Патенты с меткой «монокристаллических»

Номер патента: 1415168

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Поляк, Шарипов

МПК: G01N 29/00

Метки: анизотропных, модуля, монокристаллических, упругости

...плоской прямоугольной пластины, выре,занной по одному из кристаллографическихннаправлении, консольно защемляется в тисках, В пластине возбуждают изгибные коле,бания под углом к ее поверхности с помощью пьезокерамического возбудителя, на который подается сигнал от звукового генератора. У анизотропных монокристаллических образ, цов наблюдается эффект повторения (рас, щепления) форм колебаний, т.е. когда одной , и той же форме колебаний соответствует не 25 одна, а несколько дискретных собственных частот, незначительно отличающихся по величине. При этом амплитуда этих колебаний различна. Это связано с тем, что у анизотропных образцов резонанс пластины как целого может быть вызван не только волнами, чей волновой вектор совпадает с...

Номер патента: 1444887

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, монокристаллических, пленок, силы, феррит-гранатов

...сигнал пропорционален смещению доменных границ происходящего под воздействием импульсов магнитно- ЗО го поля, т.е. амплитуда импульсов сигнала на выходе фотоэлектронного умножителя пропорциональна величине смещения доменных границ. Зависимость относительного смещения доменных гра- З 5 ниц Х от величины амплитуды поля Н имеет два участка с существенно различным наклоном, При этом точка излома на графике зависимости Х=2 (Н) оказывается однозначно связана с коэрци тивной силой Нс пленки. Как слева, так и справа от точки излома амплитуда фотоотклика при линейном увеличении амплитуды импульсов магнитного поля изменяется также линейно. Одна ко в момент, когда амплитуда импуль" сов переменного магнитного поля достигает значения коэрцитивной...

Номер патента: 1489996

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Петасюк, Петренко, Селех

МПК: B28D 5/00

Метки: инструмент, монокристаллических, резки

...устанавливают междукольцами 2 и 6 алмазный круг, которыестягивают винтами, проходящими черезкрепежные отверстия 13. Затем уста-.навливают фланец 11, сориентировавего таким образом, чтобы его грани 445совпадали с гранями кольца 2. При завинчивании винтов 12 фланец, перемещаясь вдоль оси инструмента, зажимаетотбортованную кромку круга,Конструкция инструмента позволяетустанавливать неотбортованный круг.При этом, отбортовка, которая производится по хордам окружности, происходит при перемещении фланца относительно кольца.После сборки в полость 7 производят нагнетание солидола, который за,полняет полость 4 и создает равномерное растягивающее радиальное усилие.Отбортовка круга по периметру правильного многоугольника, вершиныкоторого...

Номер патента: 1306173

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Антонов, Никаноров, Носов

МПК: C30B 15/34

Метки: монокристаллических, трубок

...мм,Получение монокристаллов возможно и при других скоростях вращения эатравочного кристалла. При этом изме" нение скорости вращения естественно, может повлечь эа собой изменениерасстояния меяду рабочими участкамиФормообраэователя. Достижение требу"емого эффекта, т,е, периодического изменения состава по высоте кристалла, возможно в очень широком диапазоне скоростей вращения затравки (О, 1200 об/мин). Выращены монокристаллические трубки длиной 80-100. мм. Эти трубки раэрезались по вертикальным образующим на прямоугольные образцы размерами 3 Э 15 мм. Чередующиеся легированные1306173и нелегированные слои имели равную Тд- Тд- е ширину. Суммарная ширина двух слоев ТА равнялась 0,25 мм,что соответствовало подъему затравки при одном ее где...

Номер патента: 1532856

Опубликовано: 30.12.1989

Авторы: Гаврилов, Золотоябко, Иолин, Косарев, Кувалдин, Райтман

МПК: G01N 23/20

Метки: деформаций, монокристаллических, пластин

...шлифованными боковымиповерхностями-, одна из которых под вергнута финишной химико-механической полировке, устанавливают на предметный стол установки так, чтобыона заняла относительно источника 1излучения отражающее положение(в геометрии Лауэ), На полированнуюповерхность пластины устанавливаютс помощью вязкой жидкости, напримерэпоксидной смолы без отвердителя,кварцевый пьезоэлектрический возбудитель колебаний на чертеже не показан). Пластину 5 облучают коллимированным пучком рентгеновскогоили нейтронного излучения, например, имеющим поперечное сечение0,052 мм, измеряют. приемником 4интенсивность отраженного излучения, затем с помощью возбудителяколебаний возбуждают в пластине поперечную ультразвуковую акустическую волну на частоте,...

Номер патента: 1539839

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Кузин, Мелихов, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, монокристаллических, пленок, силы, феррит-гранатов

...оба режима движения 3 обратимый и не 45 обратимый. При достижении полем смещания величины объемной коэрцитивности Н, ДГ только деформируется в объеме пленки, а при достижении полем смещЕния значений Н ДГ начинает дви" гаться как целое.Обратимся к форме магнитооптического сигнала, отражающего реальный характер смецения ДГ во времени под действием пилообразного импульса однородного магнитного поля смещения Из фиг. 3 видно, при достижении по- лЕм смещения значения объемной коэрцитивности Н, появляется магнитооптический сигнал, обусловленный упругим деформированием ДГ, закрепленных на поверхности пленки. С дальнейшим ростом поля смецения процесс обратимого движения ДГ продолжается до тех пор, пока величина поля смецения не достигнет...

Номер патента: 1555400

Опубликовано: 07.04.1990

Автор: Жохов

МПК: C30B 23/02

Метки: монокристаллических, слоев

...в нужном направлении. Угловую ориен- тацию дефлекторов 5 осуществляют юстировочными винтами 11, Расстояние 1 в между.дефлектором 5 и подложкой 8 30 мм, от испарителя 3 до центра отражающей поверхности теплового дефлектора 5 60 мм. Расстояние меяду элементами устройства регулируют с . помощью рамки 2.Устройство работает следующим образом.Напыляемое вещество - селен помещают в испаритель 3, Верхняя сдсть испарителя 3 закрыта заслонкой (не показана), Все устройство помещено в вакуумную камеру (не показана), которую откачивают до давления остаточных газов 5 10 -10 мм рт.ст. Одновременно с откачкой производят нагрев испарителя 3 до 250 С для удаления газов, .содержащихся в селене, тепловых дефлекторов 5 до 230-250 С, паропровода 6 и...

Номер патента: 1622141

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Жуков, Перевощиков, Скупов

МПК: B28D 5/00

Метки: монокристаллических, пластины, полупроводников, резки, слитков

...торца визуально и на металлографическом микроскопе МИМ.Обнаружено, что направление с минимальной плотностью ямок травления близко к одному из кристаллографичес ких направлений (100), на этом же направлении располагается зона с наименьшей плотностью дефектов.В этой зоне плотность ямок травления усредненная (с надежностью 0,98), по 15 полям зрения микроскопа составляет 9+5 ят/см, а в остальной части слитка в среднем - (1,1+0,7) х х 10 ят/см, причем в направлениях .(110) она достигает величины (5,3+ + 0,9) 10 з ят/см .35После того, как на торце слитка получают направление и зону с минимальной дефектностью, его ориентируют для резки по плоскости (001),40 а затем с помощью мастики приклеивают по образующей на оправку. Сначала слиток...

Номер патента: 1622803

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Егикян, Карабеков

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллических, нарушенности, объема, пластин, поверхности, степени

...исследуемого образца относительно эталоча - 0,5 то изменение ЛЬ составит величину 1 мм, Так как расширение: ели на 0,1 мм легко может быть измере о, то соответственно изменение е 2 на величину - 0,05" явится разрешением предлагаемого способа.Использование синхротронного излучения, имеющего,зкую диаграмму направленности, высокую интенсивность, равномерность интенсивности в плоскости орбиты, позволяе 1 создавать узкие, протяженные в горизонтальной плоскости щелзвые пучки, перекрывающие диаметры полупроводниковых кремниевых шайб, служащих в качестве основного материала для создания элементов современной электроники, Перемещение исследуемого монокристалла в плоскости, совпадающей с ристаллографической плоскостью, без изменения угла...

Номер патента: 839324

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Блецкан, Папков, Перов, Суровиков

МПК: C30B 15/34, C30B 29/16

Метки: выращивания, лент, монокристаллических, окислов, тугоплавких, формообразователь

...в котором пластины с верхними горизонтальными торцами разделены капиллярным зазором. В. этом случае фронт. кристаллизации имеет плоскую форму над торцами пластин и симметрично втянутую в зазор и оканчивающуюм ся гребнем. Центрами кристаллизации являются края ленты, и вершина .гребня в середине ленты. В процессе роста толщина плевки расплава. между фронтом кристаллизации и поверхностью торцов пластин колеблется нз-за вибрации затравки и колебания таких параметров, как температура, скорость вытягивания и т.д.Вследствие малой толщины этой пленки неизбежны соприкосновения локальных участков фронта кристаллизации с поверхностью торцов пластин.Участки ленты, соприкасающиеся с пластинами, примораживаются к ним и, вследствие непрерывного...

Номер патента: 1629753

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Барашев, Хапачев, Чуховский, Шухостанов

МПК: G01B 11/16

Метки: градиента, деформации, монокристаллических, неоднородных, образов, пленочных, рентгенодифракционный, составу

...0 до наиболее интенсивного максимума приведены в табл, 1. Из выражений (8) и (10) получают формулы (2) и (3), по которым, измеряя на КДО угловое расстояние Ьдц, между интерференционными максимумами 1 и ), сопоставляя его с соответствующим ЬЧ и Ф 11 из таблицы 1, можно рассчитать градиент деформации в линейной и квадратичной моделях.Ввиду монотонности линейного и квадратичного законов изменений деформаций и в случае, когда деформация Ьео =Ье "о +Ье 1 о;Ье 10 = ЬЧг ЬО 12 садЬЧо 1ЬЧг 12Ля 1 о ЛО 1 г с 1 ц О (16)Л Ф 1 о з 1 п О ЛФ 1 г у нсозр равна нулю(фиг, 1) при г= и или (фиг. 3) при= 0 соответствующие этим случаям изменения деформации КДО приведены на фиг.4), из (2), (3) и (15) получаютй - Х б н 2 лсоз где ЛО 1 г - угловое расстояние от...

Номер патента: 1640628

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Казимиров, Каневский, Минаева, Сластен, Струков

МПК: G01N 29/00

Метки: качества, монокристаллических, оптически, прозрачных, слитков, ультразвукового

...двухканального осциллографа 5 подается экспоненциальный сигнал с генератора 6 экспоненты, Синхронизатор 7 обеспечивает согласованный между собой запуск импульсного модулятора 2, генератора 6 экспоненты и генератора развертки двухканального осциллографа 5 так, что на экране двухканального осциллографа 5 одновременно с серией принятых эхо-импульсов наблюдается экспоненциальный сигнал. Экспоненциальный сигнал совмещается с огибающей серии принятых эхоимпульсов путем изменения постоянной времени генератора 6 экспоненты. Ультразвуковым преобразователем 1 сканируют по торцовой поверхности контролируемого протяженного изделия 13 путем его перемещения. При сканировании ультразвуковой преобразователь 1 в процессе излучения и приема вращают вокруг...

Номер патента: 1345682

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Алябьев, Артемов, Буланов, Папков, Перов

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: лент, монокристаллических, сапфира

...Выход основной Фракции составляет 52%, а трудоемкость измельчения1 кг исходного материала составляетО, 1 Н/ч.Повторный нагрев отделенной хруп" ной фракции с последующим сбросом ее в воду, измельчением и просеиванием через набор сит увеличивает суммарный выход годного до 80%.После операции измельчения исходный материал загружают в тигель, при этом возможно испольэовать фракцию любого размера, а основную Фракцию загружают в подпиточный бункер. Камеру установки "Спектр с реэистивным нагревом вакуумируют приблизительно до 1 10мм рт.ст. и лоднимавт мощность до расплавления корунда в тигле. Предварительно, при достижении температуры в камере 1200 С в камерунапускают инертный газ Ат до давленияО,О атм. После расплавления корунда производят...

Номер патента: 1213781

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Алябьев, Папков, Перов, Шевченко

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивания, лент, монокристаллических, сапфира

...диаметру графитового нагревателя 5. Этот цилиндр вставляютвнутрь графитового нагревателя 5.Затем собирают устройство из графи"тоного нагревателя 5 с молибдено"ным цилиндром, пьедестала 4 и экранон 7. С помощью резистивиого нагрева графитового нагревателя 5 совставленным в него цилиндром подннмаот темйературу до2000 С и выдерживают в течение 0,5-1 ч. Приэтой температуре происходит интенсивная диффузия углерода в молибденовый цилиндр, взаимодействие егос молибденом с образованием слоя 6,карбида молибдена. При,этом давление паров углерода падает с 10 до.в1 0 " атм , т , е . уменьшается на три порядка .Спой 2 вольфрама на внешнюю поверхность молибденового тигля нано"сят при помощи плазменно-дуговойгорелки при 4 5000 С с использованием 3781...

Номер патента: 1645169

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Добровинская, Литвинов, Пищик, Розенберг, Цайгер

МПК: B28D 5/00

Метки: корундовых, монокристаллических

...совершенством моталлов корунда. М.: НИИТЭХИМс. 81,(57)товле Изобретение относится к изготовле н ию мо нс крис талличе с ких изделий с повышенными прочностньии характеристиками и может найти применение в химической, ювелирной, часовой и электронной промышленностях.Цель изобретения - повышение тре щиностойкости иэделий и получение и с поверхностью с равной трещиностой костью независимо от их исходной еханическую образивными матеельным уменьшете рмохимиче с кую роводят до удатолщиной 1- уществляют обалмазным абрана 5/3-3/2 мкм нагрузке на обприведено сравениетовленных по предлага1645169 4 мазом АСИ 7/5; 5/3; . 3/2. Обработанные таким образом заготовки далеетермохимически полируют в печи типаСШОЛ в расплаве буры (НаВ 407 10 НО)при 1000 С до...

Номер патента: 1647042

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Ганин, Лиманов, Лифшиц, Мусатова

МПК: C30B 1/08, C30B 13/22

Метки: выращивания, монокристаллических, пленок

...поликремниевой пленкой 5, Размеры зоны нагрева определяют с одной стороны длиной и диаметромспирали источника 1, а с другой стороны - условиями фокусировки. Подложку 4, установленную нэ подложкодержателе 3 с вмонтированным в него нагревателем 7, перемещают со скоростью 5 10 м/с. При этом для компенсации ассиметрии теплового распределения в зоне нагрева собирающую линзу 2 смещают в направлении перемещения подложки 4 с держателем 3 на 1,5 10и, что удовлетворяет соотноше,Чнию Лх = А . Для осуществления смеащения собирательной линзы 2 в системе фокусировки последнюю закрепляют в каретке, установленной на направляющей типа "ласточкин хвост" (не показано). Величина смещения регулируется дифференциальным винтом. Переводной коэффициент А...

Номер патента: 1691432

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Лавров, Попель, Спиридонов

МПК: C30B 13/24

Метки: монокристаллических, пленок, тонких

...падения луча на поверхность формируется высокосовершенный монокристалл куприта, рассеиваясь на котором, электроны формируют дифракционную картину, состоящую из непрерывных узких полос, свидетельствующих о наличии пакета плоскостей оксида, толщиной до 2,0 нм.На фиг. 1 представлена электронограмма на отражение от поликристаллической поверхности меди; а нафиг.2 - то же, от полученной пленки Сц 20; на фиг. 3 - электронограмма.П р и м е р 2. По методике примера 1 получен монокристалл германия на поверхности германия. Высокое качество кристалла подтверждается не только наличием тонких полос на электронограмме, но и Ки,ИГКРГг гС изводственно-издательский комбинат Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 кучи-линиями, указывающими на ориентацию...

Номер патента: 1700111

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Беляев, Гриднев, Пикунов, Сидоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: магнитов, монокристаллических, постоянных

...скорости охлаждения более 100град/мин структура отливок не получаетсямонокристаллической из-за бокового теплоотвода и образования новых кристаллов отповерхности формы.При термомагнитной обааботке (ТУО)образцов нагрев осуществляют до 1240 -1260 С со скоростью 40 - 200 град,"мин, Принагреве со скоростью менее 40 град/мин вструктуре сплава успевает образоватьсяпроизвольно ориентированная у-фаза,При нагреве со скоростью более 200град/мин в заготовках возникают микротрещины, понижающие механическуюпрочность образцов, Дальнейшая ТМО проводится по следующей схеме: охлаждениена воздухе в магнитном поле 2 мин, изотермическая выдержка прл 800 С 12 мин, двух 1- ступенчатый отпуск ппи 650 О С 5 ч и при 550С 20 ч,В табл. 1 приведены...

Номер патента: 1707088

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Мироненко, Непомнящих

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: детекторов, лилия, монокристаллических, основе, фтористого

...кристаллизация фтористсго лития с указанными концентрациями фтористого лагния и Окиси титана в присутии фсрмообразсвателя на затрэвочный кристалл псзвс яет гсл.чи-ь ориентированные однородные пс чувствительности мснокристэллические стержни, заданного фсрлссбразсвателем профиля благ даря ток у, что кристаллизация расплэза в отвр- тиЯХ фсрглссбразсвэтелд гсз оля,сни, ть долю переноса примеси з. счетс ге.ць, и приводит лишь к дффузиснпрпцгссз л рэс пседе 1 сния псил;и, а с= г сди тсс"-,е",лэГд- к х кон. ,-. .,"Эциочог;к -Ервокг а.,: ниЮ, ". другой стороны ограч. чивает процессы риффуэисннси агрегэции в кристалле, что способствует получению однородных по у вствительности мс;.Окристэллических стержнеи и детекторов из них, не...

Номер патента: 1710604

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Баранов, Белов, Дмитриев, Кондратьева, Челноков, Шаталов, Эрлих

МПК: C30B 25/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, кубического, монокристаллических, слоев, эпитаксиального

...процесса выращивания - отсутствие буферного слоя, и позволяет использовать стандартное технологическое оборудование для получе ния эпитаксиальных слоев кремния, так как дает возможность выращивать монокристаллические слои ВС той же толщины, что и известный способ на Ю-подложке при более низких температурах. Температура рос та является одним из основных параметров, который оказывает влияние на качество выращенного слоя, Возможность сохранения монокристалличности эпитаксиальных сло-ев РС при снижении температуры роста до10 15 20 25 30 35 40 Ф 45 50 55 ков, Хотя выращивание монокристаллических слоев ЯС на Я 1-подложке известно, однако для выращивания монокристаллического 9 С на Я-подложках трихлорэтилен не использовался. При этом не было...

Номер патента: 1730218

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конников, Улин, Шайович

МПК: C30B 23/08, C30B 25/02, C30B 29/08 ...

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...превышения (сфалерит- вюртцит) а = а р/3, где р - наблюдаемая линейная плотность дефектов упаковки относительно кубической фазы, в обратных нм,Вторым необходимым условием реализации предлагаемого способа является выбор подложки, ее ориентации, Этот выбор должен обеспечить на поверхности кристалла - подложки высокую плотность центров адсорбции с максимальной глубиной потенциальной ямы для адатомов (адмолекул) кристаллизируемого вещества, и, главное, - отсутствие к нее подобия по потенциальному рисунку плоским сеткам кубического кристалла. Это обуславливает необходимость использования в качестве подложки монокристалла гексагональной симметрии со структурным типом вюртцита, а выбор ориентации подложки в соответствии с приведенными выше...

Номер патента: 1741025

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Гриценко, Кабанова, Смирнов, Яковлев

МПК: G01N 21/39

Метки: дефектности, монокристаллических, оксидов, оптически, прозрачных

...материала, но также могут приводить к его разрушению. Для данного рода оксидов пороговая плотность мощности лазерного излучения, приводящая к разрушению материалов)за счет эффекта оптического пробоя), составляет порядка 10 Вт/см и выше, Поэтому для выявления структурных дефектов и выбора бездефектных заготовок для изготовления линз и других оптических элементов без разрушения материалы необходимо облу 2- чать образцы лучом лазера с с10 Вт/см . Предлагаемый способ контроля позволяет выявлять не только структурные макродефекты на поверхности и в объеме материала, но и микродефекты (дислокации и точечные), а также изучать их процесс образования и преобразования при лазерном воздействии, Особенно предлагаемый метод усиливает эффект...

Номер патента: 1744611

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Афанасьев, Гулидов, Левченко, Хашимов, Щелоков

МПК: G01N 23/20

Метки: атомных, изгиба, монокристаллических, пластин, плоскостей, радиуса

...сто абразивной резки. лодержател ь кристалличе)4 диаметмм, Рабочая ана до 14-го рона - после пускаемых промышленностью одно- и двукристальных дифрактометрах.П р и м е р 1, На кристаллодержатель устанавливают образец монокристаллического кремния марки КДБ 10 (111) 4 О, Д 76 мм, толщиной 3 мм, отполированный до 14-го класса чистоты.Образец устанавливают таким образом, чтобы его поверхность была параллельна оси гониометра и рентгеновский луч скользил по рабочей поверхности образца. Перед исследуемым образцом на одно основание на расстоянии 1 мм от него устанавливают эталон - монокристаллическую пластину толщиной 2 мм, отполированную до 14-го класса чистоты, Эталон жестко закрепляют перед образцом таким образом, чтобы его атомные...

Номер патента: 1744737

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иващук, Сухина, Титенко

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, монокристаллических, пластин, разделения

...последующее разламывание пластины до ее разделения на отдельные кристаллы, создание зон концен.5 10 15 2025 30 35 40 45 50 55 трации механических напряжений осуществляют путем нанесения микроуколов индентором до образования смыкающихся междусобой микротрещин.Кроме тогоперед нанесением микроуколов индентором на лицевой и тыльнойсторонах пластины формируют ограничительные зоны, расположенные параллельноплотно упакованным кристаллографическим направлениям.После нанесения микроуколов индентором пластину кратковременно охлаждают вжидком азоте,Как известно, плотно упакованные кристаллографические направления в полупроводниковом монокристаллическомматериале совпадают с направлениями плоскостей скольжения и скалывания материала, При локальном...

Номер патента: 1484191

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Гуляев, Котелянский, Лузанов, Тараканова

МПК: H01L 21/203

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...ЗО.адсорбиронанного атома.Энергияизлучения выбирается такой, чтобы хеиисорбнронанные атомы,находящиеся вне дна потенциальногорельефа поверхности, поглотив квант 35света с выбранной длиной волны, ииели воэможность эа счет поверхностнойдиффузии занять положения, соответствующие минимуиу потенциальной энергии, т.е. занять положения, соответ.стнующие наилучшему кристаллическомусовершенству структуры. Плотностьмощности излучения 1 г оценивается изЬс ц -йусловия ЧМ --- где Ю=О сма 45,по порядку величины составляет У в"-е -4 йл, 10 -10 ,Пж/см . Длина волны излу чения определяется для каждого компонента н отдельности. 50П р и и е р 1. Осаждение монокристаллической пленки СИТе .проводятна подложки СИТе ориентации (10)...

Номер патента: 1299016

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Лапшин, Лебедев

МПК: B22D 27/04

Метки: жаропрочных, монокристаллических, отливок, сплавов

...холодильника, тембольше в поперечном размере будутрастущие вдоль холодильника зерна.Однако слишком большой угол при вершине равностороннего треугольника,лежащего в основании затравочной полости, ведет к неоправданному увеличению размеров затравочной полости.Рационально угол при вершине иметь30-45 . Высота эатравочной полостио35 назначается такой., чтобы при наклоне перед заливкой, горизонталь "а-а",проведенная из самой верхней точкина поверхности холодильника, котораяоформляет дно эатравочной полости,нигде не пересекала верхнюю поверхность затравочной полости (фиг. 3).Если часть верхней поверхности затравочной полости будет расположена .45при наклоне формы перед запивкой нижетакой горизонтали, то перемещениерасплава вдоль своей свободной...

Номер патента: 1836201

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Барабаш, Ефименко, Задерий, Карасевская, Котенко, Масимов, Нероденко, Ошкадеров, Понимаш, Шабалин

МПК: B23K 15/00

Метки: монокристаллических, тел

...шириной В задают в пределах значений1 =(0,1 - 10)В/4;где Ч,Чг, - скорость относительного перемещейия электронного пучка и обрабатываемого тела, мм/с;О - диаметр обрабатываемого тела, мм; В - ширина шва, мм,1 - величина смещения шва, мм;р - казФФициент(р = 3,14159.).Предложенный способ прост в осуществлении и предполагает использование стандартного оборудования для ЭЛС, в частности, манакристаллические заготовки с манаграннай поверхностью получены из поликристаллического ниабия на серийном оборудовании для электронно-лучевой сварки, - установка У 212 М, укомплектованная высоковольтным источником питания (14 кВт) и сварочной пушкой аксиального типа УЛ 119 М, При сварке разрежение в сварочной камере составляло 6,7 мПа. Основным...

Номер патента: 1105075

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бакун, Брюхно, Долгих, Матовников, Огнев, Четвериков

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, монокристаллических, подложек, пьедестале, размещения

СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ при газофазном осаждении на них полупроводниковых слоев, включающий установку подложек на пьедестал с закреплением на стержнях, съем подложек с осажденными слоями с пьедестала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных подложек с осажденными слоями за счет уменьшения вероятности их разламывания при съеме, при установке подложек на пьедестале биссектрису угла между двумя смежными плоскостями преимущественного разрушения каждой подложки ориентируют параллельно плоскости, проходящей через оси стержней.

Номер патента: 1115630

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Громов, Данцев, Хочинов, Черный

МПК: H01L 21/308

Метки: изолированных, монокристаллических, областей

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЛАСТЕЙ, включающий нанесение маскирующего слоя на пластину монокристаллического кремния, травление через маску разделительных каналов, окисление рельефной поверхности, нанесение на окисленную поверхность материала подложки, удаление электрохимическим травлением монокристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения качества процесса вскрытия монокристаллических областей для кремния любой степени легирования и любого типа проводимости, положительный потенциал подводят к монокристаллу снизу через проводящий материал подложки, причем окно в окисном слое, обеспечивающее омический контакт, создают перед наращиванием материала подложки.

Номер патента: 1723853

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Алексеев, Винтайкин, Гриднев, Кузнецов, Сидоров

МПК: C30B 1/06, C30B 29/52, C30B 33/04 ...

Метки: fe-co-cr-mo, магнитов, монокристаллических, основе, постоянных, сплава

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТОВ НА ОСНОВЕ СПЛАВА FE-CO-CR-MO, включающий отливку поликристаллической заготовки из исходных компонентов с добавлением легирующей примеси, выращивание монокристалла и последующую обработку путем нагрева, закалки от температуры 1250 - 1300oС до комнатной температуры, повторный нагрев и ступенчатое охлаждение в магнитном поле, отличающийся тем, что, с целью повышения магнитных и механических свойств, в качестве легирующей примеси используют германий в количестве 0,1 - 2,0 мас. %, а закалку ведут со скоростью 15 - 30 град/с до 700 - 750oС и далее со скоростью 70 - 100 град/с.