Селективный сверхпроводящий экран

)1003153 К АВТОРСКОМУ СВИ ЛЬСТВУ 1) Дополнител ое к авт. саид-ву 11,81(21) 335285 о ОЙ(22)Заявле с присоедин ением заяв 012 В удзустзеккык комитат СССРОпубликовано 07 03.83. Бюлл ования описания ень М 9 пе тек 7,03.83 публ с(7) Заявител 5 Й) СЕЛЕКТИВНЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЮ,ИЙ ЭК нои оль заннои в этом покрытии вд стороны по асей его длине.Это устройство имеет мал и габариты, что позволяет и вать его в малогабаритных к тронных устройствах,в частно те со сверхпроводящими кван интерферометргми для защиты них от помех 21 .Недостаток известного ус измерь испоратур ую массуспользориоэлексти вмеь меов по д роистваулировки его себез извлечения из невозможность рег лективных свойств криостата и полной ничивает точностьЦель изобретени азамены, чтоего настройки оч-повыш 5 ч ности настройки Поставленная что селективный чан, содержащииРубу, на внеан ой расположено продоль его дли ытиео все одящим ком Изобретение относитсятельной технике и может бзовано в измерительной апразличного назначения,/Известен экран, выполненный из талла с высокой проводимостью 11.Экран хорощо работает на высоких частотах, но для экранирования низки частот требует толстые стенки и обладает вследствие этого значительной массой, что не позволяет использовать его в малогабаритных криоэлек тронных устройствах. Регулировка селективных свойств таких экранов может производиться только путем полной замены одного экрана на другой с новыми селективными свойствами.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является сверхпроводящий селективный экран, образованный сверхпроводящим покрытием, нанесенным на полую трубу из нормального металла, и цепью, прере. цель достигается тем, сверхпроводящий экполую металлическую ей поверхности котосверхпроводящее покной сквозной щелью не, снабжен сверхпротором и комплексным"внеш н;1 э- :(и 1 иНвнур эгде Нзшн - напряженность электро"магнитного поля вне вкрана;Нвнтр - напряженность электромагнитного поля внутриэкрана;лпостоянная времени экрана;1. - индуктивность экрана;В - сопротивление (актив 3ное) экрана,то подключение комплексного(активного или реактивного) сопротивленияизменяет постоянную времени экрана,а следовательно, и его селективные. свойства на частоте измерений,В том случае, когда комплексноесопротивление 4 отсутствует, сверхпроводящие стороны оказываются замкнутыми через сверхпроводящий коммутатор 5 и экран экранирует как переменное, так и постоянные поля,40 3 1003 сопротивлением, при этом стороны щели соединены через последовательно соединенные комплексное сопротивле" ние и сверхпроводящий коммутатор.Кроме того, стороны щели могут быть соединены через параллельно соединенные комплексное сопротивление и сверхпроводящий коммутатор.На чертеже изображен вариант возможной реализации селективного сверх О проводящего экрана с последовательным соединением комплексного сопротивления и сверхпроводящего коммутатора.На поверхность полой трубы 1 из нормального металла нанесено сверх- проводящее покрытие 2, в котором по одной стороне вдоль всей его длины выполнена щель 3, сверхпроводящие стороны которой. соединены друг с другом с помощью комплексного сопротивления 4 и сверхпроводящего коммутатора 5, управляемого снаружи криостата (цепи управления не показаны).Устройство работает следующим образом, .При подаче сигнала по цепи управления сверхпроводящий коммутатор 5 подключает (в случае последовательного соединения) или отключает (вЗО случае параллельного соединения ) ком плексное сопротивление 4, Поскольку эффективность экранирования определяется соотношением 153 4Выбором величины подключаемогоили отключаемого комплексного сопротивления 4 можно регулировать частоту среза экрана ( т,е, частоту,на которой отношение ч 1 цц/Нвнур=2)в очень широких пределах. Годе"ча:регулировка может производиться ипутем установки нескольких коммутаторов и комплексных сопротивленийи их набора по какому-либо алгоритму,В качестве сверхпроводящих коммутаторов могут быть использованысверхпроводяшие реле, криотроны илимодуляторы с тепловым, магнитным илиоптическим управлением. Выбор разновидности коммутатора определяютисходя из конкретных требований кустройству, в составе которого используется селективный сверхпроводящий экран,Использование предлагаемого изобретения позволяет производить оперативную регулировку параметров сверепроводящих экранов, значительно(в 7-8 раз) уменьшить время на ихнастройку и в 5-10 раз сократить рас.ход жидкого гелия.Формула изобретения 1, Селективный сверхпроводящий экран, содержащий полую металлическуютрубу, на внешней поверхности которойрасположено сверхпроводяшее покрытиес продольной сквозной щелью по всейего длине, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения точности настройки, он снабжен .сверхпрово.дящим коммутатором и комплексным со.противлением, при этом стороны щелисоединены через последовательно соединенные комплексное сопротивлениеи сверхпроводящий коммутатор.2. Экран по п.1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что стороны щели соединены через параллельно соединенныекомплексное сопротивление и сверхпроводящий коммутатор.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. 5(О 1 О 1 пз 1 гцяепйв апд вЬ 1 е 1 д 1 паког 1 оыече 1 щадпе 1 сз веавцгещепйвт,1 оцгпа оГ Арр 1. РЬуз 1 сз", ч,45,И 2, 1977, р. 702-710.2. Шеремет В, И. и. др. Сверхпроводящие экраны-фильтры магнитным полейнизких и инфранизких частот. -"Приборы и техника эксперимента", 1981,Иф 1, с. 213-214.Тираж 598венного комите етений и откры Ж, Раушская ПодписноеССР 70/36ИИПИ Государ по делам изо 13035, Москва иаб Проектная,Патент" Ужгород,ил