток утечки, мкА.
Данные приведены в табл. 1.
П р и м е р 2. Порошок ниобия дисперсностью мене 10 мкм, с содержанием водорода 0,088 мас. % прессовали в анодные таблетки массой 200 мг, спекали в вакуумной печи при температуре 1350оС в течение 30 мин с промежуточной выдержкой при 800оС в течение 30 мин. Спеченные аноды оксидировали в 1% -ном растворе ортофосфорной кислоты при плотности тока 30 мА/г, формовочном напряжении 60 В в течение 3 ч.
Далее изготовление конденсаторов вели по действующей технологии изделия К534, включающей электрохимическую обработку анодов в расплаве солей, пиролиз с добавкой перхлората аммония в нитрат марганца, пайку-тренировку, принудительное увлажнение. В качестве переходных покрытий наносились ЛСС и гальваническая медь по технологии изделий К53-1А.
Данные приведены в табл. 2.
П р и м е р 3. Была исследована воспроизводимость способа при использовании различных сплавов. Аноды изготавливались аналогично примеру 2. Результаты приведены в табл. 3.
Проверка электропараметров полученных конденсаторов показала, что они имеют общий высокий процент выхода одных (80,1% ) при большом производственном запасе по току утечки.
Таким образом, данный способ позволяет получить следующий положительный эффект по сравнению с прототипом: снизить токи утечки с 50-80 мкА/г до 1-5 мкА/г; повысить удельный заряд в 4-5 раз; снизить энергозатраты на производство ОПК на стадии спекания на 25-30% ; снизить материалоемкость на изготовление одного конденсатора в 4-5 раз, заменить дефицитный танталовый токовывод на ниобиевый. (56) Авторское свидетельство СССР N 1342317, кл. H 01 G 9/05, 1986.
Новые процессы и материалы порошковой металлургии. / Под ред. Л. Х. Явербаума. - М. , Металлургия, 1983, с. 254.
Изобретение относится к технологии элементов радиоэлектроники и может быть использовано в производстве оксидно-полупроводниковых конденсаторов. Аноды изготавливаются прессованием порошка материала, содержащего ниобий или тантал, или их сплав, или сплав ниобия или тантала с молибденом или вольфрамом, дополнительно содержащего водород в количестве 0,05 - 1 мас. % . Аноды загружаются в печь, и после выдержки при температуре 600 - 800С в течение 15 - 30 мин, производится спекание при 1000 - 1600С, преимущественно 1350 С в течение 30 мин. После остывания анодов до 100С производится разгрузка печи и электрохимическое оксидирование в 10% растворе ортофосфорной кислоты при удельной плотности тока 30 мкА/г. Затем производится промывка анодов в обессоленной воде при 40 - 60С, в течение 15 - 30 мин и сушка при 130С в течение 30 - 60 мин. Использование материала указанного состава обеспечивает рафинирование примесей из анода и разрыхление его структуры, что позволяет получить аноды с удельным зарядом 20 - 25 мКл/г и удельным током утечки 0,01 мкА/мкКл.
Заявка
4365593/21, 03.12.1987
Елютин А. В, Воробьева Н. С, Патрикеев Ю. Б, Елютин В. А, Ковалев В. В, Розанов А. И, Цыплакова Л. Н, Пшеницын С. В, Ринас А. Э, Скоморохов В. К, Зверик Н. Е
МПК / Метки
Метки: анода, конденсатора, объемно-пористого, оксидно, полупроводникового
Опубликовано: 28.02.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1556422-sposob-izgotovleniya-obemno-poristogo-anoda-oksidno-poluprovodnikovogo-kondensatora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления объемно-пористого анода оксидно полупроводникового конденсатора</a>
Предыдущий патент: Материал для анодов электролитических и оксидно полупроводниковых конденсаторов
Следующий патент: Способ запуска двигателя внутреннего сгорания
Случайный патент: Диаметральный вентилятор