Способ гальваномагнитной дефектоскопии проводящих кристаллов

,80 068 Н 27/82 Ет СССОТНРЫТИЙ САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ВУОРСИОМ В 3 В.Варюковаяя ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕН(54)(57) СПОСОБ ГАЛЬВАНОИАГНИТНОЯДЕФЕКТОСКОПИИ ПРОВОДЯЩИХ КРИСТАЛЛОВ,заключающийся в том, что кристалл помещаютв.магнитное поле и определяют его электрическое сопротивление, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с. целью повнаения надежности.и точности способа, используют постоянное магнитное поле, на кристалле закрепляют точечные электрические контакты и пропускают по немупостоянный ток, вращают кристалл вмагнитном пале относительно оси, перпендикулярной к силовым линиям поля,и линии, проходящей через точечныеконтакты, получают зависимость электрического сопротивления между контактами от угла поворота кристаллаи по ней определяют расположениеи размеры дефектов в кристалле. аКэобретение относится к нераэрушающим методам контроля и может быть использовано для дефектоскопии металлических и полуметаллических монокристаллов.Известен способ дефектоскопии .кристаллов, основанный на изменениях, вносимых исследуемым кристаллом в ультразвуковую волну 13.Недостатками способа являются применение сложной специальной аппаратуры и образцов специальной форау и недостаточная чувствительность способа, вызванная тем, что размер обваружйваемых деФектов ограничен длиной волны ультразвука.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ гальваномагнитной дефектоско-пии .проводящих кристаллов, заключающийся в том, что кристалл помещают в магнитное поле и .определяют его электрическую проводимость. Магнитное лоле выбирают переменным, Переменное магнитное поле возбуждает в контролируемом кристалле вихревые токи, и по иэмереннным параметрам магнитного поля. вихревых токов определяют наличие .дефектов в кристалле 23.Недостатками этого способа являются низкая точность и надежность, вызванные наличием скин-эффекта, вследствие чего переменное магнитное поле, не проникает глубоко в хорошо проводящие кристаллы, а также усреднение, полученной информации по всему объему кристалла, что приводит к сложности определения размеров и расположения отдельных дефектов в кристалле.Целью изобретения является повышение надежности и точности контроля. при Сд= Е Н/е с,где Ф - заряд электрона;Н - напряженность магнитного50поля;,в - масса электрона;с - скорость света.,Причем, чем больше величина со,тем выше точность способа.55 Способ гальваномагнитной дефектоскопии проводящих кристаллов обеспечивает неразрушающий контролькристаллов в электротехнической иприборостроительной проьыаленности. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу галъваномагнитной дефектоскопии проводящих кристаллов, заключающемуся в том, что кристалл помещают в магнитное поле и определяют его электрическое сопротивление, используют постоянное магнитное поле,. на кристалле закрепляют точечные электрические контакты и пропускают по нему постоянный ток, вращают кристалл в магнитном поле относительно оси, перпендикулярной силовым линиям. поля, н линии, проходящей через точечные контакты, получают зависимость электрического сопротивления между контактами от угла поворотакристалла и по ней определяют расположение и размеры дефектов вкристалле,На Фиг, 1 показана схема установки для реализации способа нафиг. 2 - зависимость напряжения на5 точечных контактах образца при отсутствии(дан .при наличии (Ь ).дефектаот угла поворота кристалла в магнитном поле.Кристалл 1 с точечными- токовымищ контактами 2 и 3 фиг. 11 подключенк источнику постоянного тока (непоказанСпособ осуществляется следующимобразом.д КРисталл 1 помещают в постоянноемагнитное поле напряженностью Н,поворачивают относительно оси ОХ вращения, расположенной перпендикулярно силовым линияммагнитного поля,илинии, .проходящей через токовыеконтакты 2 и 3Угол ч поворота кристалла вокругоси ОХ меняется при этом от О до909 этом случае напряжение на контактах 2 и 3 меняется в соответствиис кривой а диг. 2 1 при отсутствиидефекта нли в соответствии с кривойб при наличии дефекта. Способ основан на изменении геометрии протека 30 ния тока при воздействии магнитного поля.При изменении угла поворота кристалла относительно силовых линий магнитного поля линия тока от одногоЗ 5 токового контакта перемешается повсему сечению кристалла и при пересечении с дефектом дает резкое уменьшение сопротивления кристалла нсоответственно напряжения на контактах 2 и 3.Для реализации способа необходимовыполнение условия м ь И 1,где и) - циклотронная частота носителей заряда;в .время жизни носителей меж 45 ду актами рассеяния;оу мюмю ш е ш ав Е ав юее ававв вж ежилиал ППП "Патентф, г, Уагород, ул. Проектная, 4 аказ 11453/38 Тирвк ВНИИПИ Росударстве по делам изобрет 113035, Москва, Ж 823 ного ний 5, Р юе Падпиомитета СССРоткрытийуюская наб д. 4