Патенты с меткой «полупроводникового»

Номер патента: 329847

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Алпатов, Батыгин, Иванов

МПК: H01L 23/10

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

...теплостойкости прибора, а также обеспечение полной разгрузки полупроводникового,элемента от механических нагрузок при эксплуатации вентиля, 30 1Изобретение относится к силоводниковым приборам.Известные полупроводниковые Сущность изобретения заключается в том, что хтеталлокеразтический корпус таблеточного вентиля выполняется с дополнительньвми керамичеокими и металличесоеими фигурнымтб кольцами.На чертеже показан предложенный корпус в разрезе.Фигурные металлические кольца 1 соединены с одной стороны с керамическим цилиндром корпуса 2, а с другой стороны в электродами Л и кохтпенсаторньвти колыцами 4. Кохтпенсаторные кольца изготовлены из керамики или материала, имеюгцего коэффициент термического расширения (КТР), близкий к КТР...

Номер патента: 337793

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лтеет, Минц

МПК: G06G 7/62

Метки: включении, диода, модель, обратном, полупроводникового, тепловая

...диоду в обратномвключении можно применить исходную систему уравнений, предложенных для терморезисторов, учитывая также уравнение для тока 5 Ун. Кроме того, целесообразно рассматриватьв качестве выходной величины не изменение сопротивления Яа изменение общего тока тд, так как в этом случае на изменение величины измерительного тока, влияет не только 20 изменение сопротивления но и тока 1,.Рассмотрим исходные уравнения"о - о з1+о3 То - 0 о Целесообразней в данном случае в качестве выходной величины использовать величинуПриведенную систему уравнений отражает приведенная на чертеже телловая модель полупроводникового диода в обратном включении. где Р, - мощность, потребляемая диодом,Р, - мощность, рассеиваемая в окружающую среду,Ры -...

Номер патента: 390477

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Клич, Никитин, Хаславский

МПК: G01R 29/02

Метки: измерений, параметрического, полупроводникового, усилителя, холодных

...диода ППУ подключена кс входу усилителя 4. К дополнительному плечу направ: е ного отвствителя 2 подключена детекторная секция 3, гыхсдцсй сигнал с которой подасгся на осциллограф 5.При холодных измерениях холостого контура часть мощности сигнала скип-ге 1 ератсра 1, работаощего в диапазоне 1 астот холостого контура, через развязку просачивается в холостой контур исследуемого ППУ 5. Напряжение азтосмсщения, возникающее на параметрическом диоде под воздействием сигнала свин-генератора, подводится ко входу усилителя 4. Выходное напряжение этого усилителя управляет мощностью свип-генератора 1. Система регулировки мощности свип-генератора 1 имеет регулируемую задержку, которая обеспечивается выбором порога срабатывания усилителя 4. В...

Номер патента: 369502

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кукуй, Мохир

МПК: G01R 17/06, G01R 27/02

Метки: полупроводникового, сопротивления, удельного

...чертеже представлена функциональнаясхема описываемого устройства, состоящегоиз четырехзондовой головки 1, стабилизатора 2 б2 постоянного тока, цифрового вольтметра 3,блока управления 4, механизма б перемещения зондовой головки, реостатного датчика б,функционального преобразователя 7, корректирующего звена 8 стабилизатора тока. 30 Через токовые зонды 9 и 10 измерительной головки 1, прижатой к исследуемому образцу П, пропускается постоянный ток от стабилизируемого источника 2. Напряжение, снимае мое с потенциальных зондов 12 и 1 З, подается на вход измерительного прибора (например цифрового вольтметра) т. Блок управления 4 с помощью механизма б отводит и прижимает зондовую головку к образцу и перемещает ее вдоль торца. Перемещение...

Номер патента: 430532

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Конрад, Херберт

МПК: C30B 35/00

Метки: корпусов, полупроводникового, трубообразных

...могут быть сняты с трубок 8.При этом, однако, важно, чтобы температура наружной стороны трубок 8 не превышала в последующем 1250 С, так как иначе углеродная основа будет реагировать с полупроводником и полученный корпус не может быть легко снят с углеродной трубки. Такими температурами являются, С:при получении корпуса из кремния 1250 из германия 900 из СаАз 1150 из ЯС 1300 из ЯпБЬ 850 Трубки 8, мостик б и электроды 5 состоят из графита одного сорта, а вводы трубок 8, 9, 11 и вывод трубы 10 - из резистивного металла. Токопроводящие части должны быть при этом изолированы одна от другой соответствующим изоляционньгм слоем.В устройстве, изображенном на фиг. 2, также имеется подовая плита 1 и герметически связанный с ней кварцевый...

Номер патента: 437153

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Агринская, Аркадьева, Гусева, Матвеев, Сладкова

МПК: H01L 7/54

Метки: легирования, полупроводникового, соединения

...элемента основного вещества вводят в количестве, соответствующем концентрации внедренной примеси. При этом независимо от того, аморфизируется облучаемый слой или нет, после отжига кристалла достигается высокая концентрация электрически активных примесей.В процессе отжига происходит активное расположение легирующей примеси и снижение О концентрации радиационных дефектов, которые залечиваются как в результате самого процесса отжига, так и благодаря дополнительному введению наиболее летучего элемента основного вещества.5 При осуществлении предложенного способапроводят легирование образца СдТе, для которого упругость пара Сд существенно (приблизительно в 10 раз) превышает упругость пара Те. Для того, чтобы обеспечить сильное 2 О...

Номер патента: 452044

Опубликовано: 30.11.1974

Авторы: Беспалов, Пиголицын, Щварцман

МПК: H01G 9/04

Метки: аноды, конденсаторов, нанесения, оксиднополупроводниковых, полупроводникового, слоя

...механизма 24поворота шддвесок и с направляющими 33,расположенными на основании 1 устройствавдоль нечей 6 пирд 4 лиза и служащими дляудержания подвесок 9 в горизонтальномположении. для осуществления пиролитического разложения азотнокислопо марганца всреде водного пара устройство снабжено системой 34 парообразованддя, связанной спечью 6 пиролиза трубопроводом 35, служащим для подачи пара в печь.Общая :система управления устройствомвключает в себя пульт управления (не показан), электрически связанный с приводньпмеханизмом устройства и служащий дляуправления работой устройства и наблюдения за режимом технологического процесса,Устройство работает следующим образом,Предварительно собранные в решетку 10аноды 11 навешиваются с помощьюподвесок 9...

Номер патента: 468332

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Мордвинцев, Савелов, Тимурджи

МПК: H02H 7/10

Метки: вентиля, защиты, полупроводникового

...трансформатора, вторичная обмотка которого через конденсатор соединена с параллельно включенным 10 диодом и резистором, к которому подсоединены входные зажимы преобразователя.На чертеже показана блок-схема предла- гаемого устройства.Первичная обмотка импульсного трансфор матора Т подсоединена к шунту Р, вклюР ш ченному последовательно с защищаемым вентилем, Вторичная обмотка трансформатора через схему восстановления постоянной сос тавляющей С, Д, Р подключается к пре. образователю сигйала перегрузки в сигнал, например, пропорциональный температурер -тт перехода тиристора (блоки 1,2 и 3), и к схеме зашиты преобразователя от срыва,состоящей из дифференцирующего устройст 4, ждущего мультивибратора 5, схемы запрета 6, линии задержки 7 и...

Номер патента: 476525

Опубликовано: 05.07.1975

Автор: Модорский

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводникового, сопротивления, удельного

...фазовращающего сопротивления первого зонда, исследуемого полупроводникового материала и второго зонда, а выход фазометра соединен с измерителем напряже 5 ния.Схема предложенного устройства показанана чертеже.Фстройство для измерения удельного сопротиьления полупроводников содержит гене ратор переменного тока 1, регулятор тока 2,476525 Предмет изобретения Составитель В. Немцев Техред А. Камышникова Редактор Т. Орловская Корректор В. Брыксииа Заказ 298/3 Изд. М 942 Тпрагк 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раупгская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 съемное эталонное фазовращающее сопротивление 3, двухзондовый манипулятор с зондами 4, 5, фазометр 6, имеющий...

Номер патента: 481090

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Берлин, Бычков, Кичигин, Нестерова, Олейник

МПК: H01Q 13/00

Метки: аноды, конденсаторов, нанесения, полупроводникового, слоя

...относительно вертикальной оси, на торцевой плоскости которого расположены листы пористого эластичного материала. Г) о Узел подачи 12 опускает вниз аденсаторов 13 до соприкосновения ими 11 пористого материала и позвернуться в исходное положение,под действием пружины (на чертеказана), Для избежания соприторцов анодов конденсаторов 1311 пористого материала в одном и тсте ротор 10 при каждом переменого конвеиера механизма 6 трапки с позиции на позицию поворачопределенный угол при помощи цедачи 15, обеспечивая подачу чистности листов 11 в местах соприкоторцами анодов конденсаторов 13,лишки нанесенного на аноды раств иоды коих с листаволяет имнапример,жах не покосновенияс листамиом же мещении цеп- спортироввается напной переой поверхсновения...

Номер патента: 490134

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Адейшвили, Карманов, Кривоносов, Кругликов

МПК: G06G 7/48

Метки: моделирования, полупроводникового, прибора

...16, выход которого связан через выходную клемму 4 с первым входом блока умножения 13. Второй вход блока умножения 13 через входную клемму 3 сосдинеп с первым входом блока умножения 12, а выход - через выходную клемму 5 с его вторым входом. Выход блока умножения 12 соединен через выходную клемму 7 с первым входом блока умножения 11, второй вход которого через функциональный преобразователь 8 связан с входной клеммой 1, а выход в с первым входом сумматора 14. Второй вход сумматора 14 непосредственно подключен к входной клемме 2, а выход через выходную клемму 6 связан с входом функционального преобразователя 9.Моделирование величин статических параметров полупроводникового прибора, например терморезистора, осуществляется следующим...

Номер патента: 493954

Опубликовано: 30.11.1975

Автор: Конрад

МПК: B01J 17/32

Метки: кристаллического, полупроводникового

...из кремния, нагревают до температуры от 1050 до 1250 С. Трубка нагревается индуктивно за счет высокочастотного электрического поля. С этой целью спираль 7 питается от источника высокочастотного переменного тока, В связи с тем, что полупроводниковый материал особенно высокой степени чистоты в холодном состоянии является плохим проводником, сначала разогревается графитовое кольцо 9, которое, со своей стороны, обогревает полупроводниковую трубку 1 за счет теплопроводности на всем участке прилегания кольца по окружности трубки, Начиная от этого участка температура полупроводниковой трубки 1 повышается, что приводит к уменьшению сопротивления на данном участке. После этого начинается непосредственный обогрев полупроводниковой трубки 1 уже...

Номер патента: 517279

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Ичизо, Сигеру, Томисабуро

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводникового, прибора

...продолжать травить, поэтому развивается процесс бокового вытравливания пленки 31 0Р 0 между пленкой фото 2 2 5резиста и пленкой 310 . Известным способом невозможно получить окна с конфигурацией в слоях, нанесенных ложку.Цель изобретения - достижение размеров окон, формируемых в слоя лов, наносимых на полупроводников ложку. Поставленная цель достигается тем,что в нанесенном на подложку первом слос меньшей скоростью растворения, напри-.мер ЯьО, вытравливают окно, наносят2второй слой с большей растворимостью, например 8.0Р О, после чего егостравливают, используя фотолитографию,над окнами в первом слое.На фиг, 1 показана полупроводниковаяподложка 1 с нанесенным на нее слоем 2с малой растворимостью. В слое сформировано окно,На фиг, 2...

Номер патента: 532829

Опубликовано: 25.10.1976

Авторы: Алексеюнас, Рибикаускас, Чеснис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводникового, потенциала, распределения, слоя, толщине

...изестах. обеспечить возможно мерений в одних и т водят- преде 54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИ ПО ТОЛШИНЕ ПОЛ Изобретение относится к методике ческих исспедований полупроводников и приборов ьа их основе.Известно, что дпя измерения распредепения потенциапа по толине тонкопленочных Об азиев, .апр.:.,ер полупроводниковых систем с р-с-переходом и с токовыми электоодами на противоположных поверхностях, на этих образцах изготавливают поперечньй срез-шпиф, а установка для таких измерений содержит передзижной клиновидный ипи конусообразный эпектроприводный зонд с небопьшим углом заточки, обеспечивающим врезание зонда в срез-шлиф исследу мого образца.Однако расстояния, на которых измеряется гадение напряжения, ограничиваются конструкцией и размерами...

Номер патента: 535528

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Воронин, Додик, Лаптев, Маловик

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: параметров, полупроводникового, стабилизатора, статических, электрических

...электрическихстатических параметров стабилизатора состоит из двух этапов. 11 ервый этап заключаетсяв подготовке контролируемого стабилизатора1 к контролю параметров и осуществляетсяблоком 5 сравнения, коммутатором 4, фазочувствительным блоком 3 и приводом 2 перемещения движка потенциометра, Завершениепервого этапа является необходимым условием для осуществления второго, в течение которого происходят измерение и регистрацияконтролируемых параметров.Привод 2, механически связанный с движком потенцнометра для регулировки выход535528 Формула изобретения Составитель Ю. Дычко Техред М. Семенов Корректор А. Галахова Редактор А, Пейсоченко Заказ 2357/19 Изд. Мз 1749 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров...

Номер патента: 557333

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Антанавичюс, Мачюлайтис, Шахтинов

МПК: G01R 31/26

Метки: визуальной, индикации, полупроводникового, прибора, характеристик

...-4) измеряется ди 1 ференциальным усилигелем 3. цепь формирования нагрузоччой прямой состоит из последовательно вклю:енных формирователя линейно-уменьшающего напряжения 4, резисторного делителя напряжения 20, реостата 19, токосъемного резистора 22, усилителя 6, (по величинам сопротивлений Я (Ф).Г 1 ля синхронного управления амплитудами линейно-нарастающего и линейно-падающего напряжений резисторные делители напряжения 17 и 20 жестко связаны-управляются одной осью (повеличинамсопротивлений Ы,. = И,),Реостаты 18 и 19 также жестко связаныи управляются одной осью (по величинамсопротивлений К, = Б, ). Усилители 5и 6 выбраны одийаковыми по коэффициентамусиления и другим параметрам,Генератор линейно-нарастающего напряжения 2 и формирователь...

Номер патента: 579654

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Володин, Ольховский, Рычков

МПК: G11C 11/34

Метки: переходах, полупроводникового, р-п, сигнала, считывания, фотоприемника

...5в прямом направлении на дЧ (ЬЧ пропорционально лучистой энергии).Этот импульс восполняет заряд конденсатора 15 через эмиттерный переход .5 Ток через этот переход, усиленный враз, является током 14 регистрации. Он тем больше, чем больше эмиттерный переход 5 смещен в прямом на;правлении, т.е, чем бОльше ЬЧ , а, сяедовательно, и дЦ . Из-за нелинейности ВАХ р -п -перехода считываемый сигнал(ток 14) зависит от принятой лучистой энергии нелинейно. При этом сильно меняется и постоянная времени изменения тока 14 (от 10до 10 8 сек). Таким образом, при малых лучистых энергиях, когда дЧ меньше термического потенциала щ (для ;р,26.мб ), инерционность приемника очень велйка, и один импульс считывания не восполняет требуемый для равновесия заряд.В...

Номер патента: 581893

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Корнельюш, Янина

МПК: H01L 21/324

Метки: нагревательного, полупроводникового, состав, элемента

...только тогда проявляют свое действие, если их вводят путем смешивания и совместного плавления или плавления и размельчения, а затем все вещество вновь подвергают нес 50 кольким подогревам до температуры, близкои температуре плавления смеси, и интенсивному дроблению при одновременном быстром охлаждении. Тогда наступает равномерное и активное размещение примесей буфера в основной решетке базового материала.55Из приготовленной таким образом смеси можно получить электропроводящие пленки с сопротивленим до 1 ом на квадратную единицу и нагрузку мощности свыше 20 вт/цм.Приготовление и активация полупроводника с электрическим буфером осуществляется 0 посредством предварительного смешивания компонентов изготовляемой смеси либо путем...

Номер патента: 613306

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Иванов, Хазен

МПК: G05D 23/19

Метки: охлаждения, полупроводникового, преобразователя, силового

...соединен выход преобразователя4 мощности на датчике Холла, вход 16 которого через защитный диод 17 подключен параллельно силовому вентилю 13, а цепь электромагнита 18 связана с датчиком б тока силовой цепи через делитель 19 напряжения.Кроме того, выход преобразователя мощностина датчике Холла связан с неподвижной рамкой 20 второго измерительного элемента 5,вторая неподвижная рамка 21 которого соединена через делитель 22 напряжения с источником 23 эталонного напряжения. Подвижные рамки 24, 25 измерительных элементов 5 связаны с подвижными контактами резисторов 26, 27, включенных в плечи резистивного моста.При нагрузке преобразователя силовым током и включенном двигателе вентилятора сигналы с датчиков контроля температурного режима...

Номер патента: 631944

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Валитов, Жидков, Сыромятников, Усачев

МПК: G06G 7/62

Метки: моделирования, полупроводникового, элемента

...полностью потечет в базу транзис- Зйтора 1 и вызовет на его базо-эмиттерномпереходе падение напряжения, соответствукицее входной характеристике транзистора.Это напряжение через ОУ 4, охва- фченный единичной обратной связью, подается на инвертирующий вход генератора тока и, усиливаясь операционным усилителем 3, создает ток в базе транзистора2. Благодаря большому коэффициенту уси- фпения ОУ 3 напряжение на его инвертирующем входе будет равно падению напряженин на входном базо-эмиттерном переходе, и, следовательно, в базу транзистора 2 пойдет ток равный вхощому то- Ику.Так как базовый ток транзистора 2идет через делитель 5 напряжения, топотенциал неинвертирующего, входа Генератора 6 тока будет отличаться от потенциала инвертирующего...

Номер патента: 632029

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Бажин, Королев

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, полупроводникового, преобразователя, тепловой

...и достигаемым результатам к изобретению является способ тепловой защиты полупроводниковых преобразователей, при котором контролируют ток, проходящий через вентили преобразователя, и температуру охлаждающего агента, с помощью тепловой модели формируют сигнал, характеризующий тепловое состояние вентиля, сравнивают полученный сигнал с уставкой, и регулируют нагрузку преобразователя (2 щиты.Сигнал о нагрузке от датчика тока 1 поступает на вход тепловой модели 2, осуществляющей моделирование теп" лового состояния вентиля, Одновременно термическими датчика 3 и 4 измеряются температура и скорость охлаждающего потока, и по результатам измерений корректируются параметры тепловой модели 2 (наибольшей постоянной времени нагрева и...

Номер патента: 636766

Опубликовано: 05.12.1978

Авторы: Акимов, Акимова, Бот, Галыгин, Жура, Пахомов

МПК: H02P 9/30

Метки: автономных, генераторов, настройки, полупроводникового, регулятора

...типа однократно определяется семейство характеристик вход-выход, т,е.зависимость напряжения на выходных зажимах регулятора от напряжения на еговходных зажимах. Характеристики (см,фиг. 2 ) определяются при работе регулятора с комплектным генератором, Каждая отдельная характеристика построенапри определенном значении настроечногорезистора 5, соответствующего заданному уровню настройки регулируемого напряжения.Для настройки группы регуляторов, этого типа из всео семейства характеристик вход-выход выбирают одну характеристику, соответствующую зацанномууровню настройки (например, характеристику а цля уровня настройки 1 4,0, Вфиг. 2), На линейной части этой характеристини выбирают точку, приблизительнов середине линейного участка, и фиксируют...

Номер патента: 639050

Опубликовано: 25.12.1978

Авторы: Иоффе, Окунь, Розенблит

МПК: H01L 23/34

Метки: крепления, полупроводникового, прибора

...закрепленного на радиатсодержит прижимную скобу, устанную на неоребренной стороне радра, с резьбовым отверстием и закой, размещенной в этом отверстпричем корпус прибора установлевозможностью теплового взанмодевия нижним основанием с заглушкоа верхней частью корпуса - с неоренной стороной -радиатора. На Фиг. 1 изображено предлагаемОеустройство общий вид; на Фиг. 2вид по стрелке А на фиг, 1,Устройство состоит из прижимнойскобы 1, установленной на неоребренной стороне радиатора 2 при помощивинтов 3, Корпус 4 полупроводникового прибора прикреплен при помощиФланца 5 и винтов 6 к заглушке 7,размещенной в резьбовом отверстииприжимной скобы.Корпус 4 прибора установлен так,что тепловой поток передается нанеоребренную сторону радиатора 2 ис...

Номер патента: 641620

Опубликовано: 05.01.1979

Автор: Грейвулис

МПК: H02P 13/16

Метки: импульсов, полупроводникового, преобразователя, формирования

...Техред Э,Чуж угловаКоррект Т. Вашкови Редакт аказ 7537/54,ПНИИПИ Росу по дела 113035, Москва, Тираж ВЫВ Порственного комитета СССРизобретений и открытийРасушская наб,р д. 4 писно илиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная мгновенно действующий управляемый ключ замыкается и включает входной каскад Формирователя мощных импульсов, позволяющих при данной фазе усилить полученный импульс до необходимой величины. При этом конденсатор 2 быстро разряжается до нуля.Обычно считаем, что усреднение выпрямленного напряжения конденсатором происходит достаточно точно при условии, что постоянные заряда р. конденсатора больше 5-6 периодов при однополупериодном выпрямлении и 2,5- 3 . периодов при двухполупериодном выпрямлении. Поскольку...

Номер патента: 651432

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Йиндрих, Йири, Михаль, Олдрих, Павел, Ярослав

МПК: H01L 23/12

Метки: охладителю, полупроводникового, прибора, прижима, таблеточного

...или скошенной. С противоположной стороной с поршнем 8 контактирует поперечина 9, через которую про.40ходят соединенные с охладителем 4 средства крепления, например болты 10.Посредством подтягивания гаек на бол"тах 10 полупроводниковый прибор 1 прижимают к охладителю, нри этом поршень58 постепенно проникает в полость 6 изолирующего элемента 5, а упругий элемент 7 деформ-ируется,Изолирующий элемент 5 снабжен центрируюшим средством 11, например вы 50ступами и выемками, которые поддержи.ваются болтами 10 и предохраняют установку от частичных проворачиваний.Между полупроводниковым прибором551 и токоотводами 2, 3 и соответственномежду токоотводами и охладителем можнос целью минимализации термического со противления этих переходов нанести...

Номер патента: 631033

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Гончаров, Грачев, Дедушенко

МПК: H01S 3/10, H01S 5/00

Метки: возбуждением, диаграммой, лазера, направленности, полупроводникового, электронным

...угол ф с нормальюк зеркалу 3, позицией 5 - возбуждаемая электронами область с центром О631033 Формула изобретения 10 15 2 О Составитель С. МухинТехред З.Фанта Корректор В. СиницкаяТираж 923 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 Москва Жд Рашская наб. д. 45Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,4 Редактор Т. КолодцеваЗаказ 4843/2 показан ленточный пучок электронов.На чертеже приведен случай, когдаось ленточного пучка располагаетсяпо нормали к зеркалу 3 и под угломА=T к зеркалу 2,Устройство работает следующимобразом. В положении электронного пучка и возбуждаемой области, показанном на чертеже, диаграмма направленности при накачке выше порога генерации устанавливается по нормали к...

Номер патента: 690508

Опубликовано: 05.10.1979

Авторы: Климов, Чварков

МПК: G06G 7/62

Метки: моделирования, односторонней, полупроводникового, проводимостью, элемента

...инвертор 8 к выходу операционного усилителя 1 с развязынающим диодом 3 в цепи обратной связи, к выходу интегратора 5 подключен также иннертор 7, выход которого включен на один иэ входов операционного усилителя 1 с разнязывающим диодом 3 в цепи обратной связи.Один вход сумматора 12 канала, ЗО моделирующего процесс восстановления обратного сопротивления реального диода, подключен к выходу интегратора б, а другой вход этого сумматора через инвертор 10 - к выходу опера ционного усилителя 2 с разнязывающим диодом 4 в цепи обратной снязи, к выходу интегратора б подключен также инвертор 9, выход которого включен на один из входов операционного уси лителя 2 с раэвяэынающим диодом 4 в цепи обратной связи.Выходы сумматоров 11 и 12 подключены на...

Номер патента: 673103

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Баранов, Гончаров, Дедушенко, Плетнев

МПК: H01S 5/30

Метки: активный, генератора, квантового, полупроводникового, элемент

...в веществе пассивного слояс атомным номеромбольшим атомногономера материала активного слоя.Активный элемент полупроводниковогоквантового генератора представлен на 2 Офиг. 1, Он состоит из подложки 1, водновода активного элемента 2 и слоя вещества покрьггия 3 с атомным номеромбольшим, чем атомный номер материалаволновода.25Сечение упругого рассеяния элементов на атомах пропорционально атомному номеру в квадрате, в сечение неупру.гого рассеяния - первой степени, поэтому в нанесенном слое упругое рассеяниепреобладает над неупругим, вследствиечего энергия электронного пучка, проходящего нанесенный слой и попадающего в активный элемент, меняется мало,а угловое распределение уширяется значительно. Это ведет к увеличению долиэнергии,...

Номер патента: 728183

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Бродская, Вдовин, Мильвидский, Моргулис, Освенский, Шифрин

МПК: H01L 21/263

Метки: кристалла, маркирования, микродефекту, объемному, поверхности, полупроводникового, соответствующего, участка

...участка из всех отмаркированных участков того же типа.Цель изобретения - обеспечение универсальности способа и защиты микродефекта от воздействия на него при маркировке,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу экспонируют электронным пучком участок поверхности кристалла над обнаруженным микродефектом, а затем проводят травление. Экспонирование электронным пучком участка поверхности кристалла проводят при токе электронного пучка 10 6 - 10А, вакууме 5 10- 5 10торр и продолжительности 1 - 1000 с. Травление кристаллов после экспонирования проводят в известном для каждого материала полирующем травителе.При экспонировании электронным пучком поверхности кристалла в точке пересечения ее с электронным пучком осаждается...

Номер патента: 729636

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Еремин, Стоянов, Сухоруков, Хорошунов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, полупроводникового, устройства

...транзистора и с затворами словарных транзисторов смещения, истокикоторых соединены со вторыми выводамипитания соответствующих запоминающихэлементов на МДП-транзисторах и с истоками, соответствующих словарных транзисторов выборки, затворы которых подключены к соответствующим словарным шинам,стоки словарных транзисторов вьтборкя и словарных транзисторов смещения подключенык шине питания, соединенной со стокомнагрузочного транзистора и с затворочтранзистора обратной связи,На чертеже дана структурная схемаматричного накопителя,Матричный накопитель содержит запоминающие элементы 1, словарные 2 иразрядные 3 шины, шину нулевого потенциала 4 и шину питания 5, словарныетранзисторы 6 выборки, словарные транзисторы 7 смешения, нагрузочный...