G12B 17/02 — от электрических и магнитных полей, например радиоволн

Номер патента: 470870

Опубликовано: 15.05.1975

Автор: Булгаков

МПК: G12B 17/02, H01F 19/00

Метки: качества, обмоток, трансформатора, экранировки

...и один из выводов обмотки (или обмоток), относительно которой проверяется качество экранировки (первичная обмотка 3 и вторичная обмотка 10, которые заземляются через переключатели 2 и 11).На первичную обмотку 3 подается напряжение питания от источника 1. Вращением оси потенциометра 7 по вольтметру 9 устанавливается минимально возможное напряжение наводки на резисторе 8, Переключатель 2 переводится в другое положение, по вольтметру 9 измеряется приращение наводки, которое является критерием для суждения о качестве экранировки обмотки 6 относительно обмотки 3: чем меньше приращение наводки, тем лучше качество экранировки.Вновь устанавливается минимальное значение наводки: переводом переключателя 2 в исходное положение или вращением оси...

Номер патента: 571833

Опубликовано: 05.09.1977

Автор: Таран

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитный, экран

...мой аппаратуры.Цель изобретения - упрощение конструкции ррэкрана - достигается тем, что в магнитном экране ввиде многослойной цилиндрической оболочки сторцовыми крышками и системы проводников длясоздания переменного магнитного поля в оболсистема проводников вь.полнена в виде цили Магнитныи экран выполнен в виде многослойной пермаллоевой цилиндрической оболочки 1 с торцовыми крьппками 2, в центре которых имеют. ся отверстия, и системой проводников для создания переменного магнитного поля в оболочке, выполненной в виде цилиндрической трубы 3, соосной оболочке 1, с расширением на участке, находящемся в полости. К этой трубе, диаметр которой выбирают исходя из габаритов измерительной аппа. ратуры, по трубам 4 и 5 через отверстия в...

Номер патента: 645209

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Воронцов, Гусев, Човган

МПК: G12B 17/02

Метки: экранирующее

...слезом. Магнитная составляющая помехонесущего поля наводит ЭДС в регистрирующих катушках 1. Эта ЭДС пропорциональна, как известно, напряженности магнитного поля помех, частоте, площади катушки и магнитной проницаемости материала экрана. Ток помех, возникающий в катушках 1, попадая в регулируемый источник 3 питания, вызывает на его выходе такой ток, который подается к компенсирующим катушкам 2 и создает поле, противоположное пад ющему помехонесущему полю. Инвертир вание тока в компенсирующих катушках может производиться как в регулируемом источнике питания, так и посредством противоположной намотки витков регистрирующих и компенсирующих катушек, Пооис645209 Составитель О. Кудрявцева Техред А. Камьинникова Корректор 3. Тарасова...

Номер патента: 647746

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Афанасьев, Бушуев, Шеремет

МПК: G12B 17/02

Метки: измерений, комната, магнитных, экранированная

...стене 1-4 экранированнойкомнаты, на потолке 5 и полу 6 закреплен многослойный ферромагнитный экран,К проходу в стенке 1 подсоединен отрытый коридор 7 в виде прямоугольныэизогнутых соосно установленных труб,К многослойному ферромагнитному экрану подсоединены ферромагнитные трубы8, коаксиально установленные с опорными колонками 9 каркасов комнаты. Квершинам углов 10 и 11 подключен источник питания 12 переменного размагничивающего тока. Световой поток отлампочки 13 по световоду 14 проэциру Оется на светоотражаюший шар 15.Устройство работает следуюшим образом,Экранированная комната находитсяпод воздействием магнитного поля Зем Зли и магнитных помех промышленныхустановок. Внутри комнаты внешние магнитные поля...

Номер патента: 649045

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Долгих, Кириевский

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитный, экран

...поле помехи.В общем случае функционируют оба комплекта, компенсируя соответствующие пространственные составляющие поля помехи.Степень компенсации пространственныхсоставляющих поля помехи может быть получена достаточно в сокой. Она определяется чувствительностью датчиков 2 и 3 и коэффициентом усиления усилителей 4 и 5.Таким образом,не увеличивая габаритов маг нитного экрана (каркаса), можно исключитьпроникновение теоретически каких-угодно больших магнитных полей в область, защищенную экраном. Формула изобретения Источники информации, принятые во вни 35 мание при экспертизе 3сверху вниз или снизу вверх (плоскость с датчиком 2) и слева направо или справа налево (плоскость с датчиком 3).Датчики 2 и 3 подключены к усилителям . 4.-и-ь...

Номер патента: 660094

Опубликовано: 30.04.1979

Автор: Михайлов

МПК: G12B 17/02

Метки: экран, электростатический

...на фиг. 2 - сечение сго в увели чснном масштабе; на фиг. 3 прсдставленаразвертка (заготовка) для изготовления экрдна.5 стро 11 ство выполнено в впдс цилиндр 11 1нз гибкого изоляционного материала типа 1 стеклотекстолит, на обеих повсрностях которого име 1 отся параллельныс псчатныс проводники 2, сосдиненныс кольцевым разомкнутьм нроводнико 1 3. Для сосдинсния разомкнуты витков предусмотрен пистон.20 Для придания экрану цилиндрической формы заготовка (см. фиг. 3) склеивается.Предварительно на двустороннем фольгнрованном диэлектрике с обси сторон формируется система проводников (см, фнг. 3) фотохнх 1 и 1 сских 1 способом. Проводники располагают так, как показано на фиг. 2, чтобы они нд одной поверхности псрскрыва;1 и нсэкр 11 нированный...

Номер патента: 699570

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Беляев, Мартьянов, Шерман

МПК: G12B 17/02

Метки: компенсации, магнитных, переменных, полей, помехонесущих

...в устройство трансформатора, а вторичная обмотка трансформатора и управляЭг Фивы яв" 699570 формула изобретения Составитель ф. Цареградский Редактор Т. Клюкнна Техред О, Луговая Корректор Г. Решетннк Заказ 7238/55 Тираж 679 Подписное ЦН ИИ ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4ющая обмотка, соединенные последовательно и встречно, подключены ко входу интегрирующего усилителя через регулируемыйделитель напряжения, к выходу которогоподключены первичная обмотка трансформатора и выход усилителя.На чертеже дана структурная схема предложенного устройства.Устройство содержит управляющую обмотку (УО) 1, регулируемый...

Номер патента: 752504

Опубликовано: 30.07.1980

Автор: Захаров

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитостатический, экран

...из эластичного материала, например резины, прикрепленная к указанной поверхности пр)ижииным кольцом 9, которое сопряжено с кромкой б по скользящей посадке. противоположный конец оболочки 8 прикреплен к переходному магнитному элементу 10 прижимным кольцом 11. Через отверстия элемента 7 и маг,нитных элементов, один из которых обозначен через 12 и зазор 13,между, ними проведен гибкий металлорукав 14, один конец которого прикреплен к,переходному элементу 10, а другой - к крышке б. Диаметр отверстия в магнитных элементах больше диаметра металлорукава. Все магнитные элементы выполнены из магнитомягкого материала, Переходные магнитные элементы 7,и 10 выполнены оплошными.Эластичная оболочка 8 необходима для возвращения магнипных...

Номер патента: 752505

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Кириевская, Кириевский

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитный, экран

...составляющие потока сверху вниз и снизу вверх (плоскость с датчиком 2) и слева направо или справа налево (плоскость с датчиком 3). Датчики 2 и 3 подключены к усилителям 4 и 5, которые своими выходами подключены к размагничивающим обмоткам 6 и 7. При О чем, размагничиваюшая обмотка 6 намотана на корпусе 1 таким образом, что ее ось совпадает с направлением пространственной составляюгцей магнитного потока, действующей перпендикулярно той поверхности корппуса 1, на которую наложен датчик 2, через усилитель подключенный к этой обмотке 6. В свою очередь, размагничивающая обмотка 7 намотана на корпусе 1 таким образом, что ее ось совпадает с направлением составляющей магнитного потока, действующей 26 перпендикулярно той поверхности корпуса...

Номер патента: 769643

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Афанасьев, Гусев, Порфиров, Шеремет

МПК: G12B 17/02

Метки: ферромагнитный, экран

...под действием 45 магнитного поля помех происходит намагничивание ферромагнитных слоев 4-7 и за счет этого остаточное магнитное поле экрана увеличивается, а следовательно уменьшается коэффици ент экранирования. Тогда эти ферромагнитные слои размагничиваются пропусканием по ним, начиная с наружного слоя 4 и кончая внутренним слоем 7, переменного тока размагничивания 3 от источника питания 19 через кольца из высокопроводящего материаРла 8-15, закрепленные на противоположных концах ферромагнитных слоев с электрическим контактом по всему периметру, что обеспечивает однородное 60 распределение размагничивающего тока по всему ферромагнитному слою. Сужение 3 предназначено только для закрепления колец из высокопроводящего материала 12-15 и...

Номер патента: 851496

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Березинец, Бондаренко, Бочаров, Каплун, Комарец, Новогренко

МПК: G12B 17/02

Метки: длязащиты, магнитногополя, магнитный, постоянного, преимущественно, экран

...сильного постоянного магнитного поля, создаваемого сверхпроводящими магнитами, используемыми для подвеса, направления и тяги транспортных единиц.Известен магнитный экран из магнитно-мягкого материала (пассивные экраны), защищающий салон экипажей от влияния постоянного магнитного поля сверхпроводящих магнитов 1Недостаток такого экрана заключа" ется в том, что он составляет 30 от общей массы экипажа.Наиболее близким к предлагаемому является магнитный экран, содержащий 20 ферромагнитный лист и источник противодействующего магнитного поля 21.Однако конструкция этого экрана сложна и обладает большой массой.Цель изобретения - упрощение кон струкции и снижение массы .Эта цель достигается тем, что магнитный экран, содержащий...

Номер патента: 951409

Опубликовано: 15.08.1982

Автор: Федоров

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитный, экран

...Кроме того. толщина немагнитныхпрокладок лежит в пределахГс Маргде а - ширина экранирующих оболочек, С - толщина немагнитных прокладок, Г- толщина экранирующих оболочек.45На фиг, 1 представлена конструк-ция экрана; на фиг. 2 - зависимостьпараметров исследованной моделиэкрана от его характерных размеров.Магнитный экран содержит см.фиг. 1) экранирующие оболочки 1 инемагнитные прокладки 2.Магнитный экран работает следующим образом.Экранирование внешнего магнитного. поля достигается, как и у известных5 магнитных экранов,за счет низкого магнитного сопротивления экранирующих оболочек. Однако в направлении 09 4 .оси экрана магнитное сопротивление велико за счет наличия большого числа немагнитных зазоров, а в напра 6" лении перпендикулярном...

Номер патента: 951410

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Никитенко, Таран

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитный, экран

...оболочку 1,торцевые крышки 2, внутреннюю трубу 3 дополнительную внешнюю цилинд"рическую трубу 4, торцевые дискивнешней трубы 5 и 6, источник переменного тока 7Устройство работает следующимобразом.При пропускании переменного токапо внутренней трубе 3, торцевому диску 5 трубе 4 и торцевому диску 6на ферромагнитных оболочке 1 и крышках 2 создается переменное магнитноеполе, подмагничивающее их за счет3 9514 чего возрастает магнитная проницаемость.материала, и, как следствие, эффективность экрана. Внутри трубы 3 магнитное поле существенно меньше, чем снаружи, но все-таки конечно. В предлагаемом экране ток, проходящий по трубе 4, создает внутри его значительно более слабое магнитное поле, чем поле вне трубы 3, создаваемое током по ней....

Номер патента: 955214

Опубликовано: 30.08.1982

Автор: Шеремет

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитный, экран

...гелия и жидкого гелия термоизолируюшими прокладками 4 и 5, охлаждается значительномедленнее, Для устранения доступахолодного газообразного гелия к поверхности сверхпроводяшей оболочки 1,термоизолирующие прокладки 4 и 5 выполнены по Форме, аналогично Формесоответствующих поверхностей Оболочки и плотно прилегают к этим понерхностям, при этом длина прокладокпревышает длину оболочки. Таким образом, после начала охлаждения на сверхпроводящей оболочке 1 возникает температурное поле, которое имеет равномерный градиент температуры вдольоболочки, наиболее низкой температурой обладает Область 16, а наиболеевысокой температурой обладает открытый конец оболочки,Зарождение сверхпроводящей Фазы происходит вблизи центра дна, где температура Т с Т...

Номер патента: 968857

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Берзиньш, Зилицкий

МПК: G12B 17/02

Метки: гребенчатая, прокладка, электромагнитная

...изобретения - повышение эффективности экранирования.Цель достигается тем, что в гребенОчатой электромагнитной прокла)ке, содержащей прямоугольное основание,вдоль длинной стороны которого выполнены выступы, выступы выполнены пообеим длинным сторонам основания, при- цчем с одной стороны основания они выполнены Ч-образной формы, а с другойпрямоугольной, а на. коротких сторонахоснования выполнены пазы.На фиг. 1 показана гребенчатаяэлектромагнитная прокладка, общий вид,на фиг. 2 - то же, вид сверху, нафиг. 3 - форма изгиба выступов, нафиг. 4 - крепление гребенчатой электромагнитной прокладки к экрану.Прокладка располагается между экраном 1, имеющим .-образную отбортовкупо краям, и экраном 2, имеющим такуюже противоположно направленную...

Номер патента: 968858

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Афанасьев, Бушуев, Порфиров, Шеремет

МПК: G12B 17/02

Метки: ферромагнитный, экран

...коаксиально с зазором и изолированные друг от друга. На противоположных сторонах оболочек 1 и 2 укреплены шины 3, 4 и 5, 6 из электропро"водного материала. Регулируемый источник 7 переменного тока подключен к 20шинам 3 и 1 оболочки 1, а второй регулируемый источник 8 переменного тока с фазовращателем 9 подключен к шинам 5 и 6 оболочки 2 обратной полярностью, в противофазе. 25ферромагнитный экран работает следующим образом.С помощью шин 3, 1 и 5, 6 токи подмагницивания равномерно распределеныпо оболочкам 1 и 2, что обеспечивает 50однородное их подмагницивание и снижение остаточного поля внутри экранадо уровня ниже 1 нТл, Однако из-заразличия размеров оболочек 1 и 2 создаваемые токамии 1, однородные маг 35нитные поля внутри экрана...

Номер патента: 991517

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Зайцев, Калинин

МПК: G12B 17/02

Метки: ферромагнитный, экран

...2 изображен экран; на фиг, 3 - вид А-А на Фиг, 1; на .Фиг.4- вид Б-Б на Фиг.2.Ферромагнитный экран состоит из . электропроводного каркаса в виде по". лой прямоугольной призмы 1, двух полых усеченных пирамид 2, которые кре3 99151 пятся. между собой винтами 3, многослойный ферромагнитный элемент выполнен в Виде четырех прямоугольных секций ч и четырех трапециевидных секций 5 и из электроизоляционного покрытия 6 секций.Экран работает следующим образом.Катушкой меры магнитной индукции или другим источником переменного магнитного поля, помещенным 1 не по о казанов экран на секциях ферромаг, нитного элемента экрана создается ЭДС взаимоиндукции. Однако тока взаимо. индукции в сечении экрана не возникает, так как внутренние секции экрана...

Номер патента: 995126

Опубликовано: 07.02.1983

Автор: Кириевский

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитный, экран

...в ней ток создает магнитный поток, действующийнавстречу магнитному потоку помехи.В момент достижения компенсирующимпотоком в обмотке величины магнитного потока помехи меняется полярность сигнала на выходе датчика 2,реагирующего на результирующий магнитный поток, При переходе его отположительного к отрицательному значению изменяется полярность напряжения на выходе нуль-индикатора 6 и,следовательно, полярности импульсовна выходе вторичных обмоток 12 и 13трансформатора 10, При этом запи"рается отрицательным импульсом тиристор 16 и открывается положительным импульсом тиристор 17. По цепи:вход делителя 20 - тиристор 17 - размагничивающая обмотка 4 - выход делителя 20, начинает протекать ток.Таким образом, осуществляется сменанаправления тока...

Номер патента: 1003153

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Попов

МПК: G12B 17/02

Метки: сверхпроводящий, селективный, экран

...и постоянные поля,40 3 1003 сопротивлением, при этом стороны щели соединены через последовательно соединенные комплексное сопротивле" ние и сверхпроводящий коммутатор.Кроме того, стороны щели могут быть соединены через параллельно соединенные комплексное сопротивление и сверхпроводящий коммутатор.На чертеже изображен вариант возможной реализации селективного сверх О проводящего экрана с последовательным соединением комплексного сопротивления и сверхпроводящего коммутатора.На поверхность полой трубы 1 из нормального металла нанесено сверх- проводящее покрытие 2, в котором по одной стороне вдоль всей его длины выполнена щель 3, сверхпроводящие стороны которой. соединены друг с другом с помощью комплексного сопротивления 4 и...

Номер патента: 1076440

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Кестельман, Садыков, Стадник

МПК: G12B 17/02

Метки: экранов, электромагнитных

...вращаю.щегося магнитного поля выбирают равной напряженности насыщения ферромагнитного наполнителя.В результате экран получается многослойным и, следовательно, более" эффективным.. Кроме того, наличие полимерных прослоек между частицами и слоями приводит к уменьшению потерь на высоких частотах и большей частотной стабиль-. ности предлагаемого экрана по сравнению со сплошным металлическим,что обу-; словлено высоким удельным сопротивле-нием полимерных композиционных экрановСпособ осуществляют следующим образом.Готовят и смешивают наполнитель с полимерной матрицей, после чего .нагревают смесь до температуры планф:левик (текучести) полимерной матрицы и накуумируют (или воздействуютВНИИПИ Заказ 650 22Филиал ППП атент ,г,давлением) для...

Номер патента: 1109810

Опубликовано: 23.08.1984

Автор: Федоров

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитный, экран

...магнитного поля замыкаются через стержни 1. Две другие же компоненты поля ослабляются незначительно, ввиду большого магнитного сопротивления н поперечном направлении.Отношение длины . и диаметра 2 Р экранирующей оболочки данного экрана лежит в диапазоне от двух до четырех. Именно такое соотношение размерон обычно выбирается у цилиндрических магнитных экранов с открытыми концами, так как при увеличении или, уменьшении этого отношения относительно укаэанного значения продольный коэффициент экраниронания уменьшается. Характеристики предлагаемого экрана н осевом направлении весьма близки к соответствующим характеристикам известных однослойных экранов со сплошной экранирующей оболочкой. В данном случае из-за наличия немагнитных прокладок...

Номер патента: 1228151

Опубликовано: 30.04.1986

Автор: Жернаков

МПК: G12B 17/02

Метки: магнитного, области, ограниченной, поля, экранирования

...через второй конец цилиндра оболочки 2. Можно сказать, что маг- О нитный поток одного знака аннигилирует с точно таким же магнитным потоком противоположного знака. При этом порция энергии поля переходит в тепло и частично - в электромаг нитное излучение.Оставшийся магнитный поток вновь перераспределяется между отверстием оболочки 2 и НСЗ 3. При смещении НСЗ 3 от второго конца цилиндра 20 захватывается часть магнитного потока меньшей величины1 1а 5 а Й )+ 1 1 +)=В Б=ВВо втором конце остается захваченным 25 магнитный поток, равныйр =В Б=ВБостЯ 1 +11 (1+) При приближении НСЗ 3 с потоком Ф., к пру цу цилиндра 30 айнйгилирует соответствующая часть потока и т.д, Выпишем последовательность остающихся после каждого цикла замороженными в...

Номер патента: 1396161

Опубликовано: 15.05.1988

Автор: Аполлонский

МПК: G12B 17/02

Метки: оболочек, экранирующих

...орган 12 служит для контроля места расположения оболочки 1в плоскости У 02,Иехацическяя передача для перемещения оболочки 1 в плоскостях ХОУ. иХО 2 состоит из штока 8, выполненногополыгл, который закреплен одним концомво втулке 10 и движется по направляющему стержню 13 мерной линейки 14,расположенной на штоке 15 и служащейдля определения положения оболочкив плоскости ХОУ, а также измерительного транспортира 16, крепящегося кштоку 15 и служащему для определенияположения: оболочки 1 в плоскости Х 02;Все элементы устройства, кроме оболочек 1 и 2, выполняются из немагнитцых материалов,.Устройство работает следующим образом.Б олости оболочки 1 поддерживаетсязаданная цеодцородцость распределения- (О) (о) Фпаля ЬВ = ЬВ е)(о (1 Ьцд, где...

Номер патента: 1499409

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Поладич, Стрижко

МПК: G12B 17/02

Метки: прибора, сверхпроводникового, экранирования

...экраном, снабженаЗО герметично соединенной с ее открытым концом крышкой, в кот ор ой г ерметично и подвижноустановлен. шток. На внутренней поверхности камеры, на уровне верхней кромки многослойного экрана, 35 установлен нагреватель, и камера заполнена газообразным теплоносителем, а дно ее выполнено с возможностью кондуктивного теплового контакта с жидким хладагентом. 40 На чертеже изображено устройство,общий вид.Устройство содержит криостат 1, полую камеру 2, дно которой находит ся в контакте с жидким хладагентом, а стенки вакуумно-изолированы, крышку 3, герметично соединенную с откры" тым входом камеры 2, шток 4, укрепленный в крьппке 3 одним своим концом герметично и подвижно, ввод 5, установленный на крышке 3, для...

Номер патента: 1539847

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Голговских, Хагемейстер

МПК: G12B 17/02

Метки: экранирующее

...Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к электротехнике, е частности к устройствам экранирования.Цель изобретения - повышение эффективности экранирования путем обес"5 печения компенсации низкочастотных помех,На чертеже изображена схема экранирующего устройства. 10Устройство содержит магнитопровод1 с катушкой 2 и расположенные на магнитопроводе 3 защищаемого аппаратакатушки 4. Катушка 2 соединена встречно"параллельно с катушками 4. Числокатушек 4 определяется количеством ,стержней экранируемого магнитопровода аппарата. Иагнитные оси катушек 2 и 4 параллельны.Устройство...

Номер патента: 1554031

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Павлюк, Рябовол

МПК: G12B 17/02

Метки: измерений, криостат, магнитных, экранированный

...9с током создается требуемое распределение магнитного поля. Емкость 1заполняется гелием, в результате чего40оболочка 3 переходит в сверхпроводящее состояние, а образовавшееся внутри нее распределение магнитного поля.экранируется от внешних воздействий.Для того, чтобы создать новое распределение магнитного поля оболочка3 переводится из сверхпроводящегосостояния в нормальное нагревом при4 ропускании тока по нагревателю 4.(в этом случае оболочку 3 и гелиевуюемкость 1 выполняют коническими),при этом оболочка 3 выводится из контакта с емкостью 1 посредством штока11, что позволяет уменьшить расходхладагента на испарением,После перевода оболочки 3 в нормальное состояние катушками 9 с током создается новое требуемое распределение поля в...

Номер патента: 1594616

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Данилов, Мельников, Монахов, Сурогин, Филиков

МПК: G01R 1/18, G12B 17/02

Метки: ферромагнитный, экран

...изобретения - 1 свышене эфФективности экранирования несднородных магнитных полейПоставленная цель достигаетсятем, что в попой оболочке экранаразмещен ферромагнитньш напоянитель, содержащий крупную и мелкуюФракции, причем в качестве мелкойФракции используется лоролак карбоннльного железа, процентное содержание которого составляет 2.",-757.от объема смеси а в ка.чесг: е крупной фракции - дробь из ферр магнитного материала диаметром 0,43,5 мм,На чертеже изображен предлагае 1 ьЙ экран, сечениеФерромагнитный экран содержитстенки 1, Образующие пслую оболочку 2,в, которой размещен с возможностью свободного перемещения ферромагнитный наполнитель из мелкойФракции 3 состоящей из порока карбонильчого железа, и крупной фра.кции 4...

Номер патента: 1636859

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Поляков, Трегубов

МПК: G01R 33/00, G12B 17/00, G12B 17/02 ...

Метки: корреляционный, оценки, сооружений, экранирования, эффективности

...если ее мощность примерно в Бз/10 раз больше мощности полезного сигнала или если при наложении помехи и сигнала имеет место совпадение основных выбросов с точностью по. задержке Тз/Бз и частоте ЬГя/Бз при соизмеримости мощности помехи и полезного сигнала, Ортогональность сигналов достигается за счет выбора полиномов ШПС или изменением базы сигна-, ла за счет выбора длительности элемента тэ и длительности сигнала Тз. Поэтому переход к ШПС позволяет получить высокую помехоустойчивость системы измерений и обеспечить высокую достоверность приема сигнала. Ввиду того, что применение ШПС и корреляционной обработки позволяет получить выигрыш в отношении сигнал - помеха на выходе приемника по сравнению с его входом в базу Б 5) раз при...

Номер патента: 1647657

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Вахмистров, Волохов, Добродеев, Ефименко, Заутнер, Пилюгина

МПК: G01R 33/02, G12B 17/02

Метки: кабелей, подводящих, подсоединения, электрооборудованию

...моментов (эа базу принято значение модуля магнитного момента Мб, возникающего при перекладывании одной 5 10 15 20 25 жилы) с указанием соответствующих комбинаций жил кабелей во второй группе.Очевидно, что величина Я выбирается из условия компенсации максимального магнитного момента ЭО при па, А 2= й.Таким образом, пользуясь диаграммой и зная величину и фазу магнитного момента ЭО, возможно подобрать состав жил кабелей в первой и второй группах для выполнения условия 1 М,+ Мз 1=щи. В общем случае, учитывая, что1 д+ 1 в+ с-О,компенсирующий магнитный момент может определяться по формулеМ=13 - +Ц 3 .пг пгМ йгде обозначения приведены ранее. Диаграмма на Фиг.З рассчитывается по этой формуле,Способ осуществляется следующим образом.Подвод...

Номер патента: 1691989

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Голговских, Хагемейстер

МПК: G12B 17/02, H05K 9/00

Метки: экранирующее

...1 ил.1691989 го поля в компенсирующих катушках 4, с одной стороны, и обмотке 2 индуктора 1 с другой стороны, наводятся ЭДС, равные по амплитуде, но противоположные по фазе, В результате происходит их взаимная компенсация, что и обуславливает нулевой магнитный поток в защищаемом магнитопроводе устройства, и позволяет расширить функциональные возможности устройства. Сос гави гель,Ц. ИосселианиРедактор А, Калениченко Техред М.Моргентал Корректор Э. Лончакова Заказ 3936 Тираж Подписное ВНИИПИ Государст венного комитета по изобретениям и открытиям приКНТ СССР 113035, Москва, )К, Раушская наб 4/5 Производс геенно издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул Гагарина, 101 Изобретение относится к электрогехнике,в частности к устройствам...