H01C 17/242 — с использованием лазера
Устройство для нарезания спиральной канавки на заготовках пленочных резисторов
Номер патента: 574174
Опубликовано: 25.09.1977
МПК: H01C 17/242
Метки: заготовках, канавки, нарезания, пленочных, резисторов, спиральной
...лазерный луч на два частичных луча 3 и 4, неподвижное зеркало 5, подвижные зеркала б и 7, проводящий слой 8, сфе. рические линзы 9, 10 и устройство 11 для вращения резистора вокруг его оси.Луч энергии, излучаемый лазером 1,ется полупрозрачным зеркалом 2 на лвалуча 3 и 4 одинаковой интенсивности. О574174 Составитель В. ЛякишевТехред И, Асталош Корректор А, Кравченко Редактор Т. Иванова Тираж 976 Подписное ЦН ИИПИ государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская набд 4/5Заказ 2422/47 Фнлиап ППП " Патент ", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ных луча после этого переводятся неподвижным 5 и подвижным 6 зеркалами примерно на 90, Другое подвижное зеркало 7 еще раз переводит...
Устройство для функциональной подгонки микросхем
Номер патента: 743043
Опубликовано: 25.06.1980
Авторы: Лопухин, Сотенко, Шелест, Шеханов
МПК: H01C 17/242, H01L 21/66
Метки: микросхем, подгонки, функциональной
...и передается на блок 2, В случае, есливыходной параметр микросхемы лежитвне зоны допуска, блок 2 сравненияпараметров выдает сигнал на командный блок 3, по которому последнийначинает программированный переборвариантов состояний нагревателей.Информация с командного блока 3поступает на блок 5 упранления системой нагревателей, который вырабатывает напряжение, управляющиенагревателями. Эти напряжения черезблок б памяти состояния нагревателей подаются на систему 7 нагревателей, закрепленных на крышке термостатированной камеры 9 над окном, Инфракрасное излучение микролазеров,проходя окно, вызывает локальное изменение температуры элементов микросхемы 4, размещенной в термостати"рованной камере 9, вызывающее изменение параметров...
Устройство для подгонки со-противления пленочных цилиндрическихрезисторов
Номер патента: 805424
Опубликовано: 15.02.1981
МПК: H01C 17/242
Метки: пленочных, подгонки, со-противления, цилиндрическихрезисторов
...цангового механизма 3. Расчетшага нарезки спиральной канавки производится блоком 1 управления. В процессе нарезки резисторов контрольноизмерительный блок б регистрирует величину номинального сопротивлениянареэаемого резистора и при достижении требуемого значения номинала выдает сигнал окончания нарезки на механизм 7 нарезки (отключается лучлазера) и на блок 5 контроля, настроенного на требуемый номинал, для разрешения замера величины сопротивлениянарезанного резистора, находящегося в цанговой системе.Величина отклонения номинального сопротивления в процентах от требуемого значения для каждого резистора выдается блоком 5 контроля в виде цифрового двоичного кода с указанием знака отклонения через коммутатор 4 на сумматор 8 , причем число с...
Устройство для подгонки сопротивления пленочных цилиндрических резисторов в номинал
Номер патента: 945911
Опубликовано: 23.07.1982
МПК: H01C 17/242
Метки: номинал, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления, цилиндрических
...логического умножения,датчиком 2 полной. длины резистора,схемой 38 логического умножения,таймером 47, одновибратором 52, триггером 55. С приходом сигнала на триггер 53 с датчика 1 числа резистивных элементов (фиг. 4), что соответствует моменту формирования продольной изо" лирующей канавки, триггер 53 устанавливается в разрешающее состояние для схемы 42 логического умножения,6В исходном положении в таймер 45записано число, идентифицирующее размерный параметр 22,и с его выхода насхему 40 логического умножения подается разрешающий потенциал для про-.хождения импульсов с выхода генератора 37 на досцет таймера 45. Послепереполнения таймера 45 за время,соответствующее размерному параметру22, триггер 45 переключается в состояние запрета для...
Устройство для подгонки плоских пленочных резисторов в номинал
Номер патента: 953674
Опубликовано: 23.08.1982
Авторы: Заика, Кравченко, Погорелый, Попов
МПК: H01C 17/242
Метки: номинал, пленочных, плоских, подгонки, резисторов
...луча, должен обладать дисперсией спектральной ) в плоскости , в которой производится пространственная раз- вертка компонента луча. В качестве такого элемента могут быть использованы дисперсионные призмы или дифракционные решетки, Основное требование к оптическому элементу 4 обеспечить необходимую угловую дисперсию оценка ее будет дана ниже) при минимальных потерях интенсивности компонент лазерного луча.Остальные элементы блок-схемы (фиг. 1) известны и не требуют дополнительных пояснений. Отметим только, что блок 12 управления может быть построен на базе мини-ЭВМ,цто 1существенно расширит возможности всего устройства и обеспечит полную автоматизацию процесса подгонки. Устройство работает следующим образом.Плата с резисторамине...
Устройство для подгонки тонкопленочных резисторов
Номер патента: 960970
Опубликовано: 23.09.1982
Авторы: Вязовкин, Лопухин, Семенова, Чудаковский
МПК: H01C 17/242
Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных
...их над подгоняемым резистором,В течение времени перемещения бло"ков 10 и 12 блок 9 автоматическогоуправления стабилизацией и подгонкойопределяет температурный коэффицйент50сопротивления подгоняемого резистора.Это необходимо, ибо отсутствие учетатемпературного коэффициента сопротивления (ТКС) ведет к появлению дополнительной погрешности, После его оп 55ределения происходит вычисление величины ьР, на которую необходимо подогнать резистор с учетом ТКС, Послеэтого на управляющем выходе блока 9 автоматического управления стабилизацией и подгонкой появляются сигналы, поступающие на вход блока 10 преобразования интенсивности излучения, причем число и величина этих сигналов пропорциональны Д В.Блок 10 преобразования интенсивности излучения...
Устройство для подгонки пленочных резисторов
Номер патента: 997105
Опубликовано: 15.02.1983
Автор: Тягунов
МПК: H01C 17/242
Метки: пленочных, подгонки, резисторов
...выше 50 Ъ.Цель изобретения . - повышение производительности и надежности работы путем исключения холостого хода подвикной части, что обеспечивает непрерывность процесса нарезки, и увеличение площади зеркала, от которой отражается лазерный луч.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для подгонки пленочных резисторов путем формирования подгоночного реза, содержащем источник лазерного излучения, формирователь лазерногб луча, снабженный поворотным зеркалом для отражения лазерного луча с электроприводом вращения, фокусирующую систему и механизм вращения резистора, поворотное зеркало выполнено в виде однозаходной одношаговой винтовой поверхности, ось вращения которой располокена параллельно направлению лазерного луча, при этом шаг...
Устройство для лазерной подгонки пленочных резисторов
Номер патента: 1003157
Опубликовано: 07.03.1983
Автор: Хромушин
МПК: H01C 17/242
Метки: лазерной, пленочных, подгонки, резисторов
...на входы блока 15формирования импульсов и кольцевогораспределителя 16, разрешая их работу,На выходах кольцевого распределителя 16. Формируются последовательно распределенные во времениимпульсы, .с помощью которых распределяются во времени циклы измерениясопротивления резистора, воздействия луча лазера 1 на резистор и перемещения координатного стола 2Блок 9 измерения относительнойошибки сопротивления резистора Форми.рует на выходе напряжение, пропорциональное отношению разности сопротивлений эталонного и подгоняемогорезисторов к сопротивлению эталонного резистора. Первоначально сопротивление подгоняемого резистора меньшесопротивления эталонного резистора.В результате на выходах нуль-органа18 и блоков 8 и 12 сравнения присутствуют уровни...
Способ подгонки цилиндрических пленочных резисторов
Номер патента: 1038970
Опубликовано: 30.08.1983
Авторы: Чернявский, Шемякин
МПК: H01C 17/242
Метки: пленочных, подгонки, резисторов, цилиндрических
...под" точках и дополнительный рез осуществгонки пропорциональна величине при" ляет в середине эоны разрыва паралращения сопротивления при испаре" лельно кромке резистора. нии одного точечного участка.реэис- . На фиг. 1 изображено взаимноеютивнои пленки,При нарезании спираль расположение резов; на фиг. 2 - .экси инои иэолируюшеи канавки одновре- , периментально полученные кривые заменннно с двух сторой градиент на" висимости приращения сопротивления4 Ср сопротивления в момежт при трех различных углах повороастания содЕокончания подгонки практически . тв окончания одной и начала другой вдвое превышает значение, соответст- половин спиралей относительно продоль вующее случаю одностороняего нареза- ной оси резистора; на фиг,3 -...
Устройство для подгонки сопротивления пленочных резисторов
Номер патента: 1048524
Опубликовано: 15.10.1983
Автор: Чернявский
МПК: H01C 17/242
Метки: пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления
...блок электроприво"да перемещения поверхности резистора:относительно луча лазера, контактныезажимы, соединенные с первым и вторым входами блока контроля сопротивления, введены последовательно соединенные триггер, формирователь импульса задержки, элемент 2 И, а такжеэлемент 2 И-НЕ, причем вход триггераи первый вход элемента 2 И-НЕ соединены с выходом блока контроля сопротивления, выход Формйрователя импульса задержки соединен с вторым входомэлемента 2 И-НЕ, второй вход элемента 10 2 И соединен с выходом элемента 2 И-НЕ,при этом выход триггера соединен спервым входом блока электропривода итретьим входом блока контроля сопротивления., а выход элемента 2 И - свходом блока лазера и вторым входомблока электропривода перемещения. 20 На...
Пленочный резистор
Номер патента: 1051590
Опубликовано: 30.10.1983
Автор: Ржевусский
МПК: H01C 17/242, H01C 7/00
...для размещения на ней пленочныхэлементов, Внутренняя контактная10 площадка 2 выполнена в форме круга., расположена в центре диэлектрической подложки 1 и размещенаконцентрически по отношению к внешней контактной площадке 3, котораяосуществляет коммутацию пленочногорезистора с другими элементамимикросхемы при помощи навесной перемычки, Резистивный элемент 4 круглой формы, размеры и материал которого определяют сопротивление пленочного резистора, расположен между внешней 3 и внутренней 2 контакт.ными площадками. Проводящая пленочная спираль 5, выполненная изпроводящего материала в форме двусторонней гребенки с шагом С (расстояние между смежными выступами),соединяет внешнюю 3 и внутреннюю 2контактные площадки и предназначена30для...
Способ лазерной подгонки пленочных элементов интегральных схем и устройство для его осуществления
Номер патента: 1085425
Опубликовано: 23.01.1985
Авторы: Заика, Кравченко, Лантухов, Попов
МПК: H01C 17/242
Метки: интегральных, лазерной, пленочных, подгонки, схем, элементов
...(при стабильной мощности пучков лазерного излучения, обеспечивающей постоянную ширину реза)и предлагаемым, приводящим к монотонному уменьшению ширины реза в про 40цессе подгонки.Установлено, что при предлагаемомспособе минимальный воспроизводимыйвыжженный диаметр пятна на поверхности резистивной пленки в,3-4 разаменьше начального диаметра,В результате подгонки было установлено, что относительная погрешность подгонки известным способом при диаметре выжженного пятна 50 100 мкм и шаге пятен 50 мкм (502 перекрытие) составила (1-2)Х, при уменьшении шага до 10 мкм - 0,257 при резе переменной ширины (предлагаемым способом) - 0,0252. 55 Таким образом, точность подгонкиповысилась на порядок. 4Для подгонки пленочных элементов обычно используют...
Устройство для подгонки плоских пленочных резисторов в номинал
Номер патента: 1246146
Опубликовано: 23.07.1986
Авторы: Заика, Кравченко, Погорелый, Самусенко
МПК: H01C 17/242
Метки: номинал, пленочных, плоских, подгонки, резисторов
...Я = 1002), дифракционную12463решетку 2 и блок Э оптического моду.лятора. На фиг. 2 показаны такжефокусирующая система 4 и плата срезисторами 5,В частном случае, активным элементом 12 блока 1 лазеров может бытьстержень из неодимового стекла, накачиваемый импульсной лампой в стандартном осветителе (на фиг.2 источник накачки не показан) В качестве 1 Одифракционной решетки 2 может бытьиспользован голографический селектор полного внутреннего отражения,содержащий объемную фазовую решетку,записанную на бихромированном слое 15желатина и работающую в автоколлимационном режиме, Пространственнаячастота решетки ш = 2000 штр/мм,дифракционная эффективность в диапазоне перестройки лазера 1050 - 201090 нм выбрана равной 607, т.е. доля энергии, идущая в...