Патенты с меткой «расплава»

Номер патента: 1499847

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Важенин, Городецкий, Меркушев, Миронов, Чувашева

МПК: C03B 1/00

Метки: минерального, расплава

Способ получения минерального расплава путем приготовления шихты и ее плавления в вагранке, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и снижения расхода сырьевых материалов за счет использования корольков расплава, последние смешивают с фосфополугидратом сульфата кальция в соотношении (3 4):1, полученную смесь затворяют водой до 3,5 4,0% влажности, брикетируют с удельным усилием прессования 80 150 МПа, выдерживают в естественных условиях в течение 8 12 ч, после чего вводят в шихту.

Номер патента: 1630228

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Важенин, Городецкий, Меркушев, Миронов, Чувашева

МПК: C03B 1/00

Метки: минерального, приготовления, расплава, шихты

...2,0 - 3,5 МПа. За время 20 - 24 ч, прочность брикетов достигает 4,0 - 7,0 МПа, Средняя плотность брикетов составляет 1600 кг/м. Кислые, основные или нейтральные компоненты, смешивают с брикетами. Шихту плавят в вагранке 5232-М, расплав перерабатывают в волокно на центрифуге Ц. Полученная минеральная вата имеет свойства, соответствующие требованиям ГОСТ 4680 - 84, а именно;Модуль кислотности Способ приготовления шихты для получения минерального расплава, включающий перемешивание кислого, основного или нейтрального компонентов с отходами минераловатного производства, отличающийся тем, что, с целью обеспечения снижения времени плавления шихты за счет использования в шихте до 82,2 мас,70 отходов Кажущаяся плотность, кг/м 100 Диаметр...

Номер патента: 1466275

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Гончаров, Дудка, Лисовенко, Нероденко, Оболонский, Осадчий, Рейзлин, Решетько

МПК: C30B 15/00, C30B 15/14

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее камеру роста с тиглем и коаксиально установленным тепловым узлом, содержащим тепловую трубу с нагревателем, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изотермического температурного поля вокруг кристалла, тепловой узел снабжен дополнительной тепловой трубой с нагревателем, расположенной над основной, между трубами размещена теплоизоляция, а тепловой узел установлен с возможностью вращения и осевого перемещения.

Номер патента: 923197

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Бауэр, Дьяков, Корюков, Семенов, Сутурин

МПК: C22B 9/02

Метки: аппарат, примесей, расплава, твердых, фильтрации, центробежной

1. Аппарат центробежной фильтрации расплава от твердых примесей, содержащий плавильную камеру, раму и расположенные на ней ротор, фильтр, образованный двумя конусообразными тарелями, обращенными друг к другу большими основаниями с зазором, механизм возвратно-поступательного вертикального перемещения фильтра в ванну с расплавом, привод вращения фильтра, механизм регулирования зазора между тарелями, сборник твердого осадка, отличающийся тем, что, с целью сокращения потерь рафинируемого компонента с осадком твердых примесей, он снабжен отбойником брызг расплава, расположенным в нижней части рамы по оси фильтра, желобом кольцеобразного сборника осадка, расположенным в верхней части отбойника брызг расплава, скребковым транспортером,...

Номер патента: 1061533

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Радкевич, Рябовол, Смирнов, Стадник

МПК: C30B 35/00

Метки: ампуле, выращивания, кристаллов, расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава в ампуле, содержащее вертикальную шахтную печь, состоящую из двух камер с нагревательными элементами, охлаждаемую кольцевую диафрагму, ампулу с кристаллизуемым веществом, механизм перемещения ампулы в вертикальном направлении и приводы перемещения ампулы в горизонтальной плоскости в двух взаимно перпендикулярных направлениях, отличающееся тем, что, с целью увеличения выхода качественных кристаллов за счет обеспечения центровки ампулы относительно диафрагмы в течение всего процесса выращивания, оно дополнительно содержит дифференциальные термопары, установленные диаметрально противоположно на внутренней поверхности охлаждаемой кольцевой диафрагмы перпендикулярно направлению перемещения...

Номер патента: 989912

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Бобырь, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: ампуле, выращивания, монокристаллов, расплава

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава в ампуле, включающее вертикально расположенные нижнюю и верхние камеры с нагревательными элементами, принудительно охлаждаемую кольцевую диафрагму, расположенную в верхней камере, и системы стабилизации температур нагревательных элементов, каждая из которых состоит из температурного датчика, задающего средства, регулятора и исполнительного усилителя, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения воспроизводимости условий кристаллизации на начальной стадии процесса выращивания, датчик температуры верхнего нагревателя установлен в объеме верхней камеры так, чтобы выполнялись условия0,5 ...

Номер патента: 1709767

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Абловацкий, Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава на затравку, содержащее охлаждаемую камеру с тиглем, нагревателем тигля и емкость для сбора пролитого расплава, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени ремонтных работ, нижняя часть камеры снабжена сливным патрубком, соединенным с емкостью, установленной вне камеры и имеющей предохранительную мембрану.

Номер патента: 1262998

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Иванов, Петриченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающее вертикальную печь, разделенную горизонтальной диафрагменной перегородкой на две зоны, размещенную внутри печи ампулу для расплава, выполненную в форме цилиндра с коническим дном и снабженную кожухом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет стабилизации положения и формы фронта кристаллизации, устройство снабжено сосудом для хладагента, размещенным в нижней зоне печи, а нижний торец кожуха открыт и погружен в хладагент.

Номер патента: 329789

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Безукладников, Сандлер, Третьякова, Черепанова

МПК: C22B 34/22

Метки: ванадийсодержащего, расплава, хлоридного

1. Способ получения хлоридного ванадийсодержащего расплава восстановлением углеродсодержащим восстановителем, отличающийся тем, что, с целью полного восстановления кислородных соединений ванадия и получения расплава, пригодного для непосредственной переработки на ковкий ванадий, восстановление проводят совместно твердым углеродом и окисью углерода при температуре не ниже 900oC с последующей выдержкой при этой температуре и перемешиванием.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что восстановление проводят раздельно окисью углерода и углеродом при температуре не ниже 1000oC.

Номер патента: 1367555

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Егоров, Козлов, Литвин, Макеев, Попков, Рубинович, Фрейдинов

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, механизм, монокристалла, расплава

1. Механизм для вытягивания монокристалла из расплава, включающий герметичный корпус, содержащий намоточный барабан и гибкую подвеску для затравкодержателя, снабженный верхней и нижней червячными парами с приводами вращения и перемещения затравкодержателя, горизонтальную коническую шестерню, связанную с колесом верхней червячной пары, и взаимодействующую с ней вертикальную коническую шестерню с эксцентрично закрепленной на ней осью для размещения сателлитов, взаимодействующих с цилиндрическими шестернями, установленными соосно с вертикальной конической шестерней, одна из которых связана с намоточным барабаном, отличающийся тем, что, с целью повышения точности регулирования скоростей...

Номер патента: 988008

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Васильев, Дранкин, Жвирблянский

МПК: C30B 15/02

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

1. Устройство для выращивания монокристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста, тигель для исходного материала, размещенный в нижней части камеры, расположенный над ним затравкодержатель и средство для дозагрузки тигля исходным материалом, выполненное в виде лотка и питателя с приводом, установленным с внешней стороны камеры, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов за счет снижения загрязнения расплава, лоток снабжен механизмом перемещения, а питатель размещен в камере и снабжен стержнем, соединенным с приводом через мембрану.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что механизм перемещения лотка выполнен в виде шарнирной тяги, соединенной с одной...

Номер патента: 1550948

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Жвирблянский, Закоморный, Кац-Ванхадло, Киреев, Науменко, Успенская, Шагаров

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

1. Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста с коаксиально расположенными тиглем для расплава и нагревателем, затравкодержатель, установленный над тиглем с возможностью вращения и осевого перемещения, защитный кожух для стержня из исходного материала с механизмом осевого перемещения стержня, установленный наклонно к вертикальной оси системы вакуумирования камеры роста и подачи в нее инертного газа, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет полунепрерывного режима работы, оно снабжено шлюзовой камерой для выращенного кристалла, размещенной по оси камеры роста и по крайней мере одной шлюзовой камерой для стержня из...

Номер патента: 1261328

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло, Розенман, Шутова

МПК: C30B 15/10

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель для расплава, размещенный в подставке, повторяющей его форму и установленной на плите, закрепленной на штоке, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов за счет снижения вибрации расплава, подставка снабжена основанием, установленным на шаровых опорах в виде вкладышей со сферическими рабочими поверхностями и взаимодействующим с ними шара, размещенных в проточках, выполненных в основании и плите, а отношение радиуса сферы вкладыша к радиусу шара составляет 10 - 100.

Номер патента: 570237

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Жвирблянский, Сухарев, Фрейман

МПК: C30B 15/28

Метки: взвешивания, вытягивания, диаметра, кристаллов, методом, расплава, регулированием

1. Устройство для вытягивания кристалла из расплава с регулирование его диаметра методом взвешивания, включающее герметичную камеру с тиглем и нагревателем, установленную над ней подвижную в вертикальной плоскости каретку, связанную с тягой кристалла и тягой эталонного стержня, расположенного в емкости с жидкостью, и датчик веса, электрически соединенный с системой управления процессом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности регулирования диаметра кристалла и упрощения устройства, оно снабжено рычагом, опора которого установлена на каретке, а противоположные концы плеч соединены с тягой кристалла и тягой эталонного стержня, и датчик веса соединен с одним из плеч.2....

Номер патента: 1321131

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло, Погодина

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, кристалла, расплава

1. Устройство для вытягивания кристалла из расплава, включающее герметичную камеру, внутри которой размещены тигель, окруженный нагревателем и системой теплоизоляции, шток с затравкой кристалла, механизмы перемещения и вращения кристалла, имеющие приводы и содержащие каретку, подвижно установленную на вертикальной направляющей, и средством уплотнения штока, размещенное на крышке камеры, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет непрерывного вытягивания кристалла, устройство снабжено дополнительной кареткой с механизмом отрезки кристалла, подвижно установленной сверху на направляющей, обе каретки снабжены захватами кристалла, установленными с возможностью вращения,...

Номер патента: 710128

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Жвирблянский, Фрейман

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

1. Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава, содержащее герметичную камеру с отверстием в верхней стенке, втулку, установленную в отверстии и соединенную с приводом вращения, тигель, расположенный в полости камеры по оси втулки, затравкодержатель, подвешенный в камере над тиглем на гибкой связи, присоединенной к намоточному барабану, и привод вращения барабана, отличающееся тем, что, с целью осуществления процесса в условиях вакуума, оно дополнительно снабжено вакуумно-плотным корпусом, герметично присоединенным к втулке, барабан установлен внутри корпуса, привод его вращения укреплен на наружной поверхности корпуса и гибкая связь выполнена в виде нити.2. Устройство по...

Номер патента: 799454

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Гулякин, Путин, Путина, Титаренко, Чутков, Яценко

МПК: C22B 34/12

Метки: аппарата, магниетермического, производства, расплава, слива, титана

Устройство для слива расплава из аппарата магниетермического производства титана, включающее сливную трубу с седлом и отверстием и шток с клапаном, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости слива и улучшения условий труда, клапан в средней части выполнен цилиндрической формы, высота цилиндрической части клапана равна 1,0 - 2,0 высоты отверстия седла.

Номер патента: 1157860

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Андреев, Гулякин, Корякина, Мушков, Нечаев, Путин, Путина, Титаренко, Шишмарев, Яценко

МПК: C22B 34/12

Метки: аварийного, аппарата, восстановления, вылива, магнием, расплава, тетрахлорида, титана

Способ прекращения аварийного вылива расплава из аппарата восстановления тетрахлорида титана магнием, включающий прекращение подачи тетрахлорида титана и аргона, отличающийся тем, что, с целью улучшения условий труда и повышения безопасности процесса, в аппарате создают разрежение согласно формуле Р = (1,1 - 1,2) Рст, где Р - разрежение в аппарате; Рст - максимальное давление столба расплава в аппарате.

Номер патента: 1354732

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Грошева, Титаренко, Черепанова

МПК: C22B 34/12

Метки: аппарата, магниетермического, производства, расплава, слива, титана

Устройство для слива расплава из аппарата магниетермического производства титана, включающее хвостовик, сливную трубу со штоком, седло, траверсу и пневмопривод, отличающееся тем, что, с целью повышения безопасности работы, снижения потерь магния и хлористого магния, снижения расхода нержавеющей стали, оно дополнительно снабжено Т-образным стержнем, нижняя часть сливной трубы выполнена с диаметрально противоположно расположенными прорезями, Т-образный стержень жестко соединен с пневмоприводом и установлен с возможностью перемещения в прорезях нижней части сливной трубы, причем длина стержня равна 1,5 - 2,0 диаметрам хвостовика.

Номер патента: 1358416

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Кокшаров, Конев, Путин, Путина, Сырышев, Тимофеева

МПК: C22B 34/12

Метки: аппарата, магниетермического, расплава, слива, титана, узел

Узел слива расплава из аппарата магниетермического получения титана, включающий сливную трубу, шток с приводом, бобышку со сливным отверстием, отличающийся тем, что, с целью создания безопасных условий эксплуатации и снижения потерь ценных компонентов, он снабжен съемным патрубком с прорезью, подсоединенным к торцу сливной трубы, выполненным с выступом, установленным под штоком, а привод выполнен с экраном.

Номер патента: 1748587

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Селявко, Шнейдер

МПК: H01L 39/24

Метки: bi2sr2cacuocuo8путем, кристаллизации, расплава, фазы

Способ получения фазы Bi2Sr2CaCuO8- путем кристаллизации из расплава, включающий приготовление расплава необходимого состава, охлаждение до температуры кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных кристаллов, расплав приготавливают из шихты исходного состава Bi2Sr1,6+xCa1,4+xCuO8+ , где -0,1 x 0,1.

Номер патента: 666700

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Александров, Матвеев, Райман, Симун, Соколов, Фритсше

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикальной, выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, нескольких, расплава

Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава, включающее несколько контейнеров, имеющих форму чаш, с отверстиями, установленных в стопу, и питатель, расположенный сверху, отличающееся тем, что, с целью упрощения изготовления устройства за счет исключения притирки контейнеров друг к другу, облегчения выгрузки кристаллов вследствие предотвращения затекания расплава в места контакта контейнеров и возможности очистки расплава от летучих примесей, отверстия выполнены в виде вертикальных каналов в боковых стенках контейнеров, соседние контейнеры установлены со смещением отверстий относительно друг друга.

Номер патента: 1688596

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Бушмакин, Васева, Кокшаров, Конев, Путин, Путина, Титаренко, Тупица, Хлебников, Чутков

МПК: C22B 34/12

Метки: аппарата, восстановления, губчатого, расплава, слива, титана, узел

Узел слива расплава аппарата восстановления для получения губчатого титана, заключающий запорное устройство, трубу с фланцем, донный патрубок реторты аппарата восстановления, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного расхода металла аппарата на 1 т губчатого титана, механизации демонтажа узла слива, он снабжен кольцом, расположенным между фланцем трубы и донным патрубком и приваренным к фланцу, диаметр кольца равен диаметру донного патрубка, а соотношение диаметров фланца и кольца 1 : (1,0 - 1,2), отношение высоты кольца к высоте донного патрубка 1 : (1,7 - 3,3).

Номер патента: 1478633

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Кокшаров, Конев, Путин, Путина, Сырышев, Чутков

МПК: C22B 34/12

Метки: аппарата, магниетермического, расплава, слива, титана, узел

1. Узел слива расплава аппарата магниетермического получения титана, включающий сливную трубу с бобышкой со сливным отверстием, установленную в донный патрубок реторты, съемный патрубок с прорезью, подсоединенный к торцу сливной трубы с бобышкой, шток с запорной иглой и рычаг с экраном, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности аппарата, бобышка со сливным отверстием с запорной иглой установлена в плоскости пересечения дна реторты и донного патрубка, а съемный патрубок выполнен с длиной, составляющей 1,0 - 1,5 длины сливной трубы.2. Узел по п.1, отличающийся тем, что он снабжен колпаком с окнами на боковой поверхности, установленным на бобышке.

Номер патента: 976726

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Стоян

МПК: C30B 15/10, C30B 25/02

Метки: выращивания, кварце, контейнер, кристаллов, облицовки, расплава, углеродсодержащей

1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью.2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце путем термического разложения CH3SiCl3 в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью получения облицовки в виде оптически прозрачной шероховатой пленки, осаждение ведут при концентрации...

Номер патента: 1489204

Опубликовано: 20.05.2003

Авторы: Афанасьева, Кочергин, Останина, Перетятько, Трубникова

МПК: C22B 9/10, C22C 1/06

Метки: высококремнистых, модифицирования, расплава, силуминов

Способ модифицирования расплава высококремнистых силуминов, включающий обработку расплава смесью фосфористой меди и оксида металла, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологических свойств сплава за счет повышения предельной степени пластической деформации и снижения коэффициента линейного расширения, в качестве оксида металла используют оксид свинца, при массовом соотношении фосфористой меди и оксида свинца в смеси 1 : 1, смесь вводят в расплав в количестве 1 - 6 мас.% и обработку расплава ведут в течение 5 - 10 мин.

Номер патента: 1614531

Опубликовано: 27.07.2004

Авторы: Лаишевцев, Липский, Петелькин

МПК: C30B 11/00

Метки: кристаллизацией, литья, направленной, расплава

1. Устройство для литья деталей с направленной кристаллизацией расплава, включающее керамическую форму, установленную на холодильнике и имеющую расположенные одна над другой полости для детали, стартовую полость и полость для затравочного кристалла, соединенные кристалловодами, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годного литья, в форме выполнена дополнительная стартовая полость в виде канала клиновидного сечения, расположенного между стартовой полостью и полостью для затравочного кристалла, а стартовая полость выполнена в виде канала прямоугольного сечения, расположенного по периметру полости для детали.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительная стартовая...

Номер патента: 940344

Опубликовано: 10.02.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава, синтеза

1. Устройство для синтеза и вытягивания монокристаллов из расплава по Чохральскому по авт.св. № 752877, отличающееся тем, что, с целью обеспечения постоянства условий подпитки при колебаниях уровня расплава, перегородка установлена с возможностью перемещения. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено трубкой для отвода газов.

Номер патента: 963328

Опубликовано: 27.06.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава в герметичной камере, содержащее установленные по оси камеры вал и полый шток с затравкодержателем, снабженный шайбой с прорезями, электромагнитный привод, включающий две магнитные полумуфты, соосно размещенные друг над другом на валу, верхняя магнитная полумуфта жестко соединена с валом, а нижняя установлена с возможностью вращения и снабжена направляющими стержнями, установленными параллельно оси штока, отличающееся тем, что, с целью увеличения длины вытягиваемых кристаллов, вал выполнен полым с внутренней винтовой нарезкой, а шток выполнен из отдельных трубчатых элементов последовательно уменьшающегося диаметра, имеющих внутреннюю и...

Номер патента: 650273

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: C30B 15/10, C30B 15/34

Метки: волокон, вытягивания, монокристаллических, нескольких, одновременного, расплава

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон, включающее тигель и установленный в его полости блок линейно расположенных формообразователей с вертикальными капиллярными каналами, выполненными из электропроводного материала, и источник тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса и прочности получаемых волокон, тигель имеет форму лодочки, торцовые стенки которой присоединены к источнику тока при помощи токоподводов, и блок выполнен из двух пластин, установленных вдоль лодочки параллельно одна другой, причем боковые торцы пластин прикреплены к торцовым стенкам лодочки и на их верхних торцах между капиллярными...