Патенты с меткой «толстопленочных»

Номер патента: 301743

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Колдашов, Смирнов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резисторов, толстопленочных

...сопротивления резистивного материала, в качестве резистив ного компонента использована окись кадмия,а в качестве стабилизирующих добавок окислы редкоземельных элементов при следующем соотношении компонентов:окись кадмия 5 - 20% к общему объему, 25 окислы редкоземельных элементов до 0,5% кобщему объему и силикатное стекло свинцовое остальное до 100% общего объема. Изобретение относится к технологии производства радиоаппаратуры и может быть использовано для изготовления толстопленочных элементов гибридных микросхем.Известны материалы для толстопленочных резисторов, содержащие в качестве резистивпого компонента окислы различных металлов, например окислы таллия и индия,Однако в известных материалах резисторы, изготовленные на их...

Номер патента: 354482

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Барановский, Готра, Данилов, Ирлнн, Славич

МПК: H01G 4/06

Метки: конденсаторов, толстопленочных

...частотного предела использованияконденсаторов.Поставленная цель достигастся тем, чтопроцесс подгонси емкости в иолНнял и Вжи 25 гсн 1 ис здщ 1 гтного диэлектричессогс) слоя прозодят в едином технологическом цикле за счетиспользования материала защитного диэлектрического слоя с температурой вжигания, соизмеримой или меньшей температуры, при ко 30 торой проводят подгонку акко ти в номинал,. Мазуронок Техрсд Л, Камы пннкова Корректор Г Тзлалаев диктор акаа 3577 9 Изт474 Тирак 406 ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при С Москва, К, Раугпская наб., д. 45Подписное те Министров СССРТипография, пр. Сапунова, 2 На чертеже показана структура устройства.Устройство состоит из нижнего электрода 1, верхнего электрода 2, защитного...

Номер патента: 785059

Опубликовано: 07.12.1980

Автор: Кулаков

МПК: B41F 15/18

Метки: заготовку, изготовлении, микросхем, нанесения, паст, толстопленочных

...1, 2 и 5 форма состоит из последовательно располо- и транспортер 9 имеют перфорационные от. женных непрерывных лент с окнами для р 0 верстия, в которые входят зубья шестерен каждой пасты и охватывающей их вепре-14 и 15.рывной ленты с окнами для всех паст, причем.все непрерывные ленты формы и ленточ-Устройство работает следующный транспортер имеют перфорационные зом.785059 формула изобретения тельИ Никонова . Бойкас 4 Состави Редактор В. Большакова Техред А Заказ 6726/13 Тираж 43 ВНИИПИ. Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж - 36. Рау Филиал ППП Патенте, г. УжгоПри вращении зубчагого колеса 11 и осуществляется вращение шестерен 14 и 15, которые перемещают ленточный транспортер 9 с заготовками 1 О и ленты 1, 2 и 5....

Номер патента: 960969

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Белицкая, Генесева, Калашников, Кучеренко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, основе, резистивный, резисторов, толстопленочных

...-60 С АРО 5,48-6,44до + 125 С составляет не более 0,5%. Ь 10 5,34- 14,70 После выдержки толстопленочных резисто- ООЗ 15,13 16,50 ров в условиях относительной влажности в,о, 32,93-35,92 . воздуха 98% при + 40 С в течение 30 сут Кроме того, согласно спосооу изготов- уход номинальных значений сопротивления ления толстопленочных резисторов на ос составляет не более 1%, нове резистивного материала, включаюше- ТКС резисторов с удельным сопротивму нанесение на диэлектрическую подложку лением от 100 Ом/кВ до 100 кОм/кВ резистивной композиции с последующим в интервале температур от - 60 оС до вжиганием ее, отличается тем, что вжи- + 125 оС не хуже + 1101/град. ганне проводят при 630 - 640 С в тече-,15 Предлагаемое изобретение позволяето ние 8.-...

Номер патента: 996356

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Корнатовский, Махонина, Панов, Тризна, Федоров

МПК: C03C 3/10

Метки: резисторов, стекло, толстопленочных

...10 530 527 15 3 10 526 Со- ста Мпо Таблица 3 ТКС, 10- 1/град табильность езисторов осле воздейтвия повышеной влажности,ф Удельное поверхностноесопротивление,Ом/п Стабильнострезисторовпосле воздействияэлектрической нагрузки, Ъ Соста т -60 о +25 т +25о +125 32,0,05,26 Д 6203, что, с го коэф торов с нием, о и МпО гредиен 60 Зб,О-М 1 2",О"30 8,0-10 7 О" 8 502В 20,ВгазА 10,резисВО В 2 5,0 стабильности сопротивления в процессе эксплуатации резисторов при воздействии электрических и климатических факторов,Наличие в составе стекол крупных Ионов Сц 2+и Мп 4+в сочетании с малы ми ионами с сильным кулоновскпм полем АЗ+и В 3+обеспечивает необходимую плотность упаковки ионов и затрудняет ионную проводимость стекла, что и позволяет уменьшить ТКС...

Номер патента: 1003154

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Бризицкая, Идельс, Каркина, Тризна

МПК: H01B 1/02

Метки: композиция, проводников, толстопленочных, электропроводящая

...обслуживания и потребляющих большое количество элект-з роэнергии.Кроме того, диэлектрическим основанием для известных электропроводящих композиций могут служить только специальные керамические материалы (керамика 22 ХС) и ситаллы (СТ-1), выдержи 35 вающие высокие темпера туры формирования проводникового слоя, Этим материалы, имеющие удовлетворительные элек троизоляциУказанным способом были приготовлены и исследованы составы, приведенные в табтпще. 72,5 73,0 73,5 0,28 0,3 0,32 Э тил целлюлозаТерпинеолМасло сосновое 100 107 11,4 2,0 2,2 7,6 7,8 8,0 6,0 6,2 7,0 фурф урод Серебро мелкодисперсное фенодформальдегиднаясмола термореактивная 184 4онные характеристики, характеризуютсявысокой стоимостью, дефицитностью, низкими...

Номер патента: 1029239

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Ленных, Макордей, Чепельчук, Шапкина

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, резистивный, резисторов, толстопленочных

...технике и может быть использовано,например, в микроэлектронике приизготовлении толстопленочных элементов интегральных схем.Известен реэистивный материал 5для толстопленочных резисторов, содержащий кобальтит никеля со структурой шпинели и переходный металл,выбранный иэ ряда, состоящего из ванадия, хрома и железа 1), 30Наиболее близким к изобретению нотехнической сущности является резистивный материал для толстопленочных резисторов, содержащий кобальтитникеля со структурой шпинели и марга нец в качестве модифицирующей добавки 2),Недостаток известных резистивныхматериалов состоит в узком диапазонеудельного сопротивления.20Цель изобретения - расширениедиапазона удельного сопротивленияЦель достигается тем,что резичтивный материал,...

Номер патента: 1046208

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Доброер, Корнатовский, Махонина, Панов, Федоров

МПК: C03C 3/10

Метки: резисторов, стекло, толстопленочных

...подложки иэ Керамики70 10 1/град). 66,0 12,0 11,0 Ы,О РЪОво510В 11 Недостатком известного стекла является высокое значение температурного коэффициента сопротивления (ТКС), измеряемого в,диапаэоне температур (-60) - (+125)фС (400- 1000)10 ьград"ф, и низкая влагостойкость - (2-5). 20Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является стекло (2 1, включающее, нес.:25 60,0-67.,012,0-16,0 4,0-8,0 7,5-12,6 РЬО810АЮОВ 2МЬ 20 нлиЧго илитэ 0 1,.0-10,1 Известное стекло дает возможность получать резисторы с ТКС 150240 -10 1/град и влагостойкостью.0,6Высокий ТКС и низкая влагостойкость резисторов, изготовленных на основе указанного стекла, снижает качество резисторов ввиду недостаточной стабильности и...

Номер патента: 1075315

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Блесткин, Денисова, Казанцев

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционный, материал, резисторов, толстопленочных

...тем, что композиционный материал для толстопленочных резисторов, включающий проводящую фазу, триоксид вольфрама, борный ангидрид и кислородсодержащее соединение свинца, в качестве проводящей фазы содержит алюминий,. в качестве З 5 кисиородсодержащего соединения свинца - борнокислый свинец и дополнитель. но содержит борнокислый барий при следующем количественном соотношении компонентов, мас.Ъ: 40Алюминий 2,0-4,4Борный ангидрид 15,9-24,0БорнокислыйсвинецБорнокислый 45барий 17,7-26,0Триоксид воль, фрама Остальное для получения композиционного материалаКаждую смесь получают следующим образом.Оксид вольфрама (МРТу 6-09-4676- -67), алюминиевую пудру (ПАП, ГОСТ 5494-71), борнокислый свинец (мета ), водный, прокаленный до постоянного веса...

Номер патента: 1096701

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Куренчанин, Недорезов, Подшибякин

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, толстопленочных

...резисторов состоят в низком температурном коэффициенте сопротивления (ТКС) и нелинейной зависимости сопротивления от температуры, что не позволяет использовать резисторы в качестве термометров сопротивления. Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ изготовления толстопленочных резисторов, включающий приготовление пасты из порошков диоксида рутения с размером частиц 0,02-0,02 мкм и свинцовоборосиликатного стекла и нанесение пасты на керамическую подложку с последующим вжиганием пасты при 850 С 2.Недостатки известного способа изготовления заключаются в низком ТКС (менее 250 10град) и нелинейной зависимости сопротивления от 1 температуры.Цель изобретения - повышение температурного коэффициента...

Номер патента: 1123012

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Степанова, Тихонова, Шиханов

МПК: G03C 1/52

Метки: диэлектрических, композиция, микросхем, светочувствительная, слоев, толстопленочных

...фенол зитивиого фоторезиста ФП - 383 и добавляют: . формальдегидной смолы, 3,08 г новолачной фе 12,13 г свинецсодержащего. стекла марки СЦ- нолформальдегндной сионы и 5;94 г диоксана, 273., содержащего,%: РЬО 45,5; 80 29,5;. после чего добавляют .15,0 г. свинсцсодержащего ЕпО 18,5; Т 0 40 и АЫ О. 2,5 размером,стекла 611 - 273 размером частиц 0,5-2;5 мкм. частиц О;5 - 2,5 мкм.50Фоторезист ФП - 383 содержит. 2;59 г 1,2-наф- Состав композиции .следующий, мас.%: тохинондиазид(2).5-сульфоэфира.бромнрован. Свипецсодержащее стекло 50,0ной новолачной феиолфцрмальдегидной смолы, Светочувствительний компонент 6,2 4,31 новолачной фенолформальдегидной смолы . Новолачная фенолформальдегид. мол.м. 700 и 8,34 г дноксаиа, 55 ная смола мол, м....

Номер патента: 1167765

Опубликовано: 15.07.1985

Автор: Иванов-Есипович

МПК: H05K 1/05, H05K 3/12

Метки: основание, печатных, схем, толстопленочных

...применению эта побочная роль кремния вредна, где кремний необходим только для достижения магнитных свойств. Количество кремния в составе стали 1,8 - 4,8/о обеспечивает требуемую жесткость, повышая ее в два-четыре раза по сравнению с нелегированной малоуглеродистой сталью. В основе электротехнической стали использовано железо марки Армко с количеством углерода до 0,04 О/о Целью изобретения является повышение качества стальных оснований для толсто- пленочных печатных схем;Поставленная цель достигается применением электротехнической стали с содержа 5 10 15 20 25 30 нием кремния 1,8 - 4,8% в качестве основа. ния для толстопленочных печатных схем.Указанные пределы содержания кремния (1,8 - 4,8 О/О) нормированы по данным ГОСТ 21427.0-75 и...

Номер патента: 1227605

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Липскис, Невар, Немкович, Рупленас, Шамкалович

МПК: C03C 3/072

Метки: герметизации, конденсаторов, стекло, толстопленочных

...кл.Авторское свР 1081135, кл,(54)(57) ГТР ТО/1 СТОП; В НО чаю 11 ее 810 БпО , о т л что с пельк оно дополнит ЧЯ ГЕРМАНТОНЛБНСАТ(А 1,0юще е К:10 Л.НЫХ К В 0и ч а ИЗА 1 (ИИ РОВ, вклю- РЪО, ЕгО Г)юл, М 16й орденаи политех рудового ический ся те снижения мик твердостиВаО и льцо содержи кчцем соотнош Невар, Нипски ИпО при сле нсцтов, мас нии компо нас 088 810 А 1,0 РЪО 33,0-35,07,0-1 1,0 8,0 - 10,0 43,0-45,0 свидетельство СГСР С 03 С 3/10, 1982, идете тьство ССГР С 03 С 3/10, 1982./гО БпО ВаО ИпО ОПИСАНИЕ ИЗ)родллжение табл, 2 силикатл, к производству свинцовогоалн)моборосиликатцого стекла, предназцаченного для использования его в 1 каэ атель Свойства стекол 23 микро.электронике для герметизации толстопле ночных конденсаторов...

Номер патента: 1507865

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Варт, Корпачева

МПК: C23F 1/02, C23F 1/44

Метки: металлосодержащих, покрытий, раствор, толстопленочных, травления

...наблюдать по появлению на пробель ных участках блестящей полированной поверхности подложки. Об окончании процесса травления судят по времени травления (2-3 мин) и по полному вскрытию полированной поверхности под 15 ложки в местах стравленного покрытия, По окончании травления плату промывают сначала погружением в емкость с водой (для сбора травителя, содержащего растворенное азотнокислое сереб ро), а затем под струей проточной воды для удаления остатков травителя, после чего плату высушивают.Составы опробованных растворов для травления, а также результаты травле ния в этих растворах представлены в табл,1.Из данных табл.1 видно, что время травления покрытия толщиной 10-15 мкм составляет 2-5 мин, а величина подтрава пленочных элементов...

Номер патента: 1595803

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Гулямов, Ильганаев, Исматов

МПК: C03C 3/07

Метки: резисторов, стекло, толстопленочных

...тигли и загружают в электрическую печь с силикатовыми нагревателями, Варку осуществляют при 1350110 ф С с выдержкойпри максимальной температуре 1 ч.Для получения мелкораздробленногостекла расплав выливают в металлический сосуд с холодной водой. зо щиэщ ленни толстопленочных низкоомныхкерметных композиционных резисторов,применяемых в производстве микросборок для радиотехнической и электронной техники. С целью снижениятемпературы размягчения и повышениятемпературного коэффициента линейного расширения стекло для толстопленочных Резисторов содержит, мас.Е:.РЬО 66,0-68,0; 310 28,0-32 ф 01 А 1 гОэ2,0-5,0. Температура размягчения500-550 С, ТКЛР (30-300 С), о(66,6572,10) 1 О град -, плотность 4,724,95 г/смэ, показатель светопреломпения...

Номер патента: 1781708

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Ситников

МПК: H01B 19/00

Метки: паст, сушки, толстопленочных

...при температуре80-150 С в течение 5 - 15 мин. Обжиг осуществляется с помощью кварцевых галогенныхпаст. Время достижения пиковой температурыобжига 850 С составляет 8,5 мин, а времяОхлаждения с пиковой до 100 С 6,5 мин.Недостатки известного способа сушкитолг;топленочных паст состоят в большойдлительности сушки.Целью изобретения является сокращение времени сушки паст при сохранениикачества пленки.Сущность изобретения состоит в том,что в способе сушки толстопленочных паст с органицеским связующим на основе этилцеллюлозы, при котором пасту, нанесенную на подлокку, подвергают воздействию источника нагрева, согласно изобретению, подложку с нанесенной пастой размещают на пластине, нагретой до 120-130 С, и выдерживают 2-8 с, после чего...

Номер патента: 1791853

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Брагин, Дяконенко, Зубарева, Косова, Мерченко

МПК: H01B 3/08

Метки: диэлектрическая, изоляции, маркировочных, межслойной, паста, слоев, схем, толстопленочных

...90+5 мин.Контроль электрофизических характеристик изоляции осуществляли на тест- платах с 2-уровневой проводниковой разводкой, выполненной из проводниковых паст Пи П - 0704 по ТУ 6-09-4780-84.Межслойная изоляция изготавливалась путем четырехкратного нанесения и вжигания диэлектрических паст,Составы паст и основные свойства межслой ной изоляции представлены в таблице. Данные таблицы свидетельствуют о том, что оптимальный состав имеют пасты 6 - 8. обес1791355 ро ние таблиц йни НалСиниь О тсутстезу-КГ ют печивающие возможность формирования маркировочных и изоляционных слоев при высоких (850-870 С) температурах с низкой удельной емкостью (63 - 74 пФ/см ).гИспользование диэлектрической пасты 5 предлагаемого состава позволит повысить...

Номер патента: 1800485

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Буров, Пиганов, Шопин, Ястребов

МПК: H01C 17/22

Метки: подгонки, резисторов, толстопленочных

...напряжение. Измеритель 3 сопротивления, формирующий напряжение, пропорциональное величине сопротивления, может быть реализован на базе мостовой схемы или готового цифрового измерителя сопротивления,В блоке 2 сравнения, реализованном на базе вычитателя напряжения, определяется разность выходных напряжений измерителя 3 сопротивления и источника 1 опорного напряжения (последнее пропорционально предельному значению сопротивления подгоняемого резистора), АЦП 4 формирует цифровой код, пропорциональный его входному напряжению (разностному сигналу на выходе блока 2 сравнения), АЦП 4 содержит и разрядов, причем "вес" каждого последующего разряда, начиная с второго, меньше предыдущего в два раза.В первоначальный момент работы устройства для...

Номер патента: 1806106

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Андронов, Журавов, Молотков, Шахов, Шумовский

МПК: C03C 8/12

Метки: защиты, преимущественно, резисторов, стекло, толстопленочных

...введении в состав стекла оксида алюминия более 5,0 мас.% резко возрастает изменение сопротивления резистора из-за повышения температуры деформации стекла и температуры оплавления порошкообразного слоя,Введение в состав стекла оксида алюминия менее 0,8 мас.% снижает устойчивость стекла к воздействию раствора серной кислоты, повышает ТКЛР стекла,При введении в состав стекла оксида хрома более 2,0 мас.% наблюдается образование в стекле посторонней кристаллической фазы, что делает его непригодным для защиты толстопленочных резисторов,Введение в состав стекла оксида хрома менее 0,5 мас.о приводит к снижению химической устойчивости по отношению к растворам гидроокиси натрия и серной кислоты,Стекло готовят следующим образом.,Исходные...

Номер патента: 1827687

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Пиганов, Самсонов, Шопин

МПК: H01C 17/22

Метки: подгонки, резисторов, толстопленочных

...б, Его выходные сигналы 35 имеют прямоугольную форму. При "нулевых" уровнях этих импульсов (первый такт) в устройстве для подгонки резисторов происходит измерение сопротивления подгоформирует цифровой код, пропорциональный его входному напряжению (разностному сигналу на выходе устройства сравнения 2). АЦП 4 содержит - разрядов, причем "вес" каждого последующего разряда, начиная со второго, меньше предыдущего в два раза.В первоначальный момент работы устройства для подгонки резисторов на первом выходе регистра сдвига 5,формируется логическая "1", которая поступает на второй вход элемента И 7 - 1, пропуская тем самым на выход элемента И 7 - 1 сигнал. содержаЩий на первом выходе АЦП 4. Если выходной сигнал элемента И 7 - 1 -...

Номер патента: 1819036

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Андронова, Братчиков, Вышкина, Морозова, Нечаев, Петрова, Шутова

МПК: C03C 3/064, H01C 7/00

Метки: основе, паст, резисторов, рутения, стеклосвязующее, толстопленочных

...25 и 29 мас,соответственно, обусловливает повышение температуры синтезастекла до значения выше 1500 С, что неже 15 лательно, а также повышает температурувжигания резисторов до 870 ОС, Уменьшение содержания Ю 02 и А 120 з в стекле дониже 20 и 15 мас.соответственно резкоухудшает влагостойкость резисторов20 ЬВ(,- 4 - 5 О, Также значительно ухудшаетсявлагостойкость резисторов при введении всостав стекла 820 з и ВаО более 33 и 18мас, о соответственно. Стекла, содержащие25 менее 10 мас,ф ВаО, имеют низкий КЛТР(менее 45 10 К ), что приводит к снижению термостойкости реэистивных пленокиз-за значительной разности в КЛТР проводящей фазы и стеклосвязующего.30 Уменьшение содержания ВОздо менее25 мас.о приводит к формированию неспеченной,...

Номер патента: 1581094

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Анкирская, Головко, Каминская, Недорезов

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, толстопленочных

Способ изготовления толстопленочных резисторов, включающий формирование на диэлектрической подложке резистивного элемента, термическую обработку, ионную очистку поверхности резистивного элемента и создание контактов к нему, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности за счет снижения и стабилизации величины, контактного сопротивления, ионную очистку поверхности резистивного элемента проводят при напряжении пучка ионов 2 - 4 кВ и плотности потока ионов 6 - 10мА/см2 в течение 0,5 - 4 ч.

Номер патента: 1567111

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Барабохина, Власов, Кулешов, Томилов, Трофимов

МПК: H05K 3/46

Метки: вжигания, диэлектрических, многослойных, паст, плат, проводниковых, толстопленочных

Способ вжигания диэлектрических и проводниковых паст для изготовления многослойных толстопленочных плат, включающий операции плавного подъема температуры до максимального значения, выдержки при этой температуре и плавного снижения температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения дефектов в слоях толстопленочных плат, на операции плавного подъема температуры до максимального значения осуществляют первую изотермическую выдержку при температуре максимальной скорости выгорания органической связки используемой пасты в течение времени, равного времени полного выгорания этой органической связки, а на операции плавного снижения температуры осуществляют...