Архив за 1983 год

Номер патента: 1003134

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Баранов, Кириллова

МПК: G09B 23/08

Метки: геодезии, прибор, учебный

...бны индикаторные счетчики 16, электриччески соединенные с подъемно-кодовымустройством 2 и электродами 9. Числосчет шков равно числу электродоВ.Прибор работает следующим обра- Бзом,Перед демонстрацией работы гидродинамического нивелира, используя уровни11 и регулирово пгые винты 12, устанавливают модель балки 7 в горизонталь- уное положение, а головки микрометрических винтов 1 О - на одинаковый от.счет, Включают прибор в электросетьи кнопкой "пуск" подают питание наэл".ктродвигатель. Подъемно-кодовве устДройство 2 выдаег импульсы, которыеуправляют работой индикаторных счетчиков 16, которые фиксирутог с точностьюдо 0,01 мм подъем бака 3. При контакте электрода 9 с жидкостью появляет 4ся сигнал о прекращении счета, и н аиндикаторньх...

Номер патента: 1003135

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Лазарев, Литвак, Морозов, Прибытков

МПК: G09F 13/22

Метки: индикатор, электролюминесцентный

...при планарном расположении электродов. Увеличение ширины технологических разрывов нецелесообразно изза эргономических требований к целосности индицируемых символов, а уменьшение - из-за опасности возникновения. паразитного возбуждения и электрического пробоя слоя электролюминофора в технологическом разрыве. ками известного прибора такнизкая надежность работы изготовления при сложной и большом количесаве инимволов, так как при плаположении электродов сложе невозможно развести шиз пересечений, поэтому технологические разрывы5 1 ООМТехнико-эконимические преимуществаэлектролкюинесцентного индикаторного прибора, изготовленного на основе предлагаемого элемента индикации, выражаются в снижении эксплуатационных расходов в связи с...

Номер патента: 1003136

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Задубовский, Калугин, Кравченко, Ляпко, Николаенко

МПК: G09G 3/00

Метки: газоразрядной, индикаторной, панелью

...между выбранными электродамипо каждой координате превышала уровень зажигания ячеек ГИПпорядка150 В ). Результирующие напряжения меж ду электродами выбранной и неоыбранной ячеек представлены на чертеже.После возникновения пробоя газав выбранной ячейке на диэлектрическихслоях ГИП создается стеночный заряд, 1 Оизменение которого показано пунктирной линией на чертеже. После однократного пробоя газового промежуткаи создания достаточной величины стеночного заряда выбранная ячейка ГИП 15продолжает переключаться самостоятельно При этом каждое переключение созда.ет короткую световую вспышку ( с частотой 100 кГц), однако ввиду большой частоты вспышек свечение ячейки 20кажется непрерывнымиз-за инерцииглаза ).В режиме отображения на электродыГИП...

Номер патента: 1003137

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Безбородко, Иванов, Кривец, Лебедева, Либман, Финкельштейн

МПК: G10D 11/00

Метки: акустических, инструментов, музыкальных, прокладка, узлах, язычковых

...инструментов являются низкие акустические показатели из-эа их значительной разнотолщинностиЦель изобретения - повышение акустических показателей инструментаУказ. нная цель достигается тем, что в прокладке в акустических узлах языцковых музыкальных инструментов, выполненной из пористого материала, в качестве последнего использован пенополистирольный материалДанный пористый материал, полученный экструзией с одновременным раэдувом экструдированного рукава и про" дольной вытяжкой, обладает хорошими герметизирующими свойствами и одно" временно необходимыми акустическими свойствами для языцкового музыкально 5го инструмента, Это связано с микро- структурой пенополистирольного мате- риала Прокладка, изготовленна лагаемого материала, при...

Номер патента: 1003138

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Андрианов, Павук, Рыбалко, Таргоня

МПК: G11B 5/02

Метки: аппаратуры, записи, интегральный, магнитной, стереофонической, усилитель

...схемы. Между базами транзисторов 18 и 19 выходного каскада и выходом промежуточного каскадавведены две пары транзисторов, последовательно соединенных первого 22 со вторым 23 и третьего 24 О с четвертым 25 транзисторов с одинаковым в паре типом проводимости (р-и-р в первой паре - транзисторы 22 и 23 и и-р-и во второй паре - транзисторы 24 и 25), Точка соединения транзисторов 22 и 23. первой пары подключена к базе транзистора 18, а транзисторов 24 и 25 - к Газе транзистора 19, коллекторы - к соответствующим шинам 26 и 27 питания, базы го второго 23 и третьего 24 транзисторов соединены с выходом промежуточного каскада 5, переход база - эмиттер транзистора 22 подсоединен параллельно пепеходу база - эмиттер транзистора 15, а транзистора...

Номер патента: 1003139

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Андрианов, Петров, Рыбалко, Таргоня

МПК: G11B 5/02

Метки: воспроизведения, интегральный, магнитофонов, стереофонических, усилитель

...резисторов 18 и 19 через резистор 20 подключена к режимному резистору 14 входного каскада, а через вывод 21 ИС - к внешему онденсатору 22 фильт-зо ра. Резисторы 14, 19 и 20 образуют цепь параллельно-последовательной ООС, охватывающей входной 3 и промежуточный 4 каскады усилителя, между которыми дополнительно введены пер 35 вый 23 и-р-и-типа, второй 24 и третий 25 р-и-и типа транзисторы,Коллектор транзистора 23 соединен с базами транзисторов 24 и 25, а. чеюо рез резистор 26 - с эмиттером транзистора 24 и нагрузкой 16 транзис-. тора 15. Эмиттер транзистора 23 и коллектор транзистора 24 через резистор 27 подключен к точке соединения45 резисторов 18-20, а база - к коллектору транзистора 7. Коллектор транзистора 25 подключен к...

Номер патента: 1003140

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Андрианов, Доля, Рыбалко, Таргоня

МПК: G11B 27/34

Метки: индикатора, интегральный, магнитофона

...базе и коллектору первого транзистора 2 и к базе второго транзистора 3, коллектор четырнадцатого транзистора 24 - к коллектору второго транзистора 3 и к базе четвертого транзистора 8, а коллектор третьего транзистора 4 - к коллектору седьмого транзистора 12 и к базам пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов 25 и 26. Коллектор шестнадцатого транзистора 26 подключен к базе и коллектору пятого транзистора 9 и к базе шестого транзистора 10, коллектор шестого транзистора 10 - к коллектору и базе одиннадцатого транзистора 19, к базе двенадцатого транзистора 20 и к коллектору транзистора 25. Коллектор двенадцатого транзистора 20 подключен к базе и коллек. тору семнадцатого транзистора 27 и к базе девятого транзистора 14, шина 28 смещения - к...

Номер патента: 1003141

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Кугаро

МПК: G11C 8/00

Метки: адресов, выборки, сигналов, формирователь

...0,8 В при согласовании схемы с уровнями ТТЛ логики, транзистор 18 заперт и ток через него равен нулю. Благодаря небольшой разнице в ширине каналов нагрузочных транзисторов 16 и 17, дифференциальный усилитель 36 на фронте импульса тактового питания устанавливается в состояние, при котором шина 31 заряжена до высокого логичес- ) кого уровня. При этом разряжается шина 23 затвора нагрузочного транзистора 16 через разрядный транзис,тор 8, разряжается также и выход 34 через разрядный транзистор 9, а шина 25 затвора зарядного транзистора 14 разряжается через разрядный транзистор 10, Изменение потенциала на шине 31 передается при помощи конденсатора 22 на шину 26 с коэффициентом передачи напряжения;С22 26где С - емкость передающего конден...

Номер патента: 1003142

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Акинфиев, Виноградов, Глаголев, Крючков, Павлов

МПК: G11C 11/34

Метки: динамическое, запоминающее, оперативное

...селектор 4, предназначенный для, выделения тактового сигнала обращения, регистр 5 сдвига, дешифратор6 адреса, регистр 7 управляющих сигналов, блок 8 местного управления,состоящий из элементов И, блоки 9 памяти, Формирователь 10 сигналов, предназначенный для управления регенерацией, и мультиплексор 11.На Фиг.1 обозначены адресный вход 12, вход 13 записи вход 14 чтения, выходы 15 устройства, вход 16 регенерации, вход 17 синхронизации и информационные входы 18 устройства и выход 19 формирователя сигналов.Селектор 1,фиг.2) содержит первый 20 триггер с установочным входом 21, второй 22 триггер и элемент И 23 с выходом 24.Формирователь сигналов содержитфиг.3) генератор 25 сигналов, счетчик 26 и элемент И 27,Каждый блок 9 памяти. имеет...

Номер патента: 1003143

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Буздин, Кеворкова, Климушин, Летников, Флидлидер, Янков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...работу устройства при поступлении на него втррого управляющего сигнала с входа "Память".35Запоминающее устройство содержит элементы 1 и 2 памяти ЭП), на основе ХСП, элементы И 3 и 4, триггер 5,43 4 элементы ИЛИ 6, 7 и 8. Вход 9 запоминающего устройства соединен с первыми входами элементов И 3 и 4 и первыми входами элементов ИЛИ 6, 7 и 8.Вход 10 запоминающего устройства подключен к вторым входам элементов И 3и 4. Первые выводы ЭП 1 и 2 подключены к общей шине, вторые выводы соединены с выходами элементов И 3 и 4и входами элементов ИЛИ 6, 7 или7 8 соответственно. Третий входэлемента ИЛИ 7, соединен с входомсинхронизации 11. Выходы элементовИЛИ 6, 7 и 8 связаны с входами Э, Си К триггера 5. Прямой и инверсный вьходы триггера 5 соединены с...

Номер патента: 1003144

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Лемберский

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающая, матрица, программируемая

...2, На чертеже обозначены информационные входы 3 матрицы, промежуточные шины 4, выходные шины 5. Устройство содержит также инвертирующий МОП-транзистор 6, Зф нагрузочный МОП-транзистор 7, группу нагрузочных МОП-транзисторов 8 и выходные транзисторы 9. На чертеже обозначены также тактирующий вход 10 матрицы и шина 11 питания. 35Программируемая запоминающая матрица работает следующим образом,На входы 3 подают входное слово, в результате чего все транзисторы стоки которых подключены к запрограммированной на данное слово шине 4, запираются и нэ выходе этой шины 4 устанавливается сигнал "1", После этого на тактирующий вход 10 подается сигнал "1", При этом на выходе каждойнечетной из шин 5 появляется сигнал "0", если на пересечении этой шины...

Номер патента: 1003145

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Кауров, Шаверин

МПК: G11C 19/00

Метки: буферное, запоминающее

...на единичном выходе первого триггера 2 и на ну.- левом выходе второго триггера блокируют первый элемент И-НЕ 4 и согнал перезаписи информации во второй регистр 1 заканчивается, при этом раз5 1 ОО 31 блокируется второй элемент И-НЕ сигнал на выходе которого разрешает перезапись информации в третий ре гистр 1 з, Таким образом, осуществляется последовательный сдвиг информации, поступившей в запоминающее уст. ройство, до регистра, элемент И-НЕ 4 схемы управления которого заблокирован сигналом с нулевого выхода триггера схемы управления следующего регистра. После окончания сигнала перезаписи информации в последний регистр 1 п и при наличии сигналов на входах12 и 13 триггер схемы управления последнего регистра возвращается в ис.- ходное...

Номер патента: 1003146

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Крехов

МПК: G11C 19/00

Метки: единичного, кода, регистр, сдвига

...соединены соответственно с вторыми входами элементов 2, 5, 8 И-НЕи соединены соответственно с вторымпвходами элементов 1, 4, 7 И-НЕ, третьи входы которых соединены соответственно с шиной 12, с выходами элементов 2, 5 И-НЕ и соединены соответственно с вторыми входами элементов 3, 6, Я И-НЕ, третьи входы которых соединены с виной 11 сброса, выходы элементов 2, 5 И-НЕ соериненысоответственно с четвертыми входамиэлементов 4, 7 И-НЕ.Элементы 2. 3 И-НЕ, 5, б И-НЕ и8, 9 К-НЕ составляют РВ-триггеры, вн 46 4ходы элементов 2,5,8 И-НЕ являются пря.мыми выходами триггеров,а выходы элементов 3, 6, 9 И-НЕ являются инверсными выходами триггеров.Устройство работает следующим образом.При подаче отрицательного импульса по шине 11 на выходах элементов2,...

Номер патента: 1003147

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Сидоров, Шахтшнейдер

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...Функциональная схема устройства.Схема содержит блок 1 формирования адреса, блоки 2 и 3 памяти, цифроаналоговый преобразователь 4, сумматор 5, коммутатор 6, блок 7 вычитания и блок 8 управления.Устройство функционирует следующим образом,В режиме записи на вход устройствапоступает сигнал на вход блока 7,который вместе с блоком 1 формирования адреса, коммутатором 6 и цифроаналоговым преобразователем 4 образуют вместе схему аналого-дискретного преобразования. Из выходного сигнала блока 7 в блоке 1 формируетсякодовый сигнал.Аналоговый сигнал, соответствующий этому кодовому сигналу вырабатывается преобразователем 4 и сравнивается с сигналом на блоке 7. Величина сигнала на выходе блока 7при этом не будет превышать однойдискреты...

Номер патента: 1003148

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Краковский

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...второйнакопительный элемент на конденсаторе,одна из обкладок которого соединенас шиной нулевого потенциала, другаяобкладка конденг.атора соединена с неинвертирующим входом второго опера 45ционного усилителя выход которогосоединен с выходом второго ключа и синвертирующим входом первого операционного усилителя, вторые входы первого и второго ключей соединены с пер 50вой шиной управления, и вторую шинууправления, введены третий и четвертый ключи, первые входы которых соединень с выходом первого ключа второй вход третьего ключа соединен спервой шиной у равлсния, выход третье.Го ключа соедиеч с н 1 Нвертирующимвходом втсрэг з сперц оног усилителя, втооой вх, четв р 1 г ключа сое -8 фдинсн с второй шиной управления, выход четвертого...

Номер патента: 1003149

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Малышев

МПК: G11C 29/00

Метки: записываемой, информации, оперативную, память

...иэ ячеекмассива, связанный поразрядно с усилителями блока 7 индикации, к выходам которых подключены светодиоды Размер массива и разрядность слова,записываемого в ячейку ОЗУ 12, определяют необходимое число элементовв коммутаторе 6 и блоке 7 индикации.Предлагаемое устройство работаетследующим образомНа наборном поле датчика 13 (фиг.2) устанавливается начальный адрес массива ячеек ОЗУ 12, предназначенногодля отображения на блоке 7 индикации.Значение начального адреса черезкоммутатор 15 записывается в регистр16, а также поступает в блок 7 дляотображения. Ключ 14 из положения"Начальный адрес" устанавливается вположение "Размер массива", при этом выход датчика 13, на котором набирается размер массива отображения, коммутатором 15 подключается...

Номер патента: 1003150

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Власов

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти

...образом.Работа устройства начинается с 25 начальных установок. В блоке 1 спомощью переключателя 15 и триггера17 устанавливается начальный режимпроверки ОЗУ (запись или считывание)а с помощью переключателя 14 и тригзо гера 16 устанавливается режим переадресации последовательный прямойили реверсивный "галоп", обращениек одной или произвольной паре ячеек,На счетчике адреса 7 формиируетсянацальный адрес провеРяемой ячейкипамяти, который поступает на входФормирователя 9. В формирователе 2формируется код числа для записи вОЗУ, В этот начальный момент работыустройства сигналы с генератора 10импульсов не проходят через элементИ 11 на элемент 12 задержки, таккак триггер 13 находится в нулевомсостоянии. После начальных установок 45триггер 13...

Номер патента: 1003151

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Быценко, Мищенко

МПК: G11C 29/00

Метки: записи, запоминающее, информации, контролем

...распределителя импульсов соединен с выходом блока местного управления, адругие выходы подключены соответствен 151 4но к входам регистра числа, Формирователя сигналов записи и регистра адреса.На чертеже представлена Структурная схема предлагаемого устройства.Устройство содержит накопительблок 2 местного управления, блок 3контроля, регистр 4 числа, распределитель 5 импульсов, формирователь 6сигналов записи, элемент И 7, регистр8 адреса, дешифратор 9 адреса. Устрой.ство имеет входы 10-12 и выходы 13и 14,Устройство работает следующим образом,По сигналам на входе 10 блок 2местного управления синхронизирует ргботу устройства в процессе записи.По сигналам от блока 2 распределитель5 Формирует последовательность синхронизирующих импульсов, с...

Номер патента: 1003152

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Кренев

МПК: G12B 3/08

Метки: амортизатор, цельнометаллический

...к нему и осям сетчатых втулок 3 направлениях. Жесткость демпфирующих сетчатых втулок 3 в направлении своих осей зависит от геометрических размеров, а также от диаметра проволоки и структуры сетки и в каждом конкретном случае под" бирается экспериментально равной жест костям по двум другим взаимно перпендикулярным направлениям. Верхние и нижние края демпфирующих втулок 3 установлены по отношению к основаниям верхней и нижней опорных крышек 1 и 2 с зазором. Для увеличения жесткости опорные крышки 1 и 2 выштампованы в виде коробок. Сетчатые втулки 3 крепятся к опорным крышкам 1 и 2 при помощи тросиков 5 и опрессованных на них втулок б, Для обеспечения крепления в верхнюю опорную крышку 1 запрессован опорный элемент 7.Устройство...

Номер патента: 1003153

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Попов

МПК: G12B 17/02

Метки: сверхпроводящий, селективный, экран

...и постоянные поля,40 3 1003 сопротивлением, при этом стороны щели соединены через последовательно соединенные комплексное сопротивле" ние и сверхпроводящий коммутатор.Кроме того, стороны щели могут быть соединены через параллельно соединенные комплексное сопротивление и сверхпроводящий коммутатор.На чертеже изображен вариант возможной реализации селективного сверх О проводящего экрана с последовательным соединением комплексного сопротивления и сверхпроводящего коммутатора.На поверхность полой трубы 1 из нормального металла нанесено сверх- проводящее покрытие 2, в котором по одной стороне вдоль всей его длины выполнена щель 3, сверхпроводящие стороны которой. соединены друг с другом с помощью комплексного сопротивления 4 и...

Номер патента: 1003154

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Бризицкая, Идельс, Каркина, Тризна

МПК: H01B 1/02

Метки: композиция, проводников, толстопленочных, электропроводящая

...обслуживания и потребляющих большое количество элект-з роэнергии.Кроме того, диэлектрическим основанием для известных электропроводящих композиций могут служить только специальные керамические материалы (керамика 22 ХС) и ситаллы (СТ-1), выдержи 35 вающие высокие темпера туры формирования проводникового слоя, Этим материалы, имеющие удовлетворительные элек троизоляциУказанным способом были приготовлены и исследованы составы, приведенные в табтпще. 72,5 73,0 73,5 0,28 0,3 0,32 Э тил целлюлозаТерпинеолМасло сосновое 100 107 11,4 2,0 2,2 7,6 7,8 8,0 6,0 6,2 7,0 фурф урод Серебро мелкодисперсное фенодформальдегиднаясмола термореактивная 184 4онные характеристики, характеризуютсявысокой стоимостью, дефицитностью, низкими...

Номер патента: 1003155

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Генин, Натан

МПК: H01B 17/26

Метки: ввод, герметичный, проводов

...1, нажимного элемента 2, уплотнительных элементов - эластичных шайб 3, фиксирующего элемента 4, нажимного элемента - гайки 5, герметизи33 руемых проводов 6, дополнительного уплотннтельного элемента- резинового кольца 7. В корпусе 1 установлены две эластичные шайбы 3, между которыми размещен фиксирукнций элемент 4 с высЮ тупами 8. При этом выступы 8 фиксирующего алементв введены в отверстия эластичных шайб, а резиновое кольцо 7 уложено в кольцевую канавку фиксирующего элемента, Весь пакет перечисленных элементов фиксирован посредством гайки 5 через нвжимной электент 2.Для осуществления герметизации проводов 6 после установки эласщчных шайб 3 и кольца 7, сборку вводят в полыйф корпус 1, при этом предварительно провода 6 равномерно...

Номер патента: 1003156

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Ленных, Макордей, Чепельчук, Шапкина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...атериал, состоящий из келя и модифицирующей доб достаток известного рез гаемому я резистивобаль тита вки 21, истивного хнич с м никеля кстехиомемаль нойСоста ия в относ го сопро получен тельно узтивления,материротивле истивн аи даннию привеные по удельному содены в таблице.Изобретение позвотивный материал с оудельного сопротивле310 Ом м, повыситьдежность пнтегральнон использован,ие однородявления о сопроОм м.достигаевный мв ляет получить нородной вели ния в дивпазо и ой260 тся тем,ериал,модие модифинаых с табильнос тьх схем, в ко никеля качест материала заключаетс ком диапазоне удельноЦель изобретения - ной величины удельно в диапазоне 250-310. Поставленная цель что известный резисти включвюптий кобвль тит фицирующую добавку,вают...

Номер патента: 1003157

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Хромушин

МПК: H01C 17/242

Метки: лазерной, пленочных, подгонки, резисторов

...на входы блока 15формирования импульсов и кольцевогораспределителя 16, разрешая их работу,На выходах кольцевого распределителя 16. Формируются последовательно распределенные во времениимпульсы, .с помощью которых распределяются во времени циклы измерениясопротивления резистора, воздействия луча лазера 1 на резистор и перемещения координатного стола 2Блок 9 измерения относительнойошибки сопротивления резистора Форми.рует на выходе напряжение, пропорциональное отношению разности сопротивлений эталонного и подгоняемогорезисторов к сопротивлению эталонного резистора. Первоначально сопротивление подгоняемого резистора меньшесопротивления эталонного резистора.В результате на выходах нуль-органа18 и блоков 8 и 12 сравнения присутствуют уровни...

Номер патента: 1003158

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Вохмянин

МПК: H01F 13/00

Метки: намагничивания

...намагничивающую катушку 9, коммутационный тиристор 10, диод 11, резистор 12, дополнительную катушку 13, магнитно-связанную с импульсной намагничнваюшей катушкой 9, и пороговый элемент14, например динистор,Устройство работает следующим образом,Свободно скользящий по наклонному 20желобу магнит затемняет фоторезистор3, падение напряжения на котором прикладывается к управляющему электроду тиристора 2, последний открывается и начинается заряд конденсаторов 4 и 5. Когда кон денсатор 4 зарядится до напряжения источника питания, тиристор 2 закроется, а конденсатор 5 через диод и резистор 12 будет продолжать заряжаться от батареиконденсаторе 4 до напряжения срабатывания стабилитрона 8, Включенный сгабилитроном 8 тиристор 7 открывается ипроисходит...

Номер патента: 1003159

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Астапов, Васильев, Ларионов, Михайлов, Нестерин, Сагарадзе

МПК: H01F 13/00

Метки: индуктор, магнитов, намагничивания, постоянных

...одновременно намагничиватьдве разнополярные пары постоянных маг 10 нитов в составе замкнутой магнитнойцепи изделия в сборе, что дает значительное повышение производительноститруда при изготовлении изделий и экономию электроэнергии,формула изобре тения 3 100гу боковыми торцовыми поверхностямигак, что основапия пластин лежат в одной плоскости, и перемычек, причем одна из перемычек расположена с внешнейстороны оснований П-образных пластинв их центральной части и параллельнабоковым поверхностям, а две другие перемычки соединяют внешние торцовые. поверхности соответствующих боковыхсторон так, что образуют с основаниямиП-образных пластин зазор, соответствующий размеру намагничиваемого магнита,при этом в центральной своей части...

Номер патента: 1003160

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Ефремиди, Малиновский, Сыричев

МПК: H01F 27/24

Метки: аппарата, индукционного, стержень, ферромагнитный

...А + О и длиной 6основания равна длине грани квадратного =И, где й - число пластин, в кажпакета. дом трапециевидном пакете, определяемоеСогласно способу изготовления ферро- по формуле И= 6 .45магнитного стержня для индукционного Указанная лента (фи,г. 6 а) раскраиаииарата, предусматривающему попереч- вается на две ленты 4 косым профильный раскрой рулонной стали на пластины ным резом под углом О = ОГс 1" с/для трапециевидных пакетов, перед опе- Полученные ленты 4 поперечно разрерацией поперечного раскроя из рулонной зают на участки 3, 3 г ., 3(г), 3электротехнической стали формируют и 3, 3, , 3, ), 3 каждый длиленты, имеющие форму прямоугольной ной 6,трапеции, затем после операции попереч- Полученные участки - пластины трапеного раскроя...

Номер патента: 1003161

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Васильченко

МПК: H01F 27/12, H01F 41/00

Метки: испытания, радиаторов, трансформаторных

...также дополнитель 55ными регулируемыми нагревателями, установленными между стенками кожуха вдонной части и в зоне крышки бака,4Выполнение кожуха из разъемных секций и исключение жидкого диэлектрика из пространства между кожухом и баком позволяет упростить обслуживание, уменьшить объем и трудоемкость монтажных работ, связанных с ремонтом. Предлагаемая конструкция устройства позволяет обеспечивать и поддерживать одинаковую, близку к нулю, разность температур стенок бака, и охватывающих его вну"- ренних стенок кожуха по всей поверхности бака, пр дставляется возможность разделения высоты бака на отдельные участки, в которых можно поддерживать значения температуры, соответствующие. ее распределению в Стенках испытательного бака.На фиг. 1...

Номер патента: 1003162

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Аксюк, Доронин, Костиков, Пузенко

МПК: H01F 41/04

Метки: намоточное

...диаметрапаковки в процессе намотки.При этом большее значение беретсядля меньших изменений ф (например,О0,7-2 ф) ц меньшее значение длябольших изменений ф (например Р = 0,63,0 д 5 ),б) для случаев, когда намягничиваемыйматериал отдается при примерно постоянной силе торможения3 = 1 = - (,0,8- 0,7),2,атак как тогда устройство работает как. создатель примерного постоянства, натяжения и линейной скорости.Та или иная величцна (Э уточняетсяпри конкретном построении устройствав зависимости от задачи, характера подшипников ц.применяемых материалов(например подшипники с латунным сепаратором работают несколько лучше).На фиг. 3 дан график примерных зависимостей скорости и врашаюшегосямомента, где (в относительных единицах):По - ведущая скорость...

Номер патента: 1003163

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Козлов, Миллер, Шепелев

МПК: H01G 7/04

Метки: емкости, конденсатор, переменной

...до максимального значения и наоборот осуществляется .скачком.15 3 1 териала с фазовым переходом металл- , диэлектрик.На чертеже приведен вариант конструкции конденсатора.Конденсатор имеет плоскую конструкцию и содержит две обкладки 1, Между обкладками размещен слой 2 материала с фазовым переходом металл-диэлектрик (двуокись ванадия) и слой 3 материала с диэлектрической проницаемостью, не зависящей от температуры, и расположенный последовательно со слоем 2 материала, От обкладок конденсатора выполнены выводы 4. На обкладке конденсатора, контактирующей со слоем 2 материала, расположен узел регулирования тем- пературы, который электрически изолирован от обкладки с помощью изолятора 5, имеющего большую теплопроводность. Узел...