Патенты с меткой «полупроводникового»

Номер патента: 1275636

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Иванов, Короткин, Фаткуллин, Юнусов

МПК: H02H 7/12

Метки: вентильный, полупроводникового, преобразователя, узел

...4 и 5 демпфирующей цепи, имеющих незначительное по сравнению с резисторами 6 и 7 значение сопротивления. При этом часть этого напряжения с резистора 6 подается на первый вход схемы 9 обработки сигналов, а с ее выхода сигнал поступает на вход узла 10 индикации. Отсутствие напряжения на первом входе блока 9 0 обработки сигналов однозначно характеризует пробой одного или обоих вентилей 1 и 2 или недостаточность времени на восстановление запертого состояния при работе узла в цепи переменного тока.При поступлении на управляющие электроды вентилей 1 и 2 импульсов управления через них и соответственно через обмотки 8.1 и 8.2 реактора 8 протекает ток, однако вследствие того, что обмотки включены встречно, на выходной обмотке 8.3...

Номер патента: 1293786

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Иванов, Мульменко, Уржумсков

МПК: H02H 7/12

Метки: исправности, полупроводникового, преобразователя

...КС-ц-:почек 4-6, ,а им;";:." но того из них, который под;Ььеь к ветилю, на который поступил отвара ющий импульс, После разряда конденса тора анодньй ток соответствующего вентиля становится меньше ока удержания и вентиль выключается. При раз . ряде любого из конденсаторов на вторичной обмотке трансформатора тока 7 формируется импульс положительной полярности, которьгй преобразуется релейным элементом в сигнал логического "О" (фиг. 2). Выходной сигнал релейного элемента 8 постугает на первый вход элемента И 18, на второй вход которого подаются импульсы генератора 23, задержанные элементом 14 задержки на время Т. Суммарная длительность задержки Т и импульсов3генератора 23 не должна превышат; длительности тока разряда...

Номер патента: 1298674

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Балтушис, Дагис, Скучас

МПК: G01R 21/07

Метки: импульсной, калибровки, полупроводникового, преобразователя, резистивного, свч-мощности

...индикатор 11 импульсных напряжений.25Способ калибровки полупроводникового резистивного преобразователяимпульсной СВЧ-мощности реализуетсяследующим образом,СВЧ-генератор 1 переводится в режим непрерывной генерации и с помощью детектора 2 и компаратора 3 фиксируется уровень СВЧ-мощности, волноводный переключатель 4 переводится вположение А, переключатель- в положение С, Регулировкой выходногонапряжения источника 10 в цепи резистивного датчика 12 калибруемого полупроводникового резистивного преобра. зователя 5 устанавливается слабыйток, не вызывающий джоулевого нагрева, и уравновешивается мост 9 постоянного тока (с помощью магазина 13сопротивлений), Волноводный переключатель 4 переводится в положение Б, 45т.е, СВЧ-мощность не поступает в...

Номер патента: 1064807

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Голенков, Никотин, Сафаров

МПК: H01L 23/00

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

...и низкое пробивное напряжение.25Целью изобретения является упрощение конструкции и увеличение пробивного напряжения.Цель достигается тем, что в корпусе полупроводникового .прибора, содер- З 0 жащем баллон из цоколя и керамического изолятора, в отверстия которого помещены металлические трубки, и ножка, состоящая из фланца с запрессованной медной вставкой, термокомпенсатора, прикрепленного к медной вста" вке, и токопроводящих выводов, при этом ножка снабжена керамической втулкой, коаксиально расположенной сбаллоном и образующей полость заУ 40 полненную защитным покрытием, причем втулка одним торцом соединена с фланцем, а другим с - токопроводящими выводами. 07 2На фиг.1 показан общий вид корпуса, на фиг.2 - конструкция ножки; на фиг.З...

Номер патента: 1358001

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Гарицын, Дымшиц, Наумченко

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, полупроводникового, устройства

...6 и 7 имеют и-тип проводимости. При записи О на числовую шину 4(исток) подается потенциал отрицательнойполярности, а на разрядную шину 5положительный потенциал, величина которого достаточна для того, чтобы в диэлектрическом слое 8 сформировался отрицательный объемный заряд, который сохраняется при отключении питания.Пороговое напряжение транзистора определяется выражением Чп (О) =4+ -- , (1)йсгде Ч, - исходное пороговое напряжениетранзистора;Я - величина заряда, сформированного при записи О в диэлектрическом слое 8;С - емкость подзатворного диэлектрика.Для записи 1 полярность напряжения, 45 подаваемого на разрядную 5 и числовую 4 шины, изменяется и в диэлектрическом слое 8 формируется положительный заряд. ПороРцг,ВНИИПИ Заказ...

Номер патента: 1367040

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Григорьев, Попель, Черняк

МПК: G11C 7/00, G11C 8/12

Метки: записью-считыванием, запоминающего, информации, полупроводникового, устройства

...диод 39 поступает напряжение высокого уровня. Ток источника 45 тока протекает через транзистор 44, создает равное падение напряжения на резисторах 46 и 47. Через транзисторы 49 и 52 на первый 4 и второй 5 выходы устройства поступают сигналы равного на пряжения (сигналы считывания),При поступлении на первый 1 и второй 2 входы устройства входного напряжения высокого уровня (что соответствует режиму хранения) потенциал на базе транзистора 12 выше потенциала на базе транзистора 13 на величину, равную падению напряжения на прямо- смещенном диоде 30, и выше потенциала на базе транзистора 59 на величину, равную разности падения напряжения на прямосмещенном диоде 30 и половине падения напряжения на прямосмещеннном переходе база - эмиттер...

Номер патента: 1385183

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Алимпиев, Кочкин, Обязуев

МПК: H02H 7/10

Метки: вентиля, высоковольтного, индикации, полупроводникового, состояния

...блока 5 деления через реле 8напряжения подключен к входу исполнительного элемента 9. Высоковольтный полупроводниковый вентиль включен последовательно с реактором 10. 30Устройство для индикации состояния высоковольтного полупроводникового вентиля работает следующим образом,Среднее напряжение на вентиле иделителе 3 напряжения, а в равнойстепени на выходе 3 напряжения иопорной ячейке 2 находится в прямопропорциональной зависимости от косинуса угла управления. 40Напряжение на выходе делителя 3напряжения выбирается таким, чтобыпри исправном состоянии всех ячееквентиля на входе датчика 1 среднегозначения напряжения и его выходе был 45нулевой сигнал. При выходе из строяопределенного числа ячеек вентилярастет напряжение на опорной ячейке2....

Номер патента: 1397981

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Куфман, Марченко, Нестерова, Черкашина, Штеренберг

МПК: H01G 13/00

Метки: анодов, конденсаторов, нанесения, подформовки, полупроводникового, слоя

...устанавливают осямн 15 в плэы 16 эвеев 17 конвейера 1, который перемещает их в ванну 3 пропиткц. 1.еле пропцткинижнего ряда анодов 23 кассе ы 2 перемещаются кавееров 1 ц, вэлимодействуя с копирами 20 паворачиваоются ца 180 для пропитки верхнего ряда анодов 23, По окоцчлции пропитки обоих рядов анодов 23 клсссты 2 перемещаются конвейером 1 в вертика.ьную печь 9 пиролиэа для разложения пропиточцого раствора и формирования первого полупроводникового слоя, при этом вследствие стеклния раствора ца нижней части боковой поверхности ацодац образуется утолщенный слой (фиг10 Оложецие Т),При дальнейел движ Рии конвейера ка:сеть 2 с анодами 23 попадают в следующие ванны ч пропит;ц, гдэ пропитываются поочередно с двух сзороМ и входят в горизонтальную...

Номер патента: 1434355

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Бабенко, Бендерский, Гусейнов, Рукин

МПК: G01N 27/46

Метки: зон, плоских, полупроводникового, потенциала, растворе, электрода, электролита

...в 0,5 М растворе Ва 80составляет -О,7+0,05 В относительнонасыщенного каломельного электрода.П р и м е р 2. В условиях примера1 .поверхность полупроводниковогоэлектрода из монокристаллического рутила (и-ТхО) механически отполирована, тем самым созданы дополнительныеповерхностные дефекты. Скорость поверхностной рекомбинации около 10 с.Потенциал плоских зон составляет-О,7+0,08 В относительно насыщенногокаломельного электрода (остальныеоперации те же).П р и м е р 3. В условиях примера1 в. качестве полупроводникового электрода берут монокристаллический кремний р-типа (р-Зх), а в .качестве раст.вора электролита 0,1 И КОН (остальные операции те же). Потенциал плоских зон составляет -0,3+0,03 В относительно насьпценного...

Номер патента: 1481696

Опубликовано: 23.05.1989

Автор: Вартанов

МПК: G01T 1/24

Метки: гамма, детектора, излучения, колодцем, поглощения, полного, полупроводникового, регистрации, фотопике, эффективности

...имп/с и А = 322 имп/с. Фоточасть детектора с колодцем имеет значение Г : РЯ = 0,1. Вычисленные по полученным данным значения эффективностей регистрации в фотопиках полного поглощения 1,17 и 1,33 МэВ равны соответственно 3,3 и 2,3 в известном способе, По формулам (3) и (4) предлагаемого спо. соба соответствующие величины имеют значения 6,2 и 5,27 Следовательно, неучет эффектов комптоновских рассеяний приводит к результатам, которые примерно в два раза занижены относительно действительных значений. Таким образом, изобретение позволяет существенно повысить точность определения эксплуатационных характеристик блоков детектирования с колодцем путем учета систематической погрешности при градуировке их по эффективности регистрации в пике...

Номер патента: 1493890

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Бондарь, Козеев

МПК: G01L 9/04

Метки: питания, полупроводникового, раздельными, тензопреобразователя, цепями

...меньшими 1-2 мкм, связано с большими трудностями, т.е, необходимо очень сложное и дорогостоящее оборудование для создания фотошаблонов и металлической разводки.Толщина диэлектрической подложки 1, например сапфировой, определяется толщиной исходной КНС пластины, изготавливаемой промышленностью, и составляет от 0,2 до 0,4 мм.Затем к токовым контактам 3,4 подключают источник 7 постоянного тока (фиг.4). Выходной сигнал, пропорциональный величине прикладываемой механической нагрузки, должен измеряться вольтметром 8 на выходных контактах 5,6.При пропускании тока через контакты 3,4 при нулевой механической на - груэке на выходных контактах 5,6 возникает начальный сигнал. Этот сигнал обусловлен либо не перпендикулярным расположением...

Номер патента: 1495897

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Машьянов, Санков, Фридман

МПК: H02H 7/12

Метки: защиты, полупроводникового, преобразователя

...токоподводяцих шин 3.Сопротивления токопроводящих шин 3 выполнены различными для соединен алых между собой параллельно предохранителей 1, причем отношение К максимального сопротивления ветви к минимальному удовлетворяет условию 1,3 К 2.Работа устройства основана на том, то коэффициент селективности К тредохранителей определиется следуюЩим выражением: 7 4ством при пробое одного из вентилей 2 (фиг. 2) .При прохождении тока к.з. через предохранители 1, включенные в цепь пробитого вентиля 2, токи каждого их них на этапе плавления плавких вставок различны, и в данном случае 1 г (, где 1, - ток предохранителя в цепи, где сопротивление токоподводящих шин меньше, яраг ток предохранителя в цепи, где сопротивление токоподводящнх шин больше.При...

Номер патента: 1499283

Опубликовано: 07.08.1989

Автор: Ловинский

МПК: G01R 31/26

Метки: излучателя, излучения, полупроводникового, потока

...1 О (точка "в" на фиг.2 а), измеряют с помощью вольтметра 4 соответствующее ему значение напряжения прямого смещения.(фиг.26).После этого от генератораподают на излучатель 2 последовательную серию одиночных прямоугольных импульсов прямого тока с той же амплитудой 1 и тем же смещением 1 , но с уменьшающейся от импульса к импульсу длительностью Т (на фиг.2 а), при этом после прохождения каждого из импульсов определяют отличие между предыдущим и последующим значениями напряжения прямого смещения с, фиг.26). Указанную подачу серии импульсов прямого тока ведут до тех пор, пока не будет достигнуто равенство между зна" чениями О, = 1, = О, (фиг.2 б, точки "г") и фиксируют значение длительности импульса прямого тока Т (Фиг,2 б).5 149Указанное...

Номер патента: 1499284

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Антюхин, Лаужа, Туфляков, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Чуверин

МПК: G01R 31/26

Метки: охладителем, полупроводникового, прибора, сборке, силового

...выходы которого соединенысоответственно с выводами первичнойобмотки сетевого трансформатора 14.Устройство работает следующим образом.После подключения испытуемого модуля к клеммам 1 и 2 запускают устройство включением элемента 10 пуска,При этом от источника 3, питающегосяот сети переменного тока (фиг.2 а)пропускаются .через прибор импульсытокапоказанные на фиг.2 б. Уголуправления о устанавливается автоматическим регулятором 13 в зависимости от рассогласования по току Д 1= = 1 г г где 11 - соответственно заданное и фактическое значения действующего значения греющеготока. Значение 1поступает с выхода усилителя-огргничителя 8, а 1 - с датчика 4.В промежутки, когда мгновенноезначениеравно нулю, через приборпропускают измерительные...

Номер патента: 1505699

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Буряченко, Журавский

МПК: B23K 1/12

Метки: кристалла, пайки, полупроводникового

...кристалл транзистора КТ 826 А, покрытый при подготовке его к пайке слоем никеля, толщиной о 8 мкм и слоем золота 3 - 4 мкм, устанавливают через слой припоя на контактную площадку металлического основания из молибдена, покрытую предварительно слоями никеля и золота, и фиксируют эту сборку в кассете. Затем кассету со сборкой помещают в устройство для пайки, снабженное электромагнитами так, что силовые линии проходят перпендикулярно поверхности кристалла. Детали нагревают до температуры плавления припоя, выдерживают в течение времени, достаточного для образования паяного соединения, и охлаждают. Магнитное поле может быть как постоянным, так и переменным. Пайку проводят в течение 2 - 3 мин в магнитном поле напряженностью 500 Э н в...

Номер патента: 1506342

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Каскевич, Короташ, Маркова, Сычев

МПК: G01N 27/02

Метки: адсорбционного, линеаризации, полупроводникового, преобразования, характеристики, чувствительного, элемента

...зависимости (фиг. 1) и определяют напряжение Б , при котором совпадают экстремумы. 20На фиг. 2 показана зависимостьвыходного электрического сигнала отконцентрации паров СНЕОН, снятойпри величине напряжения на измерительных электродах 0 = 3,0 В (1), определенной по совпадению экстремумовзависимостей на фиг. 1.При отстройке от 11,= 3,0 В происходит уменьшение области линейности(кривая 2 снята при Б= 7,0 В). 30Напряжение на измерительных электродах адсорбционного полупроводникового чувствительного элемента, определенное по предлагаемому способу,обеспечивает линейность характеристики преобразования при изменении концентрации от 40 до 320 мГ/м.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу линеаризациихарактеристики...

Номер патента: 1508307

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Катунин, Шелепов

МПК: H02H 7/10

Метки: диагностирования, защиты, полупроводникового, преобразователя

...импульс, который вызывает изменение состояния на единицу счетчика 28, Врезультате на выход коммутатора 22 подается сигнал с выхода следующеговходного формирователя 17. После это8307 150 го стробирующий импульс появляется на входе элемента 23 и при сработавшем втором датчике 9 в плече 2 вызывает изменение состояния счетчика 24 еще на единицу. При этом на следующем выходе дешифратора 25 появляется сигнал, который воздействует на исполнительный орган 26, сигнализирующий о перегорании двух вентилей 8 в плече 2 преобразователя 1. Дальнейшая работа схемы протекает аналогично до тех пор, пока к выходу коммутатора 22 не окажется подключенным выход последнего (шестого) входного формирователя 21. 11 ри появлении следующего стробирующего...

Номер патента: 1516799

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Борщев, Пономаренко, Спалек, Тихомиров

МПК: G01H 13/00, G01M 7/00

Метки: интегрального, полупроводникового, преобразователя, резонансной, упругого, частоты, элемента

...формула изобретения В соответствии с приближенным расчетом для получения при изготовлении преобразователей, значение резонансных частот находится в диапазоне 1, 1-2,3 кГц. Пластину 1 с кремниевыми интегральными преобразователями устанавливали иа специально разработанном для зондовой установки "Зонд А 4 М" столике 5, содержащем отверстия 6 для фррмирования воздушного потока через П-образные вырезы и отверстия 7 для закрепления пластины на столике вакуумом. Затем потоком Составитель Д,ДаниловТехред А.Кравчук Корректор С.Черни Редактор К.Папп Заказ 6375/40 Тираж 511 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1530952

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Белозубов, Жучков, Косогоров, Тельпов

МПК: G01L 9/04

Метки: интегрального, полупроводникового, тензопреобразователя

...точностью преобразования эа счет устранения нелинейности преобразователя, Это достигается тенэочувствительностью термореэистора К включенного в выходную цепь, и выбором его рас.положения на чувствительном элементе в соответствии с величиной и знаком нелинейнос ти мостовой иэмерительной цепи тензопреобразователя давления,Способ изготовления. интегрального полупроводникового тенэопреобразователя, включающий подготовку рабочего элемента путем формирования на полупроводниковой мембране методом интегральной технологии тенэорезисторов, соединенных в мостовую схему, добавочного резистора и терморезистора, последующего измерения тензочувствительности схемы Б, а также тензочувствительности терморезистора Б , выходного сигнала и его...

Номер патента: 1541796

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Калиновский, Партон, Филиппов

МПК: H05K 7/20

Метки: блока, выпрямительного, полупроводникового, регулирующее

...напряжения. Через окна проходятшины, обеспечивающие электрическуюсвязь интегрального регулятора напряжения с радиоэлементами. Положениешин фиксируется пазами и выступами.Шины и радиатор выполнены из теплои электропроводящего металла, Указанное расположение и выполнение изоляУстройство работает следующим образом.При работе генератора через радио- элементы 6 протекает электрический ток и нагревает их.Выделяющееся при прохождении электрического тока через радиоэлементы 6 тепло отводится с помощью их выводов 11 на шины 8 и через корпуса адиоэлементов 6 непосредственно в ,окружающую среду.При вращении вентилятора 12 генератора охлаждающий воздух засасывается внутрь генератора через вентиля ционные окна 14 в крышке 13. Таким образом,...

Номер патента: 1550443

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Колесников, Ловинский, Мусатова, Николаев

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, излучения, мощности, полупроводникового

...температуры диода засчет саморазогрева ЬТ определяетсяФормулой П р и м е р. На светоиэлучающий Диод. типа АЛ 107 Б подают прямоугольный жпульса тока силой 0,1 А и изМерюот временную зависимость напряжеИия на нем с помощью циФрового вольтметра Щ 15-13. Находят из нее максимальное значение напряжения на диоде О= 1,426 В и напряжение в стационарном режиме ц = 1, 386 В . Значения ф и Кт определяют одним из стандарти зированных методов, Для определения о измеряют напряжения на диоде при а 11двух значениях температуры.аТ1,83 мВ/К, где ЬП - изменение напряжения на диоде при изменении температуры на ЬТ. Для определения йтизмеряют приращение температуры р-иперехода диода в результате рассеивания в диоде определенной мощностипри обратном...

Номер патента: 1355060

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: H01L 27/10

Метки: полупроводникового, резистора, сопротивлением

...из полупроводниковой пластины 1, часть которой помещена между обкладками конденсатора 2 и изолирована от нйх диэлектрическими пленками 3. Конденсатор подключается к регулируемому источнику питания 4, а выводы - метал" лические точечные зонды 5 располагаются на полупроводниковой. пластине н плоскости, перпендикулярной обкладкам конденсатора, симметрично оси, проходящей через центр вдоль полупроводниковой пластины, и подключаются дляконтроля к измерителю сопротивления 6. Приспособление 7 служит для измерения расстояния между зондами и от зондов до обкладок конденсатора.П р и м е р реализации устройства. В качеСтве полупроводниковой пластины взят ЩБ с;удельным сопротивлением 0,1 Ом м и размерами 20 х 1 О х х 0,4 мм, который помещается...

Номер патента: 1557604

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Алексеев, Прокопенко, Сухорукова, Яськов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводникового, раствора, состава, твердого

...изменяет ся. Положение изотропной точки Фо на шкале длин волн, где фотоупругая постоянная обращается в нуль (С = О), также монотонно смещается в зависимости от состава твердого раствора. ЗОНа фиг, 1 изображено устройство для реализации предлагаемого способа; на фиг. 2 - калибровочная кривая,Устройство включает в себя источник 1 света с монохроматором и коллиматором, поляризатор 2, образец 3,35 анализатор 1, приемник 5 излучения и регистрирующий прибор 6.Способ осуществляют следующим образом. 40Устанавливают поляризатор и анализатор в скрещенное положение в отсутствие образца. Ввводят в систему образец, ориентируют его в заданномкристаллографицеском направлении и 45 подвергают воздействию механицеского усилия.Изменяя длину волны...

Номер патента: 1559320

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Кривун, Крутов

МПК: G01R 31/26

Метки: индикатор, полупроводникового, прибора, пробоя, теплового

...герметичнуюоболочку 1, выполненную из полихлорвинила и заполненную нашатырнымспиртом 2 теплового пробоя полупроводниковыхприборовЦель изобретения - расширение функциональных возможностейиндикатора за счет индикации теплового пробоя полупроводникового прибора, недопустимого для визуальногонаблюдения. Индикатор теплового пробоя полупроводникового прибора содержит термоиндикатор плавления изполихлорвинила, выполненный В Видегерметичной оболочки, наполненнойнашатырным спиртом, Расплавлениеоболочки при тепловом пробое прибора приводит к испарению нашатырногоспирта, появление запаха которого Индикатор располагается на верхности полупроводникового3. При тепловом пробое приб рметичная оболочка 1 расплав ся и нашатырный спирт испаряет...

Номер патента: 1569683

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Вейнгер, Казаков, Колынина, Литовский, Хейфец

МПК: G01N 22/00

Метки: полупроводникового, проводимости, удельной, электрической

...может быть найдена для любой температуры из области температур истощения примеси либо с помощью расчета, поскольку для нахождения подвижности используются стандартные Формулы и константы, либо из справочников, Подвижности известны с достаточно высокой точностью и умножение на величину подвижности в форму ле (2) не снижает точности.Способ измерения удельной электрической проводимости полупроводникового материала используется для измерения удельной электрической проводимости монокристаллического и порошкообразного карбида кремния, электро;.ктивной примесью в которых являлся азот. Область истощения примеси в карбиде кремния лежит в температурном диапазоне 700-1 200 К (5).Эталоном концентрации служит эталонный образец...

Номер патента: 1426271

Опубликовано: 15.09.1990

Авторы: Иммель, Пузыревич, Рябчиков, Шипилов

МПК: G01T 1/24

Метки: детектора, излучения, полупроводникового, регистрации, рентгеновского, характеристического, эффективности

...участок зависимости ц т.д. Поскольку, как уже было сказано выше, выбирают 10 такие элементы, чтобы энергия К,-излучения предыдущего была не меньше энергии -излучения последующего (в порядке возрастания атомного номера), то построенные таким образом 15 участки зависимости стыкуются. В результате получают непрерывную кривую 8=С г (Е) н относительных единицах где С - постоянный множитель.П р и м е р, Пусть необходимо по строить зависимость эффективности регистрации полупроводникового детектора от энергии кнантов в интервале энергий от 5 до 10 кэВ (область ниэ" ких энергий, где прототип дает допол нительную погрешность, связанную с самопоглощением), К нижнему пределу близко значение энергии К-излучения хрома, к верхнему - цинка. Поэтомудля...

Номер патента: 1599877

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Андреев, Баранов, Валитов, Каширин, Пестрякова

МПК: G06G 7/48

Метки: моделирования, полупроводникового, прибора, работы

...увеличивается ток через транзистор 1, который, в свою очередь, является базовым током транзистора 2,5 при этом выходное сопротивление транзистора 2 также уменьшается, что соответствует меньшему значению напряжения стабилизации устройства, ВАХ модели стабилитрона в прямом направлении определяется диодом 5.1С помощью модели стабнлитрона можно устанавливать напряжение стабилизации от 0,7 до 15 В.Измерение ВАХ устройства осущест" вляется с помощью прибора Л 2-56. Регулировка устройства для моделирования работы полупроводникового при.бора под определенный тип стабилитрона осуществляется прибором Л 2-5 б по, виду ВАХ, Напряжение стабилизации выставляется путем изменения сопротивпения резистора 4 и получения необходимого соотношения номиналов...

Номер патента: 1624289

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Авезов, Розиков

МПК: G01L 11/00

Метки: газовой, давления, пара, парциального, полупроводникового, реактора, среде

...к ог це г.,еталлической трубки закреплена зубчатая линейка 25, имеющая постоянное сцепление с шестеренкой 2 б, приводимой во вращение с помощью штурвала 27. Для нагрева реактора служит съемная печь 28,Способ осуществляют следующим образом,В устройсгге (фиг, 1), например, для получения плен зк твердого раствора СоТе с заданными свойствами, технологический режим зависит от температуры тигеля 21 и подложки 8, а также от парциального давления пара в объеме кварцевого стакана, Для непрерыв ой регистрации парциального 5 10 15 20 25 30 35 40 давления пара полупроводника во время технологического процесса и автоматического управления им требуется электрический сигнал. В качестве такого сигнала может служить удельное сопротивление пара...

Номер патента: 1626267

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Коркунова, Мамыкин, Павленко, Пельтек, Яременко

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводникового, прибора, прокладка, теплоотвода, электроизоляции

...высокую теплопроводность из-за повышенного экранирующего воздействия низкотеплопроводной упругой составляющей,П р и м е р, Порошок нитрида алюминия с диаметром частиц 60 - 80 мкм помещают в планетарную мельницу и размалывают в течение 2 ч. В результате получают высокодисПерсный порошок с удельной поверхностью1626267 Составитель Е,ПановРедактор Н,Лазаренко Техред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец Заказ 280 Тираж 361 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 5-8 м /г и размором частиц 0,2 - 0,3 мкм. Полученный порошок перед использованием просушивают в сушильном шкафу при...

Номер патента: 1626301

Опубликовано: 07.02.1991

Автор: Кобыльчак

МПК: H01S 3/096

Метки: источник, лазера, накачки, полупроводникового, термокомпенсирующий

...17 равны, мост, образованный делителями 5 и 7 напряжения, сбалансирован, и опорное напряжение не зависит от сопротивления регулирующего резистора 6. Это означает, что графики зависимости опорного напряжения от температуры пересекаются при температуре равной с (фиг.2). В связи с этим методика настройки источника накачки полупроводникового лазера на требуемую зависимость тока накачки от температуры сводится к настройке в двух точках, одна иэ которых должна быть близкой к температуре т, Сначала при комнатной температуре (близкой к с) с помощью переменного резистора в формирователе 1 тока регулируют ток накачки до достижения лазером номинальной мощности излучения, Затем, нагревая прибор до верхней рабочей температуры, с помощью...