Патенты с меткой «гальваномагнитной»

Номер патента: 1068798

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Варюхин, Егоров, Зубов

МПК: G01N 27/82

Метки: гальваномагнитной, дефектоскопии, кристаллов, проводящих

...по всему объему кристалла, что приводит к сложности определения размеров и расположения отдельных дефектов в кристалле.Целью изобретения является повышение надежности и точности контроля. при Сд= Е Н/е с,где Ф - заряд электрона;Н - напряженность магнитного50поля;,в - масса электрона;с - скорость света.,Причем, чем больше величина со,тем выше точность способа.55 Способ гальваномагнитной дефектоскопии проводящих кристаллов обеспечивает неразрушающий контролькристаллов в электротехнической иприборостроительной проьыаленности. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу галъваномагнитной дефектоскопии проводящих кристаллов, заключающемуся в том, что кристалл помещают в магнитное поле и определяют его электрическое...