Патенты с меткой «полупроводникового»

Номер патента: 732917

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Валитов, Жидков, Осинцев, Сыромятников, Усачев

МПК: G06G 7/62

Метки: моделирования, полупроводникового, элемента

...модели и тохом базы транзистора, а следовательно, и выходным током транзистора и происходит изменение коэффициента передачи тока модели транзистора. При этом входные и выходные характеристики модели остаются такими же, как в случае реального транзистора. 35 40 Предлагаемое устройство для моделиро. вания полупроводникового элемента по сравнению с лучшими образцами аналогичного оборудования позволяет повысить точность моделирования изменений коэффициента передачи тока без изменения остальных характеристик транзистора. Ъформула изобретения Устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее операционный усилитель, в обратную связь которого включен делитель напряжения, выход операционного усилителя через преобразователь...

Номер патента: 763751

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Кон, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, слоя

...того, кривые дифракционных отражений от исследуемой и ненарушенной поверхности монокристалла получают с помощью поляризованных пучков рентгеновского излучения.и Чтобы пояснить физическую сущностьпредлагаемого способа, рассмотрим модель,описывающую дифракию на тонких кристаллических слоях. Кристалл (подложка)представляет собой плоскопараллельнуюплаСтину с идеальной кристаллической решеткой, на поверхности которой находитсянарушенный слой толщиной 1, При этомслой считается слабо отражающим. Этосправедливо при условии, когда толщина слоя 1.н меньше экстракционнойзь длины кристалла Еэ, которая в геометрии Брэгга зависит от порядка отраженияи величины структурной амплитуды. Рассеяние в такой ситуации описывается кинетической теорией....

Номер патента: 774485

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Бейлинсон

МПК: H01L 23/32

Метки: панель, полупроводникового, силового, узла, устройства

...термопары,На чертеже представленаложенного устройства. Устройство содержит изме1, электроды 2 и измеритель Устройство работает следуПредварительно нагретые электроды 2 измерительного щупа 1 приводятся в тепловой и электрический контакт со свободными концами контролируемой термопары в соответствии с заводской маркировкой термопары. Например, при контроле термопары типа ХА материалом одного электрода измерительного щупа должен быть хромель, материалом другого электрода измерительного Шупа - соответственно алюмель, 10 при контроле термопар типа ХК - соответственно хромель и конель.Контактирование электродов 2 щупа 1 со свободными концами тсрмопары должно производиться таким образом, чтобы хро мелевый электрод измерительного шуца...

Номер патента: 783907

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Беленький, Заверюха, Смирнов

МПК: H02H 7/10

Метки: вентиля, датчик, полупроводникового, состояния

...включен между соединительными входными зажимами и отрицательной шиной питания микросвжы,На чертеже представлена схема датчика.Если контролируемый силовой вентиль включен, напряжение на входе датчика равно остаточному напряжению на вентиле и недостаточноущ того, чтобы стабилитрон 1 вошел в зону стабилизации, Ток базы транэистстрв 2 мвл и ток эмиттера недостаточен для свечения светодиода оптрона 3. Неосвещенный фототиристор заперт, что соответствует логической единице на входе интегральной схемы И-НЕ 4 и логическому нулю на ее выходе. Если контролируемый вентиль выключен, входное напряжение датчика достаточно для того, чтобы стабилитрон 1 вошел в зону стабилизации. Эмиттериый токИсточники информации,принятые во внимание при...

Номер патента: 788050

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Бобров, Соболев

МПК: G01R 31/26

Метки: вентиля, внутреннего, полупроводникового, силового, сопротивления, теплового

...силовогополупроводникового вентиля с паянными контактами и одностороннимохлаждением измеряют и сравниваюттемпературы основания корпуса и гиб 25 кого силового вывода в месте его запрессовки, а предельно допустимоезначение теплового сопротивления фиксируют в момент появления превышениятемпературы гибкого силового выводаЗо над температурой корпуса,Всесоюзный ордена Трудоного Красного Знамени научноисследовательский институт железнодорожного транспортаЗаказ 8345/53 Тираж 1019 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Суцность предлагаемого способа контроля внутреннего теплового сопротивления силового...

Номер патента: 788262

Опубликовано: 15.12.1980

Автор: Матвеев

МПК: H02H 7/10

Метки: блока, вентилей, высоковольтного, поврежденных, полупроводникового, числа

...К опорному вентилю и низковольтному плечу делителя 1 подключены разнополярные относительнообщего провода входы несимметричных выпрямителей 3 и 4 с удвоением напряжения,выходы которых через резисторы 5 подключены к одной из обкладок конденсатора 6, Вторая обмотка конденсатора 6 соединена с общим проводом. К точке соединения резисторов 5 и конденсатора 6 подключен эмиттер однопереходного транзистора 7, межбазовый промежуток и нагрузка 8 которого788262 Составитель В. Литвиненко Редактор Ф.Муха Техред А. Бойкас Корректор Ю.Макаренко Заказ 8369/64 Тираж 733 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4подключена...

Номер патента: 791260

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Вольфганг, Ханс

МПК: C30B 13/22

Метки: бестигельной, зонной, плавки, полупроводникового, стержней

...конденсаторами 2, также соединенными с выходом высокочастотного генератора полыми трубами 3. Конденсаторы 2 расположены на медных пластинах 4 и 5, в которых имеются каналы 6 и 7 для протекания воды и помещены в герметичную камеру 8, заполненную трансформаторным маслом.Герметичная камера 8 жестко подсоединена к генератору полой трубой 9, Конденсаторы установлены на Ц -образные изогнутые радиаторы 10 из меди.Медные пластины 4 и 5, между которыми находятся конденсаторыскреплены посредством изолированных стержней 11 на плите 12 герметичной камеры 8. Высокочастотные каналы 6 и 7, выполненные в виде змеевиков охлаждения,подводят холодную воду к коаксиальному проходному каналу 13. При этом внутренний проход канала 1 3 соединен винтами с медной...

Номер патента: 828051

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Александров, Арефьева, Котов

МПК: G01N 27/02

Метки: газас, концентрации, полупроводникового, помощью, чувстви-тельного, элемента

...напряжений источников тока нагрева. При этом уменьшение потенциала исто - ника 4 компенсируется соответствующим увеличением потенциала источника 5, для того чтобы суммарная мощность, подводимая для нагревания чувствительного слоя до заданной температуры, оставалось пеиз. мееной.На входе схемы измерения проводимости устанавливается напряжение, равное нулю - (7, = О. Операция установки нуля проводится в атмосфере чпстого воздуха, т. е. при подаче сравнительного газа к чувствительному элементу.Процесс компенсации распределсшого потенциала поясняется с помощью схем", устройства, приведенной на фпг. 2. Устройстго включает также сопротивления 7 и 8 нагревательных электродов, мекэлектродные сопротивления 9 и 10 полупроводникового...

Номер патента: 862308

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Макаров, Тимурджи

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, полупроводникового, прибора, силового

...блок и выхоцной органЩНедостатком этого устройства являются его большие габариты.1Наиболее близким к предлагаемому по техническим средствам и достигаемо- му результату является устройство для защиты силового полупроводникового прибора, соцержащее выполненный на трансформаторе датчик тока защищаемого прибора, подключенный к аналоговой моцели тепловых процессов, состоящей из КС-цепочек, резисторы которык подключены к вторичным обмоткам трансформатора, а конценсаторы включены послецовательно и поцключены к реагирующему органу 121Однако это устройство имеет невысокую точность, так как в нем не учитыва кци ревышатносится к области зиупроводниковых прибоЯ ЗАШИТЫ СИЛОВОГОИКОВОГО ПРИБОРАУстройство для зашиты силового полупроводникового...

Номер патента: 862309

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Макаров, Тимурджи

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, полупроводникового, прибора, силового, токовой

...На чертеже приведена блок-схеме устройства.Устройство состоит из датчика тока 1 через защищаемый прибор, к выходу кото.рого подключены делители напряжения 2 и 3, выходы которык присоединены к входу сумматора 4, причем выход делителя 2 непосредственно, а делителя 3 - че квадратор 5. Выход сумматора соедине с вкодом аналоговой тепловой модели 6 тепловых процессов, выкод которой под. ключен к выходному органу 7 и блокам управления 8 и 9, выпслненными на операционных усилителяк,3 862Яапряжение с выхода датчика 1 через делители 2 и 3 и квадратор 5 подается на вход сумматора 4, на выходе которого напряжение пропорционально мощности потерь в защищаемом приборе. Напряжение на выходе модели 6 пропорционально температуре"- И...

Номер патента: 881898

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Валитов, Волков, Зельцер, Осинцев, Пестрякова, Светцов, Сыромятников, Уманский

МПК: H01L 29/00

Метки: моделирования, полупроводникового, элемента

...нагрузки выхоДной транзистор 9, диода 10, включенного между коллектэром выходного транзистора 9 и инвертирующим входом. Между базой устройства и базой выходного транзистора 9 включена емкость 11. За базу устройства принимается инвертирующий881898 Формула изобретения Составитель В,Юдинаедактор Л. Тюрина Техред С.Мигунова Корректор М.Шарош аказ 9988/81ВНИИПИ Гопо дел113035, М 787венного комибретений и оЖ, Раушск Подписно ета СССР Тир дар м и ква ыти я, наб., д лиал ППП "Патент", г.ужгород, ул. Проектна вход, за эмиттер и коллектор - соответствующие выводы выходного транзистора 9,В базу устройства, являющуюся инвертирующим входом ОУ 1, задаетсявходной ток, проходящий через переменный резистор 2 и вызывающий навыходе напряжение...

Номер патента: 894501

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Завьялова, Имамов, Ковальчук, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, рентгеновский, слоя, спектрометр, способа, трехкристалльный

...от друга на 180Ба чертеже показана схема спектрометра. Способ осуществляется следующим образом.На первом этапе реализации первые два кристалла являются монохромато-. рами, а третий кристалл исследуемый. В этом случае получают трехкристальные собственные кривые отражения, не искаженные инструментальной ошибкой. При съемке нарушенного слоя кривая дифракционного отражения содержит хвосты, интенсивность ко" торых складывается, в общем случае,из интенсивности динамического рассеяния и интенсивности диффузного рассеяния на дефектах в нарушенном слое. Затем измеряют кривую дифракционного отражения от идеального кристалла, используя, например, об"ратную ненарушенную сторону исследуемого монокристалла.Затем, на втором этапе, исследуемый...

Номер патента: 896581

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Соболев, Шмидт

МПК: G01R 27/08

Метки: параметров, полупроводникового, сопротивления, статистических, удельного

...предлагаемого способа 5 обеспечивает по сравнению с известными способами определение достоверности значения удельного сопротивления в окрестности выбранной точки; при заданной надежности повышение точности определения;о выделение дисперсии неоднородностиобусловливающую в известных способах дополнительную погрешность и увеличивающую с ростом измеряемого удельного сопротивления, характеристику степени неоднородности полупроводникового материала по направлениям, проходяпцца через выбранную точку.формула изобретенияСпособ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала, заключающийся в том, что на плоскую шлифовальную поверхность неоднородного полупроводника устанавливают систему...

Номер патента: 901704

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Гиманов, Гоганов, Захарченко, Сиухин

МПК: F17C 3/00

Метки: детектора, излучения, криостат, полупроводникового

...в спектральных пиках к счету в Фоне Со Звременем это приводит к заметному снижению чувствительности анализа,в особенности для легких элементов.Цель изобретения - увеличение срока службы при стабильной работе охлаждаемого детектора излучения засчет предотвращения загрязнения детектора,Поставленная цель достигается тем,что в криостате для полупроводникового детектора излучения конец хладопровода, соединенныи с детектором, выполнен с винтовой канавкой, в которой размещен слой сорбента,На фиг. 1 изображен криостат, общий вид; на фиг. 2 " узел 1 на фиг. 1Криостат содержит наружный вакуум"ный кожух 1 с рабочей камерой 2, ва"куумный объем 3, сообщающийся с объемом рабочей камеры 2, радиационный рзэкран 4, криоадсорбционный насос 5,служащий...

Номер патента: 917241

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Кущенко, Мысин, Сливканич, Шатохин

МПК: H01L 21/00, H01L 21/98

Метки: бусой, вывода, полупроводникового, прибора, сборки

...диаметра бусы, Загрузчик бус состоит из коробчатого основания 4 и размещенного в нем подпружиненного шибера 5, в кото рых выполнены отверстия для прохода бус 6. В одной из углов основания 4 имеется окно 7 для удаления нижних бус 6 из загрузчика. Кассета состоит из трех плит 8-10, в которых выпол нены отверстия для размещения выводов 2, расположенные в соответствии с расположением отверстий трафарета 3 и загрузчика бус. Плита 8 снабжена колонками 11 и пазом для размещения 15 планки 12, а плита 9 - отверстиями для сопряжения с колонками 11 плиты 8, отверстия для размещения выводов 2 в ней выполнены ступенчатыми с образованием гнезд для размещения бус 6, Дополнительная плита 10 снабжена элементами сопряжения с кассетой, выполненными в виде...

Номер патента: 938218

Опубликовано: 23.06.1982

Автор: Каваляускас

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонного, запрещенной, зоны, полупроводникового, слоя, ширины

...неточны или весьмасложны.Устройство для реализации предлагаемого способа (фиг. 4) содержит мо нохронометр 1,оптический криостат 2,фотоприемник 3, селективный усилительсинхронный детектор 5, самописец 6.Устройство работает следующим образом, зюВ оптический криостат 2 помещают исследуемый образец и охлаждают до . температуры близкой к 77 К. Узкий пучок монохроматического излучения модулируют по длине волны с частотойЗ 5 Я. при помощи кварцевой пластинки, установленной перед выходной щелью монохроматора 1, и направляют на узко- зонную сторону варизонного слоя под углом близким к нормальному (1 О ) . Отражение от слоя излучения направляют на фотоприемник 3, сигнал от которого усиливают селективным усилителем 4, настроенным на...

Номер патента: 951202

Опубликовано: 15.08.1982

Автор: Маловик

МПК: G01R 31/28

Метки: параметров, полупроводникового, стабилизатора

...усилитель 11 строятся на базе дифференциального линейного стабилизатора напряжения, аблок 7 формирования и запоминаниявключает в себя преобразователь последовательного счета,Устройство контроля статическихпараметров стабилизаторов напряженияобеспечивает измерение и регистрацию точности установки выходного напряжения, статической нестабильности выходного напряжения при измерениитока нагрузки и напряжения питания.Работа устройства основана на автоматической подстройке источника эталонных напряжений, что позволяетисключить влияние точности установкивыходного напряжения на результатыконтроля статической нестабильности,Устройство работает следующимобразом.Напряжение с выхода контролируемого стабилизатора поступает на блок4 нагрузок и блок 5...

Номер патента: 951436

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Куфман, Марченко, Нестерова, Потапенко

МПК: H01G 13/00

Метки: аноды, конденсаторов, нанесения, полупроводникового, слоя

...1 с закрепленными на нем кассетами 2, на которых устанавливаются изделия 3 - аноды конденсаторов. На верхнейветви конвейера 1 расположены основная ванна 4, печь пиролиза 5 и дополнительная ванна 6, а на нижней ветви - дополнительная печь пиролиза 7. Каждая ванна 4 и 6 снабжена трубопроводами 8 дляподачи воды и противточного раствора, соединенными с ваннами патрубками 9, посредством отверстий 10.На каждой ванне 4 и 6 смонтирован механизм удаления излишков раствора, выполненный в виде эластичного скребка 11,шарнирно установленного над ванной посредством оси 12, в опорах 13. На свободном конце оси 12 установлен противовес 14.Устройство работает следующим образом,Кассеты 2 с анодами 3, установленнымивыводами вверх, закрепляют на...

Номер патента: 955202

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, полупроводникового, устройства

...для полупроводникового запоминающего устройства.Поставленная цель достигаетсявведениемшунтирующих элементов, выполненных на диодах, аноды которых 5подключены к соответствующим разрядным шинам, а катодыявляются дополнительным управляющим входом наКопителя.На чертеже представлена блок-схема 0накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.Накопитель содержит массив элемен.тов 1 памяти, соединенных адресными2 и разрядными 3 шинами, генераторы4 тока, управляющие элементы 5, вы. -полненные на транзисторах, шунтирующие элементы 6, выполненные на диодах,Схема работает следующим образом,В режиме хранения ток, задаваемыйгенераторами тока 4, равномерно распределяется между инжекторами всехэлементов памяти. В режиме считываниявыбор...

Номер патента: 957449

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Котляревская, Курский, Лабковский, Свидерский, Ткаченко, Фейгельман

МПК: H05K 7/20

Метки: аппаратуры, высоковольтного, охлаждением, полупроводникового, преимущественно, преобразователя, принудительным, радиоэлектронной, шкаф

...и испарителей тепловых трубок охладителейрасположены поэтажно, параллельно осОнованиям корпуса.На Фиг,1 изображен шкаф, разрез,общего вида спереди. "на фиг.2 - тоже, вид сбоку; на фиг.3 - полупроводниковый элемент, например тиристор,. 35с охладителем.Шкаф содержит корпус 1 прямоугольной формы, размещенные в нем полупроводниковые элементы (тиристоры 1 2таблеточного типа с испарительным 40охлаждением и охлаждающий элемент 3,например вентилятора, и расположенныйсо стороны одного из оснований верхнего 4 и нижнего 5 корпуса 1. Полупроводниковые элементы 2 снабжены 45охладителями, выполненными в видетепловых трубок б и установлены в корпусе 1 шкафа по столбовому принципу,т.е, образуют столбы, в которых полупроводниковые элементы 2 зажаты...

Номер патента: 960949

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Кассихин, Романов

МПК: G11C 8/10

Метки: адресный, дешифратор, запоминающего, полупроводникового, постоянного, устройства

...высоким потенциалом по шине 43 (равнымпотенциалу первой шины питания ,беэ искажения передают высокий потенциал выборки в узле 29 на выходныешины 36 и 37. Нагрузочные транзисторы 408 и 9, 14 и 15 способны из-эа самоограничения тока при потенциалевторой шины 42 питания, равном потенцюалу общей шины при считывании онможет быть также равен потенциалу 45первой шины 40 питания)лишь в совершенно незначительной степени исказитьвыходные потенциалы, отклонив их отзначения потенциала первой шины питания. От этого потенциала заряжаетсятакже узел 31 через транзистор24 в диодном включении, но сверх небольшого тока заряда емкости узла 29в течение короткого времени никакогодругого тока через него больше непротекает.Пусть теперь адресные...

Номер патента: 963005

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Андреев, Баранов, Валитов, Волков, Зельцер, Каширин, Пестрякова

МПК: G06G 7/62

Метки: моделирования, полупроводникового, элемента

...объединены и являются коллекторным выво-дом устройства, анод выпрямительногодиода подключен к базовому выводувходного усилительного транзистора,а катод выпрямительного диода подключен к первому выводу корректирующегорезистора, второй вывод которого и 35второй вывод переменного резистораобъединены с эмиттерным выводом дополнительного усилительного транзистора и являются эмиттерным выводомустройства, база дополнительного 40усилительного транзистора соединенас подвижным выводом переменного резистора, а база входного усилительного транзистора является базовымвыводом устройства, 45На чертеже представлена электрическая схема устройства.Устройство состоит из входногоусилительного транзистора 1, дополнительного усилительного транзистора 2,...

Номер патента: 730227

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Волле, Воронков, Грехов, Левинштейн, Сергеев, Чашников, Яссиевич

МПК: H01L 31/16

Метки: переключения, полупроводникового, прибора

...способу,оснещенив описанных выше структур произ водят со стороны слаболегированцого базового слоя, что позноляе. устранить потери света, связанные с нефотоактин. цым поглощением ца примесях н сильнолегиронацном слое и усиленным поглощением н области сильного поля у рИ -перехода (эффект Франца-Келдыша) . В слаболегиронанном слое ицтенсинность света падает по закону 1(х) -енр Г Ы(Л) х 3,О а концентрация гецерируеьд.:х светом носителей - по законуН(х) - КЕКрГ-Ы(Л) х 3 где с( Л) - коэффициент поглощения н материале освещаемого слоя, занисящий от длины волны;- интсц: ивность освещения на поо верхности; й - поверхностная концентрация геб нерируемых светом носителей, Длину волны света выбирают из условия р(Л) Н1-2, где И - толщина...

Номер патента: 968595

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Арман, Берзин, Медвидь, Миезитис

МПК: G01B 7/16

Метки: кристалла, полупроводникового, формы

...размещают вэлектростатическом поле, направле 40 ние которого перпендикулярно к направлению вектора напряженности магнитного поля, поворачивают кристаллвокруг оси, параллельной направлениювектора напряженности электростати 45 ческого поля на 360 , получают зависимость силы тока от угла поворота кристалла и по ней определяютформу кристалла.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе50 1, мето , неразруш ,щих испыта11 иний. Под ред. Р.,Шарпа. М., Мир1972, с. 82-83.2. Ягудин Г.Х., Шибаев Л.Л.,Пономаренко О. НБесконтактные ме55 год нераэрушаюцего контроля электрофизических параметров полулроводниковых структур, ЦНИИ "Электроника", М., 1973 (прототип). силы тока 3 от угла поворота длякристалла, имеющего форму прямоугольной...

Номер патента: 985770

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Морозова, Хазен

МПК: G05D 23/19

Метки: полупроводникового, преобразователя, силового, температуры

...разделяющие охладители анодной и катодной сторон силовых полупроводниковых элементов и образующие каналы, причем вход и выход каналов, в которых расположены охладители анодных сторон силовых полупроводниковых элементов, соединены с окружающей средой и с магистралью соответственно, а вход и выход каналов, в которых расположены охладители катоднцх сто" рон силовых полупроводникойых элементов, соединены с окружающей средой50 Источники инФормации, принятые во внимание. при экспертизе 3 985770тилятор и регулирующий орган, связанный через блок регулирования с датчиком температуры силового полупроводникового элемента, в воздуховодеустановлены вертикальные перегородки, разделяющие охладители аноднойи катодной сторон силовых полупро,...

Номер патента: 989754

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Афанасьев, Белолугов, Гладков, Самохвалов, Солин

МПК: H05B 6/46

Метки: диэлектрического, нагрева, полупроводникового

...энергии от частоты не зависит,Электропроводность диэлектриков и полупроводников на постоянном токе возрастает при увеличении температуры по экспоненциальному закону 55о - 60 ехр (Хотя в некоторых случаях к также зависит от частоты (например в случае ФШ ьбольшинстве случаев потери, обусловл.ные с процессами поляризации, возрасЗтают с увеличением частоты 6- огде 5=0,8-1,0. Часть проводимости,обусловленная процессами поляризации,или не зависит от температуры, иливозрастает пропорционально температуре.Такие температурная и частотная зависимости двух частей проводимости напеременном токе приводят к тому, что, начиная с некоторой определенной температуры, проводимость на переменномтоке определяется значением проводимости на постоянном токе и...

Номер патента: 995069

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Иоспа, Куликова, Тихонов, Феоктистов, Чаусов

МПК: G05D 7/00

Метки: охлаждающей, полупроводникового, потока, преобразователя, среды

...нагрузки вновьвыделяющееся тепло аккумулируется в на-,гретом от предыдущего цикла нагрузкипреобразователе, повышая его температуру сверх нормы. Если к тому же венти зляция включается с задержкой по отношению к моменту наброса нагрузки, тов повторно-кратковременных режимах с,высокой кратностью перегрузок наблюдается перегрев. 26Если после режима предельной токовой нагрузки следует режим небольшойнагрузки, при которой преобразовательможет работать с естественной вентиляцией, то при отключении вентиляции 2преобразователь длительное время (до20-30 мщ) находится в перегретомсостоянии, так как переход к новомуустановившемуся тепловому режиму происходит замедленно. При этом возмож- Зно также и превышение предельной температуры...

Номер патента: 1002133

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Евдокимов, Ураевский, Ущербов

МПК: B24B 7/22

Метки: пластин, полупроводникового, шлифования

...Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5ул. Проектная, 4 фовании, остановке станка, съемепластин Г 23.Шлифование при использованииданного способа производится путемврезания на определенную, заранеезаданную толщину и происходит в дваэтапа: боковой поверхностью щггифуюцего слоя инструмента срезаетсязаданная толщина, а торцовой поверхностью того же шлифующего слоя производится шлифование, "выхаживание"поверхности пластины. Использованиеуказанного технического решения повьыает производительность и облегчает условия автоматизации, так как процесс шлифования происходит 15за один проход пластин под инструментом, однако качество шлифованной поверхности по шероховатостина указанных станках не отвечаеттребованиям Финишной полировки и 20имеет класс...

Номер патента: 1003203

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Бомбровский

МПК: H01L 23/34

Метки: крепления, полупроводникового, прибора

...втулки и цилиндр 10 выполненыиз материала с меньшим коэффициентомтермического расширения, чем распорнаявтулка 18, например иэ меди,Монтаж полупроводникового прибора кохладителю осуществляют следующим образом.Полупроводниковый прибор 1 1 резьбо-40вой шпилькой 13 вворачивают в реэьбовую головку 12 цилиндра 10. Для предотвращения случайного проворота шаровойопоры 5 и ее элементов в горизонтальной плоскости, в момент вворачиванияреэьбовой шпильки 13 полупроводниковогоприбора 11 в резьбовую головку 12, ша 1ровую опору 5 придерживают гаечным ключом, ухватив эа лыски, выполненные нанаружной поверхности центральной втул 50ки 7. Как только монтажная поверхностьполупроводникового прибора 1 1 коснетсямонтажной поверхности 2 охлвдителя, ша трювая...

Номер патента: 1046830

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Изотов, Молодцов, Середин

МПК: H02H 7/12

Метки: защиты, полупроводникового, преобразователя

...на диагонали измерительного моста заданного времени.Длительность импульсов напряжения небаланса на диагонали измерительно" го моста в нагрузочном режиме преобразователя практически в три раза меньше, чем длительность импульсов напряжения при пробое вентиля в контролируемом плече. Поэтому введение в схему дополнительных элементов обеспечивает срабатывание защиты в случае пробоя вентиля при одновременном достижении надежной отстройки от импульсов напряжения небаланса по их длительности в нагрузочном режиме.Если после пробоя одного вентиля происходит пробой еще двух вентилей, расположенных по другую сторону от точки подключения трансформатора;известное устройство, как указывалось выше, не вырабатывает команду на отключение. Для...