Архив за 2001 год

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...

Номер патента: 1268013

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/66

Метки: дна, долины, зоны, нижней, обманки, положения, полупроводникового, проводимости, структурой, точки, цинковой, энергетического

Способ определения энергетического положения точки Lic - дна долины L нижней зоны проводимости полупроводникового материала со структурой цинковой обманки путем измерения физических величин, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и удешевления применяемой аппаратуры, изготавливают образцы из анализируемого материала с различной концентрацией электронов, превышающей концентрацию вырождения при температуре измерений, включая максимально возможную величину, затем на каждом из упомянутых образцов измеряют величину эффективной массы электронов и концентрацию электронов, после чего проводят сравнение экспериментальной зависимости эффективной массы электронов от их концентрации с...

Номер патента: 1149822

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Орликовский, Соловьев

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий компенсацию исходного чистого антимонида индия акцепторной примесью, изготовление из него подложек p-типа и облучение их лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности создания новых классов приборов за счет повышения подвижности электронов в слоях толщиной порядка 1 мкм, в качестве акцепторной примеси используют германий, а облучение ведут на длине волны 10,6 мкм в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 3 (10-6 - 10-4) с, количеством импульсов 10 - 50, длительностью пакета импульсов не более 0,5 с,...

Номер патента: 1391168

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: бором, кремния, легирования

1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2...

Номер патента: 1393232

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Астахов, Белотелов, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Камушкин, Коршунов, Петровнин, Прохоров, Соловьев, Старикова, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: ионолегированных, отжига, полупроводниковых

Способ отжига ионолегированных полупроводниковых материалов, включающий нагрев пластин из полупроводниковых материалов излучением CO2-лазера в импульсно-периодическом режиме до температуры T, лежащей в диапазоне 0,55 Tпл T Tпл, где Tпл - температура плавления материала, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности отжига за счет снижения количества дефектов и дислокаций в пластинах, легированных дозами ионов примеси, не вызывающими аморфизацию имплантированного слоя, нагрев ведут импульсами миллисекундной...

Номер патента: 1005602

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дубровская, Коршунов, Тихонов, Тихонова

МПК: H01L 21/324

Метки: антимониде, инверсного, индия, слоя

Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.

Номер патента: 1515880

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Тюпин

МПК: E21B 19/24, F42D 3/04

Метки: врубовой, образования, полости

Способ образования врубовой полости, включающий бурение центральной опережающей скважины и периферийных шпуров вокруг нее, заряжание периферийных шпуров зарядами дробления, а в центральной скважине в ее перебуре размещение заряда выброса и взрывание сначала зарядов дробления, затем заряда выброса, отличающийся тем, что, с целью повышения качества образования врубовой полости и снижения степени удароопасности массива за счет использования гидродинамического эффекта взрыва, центральную скважину бурят с наклоном вниз под углом к горизонту, определяемым из выражения

Номер патента: 1628609

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Евтеев, Киреев, Козин, Кулеша, Никифоров, Харитонов

МПК: E04C 5/03

Метки: арматурная, периодического, проволока, профиля

Арматурная проволока периодического профиля, содержащая равномерно расположенные на ее гладкой поверхности вмятины и выступы, отличающаяся тем, что, с целью улучшения ее механических свойств, контуры поперечного сечения поверхности выступов и гладкой поверхности образованы дугами концентрических окружностей, отношение радиусов которых соответственно составляет от 1,005 до 1,15.

Номер патента: 1455778

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Горбатов, Копьев, Кулеша, Никифоров, Соколов, Харитонов

МПК: C25D 5/02

Метки: нанесения, поверхность, покрытия, смазочного, стальных

Способ нанесения смазочного покрытия на поверхность стальных изделий, включающий обработку в водном растворе натрового мыла, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и коррозионной стойкости изделий, покрытие наносят путем анодной поляризации в водном растворе, содержащем 2 - 10 г/л натрового мыла при напряжении 20 - 40 В и температуре 45 - 65oC в течение 4 - 10 с.

Номер патента: 529623

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Бугров, Иванов, Коврайская, Копылов, Космодемьянский, Лазарева, Лазарянц, Лысых, Медников, Орлова, Прокофьев, Самородов, Трофимович

МПК: C08L 23/22, C08L 9/10

Метки: бутилкаучука, вулканизуемая, латекса, основе, смесь

Вулканизуемая смесь на основе латекса бутилкаучука, содержащая серу, окись цинка, ультраускоритель класса дитиокарбаматов и углеродную сажу, отличающаяся тем, что, с целью увеличения сопротивления раздиру вулканизованной пленки, она дополнительно содержит сополимер изобутилена со стиролом или -метилстиролом с содержанием связанного стирола ( -метилстирола) 50 - 90% при следующем соотношении компонентов (в расчете на сухое вещество латекса), мас.ч.:Латекс бутилкаучука - 100Сополимер изобутилена со стиролом или

Номер патента: 704338

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/21

Метки: вырожденных, параметров, полупроводников, приповерхностных, слоях, электронов

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца л и эьалона o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра

Номер патента: 531352

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Бушин, Вернов, Горшков, Кирнос, Короткевич, Мандельштам, Милославский, Осовский, Павлов, Плечев, Сараев, Степанов, Черкасов, Шмук

МПК: C07C 11/18, C07C 7/08

Метки: выделения, изопрена

Способ выделения изопрена из C5-углеводородных смесей путем экстрактивной дистилляции с отделением пентан-пентеновой фракции и последующей ректификацией изопреновой фракции в присутствии разделяющего агента, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, ректификацию осуществляют при концентрации разделяющего агента 5 - 38 мас.%.

Номер патента: 1520717

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белан, Егоров, Кабанова, Никифоров, Селиванов, Харитонов

МПК: B21B 1/00

Метки: проволоки, сплавов, титановых

Способ изготовления проволоки из ( + )-титановых сплавов, включающий нагрев заготовки и деформацию в несколько проходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности и повышения качества, в процессе деформации осуществляют охлаждение, причем при степени суммарной деформации до 50% охлаждение осуществляют до температуры деформации 640 - 670oC, при степени суммарной деформации более 50%, но менее 80% охлаждение осуществляют до температуры деформации более 670oC, но менее 700oC.

Номер патента: 1520718

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белан, Егоров, Кабанова, Никифоров, Селиванов, Харитонов

МПК: B21B 1/00

Метки: проволоки, сплавов, титановых

Способ изготовления проволоки из -титановых сплавов, включающий нагрев заготовки и деформацию в несколько проходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности и повышения качества, в процессе деформации осуществляют охлаждение, причем при суммарной степени деформации до 55% охлаждение осуществляют до температуры деформации 470 - 500oC, при суммарной степени деформации более 55%, но менее 85% охлаждение осуществляют до температуры деформации более 500oC, но менее 530oC.

Номер патента: 1523000

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: полупроводниковых

Способ обработки полупроводниковых материалов, включающий импульсный нагрев, отличающийся тем, что, с целью получения обедненных слоев в кремнии n-типа, в качестве исходного используют кремний, легированный фосфором до концентраций 1013 - 5 1015 см-3, а нагрев ведут на воздухе до температуры 1150oC < T < 1200oC.

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.

Номер патента: 913793

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/00

Метки: вырожденных, полупроводниковых, проводимости, типа

1. Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов, преимущественно с различными эффективными массами электронов и дырок, основанный на сравнении параметров, измеренных на исследуемом материале и эталоне, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения бесконтактного определения типа проводимости приповерхностных слоев, в качестве эталона используют невырожденный полупроводниковый материал, образец и эталон освещают поляризованным светом с длиной волны, не превышающей длины волны красной границы поглощения кр.эт эталона, плавно перестраивают длины волн и находят наименее...

Номер патента: 1227099

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дуров, Иванникова

МПК: H05K 10/00

Метки: импульсов, резервированный, тактовых, формирователь

1. Резервированный формирователь тактовых импульсов по авт. св. 995699, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности формирователя, в каждый из его делителей частоты введен элемент ИЛИ-НЕ, подключенный входами к соответствующим выходам дешифратора, а выходом - к второму входу формирователя импульсов.2. Формирователь по п.1, отличающийся тем, что он выполнен двухканальным, каждый из каналов состоит из дифференцирующей RC-цепи, подключенной входом к входу формирователя, а выходом к соответствующему входу элемента ИЛИ, соединенного выходом с выходом формирователя.

Номер патента: 1017122

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дубровская, Коршунов, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: антимониде, индия, п-слоев

Способ получения n-слоев в антимониде индия, включающий ориентированную резку слитка, шлифовку и полировку подложек и облучение подложки импульсным лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя, облучению подвергают поверхность (100), (100), (111) или (211).

Номер патента: 594708

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Андреев, Беляев, Бушин, Горшков, Ератов, Казанкина, Короткевич, Кузьмина, Орлов, Павлов, Плечев, Преображенский, Резникова, Рудковский, Скачкова, Смирнов, Смолин, Чуркин, Яковенко

МПК: C07C 1/20, C07C 11/09, C07C 31/12 ...

Метки: изобутилена, совместного, триметилкарбинола

Способ совместного получения изобутилена и триметилкарбинола путем разложения метил-трет-бутилового эфира в присутствии катализатора при повышенной температуре в среде растворителя, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии процесса, в качестве катализатора используют смесь серной кислоты и органического азотсодержащего соединения, взятых в мольном соотношении 1 : 0,1 - 2, в качестве растворителя используют воду и процесс осуществляют при 130 - 180oC и давлении 15 - 35 атм.

Номер патента: 595970

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Беляев, Бережная, Бушин, Ератов, Каракулева, Троицкий

МПК: C08F 136/04, C08F 2/42

Метки: диенов, ингибирования, полимеризации, сопряженных

Способ ингибирования полимеризации сопряженных диенов введением ингибитора в раствор сопряженного диена в N-алкиламиде низшей карбоновой кислоты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения образования полимера и улучшения техники безопасности процесса, в качестве ингибитора применяют 0,5 - 0,2 мас.% от растворителя соли формальдегидсульфоксиловой кислоты общей формулы HO-CH2-SO2-M, где M - цинк или натрий.

Номер патента: 1347682

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Боков, Верхоломов, Крючков, Панфилов

МПК: G01M 15/00

Метки: воздушно-реактивных, двигателей, испытания, стенд

Стенд для испытания воздушно-реактивных двигателей, содержащий установленный на входе в испытуемый двигатель присоединенный трубопровод с торцовой крышкой и кольцевой ресивер, расположенный перпендикулярно оси трубопровода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности испытаний, он снабжен тороидальным кольцевым патрубком, сообщенным входом с ресивером и имеющим плоское выходное сопло, подсоединенное к трубопроводу между крышкой и его торцом при помощи упругих проставок и соединенного с ними тендера, а полость, образованная ресивером, патрубком, соплом и крышкой, сообщена с окружающей средой.

Номер патента: 1410438

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Дохикян, Елисеев, Яхкинд

МПК: C03C 21/00

Метки: самофокусирующихся, элементов

Способ получения самофокусирующих элементов преимущественно из таллиевоборосиликатных стекол путем ионного обмена с изотермической выдержкой, отличающийся тем, что, с целью обеспечения обработки элемента на глубину 2,5 - 5 мм, изотермическую выдержку проводят в две стадии: сначала в течение 100 - 120 ч при температуре, соответствующей вязкости 1013 Пз тугоплавкого стекла, образующегося из поверхности ионообменного слоя, и вязкости исходного стекла 107 - 108 Пз, а затем в течение 170 - 400 ч при температуре, соответствующей вязкости 1010 - 1011 Пз тугоплавкого стекла, образующегося на поверхности ионообменного слоя, и вязкости исходного...

Номер патента: 597291

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Постников, Тихонов

МПК: H01L 21/66

Метки: амортизации, кристаллических, степени

1. Способ определения степени аморфизации кристаллических материалов, например полупроводниковых, происходящей при облучении их ускоренными ионами, по разности оптических величин, измеренных для облученного и необлученного образцов материала, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, образцы перед облучением легируют акцепторной примесью с концентрацией носителей заряда от величины, достаточной для компенсации доноров, образующихся при облучении, до величины, определяемой предельной растворимостью акцепторной примеси, а в качестве оптических величин измеряют на длине волны, соответствующей краю полосы собственного поглощения измеряемого образца, арктангенс отношения...

Номер патента: 1170926

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Соловьев, Тихонова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых

1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...

Номер патента: 1531756

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергиями 30 - 60 кэВ и дозами, меньшими 4 1016 см-2, и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 25 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия...

Номер патента: 1531757

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Авдеев, Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соколов, Соловьев, Старикова, Тимашева, Шестериков, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, легирования, пластин

Способ легирования кремниевых пластин, включающий имплантацию в них ионов бора с энергией 30 - 60 кэВ и электрическую активацию бора последующим нагревом облучением импульсами света, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет получения поверхностной концентрации свободных носителей заряда, превышающей дозу имплантации, при одновременном снижении энергозатрат, нагрев осуществляют на воздухе импульсами света длительностью 2,5 10-3 - 10 с, при этом число импульсов и их энергетические параметры выбирают из условия обеспечения температуры T имплантированного слоя 900oC

Номер патента: 603207

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Андреев, Бытина, Горшков, Ератов, Заикина, Кириллова, Короткевич, Павлов, Серова, Степанов, Шмук

МПК: C07C 7/08, C07C 7/10

Метки: алленовых, ацетиленовых, бутадиена, углеводородов

Способ очистки бутадиена от алленовых и ацетиленовых углеводородов путем экстрактивной ректификации, экстракции или абсорбции с использованием в качестве экстрагента ацетонитрила, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь бутадиена и ацетонитрила, процесс осуществляют в присутствии первичных или вторичных аминов, выбранных из группы, содержащей метиламин, диэтиламин, бутилциклогексиламин, циклогексиламин, пиперидин, при концентрации их в экстрагенте 5 - 50 мас.%.

Номер патента: 603212

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Беляев, Бушин, Казанкина, Кузьмина, Преображенский, Резникова, Рудковский, Смолин, Яковенко

МПК: C07D 309/18

Метки: 4-метил-5, 6-дигидропирана

1. Способ получения 4-метил-5,6-дигидропирана жидкофазной изомеризацией метилентетрагидропирана при нагревании в присутствии кислотного катализатора, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, нагревание проводят при температуре 140 - 200oC и в качестве кислотного катализатора используют сульфаминовую кислоту, анилинсульфокислоту или продукты взаимодействия их с формальдегидом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве анилинсульфокислоты используют сульфаниловую, метаниловую или ортаниловую кислоту.

Номер патента: 604290

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Андреев, Беляев, Бушин, Ератов, Казанкина, Короткевич, Кузьмина, Лукашов, Павлов, Петухов, Плечев, Преображенский, Резникова, Рудковский, Скачкова, Смирнов, Смолин, Степанов, Яковенко

МПК: C07C 1/24, C07C 11/02

Метки: олефинов, третичных

Способ получения третичных олефинов путем дегидратации третичных спиртов в жидкой фазе в присутствии гомогенного катализатора при повышенной температуре, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и снижения расхода катализатора, в качестве катализатора используют соль серной кислоты и органического азотсодержащего основания и процесс проводят при 130 - 180oC.